LED封装工艺
led的封装工艺
led的封装工艺
LED的封装工艺主要包括以下步骤：
1．芯片检验：检查LED芯片的尺寸、电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整。
2．扩片：由于LED芯片在划片后依然排列紧密，不利于后工序的操作，需要采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。
3．点胶：在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，这是关键工序之一，点胶量的控制十分重要。
4．备胶：用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。
5．烧结：使银胶固化，连接LED芯片和支架。
6．切筋和划片：由于LED在生产中是连在一起的，需要在Lamp封装LED时采用切筋切断LED支架的连筋。
对于SMD-LED，则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。
7．测试：测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。
8．包装：将成品进行计数包装。
对于超高亮LED，需要防静电包装。
以上信息仅供参考，如需了解更多信息，建议查阅相关书籍或咨询专业人士。
LED封装工艺以及各站工艺作用
LED封装工艺以及各站工艺作用一、LED封装工艺介绍LED封装工艺是将LED芯片、引线和外壳材料通过各种工艺流程进行封装，并通过金线焊接等工艺将引线与芯片连接，最终形成完整的LED光源。
封装工艺直接影响LED产品的性能和质量，也是LED产业链中的重要环节之一、常见的LED封装工艺有贴片封装、背胶封装、球泡封装和模组封装等。
1、贴片封装贴片封装是将LED芯片通过SMT设备贴在PCB基板上，然后通过回流焊接将芯片与基板连接。
贴片封装制造工艺简单、效率高，适用于批量生产，广泛应用于指示灯、车内灯等领域。
2、背胶封装背胶封装是将LED芯片放置在胶水中，经过固化形成背胶，然后进行线焊接。
背胶封装能够提高LED灯珠的防水性能，常用于户外照明和大型显示屏等场合。
3、球泡封装球泡封装是将LED芯片封装在玻璃灯泡内，然后通过线焊接将芯片与引线连接，最终形成常见的LED球泡灯。
球泡封装的优势是灯光均匀，视觉效果好，常用于室内照明和装饰灯饰等领域。
4、模组封装模组封装是将多个LED芯片进行封装，放置在PCB基板上，并通过线焊接连接。
模组封装常用于室外照明和广告显示屏等场合，具有防水、抗风化和可拆卸性能。
1、芯片测试芯片测试是封装过程中的重要环节，用于检测芯片的电性能、光效和色温等参数，对于提高产品质量和减少不良品率非常重要。
2、引线焊接引线焊接是将芯片与引线连接的关键工艺，通过高温焊接将引线与芯片焊在一起，保证电流通畅，引线与芯片之间的连接牢固。
3、背胶固化背胶固化是将涂有背胶的LED灯珠放置在特定的固化机器中进行固化，固化后的胶水能够有效保护芯片和引线，提高产品的防水性能。
4、外形整形外形整形是通过机器对封装好的LED灯珠进行整形，使得LED灯珠的外形更加美观，并符合产品设计要求。
5、测试分类测试分类是利用测试设备对封装好的LED灯珠进行光电参数测试，包括颜色、亮度、色温等参数，合格产品通过测试后可以进入后续的灯具组装环节。
LED封装工艺及产品介绍
LED封装工艺及产品介绍LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，其具有发光、长寿命、低功耗、发光效率高等优点，因此在照明、显示、通讯等领域得到广泛应用。
而LED封装工艺是将LED芯片固定在支座上并进行封装，以保护LED芯片并增强其发光亮度和稳定性。
本文将对LED封装工艺及产品做详细介绍。
1.芯片切割：将大面积的蓝宝石衬底上的芯片通过切割工艺分割成小块，每块一个芯片。
2.衬底处理：将芯片背面进行清洗和抛光处理，以提高光的反射效率。
3.焊接金线：使用金线将芯片正电极与底座连接，以供电。
金线的材料一般选择纯金或金合金。
4.包封胶：使用固化胶将芯片包封在透明树脂中，以保护芯片不受湿氧侵蚀和机械损害。
5.电极镀膜：通过真空镀膜或湿法镀膜技术，在芯片的正负电极上涂覆一层金属薄膜，以增加电极的导电性。
