电子技术教案完整版说课讲解
电子技术教案完整版
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编号：1—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称 第一章 常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识 教学目的 1. 知道半导体的导电特性 2．知道两种杂质半导体的形成、特点 3．提高学生学习本课程的兴趣。
4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。 教学重点
半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点 教学难点 PN 结的形成及其特性 教学方法 讲练法 课题类型 新授课
课的结构 组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结
→作业
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N型半导体的结构 P型半导体的结构
三、PN结及其单向导电性
1、PN结的形成
1）扩散运动：物质从浓度高的地方向浓度低的地方的运动
2）漂移运动：载流粒子在电场的作用下发生的移动
3）PN结的形成
扩散运动和漂移运动达到动态平衡时形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷区也叫阻挡层、耗尽层
2、PN结的特点
PN结正偏时，电阻小导通，PN结反偏时，电阻大截止。总结PN 结的形成及特点
板书
教学环节教学内容教学活动时
间
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编号：2—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称 第一章 常用半导体器件 §1-2 二极管
教学目的 1
、认识二极管的结构和符号 2、记忆二极管的伏安特性.
3、注意养成教育，安全、择业观的引导
教学重点 二极管的符号、伏安特性 教学难点 二极管的符号、伏安特性 教学方法 讲练法 课题类型 新授课
课的结构 组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结
→作业
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组织教学
复习旧课
导入新课
讲授新课
考勤，教师组织学生做好上课准备 课前教育：
1、PN 结的形成
2、PN 结的特点
PN 结有什么用途
§1-2 二极管
一、二极管的结构、符号和类型 1、结构和符号
1）结构：一个PN 结、两个电极（阳极、阴极） 2）符号：
教师环视学生集中学生注意力
学生回答
教师叙述
10分钟
15分钟
教学环节
教 学 内 容
教学活动 时间
讲授新课
2、类型
点接触型：PN 结面积小，结电容小，常用于高频、检波
面接触型：PN 结面积大，结电容大，常用于整流
平面型：PN 结面积较小时，结电容小，可用于脉冲数字电路、PN 结面积较大时， 通过的电流较大，可用于大功率整流。 3、型号
教师板书，学生听述并记录笔记
15分钟
练习
讲授新课1、说明下列型号的含义
2AK56D 2CZ78F
二、二极管的电压电流特性
加到二极管两端的电压和流过二极管的
电流两者之间的关系
学生自己
完成
学生听述
并思考
5分钟
30分
钟
教学环节教学内容教学活动时
间讲授新课
1、正向特性：
死区：硅的死区电压为0.5V；锗的死区
电压为0.2V
导通区：硅的导通电压为0.7V；锗的导通电压为0.5V
2、反向特性：
反向截止区：反向电流很小学生听述并思考
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编号：3—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称：§1-2 二极管
教学目的：1、知道二极管的主要参数
2、会识别二极管的好坏、极性
3、注意养成教育，加强安全、就业观的引导教育。教学重点：二极管的主要参数、识别二极管的好坏、极性
教学难点：识别二极管的好坏、极性
讲学方法：讲练法
课题类型：新授课
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课程结构：复习导入新课讲授新课练习小结作业课后回顾
教学环节教学内容教学活动时间
组织教学复习旧课
导入新课讲授新课考勤，教师组织学生做好上课准备
课前教育：
1、二极管的符号？
2、二极管的电压电流特性
二极管在使用时受到哪些限制
§1-2 二极管
三、二极管的主要参数
1、最大整流电流I FM：常称为额定工作
电流
2、最大反向工作电压U RM：常称为额
定工作电流
3、最大反向电流I RM：此值越小越好
四、二极管的识别和简易检测方法
用万用表的欧姆挡R×100和R×1K
1、极性的判断
用万用表测量二极管的正反向电
阻，若电阻小，则黑笔所接的为二极
管阳极，红笔所接的为阴极
2、好坏的判别：如下表：
教师环视
学生集中
学生注意
力
学生回答
教师叙述
10分钟
15分钟
教学环节教学内容教学活动时间
练习
教师板
书，学生
听述并记
录笔记
15分钟
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编号：4—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称
二极管的伏安特性
教学目的1．认识二极管的外形与封装
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2．测试二极管的特性曲线
3．熟悉万用表的使用及测量方法教学重点二极管的特性曲线
教学难点：二极管的特性曲线
教学方法：实验法
课程类型：实验课
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编号：5—1 教研室主任签字:王亚君
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课题名称第二章晶体三极管
§1-2 晶体三极管
教学目的1、认识三极管的结构和符号
2、知道三极管电流放大的内部、外部条件
3、注意养成教育，加强安全、就业观的引导教育。
教学重点三极管的结构和符号、电流放大的内部、外部条件教学难点三极管电流放大的内部、外部条件
