霍尔效应
霍尔效应高考知识点总结
霍尔效应高考知识点总结霍尔效应是近几年高考中的一个重要知识点，涉及到电磁感应和导电材料的相关原理和应用。
本文将对霍尔效应进行总结和归纳，帮助学生更好地理解和掌握这一知识点。
1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应是指当导电材料中有电流通过时，垂直于电流方向的方向上会产生一定的电势差。
这种现象是由磁场对电子的偏转效应引起的。
当电子在导体中运动时，磁场施加的力使得电子受到侧向偏转，导致电子在一个方向上聚集，产生电势差。
2. 霍尔效应的公式和参数霍尔效应可以通过一个简单的公式来描述：VH = B × I × RH。
其中VH表示霍尔电压，B表示磁场的强度，I表示电流的大小，RH表示霍尔系数。
霍尔系数是一个与导体特性相关的参数，通过测量霍尔电压和磁场以及电流的值可以计算出来。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应在实际中有着广泛的应用。
其中最常见的是磁场传感器的应用。
磁场传感器通过测量霍尔电压的变化来检测磁场的强度和方向。
这种传感器在自动控制、磁力计、电流测量等领域都得到了广泛的应用。
4. 良导体和劣导体中的霍尔效应差异在不同的导体中，霍尔效应呈现出不同的特点。
在良导体中，电子的运动能力较强，电流通过后霍尔电压较大；而在劣导体中，电子的运动能力较差，电流通过后霍尔电压较小。
这是因为良导体中自由电子的浓度较高，受到磁场作用后偏转偏大；而劣导体中自由电子的浓度较低，受到磁场作用后偏转偏小。
5. 霍尔效应的探究与实验学生在学习和掌握霍尔效应时，可以通过一些简单的实验来加深理解。
例如，可以利用霍尔效应进行磁场的测量，通过改变电流大小和磁场强度，观察霍尔电压的变化规律。
还可以探究不同材料的导电性质对霍尔效应的影响，比较不同材料产生的霍尔电压的差异。
6. 霍尔效应在电子设备中的应用霍尔效应在电子设备中有着广泛的应用。
例如，在手机和平板电脑里的磁场传感器，可以通过测量霍尔电压的变化来检测屏幕是否翻盖。
在电动车和电磁炉中，也用到了霍尔效应来检测电流的大小和方向，对设备的安全性和控制起到了重要作用。
霍尔效应机理
霍尔效应机理霍尔效应（Hall effect）是指在导体中通过电流时，垂直于电流方向和磁场方向的方向上会产生一种电压差的现象。
这一现象是由美国物理学家爱德华·霍尔（Edwin Hall）于1879年发现的，对电子学和磁学的研究起到了重要的推动作用。
霍尔效应的机理和应用广泛存在于电子器件、传感器和材料研究等领域。
霍尔效应的机理如下：当一个导体中通过电流时，由于洛伦兹力的作用，电子会在垂直于电流方向和磁场方向的方向上受到一个力，导致电子在这个方向上聚集。
这样就会形成一个电势差，即霍尔电压（Hall voltage），垂直于电流和磁场方向。
霍尔电压的大小与电流强度、磁场强度以及材料的特性相关。
霍尔效应在实际中有许多应用，包括：1. 霍尔传感器：霍尔传感器利用霍尔效应测量磁场强度。
它们广泛应用于磁场检测、位置检测、电流测量等领域。
例如，在汽车中用于测量转速、车速和方向盘位置。
2. 磁场测量：由于霍尔效应对磁场强度的敏感性，它可以用于测量磁场的大小和方向。
这在磁学实验、地磁测量和材料磁性研究中非常有用。
3. 材料性质研究：通过测量霍尔电压，可以获得材料的载流子类型、浓度和迁移率等信息，从而对材料的电导性和电子结构进行研究。
4. 磁性存储器：在硬盘驱动器等磁性存储设备中，霍尔传感器被用于读取磁头位置和方向，从而实现数据的定位和读取。
5. 磁流变液技术：磁流变液是一种特殊的流体，其粘度可以通过外加磁场的调节而改变。
霍尔效应可以用于测量磁流变液的粘度变化，从而控制和调节液体的流动性能。
综上所述，霍尔效应在电子学、传感器技术、材料研究和磁学等领域具有重要的应用价值。
通过利用霍尔效应的特性，可以实现对磁场强度、位置、磁性材料性质和流体流动性能的测量和控制。
(完整word)什么是霍尔效应
什么是霍尔效应什么是霍尔效应美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert，1855—1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔（A。
H。
Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
1．霍尔效应将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场B ,沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势Vh，如图1所示，这现象称为霍尔效应.Vh 称为霍尔电压.图1 霍尔效应原理图实验表明，在磁场不太强时，电位差Vh与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比,即或式（1)中Rh称为霍尔系数，式（2）中Kh称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv / （mA·T)。
产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。
如图1（a）所示,一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中,在X轴方向通以电流I，则其中的载流子——电子所受到的洛仑兹力为式中V为电子的漂移运动速度，其方向沿X轴的负方向。
