集成电路封装测试题 期末2017
集成电路封装测试技术考核试卷
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）
A集成电路设计期末考试试题
集成电路设计期末考试试题（ A ）卷参考答案一、填空题（每空一分，共20分）1. 2 12. Q=CV GE3. 衬底掺杂浓度4. 体效应5. 沟道中载流子的迁移率阈值电压V T随温度的变化6. MOS管的栅宽偏置电流7. 1/A2 1/A2 8. 温度垂直电场水平电场9. 互连线电阻电容电感传输线10. CXXXXXXX N+ N- V ALUE＜IC=INCOND＞二、简答题（每题10分，共60分）1.答：A当沟道长度L减小时阈值电压降低，而沟道宽度W变窄时引起阈值电压提高；B随着Vds的增加，在漏区的耗尽层宽度会有所增加，导致阈值电压提高。
C 实际栅长有一部分覆盖在氧化层上，氧化层下面会引起耗尽电荷，栅电压要加的较大才能使沟道反型。
D 栅电压增加时，表面迁移率会下降E 当Vds增大时，MOS管的漏端沟道被夹断并进入饱和区，Vds进一步增大，使沟道的有效长度减小2. 答：A源漏扩散电阻，在金属栅与硅栅技术的CMOS 工艺中，与漏源区同时制成，，方块电阻为20-100欧，不宜制作大电阻，误差为±20%，不能制作精密电阻。
B P/N阱扩散电阻，该结构电阻值较大，为1000-5000欧，面积也大，误差为±40%。
C 注入电阻。
由于离子注入精度可以控制掺杂浓度和注入深度，且横向扩散小，方块电阻为50-1000欧，可以制作大电阻而不占用大面积D 多晶硅电阻。
方块电阻为30-200欧，，难以制作精密电阻E薄膜电阻，该电阻的线性度好。
3. 答：4答：SPICE软件包含三个内建MOS场效应管模型：①1级模型通过电流—电压的平方律特性描述,考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。
②2级模型是一个详尽解析的MOSFET模型。
考虑了沟道电压的影响，对基本方程进行了一系列半经验性的修正。
③3级模型是一个半经验模型。
在精确描述各种二级效应的同时，可以节省计算时间，引入了模拟静电反馈效应的经验模型、迁移率调制系数和=饱和电场系数。
《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题
《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题一、单项选择题：1、下面哪项不是AiP天线技术出现的原因？()A)随着应用频率的提高天线尺寸越来越小，可集成于封装体内B)AiP技术有利于降低射频芯片与天线互连距离，降低互连损耗C)AiP天线引入可以降低封装的成本，2、从工艺流程分类，eW1B属于下面哪种类型的扇出型封装？OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-Iast(RD1-first)3、下面哪种封装形式不能进行多芯片集成？OA.chip-firstFanout(face-down)B.chip-firstFanout(face-up)C.chip-1astFanout(RD1-first)D.W1-CSP4、下面哪种扇出型封装形式更容易实现细线宽线距的RD1再布线？OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-1ast(RD1-first)5、DeSmear在处理基材时的顺序？()A)蓬松.除胶.活化(B）清洁.除胶■中和C）蓬松■除胶■中和（C产D）清洁-蓬松-除胶6、以下哪个参数不属于信号完整性设计考虑的范畴？OA）S参数；（B）特性阻抗；O延时；（D）直流压降7、采用以下哪个手段可以明显降低电源/地平面的交流阻抗？O A）并联电容；（（：确?’:案）B）串联电容；O串联电感；（D）并联电阻8、下面哪些表述是正确的？OA.材料表面越粗糙润湿性越好B.泊松比是纵向应变与横向应变之比C.弹性模量又称杨氏模量｛D.湿扩散系数与温度不相关二、多项选择题：1、毫米波通讯应用中采用什么方法增加基站传输距离？OA）采用大规模相控阵列⑺―）B）采用波束赋形合成C）采用较大功率元器件（（正来用案）D）增加基站密度2、降低电容互连寄生的方法有什么？OA）增加馈入点个数（JB）采用介电常数较高的薄膜材料C）馈入电对称且保证与馈出口形成电流均匀D）缩短互连线长度（I1产木）3、晶圆级封装的驱动力是什么？OA.成本（正确答案）B.封装尺寸］C.电/热学性能｛,W）D.集成性能4、芯片尺寸封装中，UBM的作用是什么？OA.防止焊料扩散（正确答案）B.提高焊料的可焊性C.保护RD1层D.提高热力学性能5、热传递包含哪几种传热方式？OA.热传导B.热对流C.热辐射D.热串扰6、物体的传导热阻与哪些因素有关？O A.热导率.（>B物体长度.（IHC横截面积 aD.温度7、对流热阻与哪些因素有关？OA.物体与流体之间的有效接触面积（：除笆制B.对流系数C.温度8、电镀时对于沉积光亮起作用的是哪些成份？OA）硫酸（B）光亮剂（diO整平剂（D）载运剂（；E）氯离子I9、埋入技术的优点有哪些？OA）减小封装尺寸（（IB）提高I/O密度（（正确答案）O减少寄生参数D）散热性能优异（IE）只适合有源埋入10、信号完整性设计时，从如下哪几个方面展开传输链路的阻抗匹配？O A）调整传输线的线宽线距;，,/A）B）过孔的焊盘和反焊盘大小设计;（II：'1上案）O电源平面的分布和尺寸；D）接插件的匹配设计11、传输线的特性阻抗与如下哪几个参数有关？（）A）线宽线距；（B）介质的损耗角正切；C）与回流平面的距离；（（」IuuD）介电常数（12、以下哪些手段可以提升信号传输质量？（）A）绕线；（B）阻抗匹配;（：C）缩短传输路径；（Hu-ID）采用低损耗角正切的介质］「''>'>；■）13、可靠性设计流程中需要输入哪些参数？OA.验证手段B.