教学方法讲练法
课题类型新授课
课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结→作业
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组织教学
复习旧课 导入新课 讲授新课
考勤，教师组织学生做好上课准备 课前教育： 1、PN 结的特性
2、二极管的符号和特性？
在半导体的基片上制作两个PN 结会形成什么器件
§2-1 三极管
一、三极管的结构、符号和类型 1、结构和符号
1）结构：三层半导体、两个PN 结、三个电极 2）符号：
教师环视学生集中学生注意力
学生回答
教师叙述
10分钟
15分钟
教学环节
教 学 内 容
教学活动 时间
讲授新课
二、三极管的电流放大作用 1、内部条件：
1）发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
2）基区非常薄
教师板书，学生听述并记录笔记
15分钟
编号：6—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称第二章晶体三极管
§2-1 晶体三极管
教学目的1、认识三极管的特性曲线
2、知道三极管的三种工作状态
3、会识别三极管的极性、材料、类型
教学重点三极管的特性曲线、三极管的三种工作状态教学难点三极管的极性、材料、类型的识别
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教学方法讲练法
课题类型新授课
课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结→作业
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编号：7—1 教研室主任签字:王亚君
课题名称
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三极管的输入、输出特性
教学目的1．认识三极管的外形与封装
2．测试三极管的特性曲线
3．熟悉万用表的使用及测量方法教学重点三极管的特性曲线
教学难点：三极管的特性曲线
教学方法：实验法
课程类型：实验课
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教学环节教学内容教学活动时间讲授新课（1）测试输入特性
将基极电源调到3V，集电极电源调到
0V，即U CE=0、1、3V。然后调节RP1，使毫伏表的示值按表1规定的值由零逐次增大并记下I B的值填入表1
（2）测试输出特性
调节RP1使微安表的示值为零，即
I B=0，然后由U CE=0开始调节RP2，使U CE逐渐增大，将相应的IC值记入表2中。
讨论题：说明β与I C有什么关系？学生自己
做实验，
记录实验
数据
15分钟
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《电子技术基础》正式教案
电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识
目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。
一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 1. N型半导体 在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价元素，如磷（P）、砷（As）等，则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴
模拟电子技术教案
授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。
2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F
完整电力电子技术教案
电力电子技术教案 周次：
时间： 课题：绪论第一章第一节电力二极管 课时：2课时 教学目标：1、了解什么是电力电子技术 2、电力二极管的结构与伏安特性 3、掌握掌握电力二极管的主要参数和使用 重点、难点：电力二极管的伏安特性和主要参数 教具：教材粉笔 教学方法：讲授法 时间分配：新授 80分钟小结 15分钟作业布置 5分钟 教学过程： 绪论 相关知识 一、什么是电力电子技术 电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。电力电子技术是应用于电力领域的电子技术。具体地说，就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。目前所用的电力电子器件均用半导体制成，故也称电力半导体器件。电力电子技术所变换的“电力”，功率可以大到数百MW甚至GVV，也可以小到数W甚至1W以下。信息电子技术主要用于信息处理，而电力电子技术则主要用于电力变换。通常所用的电力有交流和直流两种。从公用电网直接得到的电力是交流的，从蓄电池和干电池得到的电力是直流的。从这些电源得到的电力往往不能直接满足要求，需要进行电力变换。如表0-1所示，电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。交流变直流称为整流，直流变交流称为逆变。直流变直流是指一种电压(或电流)的直流变为另一种电压(或电流)的直流，可用直流斩波电路实现。交流变交流可以是电压或电力的变换，称做交流电力控制，也可以是频率或相数的变换。进行上述电力变换的技术称为变流技术。． 二.电力电子器件的发展简介 1.传统电力电子器件 2.现代电力电子器件 （1）双极型器件 （2）单极型器件 （3）混合型器件 三、变换电路与控制技术 四、对本课程的教学要求 第一节电力二极管 相关知识 一、结构与伏安特性 1、结构 电力二极管的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都是以半导体PN结为基础的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的，图1-2示出了电力二极管的外形、结构和电气图形符号。从外形上看，电力二极管 主要有螺性型和平板型两种封装。 2、伏安特性 电力二极管的静态特性主要是指其伏安特性，如图 所示。当电力二极管承受的正向电压大到一定值(门槛电压)，正向电流才开始明显增加，处于稳
模拟电子技术基础全套教案
