场效应管参数用途大全解析

型号材料管脚用途参数

3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W

4405/R9524

2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36

2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W

2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5

2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15

2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3

2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035

2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18

2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18

2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085

2S J201P M O S n

2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12

2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12

2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B

2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B

2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B

2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B

2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B

2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B

2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W

2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B

2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W

2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6

2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7

2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118)

2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5

2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15

2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0

2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0

2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5

2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4

2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15

2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5

2S K734N M O S G D S电源开关450V15A150W160/250n S0.52

2S K785N M O S G D S电源开关500V20A150W105/240n S0.4

2S K787N M O S G D S高速开关900V8A150W95/240n S1.6

2S K790N M O S G D S高速功放开关500V15A150W0.4可驱电机2S K791N M O S G D S电源功放开关850V3A100W4.5可驱电机2S K794N M O S G D S电源开关900V5A150W2.5可驱电机

2S K817N M O S G D S电源开关60V26A35W40/230n S0.055

2S K832N M O S G D S高速开关900V4A85W55/100n S4.0

2S K899N M O S G D S功放开关500V18A125W130/440n S0.33

2S K962N M O S G D S电源开关900V8A150W280/460n S2.0

2S K940N M O S S D G激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动

2S K1007N M O S G D S功放开关450V5A60W60/130n S1.6

2S K1010N M O S G D S高速开关500V6A80W70/130n S1.6

2S K1011N M O S G D S高速开关450V10A100W110/240n S0.65

2S K1012N M O S G D S高速开关500V10A100W110/240n S0.9

2S K1015N M O S G D S功放开关450V18A125W170/230n S0.45

2S K1016N M O S G D S电源开关500V15A125W170/230n S0.55

2S K1017N M O S G D S电源开关500V20A150W250/490n S0.35

2S K1019N M O S G D S电源开关450V35A300W360/900n S0.2

2S K1020N M O S G D S电源开关500V30A300W360/900n S0.25

2S K1060N M O S G D S功放开关100V5A20W50/140n S0.27

2S K1081N M O S G D S激励,驱动800V7A125W145/250n S2.2

2S K1082N M O S G D S激励,驱动900V8A125W145/250n S2.8

2S K1094N M O S G D S激励,驱动60V15A25W80/300n S0.065

2S K1101N M O S G D S功放开关450V10A50W165/360n S0.65

2S K1117N M O S G D S电源开关600V6A100W1.25

2S K1118N M O S G D S电源开关600V6A45W65/105n S D1.25

2S K1119N M O S G D S电源开关1000V4A100W3.8

2S K1120N M O S G D S电源开关1000V8A150W1.8

2S K1161N M O S G D S电源开关450V10A100W75/135n S0.8

2S K1170N M O S G D S电源开关500V20A120W147/290n S0.27

2S K1180N M O S G D S投影机用500V10A85W60/40n S0.6

2S K1195N M O S G D S电梯用230V1.5A10W37/100n S

2S K1198N M O S G D S高速开关700V2A35W20/80n S3.2

2S K1217N M O S G D S电源开关90V8A100W280/460n S2.0

2S K1221N M O S G D S电源开关250V10A80W60/150n S0.4

2S K1247N M O S G D S电源开关500V5A30W50/90n S1.4

2S K1250N M O S G D S开关-感性500V20A150W130/260n S0.35

2S K1254N M O S G D S低噪放大120V3A20W25/195n S0.4

2S K1271N M O S G D S功放开关1400V5A240W55/260n S4.0

2S K1272N M O S G D S高速开关60V1A0.75W50/500n S0.65

2S K1329N M O S G D S电源开关500V12A60W90/180n S0.6

2S K1358N M O S G D S电源开关900V9A150W65/120n S1.4

2S K1374N M O S贴片50V50m A0.15W0.2U S/0.2U S50

2S K1379N M O S G D S激励,开关60V50A150W78/640n S0.017

2S K1387N M O S G D S激励,开关60V35A40W66/500n S0.035

2S K1388N M O S G D S激励,开关30V35A60W125/480n S0.022

2S K1419N M O S G D S高速开关60V15A25W55/150n S0.08

2S K1445N M O S G D S高速开关450V5A30W45/175n S1.4

2S K1459N M O S G D S高速开关900V2.5A30W40/160n S6.0

2S K1460N M O S G D S高速开关900V3.5A40W50/265n S3.6

2S K1463N M O S G D S高速开关900V4.5A60W50/265n S3.6

2S K1482N M O S G D S开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660n S4.5 2S K1507N M O S G D S高速开关600V9A50W110/240n S1.0