封装结构IC.封装材料性能D.施加载荷14、热应力仿真时需要提供材料哪些力学性能？OA.模量，B.热膨胀系数C.泊松比，D.玻璃化温度15、减小电子封装热应力的方法有哪些？OA.优化封装结构B.选择热膨胀系数匹配的封装材料C.在焊球或者微凸点间隙中填充底填胶,D.降低最高工艺温度16、可靠性设计的指标包含哪几部分？OA）可靠性指标（I1B）性能参数的稳定性IC）环境适应性（正确答案）D）必须消除或控制的过应力失效与磨损失效I1j）三、判断题：1、热辐射需要任何介质［判断题］对错2、热辐射可以在真空中传播［判断题］对（正确答案）错四、简答题：1、电尺寸的概念是什么?对于一个ICm的微带线在IooGHZ应用下属于电大尺寸还是电小尺寸情况？2、对于电磁场屏蔽的有效方案是什么？3、什么叫黑体?4、SAP工艺增层的工艺流程顺序是什么？5、FCBGA的芯板有哪些特点?6、请描述TSV的定义;7、TSV中哪个参数是衡量垂直互连的密度的?是如何定义的8、请以无源硅转接板(Si1iCOnPaSSiVeinterPoSer)为例，描述TSV工艺流程;9、基于TSV工艺模块在整个芯片制造流程的O区分，可以分为如下三种:和技术路线10、基于TSV技术的C1S封装，通常选择哪种方式的TSV工艺？。
集成电路封装与测试复习试题_答案
一、填空题1、将芯片及其余因素在框架或基板上部署，粘贴固定以及连结，引出接线端子而且经过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装置成完好的系统或许设施，这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传达电能；传达电路信号；供给散热门路；构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种，包含了转移成型技术、发射成型技术、预成型技术、此中最主要的是转移成型技术。
7 、在焊接资猜中，形成焊点达成电路电气连结的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提升可焊性的物质叫做助焊剂；在 SMT 中常用的可印刷焊接资料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包含了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（ Module）、电路卡工艺（ Card ）、主电路板（Board ）、完好电子产品。
11 、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平展工艺、电化学腐化、湿法腐化、等离子增添强学腐化等。
12、芯片的互连技术能够分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG 切割方法进行芯片办理时，第一进行在硅片正面切割一定深度切口再进行反面磨削。
14、膜技术包含了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜常常采纳丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包含了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解说1、芯片的引线键合技术 (3 种)是将细金属线或金属带按次序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包含超声波键合、热压键合、热超声波键合。
集成电路封装测试题期末2017
集成电路封装测试题期末20171、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。
于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al 膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
集成电路封装考试答案
名词解释：1.集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。
4.芯片互联：5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。
6.可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
7.可润湿性：8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。
9.印制电路板：10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。
11.气密性封装：12.是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。
13.可靠性封装：14.是对封装的可靠性相关参数的测试。
15.T/C测试：16.即温度循环测试。
17.T/S 测试：18.测试封装体抗热冲击的能力。
19.TH测试：20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。
21.PC测试：22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试。
23.HTS测试：24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
25.Precon测试：26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。
27.金线偏移：28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。