《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，
陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。
电工电子技术教案
厦门电子职业中专学校教案纸 第页
§1.1电路 一、电路的基本组成 1．什么是电路？ 电路是由各种元器件(或电工设备)按一定方式 联接起来的总体，为电流的流通提供了路径。 如图1-1所示。 图1-1 简单的直流电路 2．电路的基本组成 电路的基本组成包括以下四个部分： (1)电源(供能元件)：为电路提供电能的设备和器件。 提问 (2)负载(耗能元件)：使用(消耗)电能的设备和器件(如灯泡等用电器)。 (3) 控制器件：控制电路工作状态的器件或设备(如开关等)。 (4) 联接导线：将电器设备和元器件按一定方式联接起来(如各种铜、铝电缆线等)。 教案纸附页 教学内容、方法、过程和板书设计教学追记
3．电路的状态 (1) 通路(闭路)：电源与负载接通，电路中有电流通过，电气设备或元器件获得一 定的电压和电功率，进行能量转换。 (2) 开路(断路)：电路中没有电流通过，又称为空载状态。 (3) 短路(捷路)：电源两端的导线直接相连接，输出电流过大对电源来说属于严重 过载，如没有保护措施，电源或电器会被烧毁或发生火灾，所以通常要在电路或电气 设备中安装熔断器、保险丝等保险装置，以避免发生短路时出现不良后果。 二、电气元件符号 三、基本电路图 由理想元件构成的电路叫做实际电路的电路模型，也叫做实际电路的电路原理图， 简称为电路图。例如，图1-2所示的手电筒电路。 理想元件：电路是由电特性相当复杂的元器件组成的，为了便于使用数学方法对 电路进行分析，可将电路实体中的各种电器设备和元器件用一些能够表征它们主要电 磁特性的理想元件(模型)来代替，而对它的实际上的结构、材料、形状等非电磁特性不 予考虑。 图1-2 手电筒的电路原理图 画图讲解 厦门电子职业中专学校教案纸 学《电子电检查
《电子技术基础》正式教案
《电子技术基础》正式 教案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
电子技术基础教案
目的与要求 1. 了解半导体的导电本质， 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态，外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件
自然界中的物质，按其导电能力可分为三大类：导体、半导体和绝缘体。半导体的特点： ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理：了解简介。 一、半导体的导电特性 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 1．热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中，将空穴看成带正电荷的载流子。 2．空穴的运动（与自由电子的运动不同） 有了空穴，邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴，这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动，从效果上看，相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 （1）半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷形成电流。 （2）本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相同。 （3）一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 （4）温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体
《电工电子技术基础》的教案.doc
周 授课章节及内容摘要 授课次学时 1 绪论安全用电常识 2 2 15、16 级德育体验周， 17 级军训 2 3 触电急救 2 4 第一章电路的结构和常用基本 2 物理量（电压、电流） 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量（电位、电动 2 势、电能） 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 电流定律 10 第二章磁场及电磁感应 2 11 半期复习与测试 2 12 第三章电容、电感的概念、参数 2 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 教学执行 课外作业及考核 方式情况 思考： 1、冬季穿脱毛衣时，静 讲授电有上千v 的电压，为什么没有 出现电死人的情况？ 电教练习急救措施 电教课后习题一、二 讲授课后习题三1、 2、 3、 4 讲授练习册1.3、 1.4 讲授练习册 1.5 一、填空题 电教练习册 2.1、 2.2 测试半期测试题 电教课后习题一、二、 电教练习册 4.1 讲授课后习题一、二、 电教课后习题三、四 讲授练习册 4.2 4.5
的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授练习册 5.1 二、三 5.2 一、二、 三 20 期末复习 2 讲授复习试题 第一章审核签字课题 第一节 授课时数 2 课时授课时间第1 周第 1 ~ 2 课时 知识1、了解电路的组成。 与 2、掌握电路中每部分的作用。 技能 教 学过程 目与讲授法与图示法相结合，便于学生回忆巩固。 标 方法 情感 态度 结合生活中常见的电器设备来进行讲解。 与价 值观 新学期开学，学生身心状态还未收回，切寒假后，此前所学知识部分已经遗忘或模糊，学情分析 需要通过复习收心和巩固知识，为新课内容做准备。 教学重点1、电路结构2、各部分的作用 教学难点1、讲电路图形符号和实物结合，识读简单电路图。
《电子技术基础》教案
《电子技术基础》教案 适用学时：前60（54）学时 编写日期：2006年2月1日
