微电子--芯片测试与封装作业

微电子--芯片测试与封装作业
微电子--芯片测试与封装作业

1.

发表于2012-10-31 11:37:00 Array

2.

发表于2010-4-5 18:02:15

应该是这样排名的

1 .清华(整体最强)

2.电子科大功率器件、半导体功能材料最强

3. 北大(工艺全国最强)

4 .复旦(设计最强)

5. 东南(MEMS与射频最强)

6 .西电(可靠性最强)

后面的就是上交华中科技浙大........

可以看出各个高校各有千秋,应该选准方向,再准备择校。3.

发表于 2010-3-7 18:14:29

北京地区

大唐微电子技术有限公司

北京北大众志微系统科技有限责任公司北京中星微电子有限公司

中国华大集成电路设计中心

北京中电华大电子设计有限责任公司北京清华同方微电子有限公司

北京神州龙芯集成电路设计有限公司威盛电子(中国)有限公司

北京九方中实电子科技有限责任公司北京NEC集成电路设计公司

北京华虹集成电路设计有限责任公司北京北方华虹微系统有限公司

北京海尔集成电路设计有限公司

北京六合万通微电子技术有限公司

北京中庆微数字设备开发有限公司

北京讯风光通信技术开发有限责任公司北京兆日科技有限责任公司

北京北大青鸟集成电路有限公司

北京宏思电子技术有限公司

北京航天伟盈微电子有限公司

北京火马微电子技术有限公司

北京奇普嘉科技有限公司

北京思旺电子技术有限公司

北京协同伟业信息技术有限公司

北京利亚德电子科技有限公司

北京芯网拓科技有限公司

清华大学微电子学研究所

北京奥贝克电子信息技术有限公司

北京东世科技有限公司

北京青鸟元芯微系统科技有限责任公司北京中科飞鸿科技有限公司

北京凝思科技有限公司

北京天宏绎集成电路科技发展有限公司北京东科微电子有限公司北京福星晓程电子科技股份有限公司

国家专用集成电路设计工程技术研究中心

北京国际工程咨询公司

北京中科联创科技有限公司

北京清华紫光微电子系统有限公司

北京时代华诺科技有限公司

北京中科微电子技术有限公司

奥华微电子(北京)有限公司

北京博旭华达科技有限公司

北京国芯安集成电路设计有限公司

北京凯赛德航天系统集成设计有限公司

北京伊泰克电子有限公司

矽统科技有限公司北京代表处

北京明宇科技有限公司

北京英贝多嵌入式网络技术有限公司

Ansoft公司

惠普(中国)有限公司

中关村-Cadence软件学院

中国科学院EDA中心

中国科学院微电子研究所

世源科技工程有限公司(中国电子工程设计院)北京润光泰力科技发展有限公司

Cadence公司

MentorGraphics公司

Magma公司

Chipldea公司

Synopsys公司

方舟科技(北京)有限公司

摩托罗拉强芯(天津)集成电路设计有限公司美国家半导体

深圳地区

深圳市中兴集成电路设计有限责任公司

深圳市国微电子股份有限公司

深圳市国微技术有限公司

深圳市明微电子有限公司

深圳市力合微电子有限公司

深圳市爱思科微电子有限公司

深圳市长运通集成电路设计有限公司芯邦微电子有限公司

深圳市剑拓科技有限公司

深圳市方通科技有限公司

深圳市明华澳汉科技股份有限公司深圳方禾集成电路有限公司

深圳市昊天旭辉科技有限公司

深圳市矽谷电子系统有限公司

深圳市中密科技有限公司

深圳市世纪经纬数据系统有限公司深圳市国芯微电子有限公司

深圳深爱半导体有限公司

深圳艾科创新微电子有限公司

深圳市先功集成电路有限公司

深圳市互动宝科技开发有限公司

深圳市中微半导体有限公司

深圳市安健科技有限公司

美芯集成电路(深圳)有限公司

深圳市冠日通讯科技有限公司

深圳市兴域电子有限公司

深圳兰光电子集团公司

安凯开曼公司

深圳凯达网络技术有限公司

创系电子科技(深圳)有限公司

深圳市名声电子科技开发

富大微电子科技(深圳)有限公司深圳市日松微电子有限公司

深圳市惠而特科技有限公司

深圳市天微电子有限公司

晶门科技(深圳)有限公司

深圳源核微电子技术有限公司

深圳华超软件与微电子设计有限公司深圳市江波龙电子有限公司

泰格阳技术(深圳)有限公司

深圳市朗科科技有限公司

深圳市鹏思电子有限公司

珠海炬力集成电路设计有限公司

深圳赛格高技术投资股份有限公司广晟微电子有限公司

深圳市贝顿科技有限公司

深圳市易成科技有限公司上海地区

上海华虹集成电路有限责任公司

上海新茂半导体有限公司

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室宏羚科技(上海)有限公司

上大众芯微电子有限公司

上海华龙信息技术开发中心

圣景微电子公司

上海精致科技有限公司

泰鼎多媒体技术(上海)有限公司

Aplus公司

鼎芯半导体(上海)有限公司

展讯通信有限公司

新益系统科技有限公司

上海明波通信技术有限公司

LSI逻辑公司

美国微芯科技公司

上海微科集成电路有限公司

上海大缔微电子有限公司

上海宽频科技股份有限公司

中颖电子(上海)有限公司

上海矽创微电子有限公司

上海至益电子技术有限公司

芯原微电子(上海)有限公司

智芯科技(上海)有限公司

得理微电子(上海)有限公司

格科微电子(上海)有限公司

上海爱普生电子有限公司

上海华园微电子技术有限公司

上海众华电子有限公司

德力微电子有限公司

勇瑞科技(上海)有限公司

江浙地区

苏州中科集成电路设计中心

江苏意源科技有限公司

无锡市爱芯科微电子有限公司

无锡市华方微电子有限公司

无锡华润矽科微电子有限公司

宁波市科技园区甬晶微电子有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州中天微系统有限公司

中国电子科技集团公司第五十五研究所

西安地区

德国英飞凌科技有限公司

西安华西集成电路设计中心

西安亚同集成电路技术有限公司

西安深亚电子有限公司

西安联圣科技有限公司

