半导体激光器温度控制研究

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半导体激光驱动电源温控算法与程序设计

半导体激光驱动电源温控算法与程序设计

Y
交换次数为零
N
从起始端开始比较
Y
符合降序要求?
N
交换两数 置标志位
N
Y
交换次数用完?
Y
发生过交换?
N
结束
冒泡排序算法流程
开始 取样值
采样值累加
N
N—1=0?
Y
置除数初值 调除法子程序
返回 累加求和算法流程
线性化处理
线性化
开始
初始化表首址
从表中取Ux值
Ux>Ui ?
Y Dptr减2
N Dptr加2
△u(k)=Pp+Pi+Pd u(k)=u(k-1)+ △u(k)
u(k-1)=u(k) e(k-2)=e(k-1),e(k-1)=e(k)
温度设定值转换
求e(k)
N
e(k)>ε?
Y
N
Y
e(k)>A?
调PID程序
调PD程序
返回 温度控制算法流程
返回
PID运算框图
系统调试
温度电压值转换实验数表
温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样
本课题主要通过80C32型单片机对激光器工作温度进行控制。
激光器电源系统框图
系统框图
温度控制模块
温度采样
N
滤波
U i>Um?
Y+
温度采样
U i>Um?
Y 滤波
N
紧急中断
Ui—U0
N
线性化处理
|差|>ε?
Y
实时显示
温度控制程序
返回 图2.2 温度控制模块流程图
开始

VCSEL激光器温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究的开题报告

VCSEL激光器温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究的开题报告

VCSEL激光器温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究的开题报告一、选题背景及意义:VCSEL激光器是一种新型半导体激光器,具有功率密度高、体积小、发光波长可调等优点。

在通信、计算机、医疗与检测等领域具有广泛应用。

在VCSEL激光器的使用中,温度对其发射特性有很大影响。

因此,需要对VCSEL激光器进行温度控制,以稳定它的工作状态。

同时,VCSEL激光器在气体检测领域也有很大的应用,如氧气浓度检测。

通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,可以得出氧气浓度的相关信息,从而实现氧气浓度的测量。

本文旨在研究VCSEL激光器的温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究。

二、研究内容:本文将研究VCSEL激光器在不同温度下的发光特性转换,通过调整温度来控制VCSEL激光器的工作状态,设计出一种可靠的温度控制电路。

另外,本文还将探究VCSEL激光器在气体检测领域的应用,针对氧气浓度测量这一应用场景,通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,得出氧气浓度的相关信息。

三、研究方法和步骤:1. 文献调研:通过查阅相关文献,了解VCSEL激光器的基本原理和工作特性,以及温度控制电路和氧气浓度测量方法等相关内容。

2. 设计温度控制电路:通过实验研究VCSEL激光器在不同温度下的工作状态,设计出可靠的温度控制电路,以维持VCSEL激光器的稳定工作状态。

3. 实验测量氧气浓度:通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,测量出氧气浓度的相关信息,并验证其准确性和可靠性。

四、预期结果:本研究将设计出一种可靠的VCSEL激光器温度控制电路,以及在气体检测领域具有应用前景的氧气浓度测量方法。

通过实验证明,所设计的温度控制电路和氧气浓度测量方法具有较高的准确性和可靠性,并为VCSEL激光器在实际应用中提供重要参考。

高精度输出半导体激光器的温度控制系统设计

高精度输出半导体激光器的温度控制系统设计
维普资讯

体光的度制统计 激器温控 系设
章朝阳

喜 嚣

T e D s 9 f r a H 9 r c s 0 e p r t r y t m h e i n o i h P e i i n T m e a u e S s e