§绪言 学时：1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合，然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等，进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件，本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数，以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础，但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时：1学时 教学要求： 1．了解半导体的一般概念 2．理解半导体的导电机理与导电特性 3．理解掺杂半导体的产生及导电类型 4．了解PN结的概念 5．理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性
（a ）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体，其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。
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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型
第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器
第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点
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编号：1—1 教研室主任签字:王亚君 授课日期 授课班级 课题名称第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识 教学目的 1. 知道半导体的导电特性 2．知道两种杂质半导体的形成、特点 3．提高学生学习本课程的兴趣。 4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。 教学重点半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点 教学难点PN结的形成及其特性 教学方法讲练法 课题类型新授课 课的结构组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结→作业 教学环节教学内容教学活动时间 型半导体型和授讲新课P二、N
型半导体的形成及特点1、N教师板书，分钟15）形成：在纯净的半导体中掺入五价元1学生听述素磷并记录笔2）特点：自由电子多、空穴少记 、2P型半导体的形成及特点 ）形成：在纯净的半导体中掺入三价元1 素硼 2）特点：自由电子少、空穴多 ）、1常用的半导体材料是（习练学5分生自己钟 ）。和（完成 、）型半导体的多数载流子是2、N（ 。少数栽流子是（） 型半导体的电中性讲型和P、3N课新授30分钟 学生听述 三、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 1）扩散运动：物质从浓度高的地方向浓板书 度低的地方的运动 2）漂移运动：载流粒子在电场的作用下 发生的移动 3）PN结的形成 扩散运动和漂移运动达到动态平衡时 形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷 区也叫阻挡层、耗尽层 2、PN结的特点 PN结正偏时，电阻小导通，PN结反偏时，电阻大截止。
:王亚君教研室主任签字编号：2—1 授课日期 授课班级 课题名称第一章常用半导体器件 §1-2 二极管 教学目的1、认识二极管的结构和符号
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第1、2课时 课题半导体特性、 PN 结、二极管课型 教学了解半导体的特性和PN 结的形成与特性 目的掌握二极管、稳压管的特性 重点PN结的形成与特性 难点二极管的伏安特性 教学过程 一、半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、 N 型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、 P 型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、形成过程 2、特性：单向导电性 三、二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分 : 有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2 ）按结构分 : 根据 PN结面积大小 , 有点接触型、面接触型二极管。 (3 ）按用途分 : 有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4 ）按封装形式分: 有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分 : 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后小结半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电 PN结具有单向导电性普通 二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由 PN 结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区
第 3、4 课时 课题半导体三极管课型 教学1、了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 目的3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 重点三极管的电流放大原理 难点三极管的输入输出特性 教学过程 一、三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I C I B 3）电子被集电区收集的过程 二、特性曲线和主要参数 1、输入特性：i B=f(u BE)u CE常数 2、输出特性：i C=f(u CE)i B常数 课后小结了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理；理解三极管的特性曲线和主要参数。
模拟电子技术教案(课时).