西安交大数码技术有限责任公司

西安中芯微电子技术有限公司

陕西美欧电信技术有限公司

西安万思微电子有限公司

西安和记奥普泰通信技术有限公司西北工业大学航空微电子中心

西安科大华成电子股份有限公司

西安北斗星数码信息有限公司

西安启圣科技有限责任公司

西安西电捷通无线网络通信有限公司西安华泰集成电路设计中心

富微科技有限公司西安德智科技有限公司

西安德恒科技有限公司

西安开元微电子科技股份有限公司

陕西航天意德高科技产业有限公司

西安蓝启科技有限责任公司

西安秦芯科技有限公司

西安大唐电信有限公司IC设计部

西安集成电路设计专业孵化器

成都地区

成都国腾微电子有限公司

绵阳凯路微电子有限公司

四川南山之桥微电子有限公司

成都登巅科技有限公司

成都天锐电子科技有限公司

成都威斯达芯片有限责任公司

中国电子工程设计院西南分院

信息产业电子第十一设计研究院有限公司成都华微电子系统有限公司

4.

2015-4-11 09:38|发布者: https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html,|

国际研究暨顾问机构Gartner 最终统计结果显示,2014年全球半导体营收总金额达3,403亿美元,较2013年的3,154亿美元增加7.9%。前25大半导体厂商合计之营收成长11.7%,高于业界整体成长率。前25大半导体厂占整体市场营收72.4%,亦高于2013年的69.9%。

Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示:“2014年各类元件皆呈正成长,不似2013年时,特殊应用积体电路(ASIC)、离散元件(discrete)与微组件(microcomponent)均呈衰退。记忆体市场连续第二年成为表现最佳的部门,增幅达16.6%,显示其余领域仅成长4.9%。整体来说,以DRAM厂商表现最佳,主要受惠于DRAM市场景气大好,年营收上扬32%达461亿美元,甚至超越1995年所创下的418亿美元历史高点。”

2014年大型半导体厂商之间的购并活动较前一年更为热络,部分已公开的购并案要待2015年才会完成交易。最受瞩目的购并案包括安华高科技(Avago)买下巨积(LSI)后,首度跻身全球前25大半导体厂商。晨星半导体(MStar Semiconductor)经过长时间磨合终于并入联发科(MediaTek),安森美(ON Semicondcutor)则买下Aptina Imaging。根据这波已定案的购并潮调整数据后,全球前25大半导体厂全年营收成长9.1%。

2014年全球营收前10大半导体厂商(单位:百万美元)(来源:Gartner,2015年3月)

半导体封装厂的分布(来源:半导体技术天地https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html,)

发表于2014-3-12 14:28:06

国内封装厂家的封装水平排名

发表于2011-10-10 21:42:42

从工艺、管理、产品线种类、研发实力、国际发明专利角度看:

第一集团:日月光、安靠、矽品、UTAC、ST、Intel、飞思卡尔;

第二集团:南通富士通、NXP、江苏长电、天水华天、固鍀、乐山非尼克斯、瑞萨、捷敏、星科金朋、Carsem、Infineon、美光、三洋、飞兆;

第三集团:华汕、蓝箭、安盛、杰群、明昕、葵和、华微、华晶、四川无线电厂等

第四集团:Many

5.一些行业动态

英特尔16亿美元升级成都芯片封装测试工厂

2014-12-7 11:14|发布者: https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html,

(来源:微电子论坛https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html,)

英特尔宣布,将在未来15年内投资16亿美元,对英特尔成都工厂的晶圆预处理、封装及测试业务进行全面升级,并将英特尔最新的“高端测试技术”(AdvancedTestTechnology)引入中国。

全面升级封装测试工厂

位于成都高新区的英特尔成都工厂为英特尔公司全资所有。该厂自投建以来,英特尔先后宣布投、增资3.75亿美元和7500万美元,期间还宣布建设二期工程。

资料显示,英特尔的封装测试工厂主要分布在发展中国家,包括中国、马来西亚、菲律宾、越南以及哥斯达黎加等。

成都工厂是英特尔最大的封装测试中心之一,这座世界级工厂为英特尔各类芯片组和移动处理器产品提供晶圆预处理、封装和最终测试,是英特尔在全球最大的封装测试基地之一。

据了解,此次英特尔成都工厂引入的“高端测试技术”是一项重要创新技术,将大幅扩展测试的覆盖范围,更好地进行产品分类,进行更可靠的预测、更精确的封装定位,以及灵活、自适应的流程优化。

这项技术能够测试各种英特尔产品类别并适用于多类产品,预计将在2016年下半年投入量产,而相关技术升级和引入将于2015年进行。

据Gartner中国研究总监盛陵海向《每日经济新闻》记者介绍,芯片设计生产流程中,在晶圆厂中生产出的大圆片状的芯片流片需要在封装测试工序中切割和检测封装。而封装厂的分装形式和测试,都是根据英特尔的产品线来进行改进和调整的。

此前工序中,处理器芯片需要通过南桥北桥等搭起来,但最新低功耗产品和移动查产品一般通过SOC模式将多种芯片模块集成在一起,所以分装和测试工序都要变更,必要的升级是需要的。

盛陵海向记者表示:“将最新、最高端的测试计划引入中国,预示着英特尔会把新产品的芯片封装测试更多地放到成都。”

英特尔公司执行副总裁、技术与制造事业部总经理比尔·郝特表示:“这次投资是英特尔封装测试业务发展史上的重大举措,也是我们在成都的最大单笔投资。把最新的…高端测试技术?部署在中国,是我们和中国共同创新的承诺。”他指出,英特尔成都工厂的全面升级将助力中国ICT产业持续创新并推动区域经济发展。