2S K1535N M O S G D S通用900V3A30W45/110n S5.0

2S K1537N M O S G D S通用900V5A100W65/145n S3.0

2S K1540N M O S G D S变频开关功放450V7A60W70/135n S0.8

2S K1544N M O S G D S变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2S K1547N M O S G D S开关800V4A40W95/170n S4.5

2S K1567N M O S G D S电源开关500V7A35W70/135n S0.9

2S K1611N M O S G D S电源开关800V3A50W40/135n S4.0

2S K1681N M O S G D S电源开关500V30A300W180/320n S0.35

2S K1745N M O S G D S激励,开关500V18A150W120/210n S0.36 2S K1794N M O S G D S电源激励开关900V6A100W50/105n S2.8

2S K1796N M O S G D S功放开关900V10A150W90/230n S1.2

2S K1850N M O S G D S开关电机驱动60V10A1.8W110/360n S0.07 2S K1916N M O S G D S开关电源用450V18A80W170/33n S0.45

2S K1937N M O S G D S开关U P S用500V15A125W100/230n S0.48 2S K1985N M O S G D S开关U P S用900V5A50W35/105n S2.8

2S K2039N M O S G D S电源开关900V5A150W70/210n S2.5

2S K2040N M O S G D S电源开关600V2A20W11/45n S5

2S K2082N M O S G D S开关U P S用900V9A150W85/210n S1.40

2S K2101N M O S G D S电源开关800V6A50W50/130n S2.1

2S K2141N M O S G D S传动驱动600V6A35W30/880n S1.1

2S K2147N M O S G D S开关U P S用900V6A80W145/250n S2.8

2S K2161N M O S S D G高速开关200V9A25W27/255n S0.45

2S K2189N M O S G D S高速开关500V10A70W70/400n S1.0

2S K2485N M O S G D S监视器用电源900V6A100W30/85n S2.80 2S K2487N M O S G D S监视器用电源900V8A140W50/153n S1.1 2S K2611N M O S G D S监视器用电源900V9A150W

2S K2645N M O S G D S监视器用电源500V15A125W

2S K4847N M O S G D S电源开关100V36125W0.08

3S K103N M O S g G D S高频放大15V0.02A0.2W900M H z

3S K122N M O S g G D S高频放大20V7-25m A0.2W200M H z1.2d B

B S170N M O S60V0.3A0.63W12/12n S5.0

B U Z11A N M O S G D S开关50V25A75W60/110n S0.055

B U Z20N M O S G D S功放开关100V12A75W75/80n S

F S3K M N M O S

G D S高速开关500V3A30W23/60n S4.4

F S5K M N M O S

G D S高速开关900V3A53W50/190n S4.