经过以上工艺处理后，LED芯片就成功封装成LED灯珠或是LED灯管等各类产品。
根据不同的应用需求，LED产品可以进一步细分为以下几种：1.LED灯珠：是一种通过封装工艺将LED芯片固定在底座上的产品。
它通常具有高亮度、长寿命、低能耗等特点，广泛应用于LED照明领域。
2.LED灯管：是一种通过封装工艺将多个LED灯珠串联或并联在一起，形成条状灯管的产品。
它具有均匀照明、高照度等特点，广泛应用于室内、室外照明等场合。
4. RGB LED：RGB（Red, Green, Blue）LED是一种通过使用多个LED芯片，分别发出红、绿、蓝三种颜色的光，从而形成各种不同颜色的光源。
它广泛应用于彩色显示、彩色照明等场合。
除了以上介绍的LED产品，还有LED点阵屏、LED显示屏、LED模组等各种具有特殊功能和形状的LED产品，满足了不同行业的需求。
总之，LED封装工艺及产品已经在各个领域得到广泛应用，通过不断的研发与创新，LED产品的亮度、生产效率、稳定性等方面不断提高，助力推动绿色环保、高效节能的发展。
led封装工艺流程
led封装工艺流程LED（Light-Emitting Diode，发光二极管）封装工艺流程是指将LED芯片封装到包括引线、底盖、透镜等元件中，形成一个完整的LED灯的过程。
下面，我将为您介绍一下LED封装工艺流程。
首先，准备材料和设备。
为了进行LED封装，我们需要准备LED芯片、引线、底盖、透镜、封装胶和封装设备等材料和设备。
第二步是制作引线。
将引线通过焊接的方式连接到LED芯片上。
引线有两种类型：金属线和银浆线。
金属线通过焊接连接到LED芯片上，而银浆线则是在LED芯片上涂上导电胶，然后通过加热固化形成。
接下来是封装胶的涂覆。
封装胶是用来保护LED芯片并提供光线传输效果的材料。
我们将封装胶均匀地涂覆在引线和LED芯片上。
然后是底盖的安装。
底盖是用来保护LED封装和连接电路的重要部分。
我们将底盖安装在LED芯片上，确保引线和封装胶都被完全封装在里面。
接下来是透镜的安装。
透镜是用来调节光线的传输和发射的元件。
我们将透镜安装在底盖上，确保它与LED芯片紧密结合，并能够有效地控制光线的方向和强度。
最后一步是封装设备的运行和测试。
将封装的LED灯放入封装设备中进行运行和测试。
设备将对LED灯进行亮度、颜色、色温等方面的测试，确保其性能和质量达到标准要求。
通过以上流程，LED芯片就成功封装成一个完整的LED灯。
封装工艺的优劣将直接影响到LED灯的性能和品质。
好的封装工艺能够保护LED芯片免受损坏，提高LED灯的亮度和稳定性，延长其使用寿命。
需要注意的是，封装工艺的改进和创新是不断进行的。
随着技术的发展和市场需求的变化，LED封装工艺也在不断演化和升级。
比如，近年来，有关LED灯的散热性能和节能性能的要求越来越高，因此，封装工艺也在不断地优化和改进，以适应市场的需求。
总之，LED封装工艺流程是将LED芯片封装到引线、底盖、透镜等元件中，形成一个完整的LED灯的过程。
通过优良的封装工艺，可以提高LED灯的亮度、稳定性和寿命，满足市场的需求。
LED封装工艺以及各站工艺作用
LED封装工艺以及各站工艺作用
一、LED封装工艺
LED封装工艺是指将半导体组件和其他电子元件封装在电路板上，并
通过热焊接等连接方式，以保证LED照明产品的稳定性及使用寿命，使LED照明产品可以长期使用。
LED封装工艺包括SMT(表面安装)、COB(芯
片一体化)、DIP(插脚式)以及COF(芯片封装)等。
1.SMT（表面安装）
SMT(Surface Mount Technology，表面安装技术)是一种把电子元件
安装在电路板表面的封装工艺，利用在电路板上已经铺设的焊盘，在电子
元件表面进行锡焊，使锡焊膏与电子元件表面接触，最后用在烙铁驱动焊盘，使之发生热熔态，使锡焊膏固化在电路板和电子元件表面。
2.COB（芯片一体化）
COB(chip on board)是一种将半导体芯片直接固定于绝缘基板上的封
装工艺，采用COB封装技术，可以实现芯片紧凑、体积小、表面安装、高
密度，可以降低电路板侧的体积和重量等，并有利于芯片之间的功能组合。
COB封装技术已成功地应用于LED照明领域，可以使LED的照明效果更好。
3.DIP（插脚式）
DIP(dual in-line package)是一种成对排列的电子元件，它拥有一
定数量的插脚，可以用来连接外部电路，而且DIP元件的尺寸也比较小。