《模拟电路》 教案 课程名称电子三年制《模拟电路》 授课学时64 主讲(责任)教师 参与教学教师________________________________ 授课班级/人数 专业（教研室）电子
课程名称：模拟电子技术基础 第讲 1 授课题目半导体基础知识、半导体二极管课型讲授使用教具多媒体 教学重点1、了解本征半导体、杂质半导体的导电机理 2、熟悉N型半导体，P半导体的基本特性 3、异形半导体接触现象 4、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型） 教学难点1、半导体的导电机理:两种载流子参与导电； 2、掺杂半导体中的多子和少子 3、PN结的形成； 4、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的 优先导通问题； 教学内容教学组织过程 1 半导体的基本知识（10min） （1）半导体材料 （2）半导体的共价键结构 （3）本征半导体、空穴极其导电作用 （4）杂质半导体 2 PN结的形成及特性（25min） （1）PN结的形成 （2）PN结的单向导电性 （3）PN结的电容效应 3 二极管（25min） 1.3.1、二极管的结构 1.3.2、二极管的伏安特性 ?正向特性：死区电压、导通电压 ?反向特性：反向饱和电流、温度影响大 ?反向击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、 热击穿 1.3.3、主要参数(略讲) 4 二极管电路的简化模型分析方法（25min） 4.1理想模型 正向偏置管压降为零；反向偏置电阻无穷大，电流为零。 4.2恒压降模型 二极管导通后，管压降恒定，典型值硅管0.7V。 4.3折线模型 二极管导通后，管压降不恒定，用一个电池和一个电阻r d来作进一步近似。 小结（5min） 本讲宜教师讲授。用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。 课后小结
汽车电工电子技术基础教案设计
《电工基础》教案
如电灯等。 (3) 导线：连接电路中的各元器件。作用：传输电流 (4) 开关：电路中控制电路接通与断开的器件。 导线和开关将电源和负载连接起来，成为电路的中间环节。他的作用是传送和分配电能，控制电路的通断，保护电路的安全，使其正常 运行。 三、电路图 1、电路示意图：用画实物外形的方法表示电路。 2、电路图：用规定的图形符号表示电路中的各种元器件。 举例：一台电视机从设计、组装、维修等相关人员都用同一张 电路图。 3、、几种常用的标准图形符号。 教学 本节课内容较浅，再加上勤与学生互动，是可以达到教学目标的。总结 课堂练习4个小组各选1名学生上黑板默画几种常用的标准图形符号。 1．名词解释(1) （P36） 作业 2．填空题(1) （P36） 《电工基础》教案 第1章直流电路 章节 1.1.2电路的基本物理量——电流
一、电流的形成 1、电流：大量的电荷的定向移动形成电流。 2、在导体中形成电流的条件： (1) 要有自由电荷。 (2) 必须使导体两端保持一定的电压（电位差）。 二、电流 1、电流的强弱用电流强度表示。电流强度简称为电流。 2、通常用I表示 3、单位： 安培A 毫安mA 微安 A 1mA=10-3 A；1A=10-6A 巩固练习（单位换算）：让学生上黑板做 5A= mA= A；7A= A；16A= mA= A。 3、电流的方向 实际方向—规定：正电荷定向移动的方向为电流的方向。 提问：金属导体、电解液中的电流方向如何？ 解答：在不同导体中导电机制不同。 ①金属导体中的电流方向与自由电子定向移动的方向相反。
《电工基础》教案
电子技术教案完整版说课讲解
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收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 编号：1—1 教研室主任签字:王亚君 课题名称 第一章 常用半导体器件 §1-1 半导体的基本知识 教学目的 1. 知道半导体的导电特性 2．知道两种杂质半导体的形成、特点 3．提高学生学习本课程的兴趣。 4．对学生进行养成教育；安全及就业观的引导。 教学重点 半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成、特点 教学难点 PN 结的形成及其特性 教学方法 讲练法 课题类型 新授课 课的结构 组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结 →作业
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N型半导体的结构 P型半导体的结构 三、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 1）扩散运动：物质从浓度高的地方向浓度低的地方的运动 2）漂移运动：载流粒子在电场的作用下发生的移动 3）PN结的形成 扩散运动和漂移运动达到动态平衡时形成的空间电荷区即是PN结。空间电荷区也叫阻挡层、耗尽层 2、PN结的特点 PN结正偏时，电阻小导通，PN结反偏时，电阻大截止。总结PN 结的形成及特点 板书 教学环节教学内容教学活动时 间 收集于网络，如有侵权请联系管理员删除