此外,英特尔还在成都设立了英特尔中国西部的第一个分拨中心,以提高供应链效率。

成都形成ICT业聚集优势

作为西部中心城市之一,成都拥有从集成电路设计、芯片制造、封装测试到终端制造、配套应用为一体的完整的产业链布局。

考虑到英特尔此前在中国的一系列投资计划,这项升级投资很合乎情理,这意味着中国在英特尔的战略中已经从市场中心转变为综合战略中心,而成都拥有这方面的优势。

英特尔公司技术与制造事业部副总裁、英特尔产品(成都)有限公司总经理卞成刚表示:“此次合作是英特尔和成都谋求共同创新的里程碑,也将再度促进成都和四川供应链的成长,进一步培养高科技生产力,助力本地高科技产业生态系统发展。”

据了解,对于英特尔将最新的“高端测试技术”引入成都工厂,四川省、成都市和成都高新区政府将给予大力支持。四川省检验检疫局和成都海关分别与英特尔签署谅解备忘录,支持英特尔成都工厂的运营和未来升级。

在英特尔12月3日宣布16亿美元全面升级成都工厂之前,今年11月6日,德州仪器宣布将在成都高新区设立12英寸晶圆凸点加工厂。

数据显示,目前,全球20%的电脑在成都制造,全球50%的笔记本电脑芯片在成都封装测试,全球一半以上的iPad在成都生产。目前,英特尔成都工厂芯片组和微处理器产量分别占英特尔全球产量的60%和50%。

集成电路方面,成都聚集了英特尔、德州仪器两大产业巨头,已经拥有2条8英寸生产线、6座封测厂、100多家IC设计企业,总投资将超过50亿美元,产业规模和水平居全国前列、中西部第一。

微电子所“极大规模集成电路关键技术研究集体”

荣获2014 年度中国科学院杰出科技成就奖

(来源:《芯天地》2015年1月刊中国科学院微电子研究所)

在 1 月29 日召开的中国科学院2015年度工作会议上,微电子所“极大规模集成电路关键技术研究集体” 荣获2014 年度中国科学院杰出科技成就奖,实现了微电子所在该奖项“零”的突破。

“极大规模集成电路关键技术研究集体”在国家科技重大专项的支持下,牵头组织全国性产学研用联盟,联合北京大学、清华大学、复旦大学、中芯国际、武汉新芯等单位,经过 5 年攻关,实现了22 纳米高K 介质/ 金属栅工程、14 纳米FinFet 器件、新型闪存器件、可制造性设计等关键技术的突破,研究水平迈入世界前列;提出了“专利指导下的研发战略”,在关键工艺模块上形成了较为系统的知识产权布局,首次实现了向大型制造企业的许可转让,并进入产业化开发阶段。这一成果的取得,标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿拥有了一席之地,将为我国纳米级极大规模集成电路产业技术升级提供有力的技术支撑。

新型刻蚀机研发升级,

获得销售订单1100 万元

(来源:《芯天地》2015年1月刊中国科学院微电子研究所)

微电子设备技术研究室( 八室) 针对III-V 族材料及深硅刻蚀技术需求,对刻蚀机进行技术升级。设计上基于流体力学性质和等离子体特性,采用全新腔室优化结构,并应用自主开发的腔室内衬喷涂技术。刻蚀设备下电极温度优选优化,可控范围拓展至-15℃~200℃,可对刻蚀对象材料有更好的扩展应用;同时设备采用全新的自主开发控制软件,为后续应用的灵活拓展和可配置性提供了极大的便利。升级设备逐步推向市场,2014 年获得销售订单1100 万元。

MEMS 传感器8 英寸键合封装技术

(来源:《芯天地》2015年1月刊中国科学院微电子研究所)

晶圆级封装(WLP)技术是微机电系统(MEMS)缩小尺寸、降低成本、提高良率的最优封装方案,已广泛应用于多种MEMS 器件。

集成电路先导工艺研发中心(十室)与江苏艾特曼电子科技有限公司共同攻关,成功开发了全套Al-Ge 共晶系8 英寸晶圆级气密封装工艺,并将其应用于一款三轴加速度传感器,可同步完成15000 颗尺寸为1.4mmx1.2mm,而键合环宽度仅为70 微米的器件的封装工作。经测试,该器件的键合强度超过70MPa、漏率小于 5.0x10-3Pa?cm3/s,终测良率超过97%,与国际知名半导体代工厂所生产的同类产品指标相当,达到国际一流水平。目前这款传感器已上市销售。

在工艺开发过程中,技术团队自行开发了一款8 英寸手动晶圆键合对准机,可实现对准精度小于±10 微米的精确对准,填补了国内空白。

微电子所在石墨烯材料及器件

研制领域取得整体突破

(来源:《芯天地》2015年1月刊中国科学院微电子研究所)

近日,微电子所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破。微电子所微波器件与集成电路研究室(四室)金智研究员的研究团队在国家和中科院科研项目的支持下,对石墨烯的材料生长、转移和石墨烯射频器件的制备进行了深入、系统的研究,制备出了具有极高振荡频率的石墨烯射频器件,取得了一系列重大成果。

石墨烯作为一种新型的二维碳材料,由于其优异的电学、光学性质以及稳定的化学特性,在微电子领域具有广阔的应用前景。化学气相沉积方法是取得高质量石墨烯的重要途径之一,但将石墨烯从金属表面向目标衬底的转移是制约该方法推广的“瓶颈”。四室研究团队创造性地采用琼脂糖凝胶作为固体电解质,利用电化学方法实现了石墨烯的绿色高效转移。该转移方法可推广至大尺寸石墨烯薄膜的制备,为石墨烯的大规模应用提供了可行的途径。

生长石墨烯所用的金属衬底在制备过程中会在表面形成有序的形貌起伏,这种结构会导致转移后的石墨烯薄膜产生大量有序排列的褶皱。四室研究团队通过制备出的特殊结构的石墨烯射频器件,围绕褶皱对石墨烯中载流子传输的影响展开了研究,发现这种有序的褶皱会导致石墨烯中载流子的传输具有各向异性的特点:平行于褶皱方向的载流子迁移率比垂直方向的显著提高。该发现为制备高性能的石墨烯射频器件提供了重要的参考依据。在石墨烯射频器件的制备过程中,已有的栅介质制备方法在工艺的可控性和器件性能方面具有一定的缺陷。四室研究团队利用旋涂的方法在石墨烯表面形成BCB 薄膜,并以此作为种子层进行了氧化铝介电层的沉积生长。该方法不仅具有极好的工艺可控性,由于BCB 特殊的化学结构,避免了对石墨烯性能的不利影响,实现了高性能石墨烯射频器件的制备。