它可以将LED和电阻等元器件封装在一块PCB上，使LED和电子元器件之
间连接牢固稳定，并且可以降低LED的能耗。
led封装工艺流程五大步骤
led封装工艺流程五大步骤LED（Light Emitting Diode），即发光二极管，是一种能够将电能直接转化为光能的半导体器件。
由于其高亮度、高效率、长寿命等特点，LED在照明、显示、通信等领域得到了广泛的应用。
而LED封装工艺流程是将裸片经过一系列的加工工艺，封装成最终的LED产品的过程。
下面将介绍LED封装工艺流程的五大步骤。
1. 研磨和切割LED封装的第一步是对LED芯片进行研磨和切割。
在这一步骤中，将芯片片源切割成一定的尺寸，并通过研磨使其表面平整，以提供良好的基础给后续工艺步骤。
2. 固化和焊接在LED封装的第二步，将经过研磨和切割的芯片通过固化和焊接工艺与PCB （Printed Circuit Board）进行连接。
固化是利用特殊的胶水固定芯片在PCB上，确保其牢固不脱落；焊接则是利用焊料将芯片与PCB之间的接触点加热融化，形成可靠的电气连接。
3. 封胶和封装在LED封装的第三步，将焊接好的LED芯片进行封胶和封装处理。
封胶是利用透明的环氧树脂将芯片封装起来，提供保护和固定作用；封装则是将封胶的芯片进行塑封，使其具有特定的外观和尺寸。
4. 清洗和测试在封装完LED之后，需要对LED产品进行清洗和测试，以确保其质量和性能符合要求。
清洗是利用清洗剂将LED产品进行清洗，去除封装过程中产生的污染物；测试则是将清洗后的LED产品进行功能、亮度、波长等方面的测试，以筛选出不合格品。
5. 分选和包装最后一步是LED封装过程中的分选和包装。
在分选过程中，仪器会对经过测试的LED产品进行分级，根据亮度、色彩一致性等指标进行分类；包装则是将分选好的LED产品进行包装，以便储存和运输。
总结起来，LED封装工艺流程主要包括研磨和切割、固化和焊接、封胶和封装、清洗和测试、分选和包装这五大步骤。
每个步骤都必不可少，且各自承担着重要的功能。
通过这些工艺步骤，LED芯片得以封装成完整的LED产品，为LED的广泛应用提供了坚实的基础。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
LED灯珠封装的工艺流程
LED灯珠封装的工艺流程介绍LED灯珠是一种重要的光电器件，广泛应用于照明、显示等领域。
LED灯珠封装是指将LED芯片通过特定的工艺封装在外部塑料或金属材料中，以增强其光的亮度、耐久性和可靠性。
本文将介绍LED灯珠封装的工艺流程，包括材料准备、芯片封装、测试与分选等环节。
工艺流程概述LED灯珠封装工艺流程主要包括以下几个环节：1.材料准备：准备LED芯片、导线、封装材料等。
2.芯片封装：将LED芯片粘贴在基板上，连接导线，并外覆封装材料。
3.焊接：使用焊接设备对导线进行连接。
4.测试与分选：对封装完成的LED灯珠进行测试，并根据亮度和颜色等指标进行分选和分级。
5.封装检验：对封装完成的LED灯珠进行外观检查和性能测试。
下面将详细介绍每个环节的具体步骤。
材料准备LED灯珠封装工艺的第一步是准备所需材料。
主要的材料包括LED芯片、导线和封装材料等。
•LED芯片：LED芯片是LED灯珠的核心组成部分，常见的LED芯片有常见的红、绿、蓝、黄等颜色，以及白光LED芯片。
•导线：导线用于连接LED芯片和电路板，通常选择与芯片匹配的金线或铜线。
•封装材料：封装材料用于封装LED芯片，常见的材料有环氧树脂和有机玻璃等。
芯片封装芯片封装是LED灯珠制作的关键环节。
具体的封装步骤如下：1.准备基板：选择合适的基板材料，如金属基板或陶瓷基板，并根据要求进行清洗和处理。
2.粘贴LED芯片：将准备好的LED芯片粘贴在基板上，注意对齐和固定。
3.连接导线：使用焊接设备将导线连接到LED芯片的电极上，确保电路的正常通电。
4.封装材料外覆：将封装材料外覆在芯片和导线的周围，确保LED芯片的保护和固定。
焊接焊接是保证LED灯珠正常工作的关键步骤。
主要包括以下几个步骤：1.准备焊接设备：选择合适的焊接设备，如电子焊接台或热风枪。
2.将导线与电路板焊接：将导线与电路板焊接，确保良好的电气连接。
3.焊接质量检查：检查焊接点的焊盘是否漏锡、焊渣等问题，并进行修复。
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24
