半导体术语

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半导体行业内相关名词

半导体行业内相关名词

半导体行业内相关名词
1. 微处理器(Microprocessor): 是一种集成电路,用于执行计算机的指令和操作。

2. 芯片(Chip): 是半导体材料上制造的集成电路,可以执行特定的功能。

3. 功率半导体(Power semiconductor): 用于控制和调节电流和电压的半导体器件,常用于电力电子系统和功率放大器等应用。

4. 二极管(Diode): 是一个具有两个电极的电子器件,主要用于限制电流的方向。

5. 晶体管(Transistor): 是一种用于放大和开关电路的半导体器件,常用于电子设备中。

6. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管): 是一种常用的功率半导体器件,被广泛应用于电子电路中。

7. LED(Light-emitting diode): 是一种能将电能转化为光能的半导体器件,常用于照明、显示和指示等应用。

8. MEMS(Microelectromechanical systems): 是一种微型机械器件,由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。

9. IC(Integrated circuit): 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。

10. Wafer(晶圆):也称为半导体晶圆,是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。

以上只是半导体行业内的一些常见名词,还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。

半导体行业英文术语

半导体行业英文术语

半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括:1. 集成电路(IC):由半导体材料制成的小型电子器件,可执行广泛的功能。

半导体专业术语

半导体专业术语

1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3.Acid:酸4.Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)5.Align mark(key):对位标记6.Alloy:合金7.Aluminum:铝8.Ammonia:氨水9.Ammonium fluoride:NH4F10.Ammonium hydroxide:NH4OH11.Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)12.Analog:模拟的13.Angstrom:A(1E-10m)埃14.Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)15.AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)16.ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher:去胶机22.Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)23.Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)24.Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)25.Baseline:标准流程26.Benchmark:基准27.Bipolar:双极28.Boat:扩散用(石英)舟29.CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。

在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为多晶条宽。

30.Character window:特征窗口。

半导体术语

半导体术语

FIB:将一些net引到最高层metal,测试时做一些断开和连接;Probe:将一些net引到最高层metal,测试时用针扎在这些metal上获得电压数据成品率(Yield): 指完成全部制造工艺后,合格芯片数占总芯片数的百分比。

成品率也称良率,是衡量芯片制造工艺的重要指标。

扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM):扫描电镜是用聚焦电子束在试样表面逐点扫描成像。

试样为块状或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子、背散射电子或吸收电子。

其中二次电子是最主要的成像信号。

在线参数测试(Wafer Electrical T est,WET):WET是对硅片上的测试图形结构进行的电学测试。

因为它是把直流电压加在器件的物理结构上进行测试,因此也被看成是一种直流测试。

原子力显微镜(Atomic Force Microscope AFM):是利用原子、分子间的相互作用力来观察物体表面微观形貌的实验技术。

根据扫描样品时探针偏离量或其它反馈建立三维图像,就能获得样品表面的形貌。

探针卡(Probing Card):即自动测试仪与待测器件(DUT)之间的接口。

典型的探针卡是一个带有很多细针的印刷电路板,这些细针和待测器件进行物理和电学接触,传递进出测试结构压焊点的电流。

DC测试:即连续性、开路/短路和漏电流测试。

DC测试时为了确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。

.EMMI(emission microscope):中文叫光发射显微镜,通过发光点定位缺陷失效地方。

一般在不透光的盒子中进行。

红外发光显微技术利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象,能够迅速准确地定位失效点,使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。

CMP:化学机械平坦化On resistance: 导通电阻。

常用半导体功能术语

常用半导体功能术语

常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料,广泛应用于电子和光电技术领域。

以下是一些常用的半导体功能术语:1. 传导带(Conduction Band):带电的价电子从价带跃迁到传导带上,形成了电子-空穴对。

2. 价带(Valence Band):在半导体材料中,价电子占据的能级带。

3. 杂质(Impurity):被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质,可以影响其电导性。

4. 被激激发(Excitation):原子或分子吸收外部能量后,其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。

5. 能隙(Band Gap):价带和传导带之间的能量差,决定了半导体的电导性质。

能隙越小,半导体的导电性越好。

6. 上升沿和下降沿(Rising and Falling Edge):指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。