Ke wo d :L s t D o e: T m e a u e C n r l g v rs a e i d e p r t r o t o i 1n
0 弓言 I 随着光纤通信向着小型化、 集成化发展, 掺铒光纤放大 器 ( F) RMN 大器 的பைடு நூலகம்用越来越广泛, E A和 AA 放 D 要求半导体激
将L 的温度反馈到输入端, D 经过差动放大和缓冲隔离后送入 PD I控制器, 通过控温执行元件实现温度控制【。 2 测温部分用 】 具有高灵敏 度的负温度系数的热敏电阻 (T) N C作为温度传感
器, 将实际温度与设置温度值相减 , 差值送 PD 制器 驱动 I控 温控执行部分 。用 T C E 作为 制冷器件 ,T C用乙类双电源互 E 补对称 功率放 大电路 驱动。 1 1温度 / . 电压 转换 电路 进行精 密温控的前提条件是能够高精 度高分辨率的检测 温度值 。 本文 中的温控装置用于激光器 , 温控 精度要求达到 ±O01,因此相 应的测温分辨率至少应高 出一个数量级 。 .2 C 通 常的集成温度传 感器或半 导体温度传感 器达不 到如此精 度, 热敏 电阻具有较高的温度系数 , 但非线性很大 。由于 L D体积 非常小 , 以,测温器件也要很小 。 所 采用半导体工艺 制成的薄膜铂热敏电阻器 , 不仅体积 小 ( 以做 到2O m x 可 .m 25 . mm 11 x .mm) 而且具有很好的灵敏度和 稳定性 , , 它 将 温度的变化转化 为电阻值的变化, 在不 太宽的温度范围 内 (0 1 2 0C以下) ,其 电阻与温度的关系可 以表示 为 : R R [一o ( = 。 1 【 0, 0 ) 】 式中 : 。 0 R 为 时的电阻值 ( : 为选 定温度,一般 Q) 0。 为 0C 0 时的 电阻值 ; o 1 ;R 为 。 【 为温度系数 。测温电路如 图一所示, 采用桥路放 大采样。 为了很好 的使 热敏 电阻 (t R) 的变化与输出的电压 线性化, 电路 中设计 TR与 R 并联。 t 电 桥由 R 、R 、R 、R 、R 组成。因此,R 上的电压变化就 1 2 3 4 t t

用于半导体激光器的温控电路设计

用于半导体激光器的温控电路设计

De i n o e p r t r o r lcr ui f r l s r d o sg ft m e a u e c nt o i c t o a e i de
H ag Z A G Y - n Y i - a U Yn, H N au, U J q n j n u
cru t ic i wa u e t ei n t v l g t mp r tr n n ie r ro i se d f o a H ・ rd e ic i. s s d o lmi ae o t e—e e au e o l a er r n ta o n r l a n m b g cr ut i
胡 杨, 亚军, 张 于锦 泉
( 国 工 程 物 理 研 究 院 流 体 物 理 研 究 所 , 川 绵 阳 6 10 中 四 2 9 0) 摘 要 :针 对 半 导 体 激 光 器 ( D) 光 稳 定 的 应 用 要 求 , 计 了一 种 有 效 的 温 度 控 制 电 路 。电路 基 L 出 设
(E ) T C ,实现 了对 L 工 作 温 度 的 高精 度 控 制 。 通过 测 试 ,D 工 作 温 度 在 l n内达 到 设 定 温度 ,0m n D L mi 3 i 内 . 2 ℃ 的 工 作 温 度 下 稳 定 度 达± . 。 结 果 表 明 : 电路 能 快 速 、 效 地 控 制 T C 工 作 , 到 稳 在 5 02℃ 该 有 E 达
t mp rt r Pef r a c t s s o d h a LD wo k n tm p r tr r a h d h s t on tm p r tr e e au e. ro m n e e t h we t t r g e eau e e c e t e e p it e e a e i u

分段控制模式在半导体激光器温度控制中的应用研究

分段控制模式在半导体激光器温度控制中的应用研究
更广泛的环境适应性。作为二极管泵浦全固态激光 器的重要组成部分的电源 ,其可靠性 、稳定性也就
此,温度控制电路对整个激光器件的品质是非常关 键的。传 统 的温度控 制方 法包 括 线性 反馈 控制 、
PD控制等 ;随着 自动控制理论 的发展 ,出现了模 I 糊控制、神经网络控制 、遗传算法控制等现代化控
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与 管

V0 . 3 No 2 12 . F EB.2 o o6
EXPE MEN RI TAL TE CHN OCY OL AND MANAGEMEN T
分段控制模式在半导体激 光器 温度 控制 中 的应 用 研 究
w i h gv s s l a a t e a i t o t e s se ,t e pg y a k c n r lmo e c n i rv h e e au o t l n h c ie ef d p i b l y t h y tm - v i h ig b c o t d a mp e t e tmp r t r c n r l g o o e o i
tr o t lo sr do ew sraie i hsc nrl d . a aiae h e sblyo i c nrlmo e uec nr fl e - i a l d wt ti o t o a d e z h o mo e Th t l d td tefa iit ft s o t d . v i h o
Ke r s a e o e u py; tmp r t r o t l s l a a t e a i mei ; E y wo d :ls rp w rs p l e e a u e c nr ; ef d pi rt o - v h t c DA

