一款高频逆变器驱动模块电路
一款单相逆变器智能功率模块的应用电源电路设计
一款单相逆变器智能功率模块的应用电源电路设计
引言
智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。
以PM200DSA060型IPM为例。
介绍IPM应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
IPM的结构
IPM由高速、低功率IGWT、优选的门级驱动器及保护电路构成。
其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IPM具有GTR高电流密度、低饱和电压、高耐压、MOSFET高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。
根据内部功率电路配置情况，IPM有多种类型，如PM200DSA060型：IPM为D型(内部集成2个IGBT).其内部功能框图如图1所示，内部结构如图2所示。
内有驱动和保护电路，保护功能有控制电源欠压锁定保护、过热保护、过流保护和短路保护，当其中任一种保护功能动作时。
IPM将输出故障信号FO。
IPM内部电路不含防止干扰的信号隔离电路、自保护功能和浪涌吸收电路。
为了保证IPM安全可靠。
需要自己设计部分外围电路。
IPM的外部驱动电路设计。
逆变器电路
PWM逆变器电路逆变器, 电路图, 晶体管, 振荡器逆变器的电路图逆变器电路关于电路电阻R2和电容C1套集成电路内部振荡器的频率。
预设R1可用于振荡器的频率进行微调。
14脚和11脚IC内部驱动晶体管的发射极终端。
的驱动晶体管（引脚13和12）的集电极终端连接在一起，并连接到8 V轨（7808输出）。
可在IC的引脚14和15两个180度，淘汰50赫兹脉冲列车。
这些信号驱动器在随后的晶体管阶段。
当14脚的信号为高电平，晶体管Q2接通，就这反过来又使晶体管Q4，Q5，Q6点从目前的+12 V电源（电池）连接流一个通过的上半部分（与标签的标记）变压器（T1）中，小学通过晶体管Q4，Q5和Q6汇到地面。
因此诱导变压器二次电压（由于电磁感应），这个电压220V输出波形的上半周期。
在此期间，11脚低，其成功的阶段将处于非活动状态。
当IC引脚11云高的第三季度结果Q7的获取和交换，Q8和Q9将被打开。
从+12 V电源通过变压器的初级下半部和汇到地面通过晶体管的Q7，Q8，Q9，以及由此产生的电压，在T2次级诱导有助于的下半部周期（标签上标明）电流流220V输出波形。
逆变电路的输出电压调节部分的工作原理如下。
逆变器输出（T2的输出）挖掘点的标记为B，C，并提供给变压器T2的主。
在变压器T2的下降这个高电压的步骤，桥梁D5整流它和这个电压（将逆变器的输出电压成正比）是提供的PIN1通过奥迪R8，R9，R16和（该IC的内部错误放大器的反相输入）这个电压与内部参考电压比较。
此误差电压成正比的输出电压所需的值和IC调节占空比的驱动信号（引脚14和12）为了使输出电压为所需的值的变化。
R9的预设，可用于调节逆变器输出电压，因为它直接控制变频器的输出电压误差放大器部分的反馈量。
及其相关组件产生8V电源从12V电源供电IC及其相关的设计电路。
二极管D3和D4续流二极管，保护驱动级晶体管的开关变压器（T2）初选时产生的电压尖峰。
驱动1 700 V IGBT的几种高性能IC选型设计
驱动1 700 V IGBT的几种高性能IC选型设计王建渊苟亚仙西安理工大学博世力士乐电子传动与控制（深圳）有限公司摘要：通过对几种常用的1 700 V IGBT驱动专用集成电路进行详细的分析，对M579...Series和CONCEPT 公司的2SD--.Series进行深入的讨论，给出了电气特性参数和内部功能框图，设计了典型应用电路，讨论了使用要点及注意事项。
根据每种IC驱动IGBT试验，验证了各自的特点及驱动1700V IGBT时的性能。
关键词：1 700 V IGBT 集成电路高性能Choosing Design of Several High Performance ICs for Driving 1 700 V IGBTWang Jianyuan Gou Y axianAbstract：Detail analysis are provided for several usually used special IC of driving 1700V IGBT, deep discussion is put up for M579...Series and 2SD--.Series product of CONCEPT company, electric performance parameter and inner function block diagram are given, typical applying circuits are designed, notice proceedings and using outline are discussed. According to driving experiments of each IC, the characteristics and performances of driving 1700V IGBT were validated.Keywords：1 700 V IGBT IC high performance1 引言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展。
大功率逆变器中驱动电路的开关电源设计
中 图分类 号 ： Ｎ ６ Ｔ ８