石墨烯与金属电极之间的接触电阻会影响石墨烯射频器件的栅控,从而对器件的频率特性产生不利影响。作为传统薄膜材料研究方法的延伸,目前主要通过TLM 方法对石墨烯和金属之间的接触进行表征和测量。四室研究团队通过测定石墨烯接触区和非接触区材料的薄膜电阻,发现两者有很大的差异,进一步的理论分析表明石墨烯不同区域薄膜电阻的差异会导致传统的TLM方法提取得到的接触电阻与实际值有很大偏差,该发现对测试方法的改良和石墨烯射频器。

微电子所与是德科技有限公司

共建110GHz on-wafer 片上测试系统

(来源:《芯天地》2015年1月刊中国科学院微电子研究所) 近日,微电子所与是德科技有限公司合作搭建了110GHzon-wafer 片上测试系统。该系统是目前业界芯片

测试领域频率最高的裸片测试平台,代表了国内科研院所在集成

电路设计及加工领域的最先进水平。

片上测试需要器件S 参数及直流I/V、C/V 特性曲线这两

项主要技术参数。在测试中,该系统具有较为突出的优势:

PNA-X 可全频段扫描从10MHz 直到110GHz,且具有单次连

接、多种参数同时测量的强大功能,极适用于on-wafer 测试配

合探针台使用;B1500A 半导体器件分析仪是一款具有10 插槽

配置的模块化仪器,支持全功能I/V、C/V 曲线表征及快速高电

压脉冲和快速脉冲测量;该系统还拥有专用于芯片测试的EDA

软件IC-CAP,此软件可控制PNA-X、B1500A 和探针台协同工

作、自动测量。

随着微波电路的工作频率不断升高,芯片的工作频率逐渐提

升到毫米波波段。微电子所自2008 年开始W 波段器件的研

究,如今已成功采用InP 技术设计加工完成多款W波段芯片。

是德科技有限公司是全球电子测量技术和市场的领导者,该公司所生产的电子测量仪器、系统和相关软件,以及软件设计工具和服务,可广泛应用于电子设备的设计、研发、制造、安装、部署和运营。

集成电路封装考试答案

集成电路封装考试答案 https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html,work Information Technology Company.2020YEAR

名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯 片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联: 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基 板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性: 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀 和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板: 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复 合材料基板。 11.气密性封装: 12.是指完全能够防止污染物(液体或固 体)的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装: 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试: 16.即温度循环测试。17.T/S 测试: 18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH测试: 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久 性的实验。 21.PC测试: 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS测试: 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境 下的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中,然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试: 26.模拟包装、运输等过程,测试产品的 可靠性。 27.金线偏移: 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量 过大造成相邻的金线相互接触从而产生短 路,造成元器件的缺陷。 29.再流焊: 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印 制板的焊盘上,再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上,最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。

集成电路封装考试答案

名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联: 5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性: 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。 9.印制电路板: 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。 11.气密性封装: 12.是指完全能够防止污染物(液体或固体)的侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装: 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 15.T/C测试: 16.即温度循环测试。 17.T/S 测试: 18.测试封装体抗热冲击的 能力。 19.TH测试: 20.是测试封装在高温潮湿 环境下的耐久性的实验。 21.PC测试: 22.是对封装体抵抗抗潮湿 环境能力的测试。 23.HTS测试: 24.是测试封装体长时间暴 露在高温环境下的耐久性实验。封装产品长 时间放置在高温氮气炉中,然后测试它的电 路通断情况。 25.Precon测试: 26.模拟包装、运输等过 程,测试产品的可靠性。 27.金线偏移: 28.集成电路元器件常常因 为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触 从而产生短路,造成元器件的缺陷。 29.再流焊: 30.先将微量的铅锡焊膏印 刷或滴涂到印制板的焊盘上,再将片式元器 件贴放在印制板表面规定的位置上,最后将 贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传 送带上。 1

集成电路封装与测试_毕业设计论文

毕业设计(论文)集成电路封装与测试

摘要 IC封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也占了三分之一,真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛,而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的;封装所涉及的问题之多之广,也是其它许多领域中少见的,它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力,是一门综合性非常强的新型高科技学科。 媒介传输与检测是CPU封装中一个重要环节,检测CPU物理性能的好坏,直接影响到产品的质量。本文简单介绍了工艺流程,机器的构造及其常见问题。 关键词:封装媒介传输与检测工艺流程机器构造常见问题

Abstract IC packaging is a challenging and attractive field. It is the integrated circuit chip production after the completion of an indispensable process to work together is a bridge device to the system. Packaging of the production of microelectronic products, quality and competitiveness have a great impact. Under the current popular view of the international community believe that the overall cost of microelectronic devices, the design of a third, accounting for one third of chip production, packaging and testing and also accounted for a third, it is There are one-third of the world. Packaging research at the global level of development is so rapid, and it faces the challenges and opportunities since the advent of electronic products has never been encountered before; package the issues involved as many as broad, but also in many other fields rare, it needs to process from the material, from inorganic to polymers, from the calculation of large-scale production equipment and so many seem to have no mechanical connection of the concerted efforts of the experts is a very strong comprehensive new high-tech subjects . Media transmission and detection CPU package is an important part of testing the physical properties of the mixed CPU, a direct impact on product quality. This paper describes a simple process, the structure of the machine and its common problems. Keyword: Packaging Media transmission and detection Technology process Construction machinery Frequently Asked Questions