銲線目檢項目
Bond Pad
Bond Pad
球形的大小&偏移及變 球形的大小 偏移及變 形不得超出Bond Pad 形不得超出
銲球銲點所拉出線弧 不得相互交錯
金線不得塌線
金線球頸不得撕裂
25
LED白光製作方式
Single chip 型 : • Blue LED + Yellow螢光粉 • Blue LED + Green螢光粉 + Red螢光粉 • UV LED + RGB螢光粉 2 chips 型: Blue LED + Yellow LED 3 chips 型: Blue LED + Green LED + Red LED
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白光
白光
D B C A B A
點膠製程二 -溫度影響
圖 A：工作台加熱
針筒 加熱點 支架 工作台 圖A 圖B
圖 B：針筒加熱 (工作台常溫)
圖 A：工作台加熱一般分為兩段區域，一為預熱區，二為點膠區 預熱區：一般工作溫度為50~80度，主要為提高支架溫度增加膠資流動性 點膠區：溫度建議在30~50度，溫度過高會造成硅膠硬化或點膠針積膠問題 圖 B：針筒加熱 (工作台常溫) 預熱區：與上述相同 點膠區：加溫方式更改為在點膠針部分，溫度建議在25~30度，此溫度即可增加硅膠 之流動性並不造成硅膠硬化 32
7
支架規格特性
高功率 基板
陶瓷基板 PLCC基板 基板 PLCC基板 基板
低功率 基板
陶瓷基板 PLCC基板 基板 PLCC基板 基板
8
支架外觀圖
020 支架 尺寸： 3.8 x 0.6 x 1.2 mm
3020 支架
尺寸： 3.0 x 2.0 x 1.3 mm
尺寸： 3528支架 3.5 x 2.8 x 1.9 mm
26
點膠製程
Lamp
發光層
Wire Bonding
SMT
COB
目前以圖B為主要點膠方式，圖C之點膠方式較適用於高功率 目前以圖 為主要點膠方式， 之點膠方式較適用於高功率LED封裝使用 封裝使用 為主要點膠方式 之點膠方式較適用於高功率
27
螢光粉分析
廠 商 Patent NO. 螢光粉 YAG (Yellow) + B ChipY3Al5O12 TAG (Yellow) + B ChipTb3Al5O12 氮化物(R/G) + B Chip 氮化物 取得受權國內廠家
封合上下不平均
34
固晶流程
工單 設備型 號確認
試生產 (固晶參數確認)
NG 固晶位置確認 (品保)
材料確認
OK NG 回報再確認
軌道設定 PR / IDX / DS
OK
生產
晶片 燈光設定
管制點： 管制點：
生產流程單 自主檢查表 IPQC巡檢表 IPQC巡檢表
Pick / Bond 高度設定
NG 烘烤後 推力測試 OK
特點：
電熱合一結構 低功率使用
特點：
陶瓷基板對LED產生熱之 問題有良好之導熱效果 高/低功率皆可使用
16
封裝不同製程
傳統 製程 Die Bond +
Wire Bond
Bonding pad chip 銀膠 電極 Lead frame Au wire chip 電極 AuSn Lead frame Wire bonding
Standard
Eutectic
沿用 傳統製程 Die Bond +
Wire Bond
Flip Chip
FC 製程 S.B.Bond +
FC Bond
電極 chip
Stud Bump Lead frame
17
封裝型態分析
高亮度封裝
晶片：高散熱銀膠
固晶 焊線 點膠
支架：PLCC + Heat sink / 陶瓷基板 / 鋁基板 Zener：銀膠 金線：1.2 mil
Lamp
SMD PCB
5
測發光晶片說明
100um
電壓(Vf)：3.2 ~ 3.5V
10 mil
亮度(Iv)：110 ~ 300 mcd 驅動電流：20 mA 尺寸(mm)：10 x 23 mil
23 mil
使用產品
10 x 18 mil
10 mil
10 x 18 ：020 / 008 / 335 支架 ( side view)使用 3020亮度須超過 1600mcd時使 用
點膠目檢項目
項目 氣泡過大 灌膠不足 灌膠過度 板材裂痕 支架偏移 表面漆脫落 表面漆皺折 背面殘膠 不良圖示 SPEC 超過10% Chip 裸露出膠體 高於上蓋板高度 不得有 黃色膠體貫穿 超過10% 肉眼所能辨識 不得有 33
包裝目檢項目
包裝機封合不良