文献标 识 码 ： Ａ
文章 编号 ：２ ９ ２ １ （０ ６ ０ — ０ ９ ０ ０ １ — ７ ３ ２ ０ ）９ ０ ０ — ５
Ｏ 引言
传统 的线 性 串联稳 压 电 源 ，其 功率 管 是连 续
定 性好 ， 随开关 周期 调节 电流 的大小 。 可
为此 本文设 计 了满足 这种要 求 的开关 电源 。 根 据 逆 变 器 的输 入 电 压 以 及 所 需 的功 率 要 求 ， 计 的辅 助电 源需要 满足 以下条 件 ： 设 （ ） 入 直流 电压宽 范 围 ３ ０ ６ ０ １输 ５ ～ ４ Ｖ；
（ ） 出电压 ２ Ｖ； ２输 ４
Ｗｕ ａ Ｈｕ ｅ ４ ０ ７ ， Ｃ ｉａ ｈｎ ｂｉ ３ ０ ４ ｈｎ）
Ａｂｓｒ ｃ ：Ｔｏ ｓ ｔｓｙ ｔｅ ｒ ｑ ｒ ｍｅ ｆｔ ｅ ｐ ｗｅ ｕｐ ｙ ｆ ｒｐｏ ｒ ｓ ｔｈｅ ｄｒｖｎ ｉｕｉ ｉ ｈｅ ｈｉｈ—ｐ ｗｅ ｎｖ ｒｅ ， ｔａ ｔ ａ ｉｆ ｈ ｅ ｕｉｅ ｎｔｏ ｈ ｏ ｒ ｓ ｐｌ ｏ ｗｅ ｗｉ ｃ ｓ ｉ ｉｇ ｃ ｃ ｔ ｎ ｔ ｇ ｏ ｒ ｉ ｅ ｔｒ
在 关 断 时 则 相 反 ，从 而 降 低 了功 率 管 的 开 关 损
耗 。 虽 然线性 电源 结 构简 单，但 需要 体积 较 大 的 工 频 变压 器， 开关 电源 以其 重 量 轻 、 而 效率 高 、 单 位体 积 能量 密度 较 高等 特性 在各 类 电子设 备 及 装 置 中得 到 了越来 越广泛 的应 用 。 开 关 电源 可分 为 电压 型和 电流 型两 种 。 电流 型较 电压 型 开关 电源 的动 态 响应 快 ， 出 电压 稳 输
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【标准】三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析
三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析1 前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展。
20世纪 80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型晶体管（IGBT） [1>。
在IGBT 中，用一个 MOS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这就产生了一种具有功率MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。
在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（ UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是目前最为常见的一种器件。
功率器件的不断发展，使得其驱动电路也在不断地发展，相继出现了许多专用的驱动集成电路。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。
当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。
图1为一典型的IGBT驱动电路原理示意图。
因为IGBT栅极发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
广告插播信息维库最新热卖芯片：FX602D4ICM7555LM317D2T-TR TPA1517DWPR BL3207IRFR13N20D SP708REN CY2305SXC-1AD8108AST LXT970QC对IGBT驱动电路的一般要求 [2>[3>：1）栅极驱动电压IGBT开通时，正向栅极电压的值应该足够令IGBT产生完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。
在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在 12～ 20 V之间。
当栅极电压为零时，IGBT处于断态。
(完整word版)最常见的逆变器电路原理图
最常见的车载逆变器电路原理图见图1。
车载逆变器的整个电路大体上可分为两大部分，每部分各采用一只TL494或KA7500芯片组成控制电路，其中第一部分电路的作用是将汽车电瓶等提供的12V直流电,通过高频PWM (脉宽调制）开关电源技术转换成30kHz－50kHz、220V左右的交流电；第二部分电路的作用则是利用桥式整流、滤波、脉宽调制及开关功率输出等技术，将30kHz～50kHz、220V左右的交流电转换成50Hz、220V的交流电。
车载逆变器电路工作原理图1电路中，由芯片IC1及其外围电路、三极管VT1、VT3、MOS功率管VT2、VT4以及变压器T1组成12V直流变换为220V/50kHz交流的逆变电路。
由芯片IC2及其外围电路、三极管VT5、VT8、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、滤波电路 VD5－VD8、C12等共同组成220V/50kHz高频交流电变换为220V/50Hz工频交流电的转换电路,最后通过XAC插座输出220V /50Hz交流电供各种便携式电器使用.图1中IC1、IC2采用了TL494CN(或 KA7500C)芯片，构成车载逆变器的核心控制电路.TL494CN是专用的双端式开关电源控制芯片，其尾缀字母CN表示芯片的封装外形为双列直插式塑封结构，工作温度范围为0℃—70℃,极限工作电源电压为7V～40V，最高工作频率为300kHz。