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收集于网络，如有侵权请联系管理员删除 编号：2—1 教研室主任签字:王亚君 课题名称 第一章 常用半导体器件 §1-2 二极管 教学目的 1 、认识二极管的结构和符号 2、记忆二极管的伏安特性. 3、注意养成教育，安全、择业观的引导 教学重点 二极管的符号、伏安特性 教学难点 二极管的符号、伏安特性 教学方法 讲练法 课题类型 新授课 课的结构 组织教学→复习→导入新课→讲授新课→练习→小结 →作业
《本科模拟电子技术实验》教案
《本科模拟电子技术实验》教案
4.1 共射极单管放大电路的研究 1. 实验目的 （1）学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响； （2）掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法； （3）熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。 2. 实验设备与器材 实验所用设备与器材见表4.1。 表4.1 实验4.1的设备与器材 序号名称型号与 规格 数量备注 1 直流稳压电源双路 0～30V 1台 2 双踪示波器0～10M 1台 3 函数信号发生 器 低频1台 4 模拟电路实验 箱 1台 5 电子毫伏表1只 6 万用表1只 7 数字电压表0～1只
200V 8 数字毫安表0～ 200mA 1只 9 晶体管特性图 示仪1台全班共 用 10 三极管9013 1只 11 电阻1kΩ/0.2 5W 1只R e 12 电阻 2.4kΩ/0 .25W 2只R S、R c、R L 13 电阻20kΩ/0. 25W 1只R b1、R b2 14 电阻500kΩ/ 0.25W 1只R b2 15 铝电解电容10μF/25 V 2只C1、C2 16 铝电解电容50μF/25 V 1只C e 3. 实验电路与说明 实验电路如图4.1所示，为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电
阻R E，以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号u i后，在放大器的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。安装电路时，要注意电解电容极性、直流电源正负极和信号源的极性。 图4.1 共射极单管放大器实验电路 4. 实验内容与步骤 （1）电路安装 ①安装之前先检查各元器件的参数是否正确，区分三极管的三个电极，并测量其β值。 ②按图4.1所示电路，在面包板或实验台上搭接电路。安装完毕后，应认真检查连线是否正确、牢固。 （2）测试静态工作点 ①电路安装完毕经检查无误后，首先将直流稳压电源调到12V，接通直流电源前，先将R W
电子教案-《模拟电子技术》(冯泽虎)教学课件知识点5：分压偏置共射极放大电路-电子教案 电子课件
《电工电子技术》课程电子教案 教师：宋静序号：05
知识引导 图7-22 温度对静态点的影响 2.基极分压式偏置电路 具有稳定工作点功能的典型分压式偏置电路如图 7-23所示。 a)电路原理图 b)直流通路图 图7-23压式偏置放大电路 1）稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放 大器的工作点发生变化，影响放大器的正常工作。如图 7-23 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来 改善直流工作点的稳定性的，其工作原理如下： （1）利用R B1和R B2的分压作用固定基极电压U B。 由图 7-23可知，当R B1、R B2选择适当，满足I2远 大于I B时，则有 PPT、动画演 示、图片
知识引导 中R B1、R B2和U CC都是固定的，不随温度变化，所以基极电位基本上为一定值。 （2）通过I E的负反馈作用，限制I C的改变，使工作点保持稳定。具体稳定过程如下： 从上述稳定过程可以看出,R E愈大,则在R E上产生的压降愈大,对I C变化的抑制能力愈强,电路稳定性愈好。 2）动态分析 首先画出7-23所示的射极偏置电路的微变等效电路如图7-24 a)交流通路图 b) )微变等效电路 图7-24分压式偏置电路交流通路图及微变等效电路 CC B B B B U R R R U 2 1 2 + = E BEQ B E CQ R U U I I - = ≈ ) ( E C C CC CEQ R R I U U+ - =β/ CQ BQ I I=