F S7K M N M O S

G D S高速开关900V5A50W35/105n S2.8

F S10K M N M O S

G D S高速开关

F S12K M N M O S

G D S高速开关250V12A35W53/120n S0.40

F S7S M-16N M O S

G D S高速开关800V7A150W1.6

H120N60N M O S G D S开关600V120A

I R F130(铁)N M O S G D S功放开关100V14A79W75/45n S0.16

I R F230(铁)N M O S G D S功放开关200V9A75W50/40n S0.4

I R F250(铁)N M O S G D S功放开关200V9A75W50/40n S0.4

I R F440(铁)N M O S G D S功放开关500V8A125W35/30n S0.85

I R F450(铁)N M O S G D S功放开关500V13A125W66/60n S0.4

I R F460(铁)N M O S G D S功放开关500V13A125W66/60n S0.4

I R F530N M O S G D S功放开关100V14A79W51/36n S0.18

I R F540N M O S G D S功放开关100V28A150W110/75n S0.077

I R F541N M O S G D S功放开关80V28A150W110/75n S0.077

I R F610N M O S G D S功放开关200V3.3A43W26/13n S1.5

I R F630N M O S G D S功放开关200V9A75W50/40n S0.4

I R F640N M O S G D S功放开关200V18A125W77/54n S0.18

I R F720N M O S G D S功放开关400V3.3A50W21/20n S1.8

I R F730N M O S G D S功放开关400V5.5A75W29/24n S1.0

I R F740N M O S G D S功放开关400V10A125W41/36n S0.55

I R F830N M O S G D S功放开关500V4.5A75W23/23n S1.5

I R F840N M O S G D S功放开关500V8A125W35/33n S0.85

I R F9530P M O S G D S功放开关100V12A75W140/140n S0.4

I R F9531P M O S G D S功放开关60V12A75W140/140S0.3

I R F9541P M O S G D S功放开关60V19A125W140/141n S0.2

I R F9610P M O S G D S功放开关200V1A20W25/15n S2.3

I R F9630P M O S G D S功放开关200V6.5A75W100/80n S0.8

I R F S9630P M O S G D S功放开关200V6.5A75W100/80n S0.8

I R F B C20N M O S G D S功放开关600V2.2A50W15/30n S4.4

I R F B C30N M O S G D S功放开关600V3.6A74W20/21n S2.2

I R F B C40N M O S G D S功放开关600V6.2A125W27/30n S1.2

I R F B E30N M O S G D S功放开关800V2.8A75W15/30n S3.5

I R F D120N M O S功放开关100V1.3A1W70/70n S0.3

I R F D123N M O S功放开关80V1.1A1W70/70n S0.3

I R F I730N M O S G D S功放开关400V4A32W1.0

I R F I744N M O S G D S功放开关400V4A32W1.0

I R F P054N M O S G D S功放开关60V65A180W0.022

I R F P140N M O S G D S功放开关100V29150W0.85

I R F P150N M O S G D S功放开关100V40A180W210/140n S0.55 I R F P240N M O S G D S功放开关200V19A150W0.18

I R F P250N M O S G D S功放开关200V33A180W180/120n S0.08 I R F P340N M O S G D S功放开关400V10A150W0.55

I R F P350N M O S G D S功放开关400V16A180W77/71n S0.3

I R F P353N M O S G D S功放开关350V14A180W77/71X n S0.4

I R F P360N M O S G D S功放开关400V23A250W140/99n S0.2

I R F P440N M O S G D S功放开关500V8.1A150W0.85

I R F P450N M O S G D S功放开关500V14A180W66/60n S0.4

I R F P460N M O S G D S功放开关500V20A250W120/98n S0.27 I R F P9140P M O S G D S功放开关100V19A150W100/70n S0.2 I R F P9150P M O S G D S功放开关100V25A150W160/70n S0.2 I R F P9240P M O S G D S功放开关200V12A150W68/57n S0.5

I R F P F40N M O S G D S功放开关900V4.7A150W2.5

I R F P G42N M O S G D S功放开关1000V3.9A150W4.2

I R F P Z44N M O S G D S功放开关1000V3.9A150W4.2******* I R F U020N M O S G D S功放开关50V15A42W83/39n S0.1

I X G H20N60A N M O S G D S600V20A150W

I X G F H26N50N M O S G D S500V26A300W0.3

I X G H30N60A N M O S G D S600V30A200W

I X G H60N60A N M O S G D S600V60A250W

I X T P2P50P M O S G D S功放开关500V2A75W5.5代J117

J177P M O S S D G开关30V1.5m A0.35W

M75N06N M O S G D S音频功放开关60V75A120W

M T H8N100N M O S G D S功放开关1000V8A180W175/180n S1.8

M T H10N80N M O S G D S功放开关800V10A150W

M T M30N50N M O S功放开关(铁)500V30A250W

M T M55N10N M O S G D S功放开关(铁)100V55A250W350/400n S0.04 M T P27N10N M O S G D S功放开关100V27A125W0.05