半导体激光器温度控制系统设计与算法仿真

半导体激光器温度控制系统设计与算法仿真

De s i g n a nd S i mu l a t i o n Al g o r i t h m o f Te m pe r a t u r e Co nt r o l S y s t e m o f Di o d e La s e r
WANG L i n g , YE Hu i — y i n g , Z HAO We n
Ab s t r a c t : D i o d e l a s e r ( L D)h a s t h e c h a r a c t e i r s t i c s o f l a r g e v o l u m e , a n d l o w p r e c i s i o n o f t e m p e r a t u r e c o n t r o 1 . T h i s p a p e r d e —
2 01 3
仪 表 技 术 与 传 感 器
I n s t r u me n t T e c h n i q u e a n d S e n s o r
2 01 3
第 5期
No . 5
半导 体 激光 器 温 度控 制 系统 设 计 与算 法 仿真


灵, 叶会 英 , 赵
t u r e c o n t r o l a c c u r a c y a n d s t a b i l i t y o f t h i s s y s t e m. Ke y wo r d s : s e mi c o n d u c t o r l a s e r s ; t e mp e r a t u r e c o n t r o l ; S mi t h a l g o r i t h m; f u z z y P I D・ S mi t h c o n t r o l

基于ADRC的半导体激光器温度控制的仿真研究

基于ADRC的半导体激光器温度控制的仿真研究

0 引 言
半 导体 激光 器是 基 于半导 体材 料 中 电子 一空穴
体 激光 器 温度 。
关 键词 : 半 导体 激光 器 ; 温度控 制 ; 自抗 扰控 制
中图分 类号 : T N 2 4 8 . 4
文献 标 志码 : A
文章 编号 : 1 0 0 0— 0 6 8 2 ( 2 0 1 3 ) o l一 0 0 0 3— 0 3
Re s e a r c h o n t h e s i mu l a t i o n o f t e mp e r a t u r e c o n t r o l o f s e mi c o n d u c t o r l a s e r b se a d o n ADRC
a c c umu l a t i o n a n d t e mp e r a t u r e r i s e,t h e r e b y a f f e c t i n g i t s o p t i c a l o u t p u t p o we r a nd wa v e l e n g t h.I t i s n e c e s — s a r y t o c o n t r o l t h e s e mi c o nd u c t o r l a s e r t e mp e r a t ur e .Th i s p a pe r a n a l y z e d t h e t e mpe r a t u r e o f t h e s e mi c o n—
Ke y w o r d s : s e m i c o n d u c t o r l a s e r ; t e m p e r a t u r e c o n t r o l ; a c t i v e d i s t u r b a n c e r e j e c t i o n c o n t r o l l e r( A D R C)

半导体激光器_实验报告

半导体激光器_实验报告

半导体激光器_实验报告【标题】半导体激光器实验报告【摘要】本实验主要通过实际操作和测量,研究半导体激光器的工作原理和性能特点。

通过改变电流和温度等参数,观察激光器的输出功率和波长、发散角度等特性的变化,并分析其与激光器内部结构和材料特性之间的关系。

【引言】半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点,在光通信、激光加工、医疗等领域有广泛应用。