我国集成电路封装测试行业的研究

中国集体经济 CHINA COLLECTIVEECONOMY 势、消除劣势、抓住机会、规避威胁。 (一)内部环境分析 1.农村信用社的优势。(1)地域优势;(2)政策优势;(3)决策优势;(4)网点优势;(5)人员优势。 2.农村信用社的劣势。(1)历史包袱重,不良资产占比高;(2)规模小,风险管理能力低;(3)经营区域受限;(4)人员素质仍是短板;(5)金融创新能力不足;(6) 市场定位仍不明确。 (二)外部环境分析 1.机会。(1)支农惠农政策为农信社提供了更广阔的发展空间;(2)当地社会影响力大;(3)行业管理水平的提高,有力 推动了农信社的发展。 2.威胁。(1)行业竞争者多,同业竞争压力大;(2)宏观经济下行,客户违约风险增加;(3)利率市场化进程的推进增加了农信社的财务压力和经营风险;(4)人才流失仍是重要威胁;(5)影子银行的威胁。 (三)农信社的SWOT 分析 首先制定出农信社的SWOT 矩阵,如表1所示。 将SWOT 矩阵进行分解,对SO ———优势与机会、WO ———劣势与机会、ST ——— 优势与威胁、WT ———劣势与威胁等条件进行分析,并根据分析找出相应的可选择的目标市场。 1.基于SO 战略应确定的贷款目标市 场:利用地域、网点、人员优势,挖掘、深耕各类个人贷款市场;利用地域、网点、人员、决策优势,做好公司贷款的拓展。 2.基于WO 战略应确定的贷款目标 市场:拓展全部个人贷款市场,增加积累,消化不良;积极介入公司贷款市场中的中小微企业市场,但根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,要做好单户额度的控制,大型企业谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,企业贷款市场以流动资金贷款市场为主,固定资产贷款市场谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,贸易型公司谨慎进入。 3.基于ST 战略应确定的贷款目标市 场:全部个人贷款市场。一方面提高服务水平,提高客户贷款便利度,另一方面强化风险控制;企业贷款市场中的中小微企 业,但要注意行业风险,做好成本测算;大型企业贷款市场谨慎进入,避免议价能力不足,降低资金运用效率;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 4.基于WT 战略应确定的贷款目标 市场:出于风险管理、风险承受能力以及资金收益考虑,大型公司贷款市场应谨慎进入;企业贷款市场中的中小微企业,但要注意行业风险,做好成本测算;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 通过SWOT 分析,得出农信社应确定的目标市场:积极拓展个人贷款市场,但要提高贷款便利度,加强风险控制;将公司类贷款市场中的中小微企业作为重要的市场目标,但要根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,做好单户额度的控制。要注意防范行业风险。企业固定资产贷款市场、铺底性流动资金贷款市场等要谨慎进入;出于风险管理、风险承受能力以及资金收益率考虑,大型公司类贷款市场要谨慎进入。总之,农信社应选择个 人及中小微企业贷款市场为目标市场,但要控制中小企业的单户额度限制,求小、求散。 (作者单位:山东省农村信用社联合社) 摘要:近年来,集成电路封装测试行业技术进步较快,行业发展也十分迅速,一些内资和本土品牌企业的质量、技术和产能已经接近国际先进水平。未来国内集成电路封测市场增长前景广阔,但也需要应对各种挑战。国内封测企业必须进一步增强技术创新能力、加大成本管控,才能在日新月异的市场竞争中取得更大进步。 关键词:技术进步;行业发展前景;经营模式;核心竞争力 一、集成电路封装测试的技术进步封装测试是集成电路制造的后续工艺,为了使集成电路芯片的触点能与外界电路如PCB 板连接,也为了给芯片加上一个“保护壳”,防止芯片受到物理或化学损坏,需要对晶圆芯片的进一步加工,这一环节即封装环节。测试环节则是对芯片电子电路功能的检测确认。 集成电路封装技术发展历程大约可以分为三个阶段:第一阶段是1980年之 前的通孔插装(THD)时代,插孔直接安装到PCB 上,主要形式包括TO(三极管)、 DIP(双列直插封装),优点是可靠、散热好、结实、功耗大,缺点是功能较少,封装密度及引脚数难以提高,难以满足高效自动化生产的要求。 第二阶段是1980年代开始的表面贴装(SMT )时代,该阶段技术的主要特点是引线代替针脚,引线采用翼形或丁形,以两边或四边引线封装为主,从两边或四边表1 农信社的SWOT 矩阵 优势(S ) 劣势(W ) 机会(O )SO 战略 发挥优势,把握机会 WO 战略 利用外部机会,弥补内部劣势 威胁(T ) ST 战略 发挥优势,规模外部威胁 WT 战略减少劣势,规避威胁 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, 我国集成电路封装测试行业的研究 ■ 尤晟 张燕 53