M T P2955P M O S G D S功放开关60V12A75W75/50n S0.3

M T P3055N M O S G D S功放开关60V12A75W75/50n S0.3

M T P40N06N M O S G D S功放开关(双)60V40A150W/70n S0.3

M T W20N50N M O S G D S功放开关500V20A250W0.27

R F P40N10N M O S G D S功放开关100V40A160W30/20n S0.04

R F P50N05N M O S G D S功放开关50V50A132W55/15n S0.022

R F P50N06N M O S G D S功放开关60V50A145W55/15n S0.022

R F P6N60N M O S G D S功放开关600V6A75W80/100n S1.50

R F P60N06N M O S G D S功放开关60V60A120W50/15n S0.03

R F P70N06N M O S G D S功放开关60V70A150W

S M P50N06N M O S G D S功放开关50V60A125W50n S0.026

S M P60N06N M O S G D S功放开关60V60A125W50n S0.023

S M W11N20N M O S G D S功放开关200V11A150W

S M W11P20P M O S G D S功放开关200V11A150W

S M W20N10N M O S G D S功放开关100V20A150W

S M W20N10P M O S G D S功放开关100V20A150W

S S H7N90N M O S G D S高速电源开关900V7A150W

S S P6N60N M O S G D S高速电源开关600V6A150W

S S P5N90N M O S G D S高速电源开关900V5A125W

S S P7N80N M O S G D S高速电源开关800V7A75W

S U P75N06N M O S G D S功放开关60V75A125W0.05

W12N A50W N M O S G D S功放开关50V12A150W300/600n S

G T15Q101N M O S G D S I G B T1400V15A150W

G T25J101N M O S G D S I G B T800V25A150W

G T25Q101N M O S G D S I G B T1400V25A180W

G T40T101N M O S G D S I G B T1500V40A300W

G T60M103N M O S G D S I G B T900V60A300W

G T60M301N M O S G D S I G B T900V60A300W

I M B H60N M O S G D S-100I G B T1000V60A300W

I M B H60D N M O S G D S-100I G B T1000V60A300W(带阻) S D T3055N M O S G D S

T S D45N50V N M O S场效应模块500V45A400W

T N2460L

35N1201200V35A250W

E X B841I G B T驱动

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

场效应管对照表

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

场效应管的分类和作用

场效应管的分类和作用分别是什么? 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数:

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

用场效应管参数大全.pdf2

用场效应管参数大全宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15

IRF系列场效应管参数

IRF系列场效应管参数明细型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

常用场效应管和晶体管参数大全

常用场效应管和晶体管参数大全关键字：常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应

IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应

常用场效应管参数大全(1)

场效应管参数用途大全解析

型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两

个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极

场效应管功能及参数介绍

2.2场效应管功能及参数介绍开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着控制“开关型功率变换器”工作的作用.开关型功率变换器是开关电源的主电路,开关电源的能量转换,电压变换就由它承担.在直流变换器的基础上,由于高频脉冲技术及开关变换技术的进一步发展,出现了推挽式开关型功率变换器,全挢式开关型功率变换器,半挢式﹑单端正激式.单端反激式开关型功率变换器.其控制方法可分为脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频调制(PFM)两种. 开关电源最重要的组件是MOSFET,它的开通和关短控制着整个电源运转.MOSFET原意是MOS(METAL OXIDE SEWILONDUCTOR,金属氧化物半导体)FET(FIELD DFFECT TRAHSISTOR,场效应晶体),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(0),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场应晶体管也分为结型绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semi Conductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSPET).结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(STATIC INTUCTION TRANSISTOR,缩写为SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置.国际整流器公司.(在International Rectifier,缩写IR)把MOSFET用于高压的器件归纳为第3,6,9代,其中包括3,5代,而用于低压的则为第5,7,8代. 功率MOSFET按导电沟通可分P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当栅极电压为零时漏,源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N或P沟道器,件栅极电压大珪或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型). 2.2.1.功率MOSFET的结构功率MOSPET的内部结构和电气符号如下周所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管.导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有极大区别.小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET.大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力. 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET的结构为多元集.如国际整流器公司的HEXFET采用六边形单元;西门子公司的STPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列. 2.2.2功率MOSFET的工作方式截止:漏极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结,反偏;漏源极之间无电流流过. 导电:在栅源极间加正电压Vgs,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下P区中的空穴推开.,而将P区中的少子---电子吸引到栅极下面的P区表面. 当Vgs大于UT(开启电压或阀值电压)时,栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴的浓度,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而PN结缩小消失,漏极和源极导电. 2.2.3功率MOSFET的基本特性 1.静态特性其转移特性和转出特性如图所示漏极电流Id和栅源间电压Vgs的关系为MOSFET的转移特性.Id较大时,Id与Vgs的关系近似线性 ,曲线的斜率定义为跨导Gfs.在恒流区内,N信道增强型MOSFET的Id可近似表示为: id=Ido(Vgs/VT-1)2 (Vgs>VT)

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常用场效应管参数

常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38) 转载标签：分类：电气知识 mos（和谐社会）场效应管开关管型号参数封装 it 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220

MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220

常用场效应管参数表

（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式 v111(V) 区分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3

IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA

场效应管参数解释

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）