了解半导体激光器的工作原理和特性对于深入理解其应用具有重要意义。

【实验内容】1. 实验器材与仪器准备:准备半导体激光器、电源、温度控制器、功率测量仪等实验设备。

2. 实验步骤:a. 连接电源和温度控制器,调节温度至设定值。

b. 调节电流,记录相应的激光器输出功率。

c. 测量激光器的输出波长和发散角度。

d. 分析激光器输出功率、波长和发散角度等特性随电流和温度变化的规律。

【实验结果】1. 实验数据记录:记录不同电流和温度下的激光器输出功率、波长和发散角度数据。

2. 实验结果分析:a. 输出功率与电流和温度的关系。

b. 输出波长与电流和温度的关系。

c. 发散角度与电流和温度的关系。

【讨论】根据实验结果,结合半导体激光器的内部结构和材料特性,讨论激光器输出功率、波长和发散角度等特性与电流和温度的关系。

分析激光器的工作原理和性能特点,并讨论其在实际应用中的优缺点。

【结论】通过实验,我们深入了解了半导体激光器的工作原理和性能特点。

通过调节电流和温度等参数,可以控制激光器的输出功率、波长和发散角度等特性。

半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点,但也存在一些限制,如温度敏感性较强。

最后,我们对半导体激光器的应用前景进行了展望。

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1 T1 s
+
Tds)
1 (τs + 1) (τ1 s + 1)
(2)
若要系统的超调量 P 不大于 25 % , 调节时间小于
5s ,利用齐格列勒和尼柯尔斯[5] 提出的调整 PID 控
制网络 (即设置 K ,Ti ,和 Td 的值) 的法则 ,得到其传
递函数 Gc (s) 如下 :
GC ( s)
=
的凹点 ( t1 Φ t Φ t2 时) 。该凹点所对应的时间应等 于热像仪瞬时视场停留时间 , 强激光在此时刻打进 热像仪时的致盲效果最好 ; 在第三阶段 ( t2 Φ t Φ t3 时) 探测器逐渐退出瞬时视场时 ,探测器另一侧的基 片材料开始参与反射 ,反射光强较强 ,随着探测器逐 渐退出视场反射光强开始逐渐减弱 。
© 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
340
激 光 与 红 外 第 34 卷
集成在一起的负温度系数的热敏电阻将温度信号快 速转换为电阻值的变化 ,然后与设定的高精度基准 温度电阻阻值比较 ,其比较结果通过失调电压温度 系数为 0. 1nV/ ℃,电压放大倍数可从 1 到 1000 的精 密差动信号处理放大电路放大 ,此电路为高精度控 制提供有利保证 ,放大后的信号进入 PID 控制网络 , 通过满足闭环系统的瞬态和稳定性能指标 PID 控制 网络 ,保证系统稳定并具有很好的动态特性 ,根据 PID 处理结果 ,驱动执行机构控制 LD 制冷或加热 , 以保持 LD 的温度恒定 ,从而保证了激光器在恒定 的温度下工作 。
1 引 言 半导体激光器 (LD) 具有体积小 、重量轻 、输入
电压小 、结构简单 、寿命长 、转换效率高 、功耗低 、结 构简单 、价格低廉 、使用安全 、易于调制[1]等有利因 素 ,用其作为干涉测量中的光源 ,使得干涉测量系统 的集成化 、实用化变为可行[2] 。
另一方面 ,从图 1 可以看出 ,LD 的输出功率与 温度的关系[3] ,当 LD 内部温度增加时 ,输出功率也 随之增加 ,而 LD 要在干涉测量领域当中应用 ,首要 任务是使 LD 的输出功率非常稳定 ,如果温度不稳 则可能会引发模式跳跃现象[3] ,其结果会严重影响 干涉场质量 ,因此 ,为了使干涉测量达到优良的精 度 ,必须对 LD 的内部温度进行严格的控制 。另外 , 由 LD 在不同温度下的激光输出功率 PO 与正向工
Temperature Control of Semiconductor Laser for Interferometry
ZENG Hua2lin , J IANG Peng2fei , XIE Fu2zeng
( Institution of Semiconductor , Chinese Academy of Science , Beijing 100083 , China)
第 34 卷 第 5 期 激 光 与 红 外 2004 年 10 月 LASER & INFRARED
文章编号 :100125078 (2004) 0520339202
Vol. 34 ,No. 5 October ,2004
半导体激光器温度控制研究
曾华林 ,江鹏飞 ,谢福增
(中国科学院半导体研究所 ,北京 100083)
摘 要 :温度对半导体激光器的特性有很大的影响 。为了使半导体激光器输出功率稳定 ,必须 对其温度进行高精度的控制 。利用 PID 控制网络设计了温控系统 ,控制精度达到 ±0. 01 ℃,与 无 PID 控制网络相比 ,极大的提高了系统的瞬态特性 ,并且试验发现采用带有温控系统的半导 体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善 。 关键词 :半导体激光器 (LD) ;温度控制 ;PID 控制网络 ;瞬态特性 中图分类号 :TN248. 4 ;TP272 文献标识码 :A
是基片材料反射的结果 。
图 5 碲镉汞探测器结构
图 6 探测器的运动