《集成电路芯片封装技术》考试题

得分评分人 得分评分人 得分 评分人 《集成电路封装与测试技术》考试试卷 班级: 学号 姓名 一 一、填空题(每空格1分 共18分) 1、封装工艺属于集成电路制造工艺的 工序。 2、按照器件与电路板互连方式,封装可分为引脚插入型(PTH )和 两大类。 3、芯片封装所使用的材料有许多,其中金属主要为 材料。 4、 技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。 5、在芯片贴装工艺中要求:己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上,焊盘的尺寸要与芯片大小要 。 6、在倒装焊接后的芯片下填充,由于毛细管虹吸作用,填料被吸入,并向芯片-基板的中心流动。一个12,7mm 见方的芯片, 分钟可完全充满缝隙,用料大约0,031mL 。 7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于 的毛刺。 8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料,则烧结后的膜是一种介电体,通常可用于制作 。 9、能级之间电位差越大,噪声越 。 10、薄膜电路的顶层材料一般是 。 11、薄膜混合电路中优选 作为导体材料。 12、薄膜工艺比厚膜工艺成本 。 13、导电胶是 与高分子聚合物(环氧树脂)的混合物。 14、绿色和平组织的使命是: 。 15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时,铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点 。 16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板,它通常被归类于 层次的电子封装技术 17、印制电路板通常以 而制成。 18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后,除了焊接点、指状结合点、开关等位置外,为了使成品表面不会受到外来环境因素,通常要在表面进行 处理。 二、选择题(每题2分 共22分) 1、TAB 技术中使用( )线而不使用线,从而改善器件的热耗散性能。 A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银 2、陶瓷封装基板的主要成分有( ) A 、金属 B 、陶瓷 C 、玻璃 D 、高分子塑料 3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列(DIP )封装,前者适合于高可靠性的元器件制作,后者适合于低成本元器件大量生产”,这句话说法是( )。 A 、 正确 B 、错误 4、在芯片切割工序中,( )方法不仅能去除硅片背面研磨损伤,而且能除去芯片引起的微裂和凹槽,大大增强了芯片的抗碎裂能力。 A 、 DBT 法 B 、DBG 法 5、玻璃胶粘贴法比导电胶的贴贴法的粘贴温度要( )。 A 、低 B 、高 6、打线键合适用引脚数为( ) A 、3-257 B 、12-600 C 、6-16000 7、最为常用的封装方式是( ) A 、塑料封装 B 、金属封装 C 、陶瓷封装 8、插孔式PTH(plated through-hole 镀金属通孔)封装型元器件通常采用( )方法进行装配。 A 、波峰焊 B 、回流焊 9、相同成分和电压应力下,长电阻较之短电阻电位漂移要( ) A 、小 B 、大 10、金属的电阻噪比半导体材料电子噪声( ) 。 A 、高 B 、低 11、( )技术适合于高密度和高频率环境 A 、厚膜技术 B 、薄膜技术

集成电路封装的发展现状及趋势

集成电路封装的发展现 状及趋势 公司内部档案编码:[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08]

序号:39 集成电路封装的发展现状及趋势 姓名:张荣辰 学号: 班级:电科本1303 科目:微电子学概论 二〇一五年 12 月13 日

集成电路封装的发展现状及趋势 摘要: 随着全球集成电路行业的不断发展,集成度越来越高,芯片的尺寸不断缩小,集成电路封装技术也在不断地向前发展,封装产业也在不断更新换代。 我国集成电路行业起步较晚,国家大力促进科学技术和人才培养,重点扶持科学技术改革和创新,集成电路行业发展迅猛。而集成电路芯片的封装作为集成电路制造的重要环节,集成电路芯片封装业同样发展迅猛。得益于我国的地缘和成本优势,依靠广大市场潜力和人才发展,集成电路封装在我国拥有得天独厚的发展条件,已成为我国集成电路行业重要的组成部分,我国优先发展的就是集成电路封装。近年来国外半导体公司也向中国转移封装测试产能,我国的集成电路封装发展具有巨大的潜力。下面就集成电路封装的发展现状及未来的发展趋势进行论述。 关键词:集成电路封装、封装产业发展现状、集成电路封装发展趋势。 一、引言 晶体管的问世和集成电路芯片的出现,改写了电子工程的历史。这些半导体元器件的性能高,并且多功能、多规格。但是这些元器件也有细小易碎的缺点。为了充分发挥半导体元器件的功能,需要对其进行密封、扩大,以实现与外电路可靠的电气连接并得到有效的机械、绝缘等

方面的保护,防止外力或环境因素导致的破坏。“封装”的概念正事在此基础上出现的。 二、集成电路封装的概述 集成电路芯片封装(Packaging,PKG)是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连线,引出接线端并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。此概念称为狭义的封装。 集成电路封装的目的,在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。封装为芯片提供了一种保护,人们平时所看到的电子设备如计算机、家用电器、通信设备等中的集成电路芯片都是封装好的,没有封装的集成电路芯片一般是不能直接使用的。 集成电路封装的种类按照外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、贴片型和高级封装。 引脚插入型有DIP、SIP、S-DIP、SK-DIP、PGA DIP:双列直插式封装;引脚在芯片两侧排列,引脚节距,有利于散热,电气性好。 SIP:单列直插式封装;引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征与DIP基本相同。

3D封装集成电路测试挑战的ATE解决方案

ATE solutions to 3D-IC test challenges The rea diness of Advantest’s V93000 Scott Chesnut scott.chesnut@https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html, Robert Smith robert.j.smith@https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html, Florent Cros florent.cros@https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html, Lakshmikanth Namburi lakshmikanth.namburi@https://www.360docs.net/doc/4a11203452.html, Advantest America San Jose, California USA Abstract—Three dimensional integrated circuits (3D-IC) require that automatic test equipment develop capability to address the challenges brought on by these structures. Such capability is found in test solutions which provide multiple clock domains, granular hardware porting per 3DIC layer, powerful test languages to control this hardware and collaborative software development environments. Advantest’s introduction of clock domain per pin, multi-port, concurrent test, and protocol aware software, MEMS probes, and SmarTest program manager address the test challenges of 3DIC in an effective effectively. They allow production solutions to be architected to the degree of granularity required by the development teams. Keywords—Protocol aware, Clock domain per pin, multi-port hardware, concurrent test framework, Protocol aware, SmarTest program manager, PLL Keep Alive, 3DIC TSV, 25uM pitch, MEMS Probes, ATE, BIST, JTAG, Pico Ampere Meter, interposer, spatial translation, MEMS, planarity, probes, cantilever, beam. I.I NTRODUCTION 3D chips are multi-system entities whose test challenges dwarf those presented by yesterday’s System in a Package (SiP) and/or System On a Chip (SOC). Substantial infrastructure must be readied in order to position any Automatic Test Equipment (ATE) to succeed in a production test environment. A good approach to understanding what the real challenges are would be to eliminate those with already known solutions. Past efforts to reduce test time, increase test coverage, and coordinate the software efforts of large groups of test engineers have solved 2D related production test problems. While these solutions had been developed for reasons other than 3DIC/TSV production test, we find they may lend themselves well to the task. Many of the perceived 3DIC/TSV test problems actually already have solutions. What follows is a description of how the existing features of Advantest’s V93000 might address many of these challenges. A.Test Program Software Maintenance – SmarTest Program Manager. Historically, a chip had one function. As more functions where added they became systems on a chip and then the migration to system in a package occurred. 3DIC systems in a stack add even greater complexity. Whether 3D stacks are assembled from Known Good Die (KGD) or Pretty Good Die (PGD) it can be assumed that “some” level of test will occur at both the chip level and then the stack level. Without assurance that chip layers are somewhat functional, a single layer’s defect can result with failing of the entire stack. Test costs become prohibitive as many good die are lost due to a single bad layer. Testing die before and after stack assembly requires use of variations of the same test program. One program version is used for the single die, another for the assembled stack. This is because test at the chip level will target its subcomponents while test at the stack level will exercise mission mode system level performance. It is likely that the same program be used for both activities with the difference being in how it perceives its current purpose. That is, a well architected test program can receive instructions from an operator or prober/handler and branch into chip or stack level test. Whether testing PGD, KGD, on the chip or stack level, use of the same program to test both reduces the correlation burden between chip test and assembled stack test. Proper maintenance of these program variations will require tighter book keeping than in the past. 3D structures, being built from multiple separate chip layers have associated with them legions of test, product and design engineers responsible for performance of each layer. Large groups of people who, while in the past never had reason to collaborate, in the future will find it absolutely necessary. Since each layer represents man years of test development effort, the test programs of each engineering group will have