29.再流焊：30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：1.芯片封装实现了那些功能？传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
集成电路的封装热管理考核试卷
12. A
13. D
14. D
15. A
16. C
17. A
18. B
19. D
20. A
二、多选题
1. ABCD
2. AB
3. ABC
4. BD
5. ABCD
6. ABC
7. AB
8. ABC
9. ABCD
10. ABC
11. AB
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. AB
1.集成电路封装的主要目的是保护芯片，提高电路的______和可靠性。
2.热阻（Rth）的单位是______，它表示单位时间内通过单位面积的热量与温差之比。
3.在集成电路封装中，BGA（Ball Grid Array）封装类型具有较好的______性能。
4.主动散热方式包括风冷、液冷和______等。
5.热导率（k）是衡量材料导热能力的物理量，单位是______。
6.为了提高集成电路封装的热管理效果，可以采用______材料来降低热阻。
7.封装过程中，若芯片与封装材料之间的热膨胀系数不匹配，可能会导致______问题。
8.在自然散热条件下，集成电路的散热主要依赖于______和封装表面积。
9.热设计的一个重要原则是保持芯片的工作温度在______以下，以确保电路的正常运行。
16. ABC
17. AD
18. ABC
19. ABC
20. BD
三、填空题
1.可靠性
2. K/W
3.热性能
4.热管
5. W/(m·K)
6.高热导率
7.热应力
8.对流
9.最高允许温度
10.硅脂
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1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。
于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。
电镀形成了厚的凸点。
印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。
印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。
可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。
化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。
5、比较各种芯片互联方法的优缺点？答：（1）：引线键合（WB）特点：焊接灵活方便，焊点强度高，通常可以满足70nm 以上芯片的焊区尺寸和节距的需要。
（2）：载带自动焊（TAB）：综合性能比WB高，TAB技术可以作为裸芯片的载体对IC 芯片进行老化、筛选、测试，使组装的超大规模集成电路芯片被确认是好的芯片。
这就可以大大提高电子产品特别是MCM的组装成品率从而大幅度降低电子产品的成本。
（3）：倒装焊（FCB）：芯片面朝下，将芯片焊区与基板焊区直接相连。
在裸芯片上的电极上形成焊料凸点，通过钎焊将芯片以电极面朝下的倒装方式安装在多层布线板上，由于不需要从芯片向四周引出I/O端子，可布置更多的端子，互联线的长度大大缩短，减小了RC延迟，可靠性提高上的电极上形成焊料凸点，通过钎焊将倒状方式实装在多层布线板上，由于不需要从芯片向四周引出I/O端子，可布置更多的端子，互联线的长度大大缩短，减小了RC延迟，可靠性提高6、埋层芯片互联－后布线技术的结构特点及发展趋势？答：结构特点：先布线焊接互联技术：在各类基板上的金属化布线焊区上焊接各类IC芯片，即先布线而后焊接，称为先布线焊接互联技术。
埋层芯片互联技术（后布线技术）：先将IC芯片埋置到基板或PI介质层中后，再统一进行金属布线，将IC芯片的焊区与布线金属自然相连。
这种芯片焊区与基板焊区间的互联属金属布线的一部分，互连已无任何“焊接”的痕迹。
这种先埋置IC芯片再进行金属布线的技术称为后布线技术。
发展趋势：埋置芯片互连还可进一步提高电子组装密度，是进一步实现立体封装的一种有效的形式。
它的最明显好处是可以消除传统的IC芯片与基板金属焊区的各类焊接点，从而提高电子产品的可靠性。
而Si基板除了以上两种埋置芯片互连技术外，还可以利用半导体IC芯片制造工艺，先在Si基板内制作所需的各类有源器件后再布线与各有源器件的焊区互连。
在这种内含有源器件的Si基板上再进行多层布线，埋置IC芯片，将有更高的集成度。
二、插装元器件的封装技术1。
插装元器件的结构特点及应用？答：结构特点：插装元器件的管脚都带有引线，引脚从封装两侧引出，适合进行插装，封装材料有塑料和陶瓷两种。
插装元器件的引脚节距多为2.54mm，引脚一般在4—64之间。
应用：应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
2. 插装元器件与表面贴装元器件主要区别？答：表面贴装元器件体积小，便于小型化生产，便于减小成品尺寸。
表面贴装管脚引线短，降低了其特性中附加的电感和电容成分，尤其在高频电路中，表面贴装成本低，便于批量生产，三、表面组装元器件的封装技术1. 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？答：可分为矩形片式电阻器 ,圆柱形片式电阻器。
其中矩形片式电阻器的基板由高纯氧化铝做成，电阻材料用镀膜溅射的方法涂与基板表面，用玻璃纯化的方法形成保护膜，在矩形的两边为可焊端，即引线端。