7. 倒障层(Barrier):引入两种不同材料接触处的能级,阻碍电子或空穴跨越此界面。

8. PN结(PN Junction):由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。

9. 正偏压(Forward Bias):PN结中P区的端口连向正电压,N区的端口连向负电压,电子从N区向P区移动。

10. 反偏压(Reverse Bias):PN结中P区的端口连向负电压,N区的端口连向正电压,电子从P区移动到N区。

11. 势垒(Barrier Potential):PN结两侧的电场形成的势能差。

12. 整流(Rectification):将交流信号转化为直流信号的过程。

13. 放大器(Amplifier):接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。

14. 栅极(Gate):场效应晶体管中控制电流的电极。

15. 集电极(Collector):双极晶体管中接收和输出电流的电极。

16. 基极(Base):双极晶体管中控制和调制电流的电极。

17. 激活(Activate):将物质暴露在高温环境下,使其具有半导体特性。

半导体术语

半导体术语

半导体术语
半导体术语是指在半导体领域中常用的术语和定义。

以下是一些常见的半导体术语:
1. 半导体:一种能够在特定条件下既能传导电流又能阻挡电流的材料,例如硅和锗。

2. PN结:由P型半导体和N型半导体直接接触而形成的结构。

3. 掺杂:在半导体材料中加入少量的杂质,以改变其导电性能。

4. 硅片:半导体制造中常用的基础材料,通常是用纯度很高的单晶硅制成的圆片。

5. 绝缘体:一种不导电电子的材料,如玻璃和塑料。

6. 导体:一种能够自由传导电流的材料,如金属。

7. 硅谷:位于美国加利福尼亚州的地区,以半导体和计算机技术的发展而闻名。

8. MOSFET:金属氧化物半导体场效应晶体管,一种常用的半导体器件。

9. 硅晶体管:一种常见的半导体器件,用于放大和开关电流。

10. 集成电路:将多个电子元件集成到单个芯片上的电路。

11. 二极管:一种由P型和N型半导体组成的器件,用于控制电流流动的方向。

12. 功率半导体:专门设计用于高功率和高电压应用的半导体器件。

这些术语只是半导体领域中的一小部分,还有许多其他术语和定
义与半导体制造、器件设计和电子技术相关。

半导体术语(荣)

半导体术语(荣)

2.1 半导体semiconductor:电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为的一种固体物质。

在较宽的温度范围内,电阻率随温度的升高而减小。

电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的。

半导体按其结构可分为三类:单晶体、多晶体和非晶体。

2.2 元素半导体elemental semiconductor:由一种元素组成的半导体。

硅和锗是最常用的元素半导体。

2.3 化合物半导体compound semiconductor:由两种或两种以上的元素化合而成的半导体,如砷化稼、稼铝砷等。

2.4 本征半导体intrinsic semiconductor:晶格完整且不含杂质的单晶半导体,其中参与导电的电子和空穴数目相等。

这是一种实际上难以实现的理想情况。

实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质,导电性能与理想情况很相近的半导体。

2.5 导电类型conductivity type:半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。

2.6 n-型半导体n-type semiconductor:多数载流子为电子的半导体。

2.7 p-型半导体p-type semiconductor:多数载流子为空穴的半导体。

2.8 空穴hole:半导体价带结构中一种流动空位,其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。

2.9 受主accepter:半导体中其能级位于禁带内,能“接受”价带激发电子的杂质原子或晶格缺陷,形成空穴导电。

2.10 施主donor:半导体中其能级位于禁带内,能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷,形成电子导电。

2.11 载流子carrier:固体中一种能传输电荷的载体,又称荷电载流子。

例如,半导体中导电空穴和导电电子2.12 载流子浓度carrier concentration:单位体积的载流子数目。

在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。

空穴浓度的符号为p,电子浓度的符号为n。

2.13 多数载流子majority carrier:大于载流子总浓度一半的那类载流子。

半导体行业术语

半导体行业术语

半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。

以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。

1. 半导体(Semiconductor)- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料,通常是以硅(Si)或镓(Ga)为主要成分,用于制造电子器件。

2. 集成电路(Integrated Circuit,IC)- 也被称为芯片,是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。

3. MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)- MOSFET是一种常用的场效应晶体管,通过控制栅电压来调节源极电流。

4. CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)- CMOS是一种基于nMOS(n沟道金属-氧化物-半导体)和pMOS(p沟道金属-氧化物-半导体)技术的集成电路制造技术。

5. MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术,包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。

6. 晶圆(Wafer)- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。

晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。

7. 工艺(Process)- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程,包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。

8. 掩膜(Mask)- 掩膜用于光刻工艺,上面有设计好的图案,通过光刻暴光制造电路芯片的图案。

9. Doping(掺杂)- 在半导体材料中引入杂质,以调整材料的导电性能。

常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。

10. 渗透磁场(Permeable Magnetic Field)- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场,常用于磁传感器和存储器中。

11. 氮化镓(Gallium Nitride,GaN)- 氮化镓是一种半导体材料,具有高电子流动性和较大的能隙,适用于高功率电子器件的制造。

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1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统4. Acid:酸5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)6. Align mark(key):对位标记7. Alloy:合金8. Aluminum:铝9. Ammonia:氨水10. Ammonium fluoride:NH4F11. Ammonium hydroxide:NH4OH12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)13. Analog:模拟的14. Angstrom:A(1E-10m)埃15. Anisotropic:各向异性(如POL Y ETCH)16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)18. Antimony(Sb)锑19. Argon(Ar)氩20. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher:去胶机24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)27. Baseline:标准流程28. Benchmark:基准29. Bipolar:双极30. Boat:扩散用(石英)舟31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。