集成电路封装测试题 期末2017

1、引线键合技术的分类及结构特点? 答: 1、热压焊:热压焊是利用加热和加压力,使焊区金属发生塑性形变,同时破坏压 焊界面上的氧化层,使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引 力范围,从而使原子间产生吸引力,达到“键合”的目的。 2、超声焊:超声焊又称超声键合,它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量, 通过磁致伸缩换能器,在超高频磁场感应下,迅速伸缩而产生弹性振动经变幅 杆传给劈刀,使劈刀相应振动;同时,在劈刀上施加一定的压力。于是,劈刀 就在这两种力的共同作用下,带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜)表面迅 速摩擦,使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。这种形变也破坏了Al层界面的氧 化层,使两个纯净的金属面紧密接触,达到原子间的“键合”,从而形成牢固 的焊接。 3、金丝球焊:球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。这是由于它操作方 便、灵活,而且焊点牢固,压点面积大,又无方向性。现代的金丝球焊机往往 还带有超声功能,从而又具有超声焊的优点,有的也叫做热(压)(超)声焊。可实 现微机控制下的高速自动化焊接。因此,这种球焊广泛地运用于各类IC和中、 小功率晶体管的焊接。 2、载带自动焊的分类及结构特点? 答:TAB按其结构和形状可分为 Cu箔单层带:Cu的厚度为35-70um, Cu-PI双层带 Cu-粘接剂-PI三层带 Cu-PI-Cu双金属 3、载带自动焊的关键技术有哪些? 答:TAB的关键技术主要包括三个部分: 一是芯片凸点的制作技术; 二是TAB载带的制作技术; 三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外,还可以单独进行倒装焊(FCB) 4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法? 答:蒸镀焊料凸点:蒸镀焊料凸点有两种方法,一种是C4 技术,整体形成焊料凸点; 电镀焊料凸点:电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM 层并用作电镀的导电层,然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。 印刷焊料凸点:焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上,然后经过回流而形成凸点钉头焊料凸点:这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可用Au 丝线或者Pb 基的丝线。 化学凸点:化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。

集成电路封测技术及产业的发展趋势

集成电路封测技术及产业的发展趋势 摘要:介绍了全球集成电路封装测试业的发展历程、发展现状、行业竞争格局和技术发展趋势,并重点分析我国封装测试业的发展现状以及面临的机遇和挑战。研究结果表明,我国封装测试业整体呈稳步增长态势,本土集成电路市场内生增长前景广阔,内资企业与外资、合资企业的技术、规模差距不断缩小,我国封测业面临前所未有的发展机遇。 关键字:集成电路封装测试业;发展现状;竞争格局;技术趋势 1、前言 封装测试是集成电路产业链必不可少的环节。封装是指对通过测试的晶圆进行划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋成型等一系列加工工序而得到的具有一定功能的集成电路产品的过程。随着技术进步,由于圆片级(WLP)、倒装焊(FC)以及3维(3D)封装技术的出现,颠覆了通常意义上封装工艺流程。 封装是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤,增强芯片的散热性能,以及便于将芯片的I/O端口联接到部件级(系统级)的印制电路板(PCB)、玻璃基板等,以实现电气连接,确保电路正常工作。测试主要是对芯片、电路以及老化后的电路产品的功能、性能测试等,外观检测也归属于其中。其目的是将有结构缺陷以及功能、性能不符合要求的产品筛选出来。目前,国内测试业务主要集中在封装企业中,通常统称为封装测试业(以下简称“封测业”)。 图1 集成电路产业链

2、集成电路封装产业技术现状 (1)集成电路封装技术的发展 在集成电路产业市场和技术的推动下,集成电路封装技术不断发展,大体经历以下三个技术阶段的发展过程: 第一阶段是1980年之前的通孔插装(THD)时代。这个阶段技术特点是插孔安装到PCB上,主要技术代表包括TO(晶体管外形)和DIP(双列直插封装),其优点是结实、可靠、散热好、布线和操作较为方便,缺点是电路功能较少,封装密度及引脚数难以提高,难以满足高效自动化生产的要求。 第二阶段是1980年代开始的表面贴装(SMT)时代,该阶段技术的主要特点是引线代替针脚,由于引线为翼形或J形,从两边或四边引出,较THD插装形式可大大提高引脚数和组装密度。最早出现的表面安装类型以两边或四边引线封装为主,主要技术代表包括SOT(小外形晶体管封装)、SOP(小外形封装)、QFP(四边翼型引线扁平封装)等。采用该类技术封装后的电路产品轻、薄、小,提升了电路性能。性价比高,是当前市场的主流封装类型。 在电子产品趋小型化、多功能化需求驱动下,20世纪末期开始出现以焊球代替引线、按面积阵列形式分布的表面贴装技术。这种封装的I/O是以置球技术以及其它工艺把金属焊球(凸点)阵列式的分布在基板底部,以实现芯片与PCB 板等的外部连接。该阶段主要的封装形式包括球状栅格阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、晶圆级芯片封装(WLP)、多芯片封装(MCP)等。BGA 等技术的成功开发,解决了多功能、高集成度、高速低功耗、多引线集成电路电路芯片的封装问题。 第三阶段是21世纪初开始的高密度封装时代。随着电子产品进一步向小型化和多功能化发展,依靠减小特征尺寸来不断提高集成度的方式因为特征尺寸越来越小而逐渐接近极限,以3D堆叠、TSV(硅通孔)为代表的三维封装技术成为继续延续摩尔定律的最佳选择。其中3D堆叠技术是把不同功能的芯片或结构,通过堆叠技术,使其在Z轴方向上形成立体集成和信号连通以及圆片级、芯片级、硅帽封装等封装和可靠性技术为目标的三维立体堆叠加工技术,用于微系统集成。TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔,实现芯片之间互连的最新技术。与以往IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,三维封装技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,大大改善芯