为便于说明 ,我们可以假设瞬时视场不动而探 测器是运动的 (如图 6 所示) 。根据探测器与瞬时视 场的关系可分为三个运动阶段 :探测器逐渐进入视 场 - 正对视场 - 逐渐退出视场 。这三个阶段反射光 是有变化的 。在第一阶段 (0 Φ t Φ t1 时) , 由于探测 器边缘基片材料较高的反射率使得回波信号由小到 大逐渐增强 ;当探测器光敏面进入视场后反射光强 开始减弱 ,正对视场时反射光强最弱 ,此时探测器对 入射激光的吸收能力最强 ,所以图中显示有一明显
半导体激光器恒温控制系统结构如图 2 所示 , 该系统由四个部分组成 :制冷及其控制执行机构 ,温 度传感器件以及传输部分 , 高精度放大电路以及 PID 控制驱动电路组成 。当 LD 工作时发热 ,与 LD
作者简介 :曾华林 (1974 - ) ,男 ,博士 ,主要从事光干涉测量技术 研究 。Email :zhlin @red. semi . ac. cn 收稿日期 :2004204201
Kp ( 1 +
1 Tis
+
Tds) ,因此其系统数学模型如图 3 所示 。
图 3 系统数学模型
从图 3 可以看出未加 PID 控制网络的系统的开环传 递函数为
Tlme/ s 图 4 系统瞬态特性曲线
4 功率检测 为避免被控制 LD 的温度受外界因素影响过大
等现象的发生 ,将传感器 、散热片 、LD 、制冷器等合 理集成在一起 ,构造了一个较小的几乎绝热的空间 , 以保证较好的恒温效果 。采用光功率计测量 LD 输 出的光功率 ,从图 5 的虚线可以看出 ,LD 在没有控 温系统的条件下 ,半导体激光器的功率随时发生改 变 ,而在有控温的系统中 ,从图 5 中实线可以得到 ,
CURRENT/ mA 图 1 半导体激光器的温度 —功率特性
WK( s)
=
(τs
K1
+ 1) (τ1 s + 1)
(1)
式中τ= 2 τ, 1 = 0. 5 分别由激光器和温度传感器的
特性决定 ,基本确定 ,不易更改 ,设置放大电路的放
大系数 K1 = 100 ,用 MATLAB 仿真[4] 得到其动态特
Abstract :Semiconductor laser as the light source has many advantages such as smaller volume , but the temperature greatly influences the properties of the semiconductor laser. The temperature control must be very rigorous so that steady power of semiconductor laser is got. The temperature control system that designed according to PID control system is discussed in this paper. The precision of controlled temperature is ±0. 01 ℃, the response characteristic of the system with PID control sys2 tem is better than that of the system without PID control system ,and the experiment shows that the stability of semiconductor laser power with temperature control system is better than that without temperature control system. Key words :semiconductor laser ; temperature control ; PID control system ; response character
征曲线如图 4 中的虚线所示 ,从图中可以得出其超
调量过大 ,振荡次数多 ,影响系统的性能 ,因此需要
对系统性能进行改善 ,从而通过引进 PID 控制网络 ,
使系统实现较少的振荡次数 、较小的超调量和较快
的平衡时间等预期的控制指标 ,引进控制网络后的 系统开环传递函数为 :
WK( s)
=
K1 KP (1 +
作电流 IF 的关系可知 : 阈值电流随温度升高而升 高 ,整个激光管的特性曲线基本上随温度的变化而 平行移动 。如果 LD 在恒定的电流下工作 ,当环境 温度发生变化时 ,LD 输出的功率将明显改变 ,因此 , 对 LD 的内部温度进行严格的控制 ,有着非常重要 的意义 。 2 温度控制工作原理
5 结 论 通过加有和没有 PID 控制网络的温度控制系
统 ,采用 MATLAB 软件进行仿真比较 ,发现采用 PID 控制网络的温度控制系统与没有 PID 控制网络的温 控系统相比 ,其超调量明显减少和调节时间极大的
缩短 ,振荡次数减少到只有一次 ,系统稳定性和瞬态 特性得到显著改善 ,并且试验表明带有 PID 控制网 络的温度控制系统完全能满足设计要求 。同时也发 现 ,不带温度控制系统激光器输出功率漂移不定 ,而 当半导体激光器加上带有 PID 控制网络的温度控制 系统 ,其输出功率几乎非常稳定 ,完全能满足干涉测 量光源温控要求 。
图 3 所给出的试验波形是探测设备与目标瞬时 视场正对时的单个回波信号波形 , 该信号反映了探 测目标的τs 参数 。该数值对干扰激光脉冲宽度的 选取具有重要的参考价值 。 5 结束语
光电技术在军事上的广泛应用促进了光电对抗 技术的发展 。对红外夜视器材和机载前视红外系统 的侦察干扰作为光电对抗技术的一个重要分支 ,必 将在未来发挥重要作用 。
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