e为电子的电荷量。
Fm指向Y轴的负方向。
自由电子受力偏转的结果，向A侧面积聚,同时在B侧面上出现同数量的正电荷,在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场Eh（即霍尔电场）,使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力Fe,A、B面之间的电位差为Vh（即霍尔电压），则(4)将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有式中称为霍尔元件的灵敏度，一般地说， Kh愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压Vh 。
霍尔效应
霍尔效应1879年，24岁的美国人霍尔在研究载流导体在磁场中所受力的性质时看，发现了一种电磁效应，即如果在电流的垂直方向加上磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上将建立一个电场。
这个效应后来被称为霍尔效应。
产生的电压(U H)，叫做霍尔电压。
好比一条路, 本来大家是均匀的分布在路面上, 往前移动。
当有磁场时, 大家可能会被推到靠路的右边行走，故路(导体) 的两侧, 就会产生电压差。
这个就叫“霍尔效应”。
根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
许多人都知道，轿车的自动化程度越高，微电子电路越多，就越怕电磁干扰。
而在汽车上有许多灯具和电器件，尤其是功率较大的前照灯、空调电机和雨刮器电机在开关时会产生浪涌电流，使机械式开关触点产生电弧，产生较大的电磁干扰信号。
采用功率霍尔开关电路可以减小这些现象。
实验目的1. 了解霍尔效应实验原理2. 测量霍尔电流与霍尔电压之间和励磁电流与霍尔电压之间的关系3. 学会用霍尔元件测量磁场分布的基本方法4. 学会用“对称测量法”消除负效应的影响实验原理1. 霍尔效应霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
当电流I沿X轴方向垂直于外磁场B(沿Z方向)通过导体时，在Y方向，即导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差V H，如图1所示，这现象称为霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电压。
实验表明，在磁场不太强时，霍尔电压V H 与电流强度I 和磁感应强度B 成正比，与板的厚度d 成反比，即IB K dIBR V H HH ==(1)。
其中RH 称为霍尔系数，KH 称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv/(mA.T)。
霍尔效应简介
霍尔效应简介
霍尔效应是指当电流通过垂直于电流方向的导体时，会在导体两侧
形成电势差。
这个现象是由瑞典物理学家爱德华·霍尔于1879年发现的。
霍尔效应的原理是：当电流通过导体时，自由电子也会随之移动。
如果在电流流动方向的垂直方向上施加一个磁场，磁场力会使电子在
该方向上受到一个向外的力。
这个力会使得电子在垂直方向上聚集，
导致导体两侧分别形成正负电荷的区域，从而形成电势差。
根据霍尔效应，可以制造霍尔传感器。
霍尔传感器能够测量磁场的
大小和方向，因此在许多应用中被广泛使用，例如磁力计、速度传感器、转速计等。
此外，霍尔效应还有一些其他应用，包括测量电流、
磁强计、电子元件的开关等。
总的来说，霍尔效应是一种电磁现象，利用电流通过导体时产生的
电势差可以实现磁场测量和其他应用。
霍尔效应(Hall Effect)
8
外加一磁场沿正y轴
在动并A1受，正A2Z间方加向一磁电场位作差用使力电F洞B 以q漂v流速B 度沿正x方向运
因材料原呈电中性，故有相等之负电荷累积在材料下 方并产生负Z方向静电力Fe＝qE
稳定态时，FB=FE 即 qvB＝qE
E=vB
此时上下两侧之电压差即为霍尔电压
归零
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所提示功能时，须先 按住SHIFT键才可使 用。
选取单位
数值撷取
范围设定
11
实验仪器
探针置入位置
测
厚 压 克 力 垫
磁 场 测 试 板
探 针
试 板 放 置 处
片
待
磁
测
铁
半
架
导
体
材料12如 Nhomakorabea量测磁场
先将高斯计执行 归零程序。
依操作说明找出磁 鐵N、S极。
量测示意图
将实验器材架设好，
14
9
计算
J nev I I A ab
v B E VH b
n IB aeVH
n : 載子濃度 e : 電荷電量 v: 漂移速度 J : 電流密度 B : 外加磁場 VH : 霍爾電壓 a : 樣品厚度(y方向) b : 樣品高度(z方向) A : 電流通過之樣品截面積
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实验仪器-----高斯计(量测磁场使用 )
多数载子为电洞，少数载子为电子。
三价杂质通常为硼(B) 、鋁(Al)、鎵(Ga)、 銦(In)。
6
N型半导体
在纯硅中加入五价元素杂質，使每个硅原子与五价 杂质结合成共价键时多一电子，即为N型半导体。
多数载子为电子，少数载子为电洞。 五价杂质通常为磷(P)、
名词解释霍尔效应
名词解释霍尔效应
霍尔效应(霍尔效应)是一种量子效应,涉及到电子在磁场中的运动。