集成电路封装与测试复习题 - 答案

一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置,粘贴固定以及连接,引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装配成完整的系统或者设备,这个过程称之为广义封装。 2、芯片封装所实现的功能有传递电能;传递电路信号;提供散热途径;结构保护与支持。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。 5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。 6、成型技术有多种,包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。 7、在焊接材料中,形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提高可焊性的物质叫做助焊剂;在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。 8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。 9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、

光刻工艺。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。 11、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。 13、DBG切割方法进行芯片处理时,首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。 14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。 15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、 丝网印刷、钢模板印刷三种。 16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上

集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术【半导体封装测试】

UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁 芯片互连技术 集成电路封装测试与可靠性

UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程 集成电路封装测试与可靠性

UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高,可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺,重量超过一百公斤 )

UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )

2019年集成电路封装测试行业分析报告

2019年集成电路封装测试行业分析报告 2019年6月

目录 一、行业管理 (4) 1、行业主管部门及监管体制 (4) 2、行业主要法律法规及政策 (5) 二、行业竞争格局和主要企业 (7) 1、行业竞争格局 (7) 2、行业主要企业 (8) (1)全球集成电路封装测试行业的主要企业和市场份额 (8) (2)国内集成电路封装测试行业的企业 (8) 三、进入行业的主要壁垒 (9) 1、技术水平要求高 (9) 2、资金需求大 (9) 3、人才要求高 (10) 4、客户对企业认证严格 (10) 四、行业市场供求状况及变动原因 (10) 1、半导体市场分 (10) 2、国内集成电路市场 (11) 3、集成电路封装测试业发展 (13) 4、行业未来发展趋势 (14) 五、行业利润水平的变动趋势及变动原因 (15) 六、行业技术水平及技术特点 (15) 七、行业经营模式 (17)

八、行业周期性、区域性、季节性特征 (17) 1、周期性 (17) 2、区域性 (18) 3、季节性 (18) 九、行业上下游的关系 (19) 1、上下游行业发展状况 (19) 2、上、下游行业之间的关联性 (20) 十、行业主要企业简况 (20) 1、长电科技 (20) 2、通富微电 (21) 3、晶方科技 (21)

半导体主要包括集成电路、分立器件、光电子器件和半导体传感器等四大类,各分支包含的种类繁多且应用广泛,主要应用于消费类电子、网络通讯、汽车电子、工业自动化等电子产品。集成电路是半导体技术的核心,是国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志。集成电路行业因其技术复杂,产业结构高度专业化,按加工流程分为IC设计业、芯片制造业及IC封装测试业三个子行业。 一、行业管理 1、行业主管部门及监管体制 我国集成电路产业的主管部门是工信部,主要负责电子信息产品制造的行业管理工作;组织协调重大系统装备、微电子等基础产品的开发与生产,组织协调国家有关重大工程项目所需配套装备、元器件、仪器和材料的国产化;促进电子信息技术推广应用。 半导体协会是中国集成电路产业的行业自律管理机构,主要任务是贯彻落实政府有关的政策、法规,向政府业务主管部门提出本行业发展的经济、技术和装备政策的咨询意见和建议;做好信息咨询工作,调查、研究、预测本行业产业与市场,汇集企业要求,反映行业发展呼声;广泛开展经济技术交流和学术交流活动,根据市场和行业发展需要,组织举办本行业国内外新产品、新技术研讨会和展览会,为企业开拓国内外两个市场服务;开展国际交流与合作,发展与国外团体

集成电路封装考试答案

16.即温度循环测试。 名词解释: 1.集成电路芯片封装: 利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定,构成整体立体结构的工艺。 2.芯片贴装: 3.是将IC 芯片固定于封装基板或引 脚架芯片的承载座上的工艺过程。 4.芯片互联: 5.将芯片与电子封装外壳的I/O 引线或基板 上的金属布线焊区相连接。 6.可焊接性: 指动态加热过程中,在基体表面得到一个洁净金属表面,从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。 7.可润湿性: 8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续 的焊料涂敷层。 9.印制电路板: 10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料 基板。 11.气密性封装: 12.是指完全能够防止污染物(液体或固体)的 侵入和腐蚀的封装。 13.可靠性封装: 14.是对封装的可靠性相关参数的测试。 17.T/S 测试:18.测试封装体抗热冲击的能力。 19.TH 测试: 20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐 久性的实验。 21.PC测试: 22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测 试。 23.HTS 测试: 24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下 的耐久性实验。封装产品长时间放置在高温氮气炉中,然后测试它的电路通断情况。 25.Precon测试: 26.模拟包装、运输等过程,测试产品的可 靠性。 27.金线偏移: 28.集成电路元器件常常因为金线偏移量过 大造成相邻的金线相互接触从而产生短路,造成元器件的缺陷。 29.再流焊: 30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制 板的焊盘上,再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上,最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。 简答: 1. 芯片封装实现了那些功能? 15.T/C 测试:

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