TL494芯片内置有5V基准源，稳压精度为5 V±5% ，负载能力为10mA，并通过其14脚进行输出供外部电路使用.TL494芯片还内置2只NPN功率输出管，可提供500mA的驱动能力。
TL494芯片的内部电路图1电路中IC1的15脚外围电路的R1、C1组成上电软启动电路.上电时电容C1两端的电压由0V逐步升高，只有当C1两端电压达到5V以上时，才允许 IC1内部的脉宽调制电路开始工作。
当电源断电后，C1通过电阻R2放电,保证下次上电时的软启动电路正常工作。
igbt模块逆变器电路图大全（六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解）
igbt模块逆变器电路图大全（六款igbt模块逆变器电路设计原理图详解）igbt模块逆变器电路图设计（一）太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下，太阳能电池阵列（即PV组件方阵）将太阳能转换成电能，输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。
以往的光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。
然而随着电压的升高，MOSFET的通态电阻也会随着增大，在一些高压大容量的系统中，MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗的缺点。
在实际项目中IGBT逆变器已经逐渐取代功率场效应管MOSFET，因为绝缘栅双极晶体管IGBT通态电流大，正反向组态电压比较高，通过电压来控制导通或关断，这些特点使IGBT在中、高压容量的系统中更具优势，因此采用IGBT构成太阳能光伏发电关键电路的开关器件，有助于减少整个系统不必要的损耗，使其达到最佳工作状态。
在实际项目中IGBT逆变器已经逐渐取代功率场效应管MOSFET。
图1：太阳能光伏发电流程IGBT逆变器的工作原理逆变器是太阳能光伏发电系统中的关键部件，因为它是将直流电转化为用户可以使用的交流电的必要过程，是太阳能和用户之间相联系的必经之路。
因此要研究太阳能光伏发电的过程，就需要重点研究逆变电路这一部分。
如图2（a）所示，是采用功率场效应管MOSFET 构成的比较简单的推挽式逆变电路，其变压器的中性抽头接于电源正极，MOSFET的一端接于电源负极，功率场效应管Q1，Q2交替的工作最后输出交流电力，但该电路的缺点是带感性负载的能力差，而且变压器的效率也较低，因此应用起来有一些条件限制。
采用绝缘栅双极晶体管IGBT构成的全桥逆变电路如图2（b）所示。
其中Q1和Q2之间的相位相差180°，其输出交流电压的值随Q1和Q2的输出变化而变化。
Q3和Q4同时导通构成续流回路，所以输出电压的波形不会受感性负载的影响，所以克服了由MOSFET构成的推挽式逆变电路的缺点，因此采用IGBT构成的全桥式逆变电路的应用较为广泛一些。
tl494高频逆变器电路图（第1页）
tl494⾼频逆变器电路图（第1页）
图⽚集简介：tl494⾼频逆变器电路图 (第1页)，该页⾯将为您提供关于
tl494⾼频逆变器电路图的图⽚集,涵盖的图⽚有逆变器电路图介绍
(tl494/555作逆变器/纯正弦波逆变器电路) 模拟技术正⽂下图为利⽤tl494组成的400w⼤功率稳压逆变器电路. 求助关于...
逆变器电路图介绍(tl494/555作逆变器/纯正弦波逆变器电路)
模拟技术正⽂下图为利⽤tl494组成的400w⼤功率稳压逆变器电路.
求助关于12到220v 100w以下的逆变器制作
逆变器电路21本⽂图⽚内容是:tl494⾼频逆变器电路图
tl494组成的逆变器(7.2v 转450v ac)电路图
tl494设计的逆变器电路。
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本文介绍的集成电路NB一950A
是一种脉宽调制稳压型中高频逆变器驱动模块，用于
制作400Hz一100kHz的中高频逆变电源。
电路如图1所示。
电路工作原理:NB一950A模块6、7脚输出的频率为30kHz的脉宽调制信号，经V1、
V2放大，T1隔离祸合，驱动由V3一V6、T2、C18、C19等元件组成的半桥变换电路工作，在T2初级形成幅度为1/2Ec的高频方波电压，变换到几次经整流滤波后输出直流电压。
工作过程中，NB一950A根据反馈到5脚的电压取样信号自动调整脉宽，稳定输出电压。
输
出电压的高低由W1按需要调节。
根据稳压源的使用特点，该电路采用了双重过载、短路保护方式，以进一步提高电流
可靠性。
轻度过载时，模块根据9脚的电流取样信号实行限流保护，不影响负载工作，严
重过载或短路时，则由送至4脚的取样信号在数微秒内关闭输出。
限流保护值由W3调节。
关闭保护值由W2调节。
由于输人电源滤波电容较大，需要设置电源软启动电路。
该电路由
V8、R24、R25、C16、继电器J等组成。
为了便于空载时调整输出电压，稳压输出端增加了恒流泄放电路，由V7、V.9、V20和D3组成。
该电路主要性能指标为：①输人电压：180一250V交流市电；②输出直流：3一100V
连续可调．③输出电压稳定度：电压调整率和负载调整率均＜0.5%；④连续输出功率：最
大1000w；⑤输出纹波：有效值＜50mV；⑥效率：15V以上输出时＞70％。
（杨光寿）
图1一款高频逆变器驱动模块电路
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