2. 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？答：基板：基板要具有良好的电绝G8P-1A4P DC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的(96%) AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确，以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极：片式电阻器一般都采用三层电极结构，最内层的是内层电极，它是连接电阻体位于中间层的是中间电极，它是镀镍( Ni)层，也被称为阻挡层，其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性，避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极，它也被称为可焊层，该层除了使电极具有良好的可焊性外，还可以起到延长电极保存期的作用。
通常，外层电极采用锡一铅(S。
-Pb)合金电镀而成。
电阻膜：电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上，然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层：保护层位于电阻膜的外部，主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
3. 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？答：片式瓷介电容器：单层的电极烧结构成陶瓷芯片，再外加电极，形成电容器。
多层片式瓷介电容器：由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。
4. 片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？答：片式钽电解电容器：是用金属钽做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽表面生成的氧化膜作为介质制成。
矩形钽电解电容外壳为有色塑料封装，一端印有深色标志线，为正极，在封面上有电容量的数值及耐压值，一般有醒目的标志，以防用错。
铝电解电容：以金属铝为正极，其表面氧化膜作为介质，电解液作为负极的电容，液体电解质片式铝电解电容器的特点：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。
还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。
其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不能接反。
5. 片式电感器主要有哪几种类型？答：（见题6）6. 片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？答：片式电感器从制造工艺来分，片式电感器主要有4种类型，即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。
其中，绕线式是传统绕线电感器小型化的产物，叠层式则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作，体积比绕线型片式电感器还要小，是电感元件领域重点开发的产品。
片式电感器现状与发展趋势由于微型电感器要达到足够的电感量和品质因数（Q）比较困难，同时由于磁性元件中电路与磁路交织在一起，制作工艺比较复杂，故作为三大基础无源元件之一的电感器片式化，明显滞后于电容器和电阻器。
特点：绕线型它的特点是电感量范围广（mH～H），电感量精度高，损耗小（即Q大），容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等，但不足之处是在进一步小型化方面受到限制。
陶瓷为芯的绕线型片电感器在这样高的频率能够保持稳定的电感量和相当高的Q值，因而在高频回路中占据一席之地。
NLC型适用于电源电路，额定电流可达300mA；NLV型为高Q值，环保（再造塑料），可与NL互换；NLFC 有磁屏，适用于电源线。
叠层型：它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械强度好。
不足之处是合格率低、成本高、电感量较小、Q值低。
它与绕线片式电感器相比有诸多优点：尺寸小，有利于电路的小型化，磁路封闭，不会干扰周围的元器件，也不会受临近元器件的干扰，有利于元器件的高密度安装；一体化结构，可靠性高；耐热性、可焊性好；形状规整，适合于自动化表面安装生产。
薄膜片式：具有在微波频段保持高Q、高精度、高稳定性和小体积的特性。
其内电极集中于同一层面，磁场分布集中，能确保装贴后的器件参数变化不大，在100MHz以上呈现良好的频率特性。
编织型：特点是在1MHz下的单位体积电感量比其它片式电感器大、体积小、容易安装在基片上。
用作功率处理的微型磁性元件。
7. 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？答：磁珠，二极管。
磁珠特点：是由铁氧体材料和导体线圈组成的叠层型独石结构，因在高温下烧结而成，因而致密性好、可靠性高。
磁珠应用场合：广泛应用于开关电源、遥控玩具、传真机、激光打印机及电子钟表等通讯和消费类电子领域。
磁珠是EMC设计中常使用的元件，在EMC对策中占重要位置。
二极管特点：有单向导电性，片式封装，贴片焊接二极管应用场合：可分为开关二极管，变容二极管，稳压片式二极管，整流二极管，瞬间抑制二极管，发光二极管，适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。