硅片行业术语大全
半导体mfg生产制造中常用的英文单词
在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
硅片行业术语大全
使节光伏产业链各环节主要制造商和分布一览太阳能产业示意图太阳能产业示意图中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表（含已有产能和在建、拟建项目）中国高纯多晶硅材料生产和投资现状一览表国外硅片供应商大全国外硅片供应商大全(转载)/sites/start/start.htm /default.asphttp://www.rasa.co.jp硅片行业术语大全Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor.受主- 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。
受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度- 在光刻工艺中转移图形的精度。
Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting各向异性- 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。
Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc. 沾污区域- 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。
半导体术语
半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。
以下是一些常见的半导体术语：
1. 半导体：一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料，例如硅和锗。
2. PN结：由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。
3. 掺杂：在半导体材料中加入少量的杂质，以改变其导电性能。
4. 硅片：半导体制造中常用的基础材料，通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。
5. 绝缘体：一种不导电电子的材料，如玻璃和塑料。
6. 导体：一种能够自由传导电流的材料，如金属。
7. 硅谷：位于美国加利福尼亚州的地区，以半导体和计算机技术的发展而闻名。
8. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管，一种常用的半导体器件。
9. 硅晶体管：一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
10. 集成电路：将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。
11. 二极管：一种由P型和N型半导体组成的器件，用于控制电流流动的方向。
12. 功率半导体：专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。
这些术语只是半导体领域中的一小部分，还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业专业词汇
半导体行业专业词汇. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3. ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4. Acid：酸5. Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Align mark(key)：对位标记7. Alloy：合金8. Aluminum：铝9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模拟的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27. Baseline：标准流程28. Benchmark：基准29. Bipolar：双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
硅行业术语
Contamination Partic*不良词语*ate - Particles found on the surface of a silicon wafer.
沾污颗粒 - 晶圆片表面上的颗粒。
Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocations that can have an impact on a circuit’s electrical performance.
名义上边缘排除(EE) - 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。
Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically or mechanically.
边缘轮廓 - 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。
化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。此工艺在前道工艺中使用。
Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand.
Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.
双极晶体管 - 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。
Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an ins*不良词语*ating layer.
半导体 标准术语
半导体标准术语
半导体是指电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
标准术语是指在半导体领域中被广泛接受和使用的术语和定义。
以下是一些半导体领域常见的标准术语：
1. PN结：由p型半导体和n型半导体构成的结，具有整流性质。
2. 硅：半导体材料中最常用的元素之一，常用符号为Si。
3. 锗：半导体材料中常用的元素之一，常用符号为Ge。
4. 掺杂：向半导体材料中引入少量杂质，改变其电导性质的过程。
5. 芯片：由半导体材料制成的微小电子器件，常用于集成电路中。
6. 导带：半导体中的能带，带有自由电子，可导电。
7. 价带：半导体中的能带，带有能够容纳电子的轨道。
8. 势垒：在PN结中形成的电势差，阻止电流的流动。
9. 禁带宽度：导带和价带之间的能量差，决定了半导体的导电性质。
10. 整流器：利用PN结的整流性质将交流电转换为直流电的
器件。
这些是半导体领域中常见的一些标准术语，但并不包括全部。
半导体科学和技术的发展不断涌现出新的术语和概念，因此标准术语也在不断更新和发展。
半导体制造行业专业术语
半导体词汇1. ac cepta nce t estin g (WA T: wa fer a ccept ancetesti ng) 2. ac cepto r: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCES S：一个E DA（En ginee ringDataAnaly sis）系统4. Acid：酸5. Act ive d evice：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6. Ali gn ma rk(ke y)：对位标记7. All oy：合金8.Alumi num：铝9.Ammon ia：氨水10. Ammo niumfluor ide：N H4F 11. A mmoni um hy droxi de：NH4OH 12. A morph ous s ilico n：α-S i，非晶硅（不是多晶硅）13. An alog：模拟的14. A ngstr om：A（1E-10m）埃15. A nisot ropic：各向异性（如POL Y ETC H）16. AQ L(Acc eptan ce Qu ality Leve l)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(A ntire flect ive c oatin g)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Ant imony(Sb)锑19. Argo n(Ar)氩20. Ars enic(As)砷21.Arsen ic tr ioxid e(As2O3)三氧化二砷22. A rsine(AsH3)23. Ash er：去胶机24. Asp ect r ation：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25. A utodo ping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26. Bac k end：后段（C ONTAC T以后、P CM测试前）27. Bas eline：标准流程28. Benc hmark：基准29. B ipola r：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31. C D：（C ritic al Di mensi on）临界（关键）尺寸。
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EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyorme chanically. 光伏材料设备网 边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。 pv001·net
沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。 光伏网
CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanha veanimpactonacircuit’selectricalperformance. pv001·net 晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。 pv001
硅片行业术语大全（中英对照）
2010-11-1516:19:00 来源：互联网
Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasem iconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthese miconductor. 光伏网 受主-一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体 元素少一价电子
Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers. ww
双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。 中国光伏网
BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whi chactsasaninsulatinglayer. 绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。
BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,wh ichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer. 光伏材料设备网 底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。 pv001
ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffect or,achuck,orawand. 光伏材料设备网 卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。 pv001·net
CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred. pv001 解理面-破裂面 pv001·net
EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryof awafer.(Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.) 中国光伏网 边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。（根据晶圆片的尺寸不同而 有所不同。）
Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunde rthecorrectlightingconditions. 表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。 pv001
CrystalIndices(seeMille 中国光伏材料设备网
DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutcha rgecarriers. 中国光伏材料设备网 耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。 中国光伏网
pv001
Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmater ials. 蚀刻-通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。 pv001
FixedQualityArea(FQA)-Theareathatismostcentralonawafersurface. 光伏材料设备 网
AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofaw afer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprint s,waterspots,etc. 中国光伏材料设备网 沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。 中 国光伏材料设备网
Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength. 裂纹-长度大于 0.25 毫米的晶圆片表面微痕。 光伏网
Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcan bedistinguishedindividually. pv001·net 微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。
Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“NType”. pv001 施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为 N 型。
Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thus alteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthe PeriodicTableoftheElements. 搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀 杂 剂可以在元素周期表的 III 和 V 族元素中发现。
Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajo raxisoftheellipse. 椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。
Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.(Note:Thistermisnotpreferred;inste ad,use‘backsurface’.) 中国光伏网 背面-晶圆片的底部表面。（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”）
Chemical-MechanicalPolish(CMP)-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatut ilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationp rocess. 光伏网 化学-机械抛光(CMP)-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。 此工艺在前道工艺中使用。 pv001·net
Conductivity(electrical)-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroug houtamaterial. pv001·net 传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。 pv001·net
ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-typ e”. pv001·net 导电类型-晶圆片中载流子的类型，N 型和 P 型。
Contaminant,Particulate(seelightpointdefect) pv001 污染微粒 （参见光点缺陷）
BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs. 绑定面-两个晶圆片结合的接触区。 pv001
BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopan tsareantimonyandarsenic. 中国光伏材料设备网 埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。 pv001·net
BuriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers. pv001·net 氧化埋层(BOX)-在两个晶圆片间的绝缘层。 pv001·net
Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargeth roughasolidsurfaceinasiliconwafer. pv001·net 载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。
Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyado pant. pv001 掺杂-把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。 pv001·net
EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm. 光伏网 芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过 0.25 毫米。 光伏网