1. 求电压放大倍数Au 与单偏置共射极放大电路的公式一样. 2.求输入电阻 3.求输出 教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练 仿真练习分压式偏置共射放大电路的静态值及电压 放大倍数 仿真验证：运行Multisim9.0软件制作仿真电路，如图 7-25所示，启动仿真，所得静态值为：I BQ＝ 10.223uA,I CQ=1.398mA,U EQ=2.535V。由测量值可算出 三极管的放大倍数约为140。从示波器上可得输入与 输出电压波形，如图所示。输入电压的幅值约为l0mv， 输出电压的幅值约为 2.15V，并且两者相位相反，电 压放大倍数约为215 Multisim9.0 仿真软件的 使用 5 be ' L i o r R U U A u β - = =& & & be b2 b1 i r R R R∥ ∥ = c o R R=
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第1.2课时 教学内容：1、半导体的基本知识 2、PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、应用电 路 教学目标： 知识目标：让学生了解半导体材料的基本结构及PN结的形成，掌握PN结的单向导电工作原理 技能目标：能运用常用公式解题。 情感目标：1.养成良好的学习习惯 2.树立坚强乐学的意识 教学重点：从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、 教学难点：PN结的单向导电工作原理 教学准备：教学PPT。 教学过程： 引述导入：今天我们来学习交流电路。 板书课题：半导体的基本知识 新授内容： 1 半导体的基本知识 1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点：
1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 在N型半导体中自由电子是多数载流子，在P型半导体中空穴是多数载流子. 2 PN结的形成及特性 2.1 PN结的形成： 在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。 2.2 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。
模拟电子技术课程教案
模拟电子技术(1)课程教案 1、适用专业：电子、通信、生物医电专业本科二年级 2、任课教师：张玲 3、授课时间：2004-2005学年第一学期 4、本课程教学目的： 本课程是电子通信等类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；学会使用PSPICE软件对电子线路的分析；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 5、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集
成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 5．学会使用PSPICE软件对低频电子线路进行直流、交流及瞬态分析。 6、使用的教材： 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 主要参考书目： 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分），高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，
数字电子技术说课稿
《数字电子技术》课程 说 课 稿
各位领导、老师们好！下面我从以下六个方面说明《数字电子技术》课程的设计： 1、课程在人才培养中的地位 2、课程设计 3、教学对象 4、教学过程 5、考核与评价 6、课程改革 下面分别加以论述。 一、课程在人才培养中的地位 （一）专业人才培养定位 目前，电子信息产业已成为我国第一支柱产业，电子信息行业对具有必需的理论知识和过硬的专业技能的电子信息技术类人才的需求量很大。 根据（教高[2006]16号）《关于全面提高等职业教育教学质量的若干意见》中高等职业教育要培养面向生产、建设、服务和管理第一线需要的高技能人才的精神；此外，通过对电子信息行业企业的调查，本专业学生的就业岗位主要有：1、电子信息类产品的局部设计开发；2、电子信息类产品的生产管理与质量检验； 3、单片机应用系统的装配与调试； 4、电子信息类产品的技术支持与销售服务； 5、电子信息设备的安装维护与应用改造。 因此，我们把电子信息工程技术专业的培养目标定位为培养生产、建设、服务一线需要的掌握电子信息工程技术理论与实践知识，具备数字信号采集、分析、加工、处理及初步利用DSP芯片、可编程器件进行电子产品开发的能力，具备电子信息产品的安装、调试、检测、维护能力，具备电子信息技术开发、设计、推广、应用能力的高素质、技能型人才。 （二）课程定位 1、课程性质与作用 在电子信息工程技术专业体系中，本课程是专业核心主干课程之一，属于专业基本能力训练层次的课程。本课程是一门基于职业能力分析，以数字电子电