在工艺上通常指条宽,例如POL Y CD 为多晶条宽。

32. Character window:特征窗口。

用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。

33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。

一种去掉圆片表面某种物质的方法。

34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。

一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。

35. Chip:碎片或芯片。

36. CIM:computer-integrated manufacturing的缩写。

用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。

37. Circuit design :电路设计。

一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

38. Cleanroom:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。

39. Compensation doping:补偿掺杂。

向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。

40. CMOS:complementary metal oxide semiconductor的缩写。

一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。

41. Computer-aided design(CAD):计算机辅助设计。

42. Conductivity type:传导类型,由多数载流子决定。

在N型材料中多数载流子是电子,在P型材料中多数载流子是空穴。

43. Contact:孔。

在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。

44. Control chart:控制图。

一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。

45. Correlation:相关性。

46. Cp:工艺能力,详见process capability。

47. Cpk:工艺能力指数,详见process capability index。

48. Cycle time:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。

通常用来衡量流通速度的快慢。

49. Damage:损伤。

对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。

50. Defect density:缺陷密度。

单位面积内的缺陷数。

51. Depletion implant:耗尽注入。

一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。

(耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。

)52. Depletion layer:耗尽层。

可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。

53. Depletion width:耗尽宽度。

53中提到的耗尽层这个区域的宽度。

54. Deposition:淀积。

一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。

55. Depth of focus(DOF):焦深。

56. design of experiments (DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。

57. develop:显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶,形成所需图形的过程)58. developer:Ⅰ)显影设备;Ⅱ)显影液59. diborane (B2H6):乙硼烷,一种无色、易挥发、有毒的可燃气体,常用来作为半导体生产中的硼源60. dichloromethane (CH2CL2):二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的液体。

61. dichlorosilane (DSC):二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。

62. die:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

63. dielectric:Ⅰ)介质,一种绝缘材料;Ⅱ)用于陶瓷或塑料封装的表面材料,可以提供电绝缘功能。

64. diffused layer:扩散层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。

65. disilane (Si2H6):乙硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生高火焰,暴露在空气中会自燃。

在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。

66. drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。

67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。

68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。

69. EM:electromigration,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。

70. epitaxial layer:外延层。

半导体技术中,在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料,这一单晶半导体层即为外延层。

71. equipment downtime:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。

72. etch:腐蚀,运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。

73. exposure:曝光,使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。

74. fab:常指半导体生产的制造工厂。

75. feature size:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。

76. field-effect transistor(FET):场效应管。

包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作,多子流由栅下的横向电场控制。

77. film:薄膜,圆片上的一层或多层迭加的物质。

78. flat:平边79. flatband capacitanse:平带电容80. flatband voltage:平带电压81. flow coefficicent:流动系数82. flow velocity:流速计83. flow volume:流量计84. flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数85. forbidden energy gap:禁带86. four-point probe:四点探针台87. functional area:功能区88. gate oxide:栅氧89. glass transition temperature:玻璃态转换温度90. gowning:净化服91. gray area:灰区92. grazing incidence interferometer:切线入射干涉仪93. hard bake:后烘94. heteroepitaxy:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95. high-current implanter:束电流大于3ma的注入方式,用于批量生产96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter:高效率空气颗粒过滤器,去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97. host:主机98. hot carriers:热载流子99. hydrophilic:亲水性100. hydrophobic:疏水性101. impurity:杂质102. inductive coupled plasma(ICP):感应等离子体103. inert gas:惰性气体104. initial oxide:一氧105. insulator:绝缘106. isolated line:隔离线107. implant : 注入108. impurity n : 掺杂109. junction : 结110. junction spiking n :铝穿刺111. kerf :划片槽112. landing pad n AD113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 设备产能115. maintenance n :保养116. majority carrier n :多数载流子117. masks, device series of n : 一成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩阵120. mean n : 平均值121. measured leak rate n :测得漏率122. median n :中间值123. memory n : 记忆体124. metal n :金属125. nanometer (nm) n :纳米126. nanosecond (ns) n :纳秒127. nitride etch n :氮化物刻蚀128. nitrogen (N2 ) n:氮气,一种双原子气体129. n-type adj :n型130. ohms per square n:欧姆每平方: 方块电阻131. orientation n:晶向,一组晶列所指的方向132. overlap n :交迭区133. oxidation n :氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应134. phosphorus (P) n :磷,一种有毒的非金属元素135. photomask n :光刻版,用于光刻的版136. photomask, negative n:反刻137. images:去掉图形区域的版138. photomask, positive n:正刻139. pilot n :先行批,用以验证该工艺是否符合规格的片子140. plasma n :等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n:等离子体化学气相淀积,低温条件下的等离子淀积工艺142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n:TEOS淀积,淀积TEOS的一种工艺143. pn junction n:pn结144. pocked bead n:麻点,在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145. polarization n:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语146. polycide n:多晶硅/金属硅化物,解决高阻的复合栅结构147. polycrystalline silicon (poly) n:多晶硅,高浓度掺杂(>5E19)的硅,能导电。

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