上捲帶皺折
封合上下不平均
封合斷續
封合上下不平均
Pad不良 Pad不良
Pad汙染 Pad汙染
晶片量測範圍
探針印過大
晶片破損
良品
19
支架檢驗項目
無射出外殼
表面凹陷
20
支架設計要點
基 板
Zener chip
Silicone/Epoxy
(靜電防治)
020 3020
3528RGB
發光角度設計：目前一般為90~120度為主要設計方案 散熱設計：低功率封裝或高功率封裝(散熱塊/陶瓷基板/鋁基板等) 機構設計：側發光或正向發光設計 (關係SMT使用基板材料-FPC / MCPCB / PCB) 極性設計：共陰或共陽 ( 關係Zener極性確認)
18 mil
020 008 335
6
高功率晶片說明
電壓(Vf)：3.3 ~ 3.7V 亮度(Iv)：3000 ~ 4000 mcd
1mm
驅動電流：350mA 尺寸(mm)：1 x 1 mm (40mil) 單位換算：
1mm
1mil = 0.0254mm 40mil= 0.0254 x 40 =1mm
4
一般晶片說明
12 mil 13 mil 14 mil
12 mil
13 mil
14 mil
電壓(Vf)：3.0 ~ 3.5V 亮度(Iv)：80 ~ 200 mcd 驅動電流：20 mA 尺寸(mm)：12 x 12 mil 13 x 13 mil 14 x 14 mil
使用產品 一般晶片使用與產品相關 此晶片應用在lamp / SMD PCB產 品較多
壓力/時間/ 高度確認
繼續生產
37
測試流程
NG
工單
NG
材料確認
OK
設備確認
光電校正
試生產
OK
測試程式 確認 NG 產品治具 確認 IPQC
回報再確認
OK 落料區確認
管制點： 管制點：
LED的五大物料與五大製程 的五大物料與五大製程
五大物料 晶片 基材 銀膠 金線 環氧樹脂 銲線 封膠 切腳 固晶 五大製程
LED示意圖
測試
2
LED發光二極體特性 基本原理
週期表 LED晶片的元素為III-V族化合半導體
3
晶片規格特性
Cree HP Chip Substrate:硅襯底
TW HP Chip Substrate:藍寶石襯底
9
封裝方式外觀圖
紅光封裝
藍/綠光封裝 綠光封裝
RGB三色光封裝 三色光封裝
白光封裝
10
白光色座標
CIE 1931Chromaticity coordinates
0.34 0.335 0.33 0.325 0.32 0.315 0.31 0.305 0.3 0.295 0.29 0.285 0.28 0.275 0.27 0.265 0.26 0.255 0.25 0.245 0.24 0.235 0.23 0.225 0.22 0.215 0.21 0.205 0.2 0.195 0.19 0.23 0.24 0.24 5 0 5 0.25 0.25 0.26 0.26 0.27 0.27 0.28 0.28 0 5 0 5 0 5 0 5 0.29 0.29 0.30 0.30 0 5 0 5 0.31 0.31 0.32 0.32 0 5 0 5 0.33 0.33 0.34 0 5 0
線弧 高度設定 OK 瓷嘴確認
繼續生產
36
點膠流程
試生產 (螢光粉比例/ 膠量確認)
NG IPQC
工單
NG
材料確認
OK
設備確認
硅膠型號 確認
OK
回報再確認 螢光粉比例 確認
生產
管制點： 管制點：
生產流程單 自主檢查表 IPQC巡檢表 IPQC巡檢表
點膠針確認
NG 螢光粉比例/ 膠量確認 OK
點膠機步進 確認
LED發光二極體特性 簡介
Light Emitting Diode, 簡稱 LED 中文譯: 發光二極體(台灣地區) 發光二極管(大陸地區) • 包含可見光(Visible)與不可見光(Invisible) • 屬於光電半導體的一類 • 在結構上包括P極(P-Type)與N極(N-Type)
1
LED發光二極體特性
硅膠：折射率 / 收縮率 / 烘烤條件 / 黏度 螢光粉：波長 / 粒徑 / 發光效率 其他材料：抗沉澱粉
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固晶目檢項目
1/3 Chip
包覆量
chip
膠量包護量/四面出膠 膠量包護量 四面出膠
偏移角度不可超過5度 偏移角度不可超過 度
晶片不可有破損
23
焊線製程
1. 2. 3. BSOB BBOS 正打與反打