路为载体，将典型数字电路设计、调试与应用有机融合的理论性、实践性都较强的课程。本课程主要培养学生具备典型数字电路设计、调试与应用的能力。 本课程计划教学学时为：64学时+1周（折算后总学时：94学时），计3学分。 2、本课程与其它课程的关系 本课程学习和训练之前，学生应以修完如下课程：《电路分析与应用》、《电子产品生产工艺》、《模拟电子技术》。 （三）、课程目标 依据电子信息工程技术专业人才培养目标要求，本课程致力于培养拥护党的基本路线，具有良好的职业素质和文化修养，适应生产、管理和技术服务第一线需要的，德、智、体、美全面发展，掌握本专业必备的专门知识、具备典型电子电路设计、测试与应用能力的高等技术应用性人才，以作为胜任专业岗位群技术服务和技术支持的保证。 通过本课程的学习和训练，使学生具备以下知识、能力和素质： 1）知识目标：了解相关数字电子器件的识别、检测和使用知识；掌握查阅数字电子器件手册的方法；掌握组合逻辑电路和时序逻辑电路的相关理论知识； 掌握常用电子仪器仪表（万用表、信号发生器、数字双踪示波器、逻辑笔等）、设备（数字逻辑实验仪）和工具（剥线钳等）的使用；了解数字电子技术的发展方向。
模拟电子技术试题说课讲解
模拟电子技术试题
二、判断题： 1. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (×) 2. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 (√) 3. 只要是共射极放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 (×) 4. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 (×) 5. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路， 其电压放大倍数一定为10000。 (×) 6. 为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。 (√) 7. 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的差值，共模信号是两个输入端 信号的平均值。 (√) 8. 共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。(×) 9. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的差模放大 倍数数值增大。 (×) 10.在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻R e足够大，则R e 可视为开路。(√) 11.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入 信号。 (√) 12.在电压比较器电路中，集成运放不是工作在开环状态，就是只引入了正反 馈。（√） 13.对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路 中，发射极电阻R e一概可视为短路。（√）
14.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入电压串联负反馈。 （√） 15.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入电流并联负反馈。（√） 16.在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用高通滤波器； 有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 低通滤波器。 (×) 17.已知输入信号的频率为10kHz ~12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用带通滤波电路。 （√） 18. RC 正弦波振荡电路的振荡频率较低，LC 正弦波振荡电路的振荡频率较高。 （√） 19.在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率fo=1/RC 。 (×) 20.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。 （√） 六：反馈类型判别： 1. C 1 ( e )+V CC R c1R c2R e1 R e2 R e3 R b1 C 2 C 3 C 4 C 3 ( f) +V CC R c1 R e2 R e1 R c2 R e3 C 1 C 2 R c3 R f u o R s s u VT 2 VT 1 VT 2 VT 1VT 3u o VT 3 R s s u R f 电压并联正反馈 电流并联负反馈