当电子在磁场中受到一个电场的作用时,它们会受到洛伦兹力,从而改变它们的运动状态。
这种改变可以导致电子的霍尔系数(霍尔系数)发生变化,从而指示电子在磁场中的运动方向和速度。
霍尔效应最初被发现是在20世纪50年代。
当时,研究人员发现,如果将一个霍尔传感器放置在一个磁场中,它可以通过检测电子的霍尔系数来测量磁场强度。
这种技术被广泛应用于各种电子设备中,例如磁共振成像设备、硬盘驱动器和传感器等。
霍尔效应的应用范围非常广泛,但它也有一些限制。
例如,在强磁场中,霍尔传感器可能会受到损坏。
此外,霍尔系数也受到温度和湿度等因素的影响,因此需要对它们进行校准。
除了用于测量磁场外,霍尔效应还可以用于控制电流。
例如,可以使用霍尔传感器来检测电流的方向,从而控制电路中的电流。
霍尔效应技术还被应用于许多其他领域,例如量子计算、量子存储和量子通信等。
霍尔效应是一个非常重要的量子效应,它的应用将推动计算机科学和技术的发展。
随着技术的不断发展,霍尔效应的应用前景将越来越广阔。
霍尔效应
霍尔效应的本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。
正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。
平行电场和电流强度之比就是电阻率。
大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。
霍尔效应在应用技术中特别重要。
霍尔发现，如果对位于磁场(B)中的导体(d)施加一个电压(Iv)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(UH)，人们将这个电压叫做霍尔电压，产生这种现象被称为霍尔效应。
好比一条路, 本来大家是均匀的分布在路面上, 往前移动. 当有磁场时, 大家可能会被推到靠路的右边行走. 故路(导体) 的两侧, 就会产生电压差. 这个就叫“霍尔效应”。
根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。
讫今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。
例如汽车点火系统，设计者将霍尔传感器放在分电器内取代机械断电器，用作点火脉冲发生器。
这种霍尔式点火脉冲发生器随着转速变化的磁场在带电的半导体层内产生脉冲电压，控制电控单元（ECU）的初级电流。
相对于机械断电器而言，霍尔式点火脉冲发生器无磨损免维护，能够适应恶劣的工作环境，还能精确地控制点火正时，能够较大幅度提高发动机的性能，具有明显的优势。
用作汽车开关电路上的功率霍尔电路，具有抑制电磁干扰的作用。
许多人都知道，轿车的自动化程度越高，微电子电路越多，就越怕电磁干扰。
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霍尔效应实验目的1、了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识；2、研究霍尔电压H V 与工作电流S I 及霍尔电压H V 与励磁电流M I 之间的关系；3、掌握用作图法求霍尔系数H R 的方法，由H R 符号或霍尔电压的正负判断样品的导电类型,并求出载流子浓度;4、学习一种消除系统误差的方法——对称测量法。
实验仪器霍尔效应实验仪由实验仪和测试仪组成，其装置如图：1、实验仪：本实验仪由电磁铁、二维移动标尺、三个换向闸 刀开关、霍尔元件组成。
C 型电磁铁，给它通以电流产生磁场。
二维移动标尺及霍尔元件；霍尔元件是由N 型半导体材料制成的，将其固定在二维移动标尺上，将霍尔元件放入磁铁的缝隙之中，使霍尔元件垂直放置在磁场之中，在霍尔元件上通以电流，如果这个电流是垂直于磁场方向的话，则在垂直于电流和磁场方向上导体两侧会产生一个电势差。
三个双刀双掷闸刀开关分别对励磁电流M I ，工作电流S I 霍尔电压H V 进行通断和换向控制。
右边闸刀控制励磁电流的通断、换向。
左边闸刀开关控制工作电流的通断换向。
中间闸刀固定不变即指向H V 一侧。
2、测试仪测试仪有两组独立的恒流源，即“S I 输出”为0～10mA 给霍尔元件提供工作电流的电流源，“M I 输出”为0～1A 为电磁铁提供电流的励磁电流源。
两组电流源相互独立。
两路输出电流大小均连续可调，其值可通过“测量选择”键由同一数字电流表进行测量，向里按“测量选择”测M I ，放出键来测S I 。
电流源上有S I 调节旋钮和M I 调节旋钮。
直流数字电压表用于测量霍尔电压，本实验只读霍尔电压、所以将中间闸刀开关拨向上面即可。
当显示屏上的数字前出现“—”号时，表示被测电压极性为负值。
实验原理1.霍尔效应如果将一块金属或半导体材料垂直放在磁场中，在垂直于磁场方向上通以电流I ,则在垂直于电流和磁场方向上导体的两侧会产生一个电势差，这种现象称为霍尔效应。
这个效应是1879年美国霍普金斯大学的研究生霍尔在研究金属导电机构时发现了这种电磁现象，后来被称为霍尔效应。
霍尔效应不仅是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用霍尔效应制成的器件已广泛地用于非电量的测量，如温度、压力等等，还有自动化控制和信息处理等领域。
霍尔效应的出现是由于导体（或半导体）中的载流子（形成电流的的运动电荷）在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生的横向漂移的结果。
若用一块如图所示的N 型半导体试样（导电的载流子是电子）设试样的长度为l 、宽度为b ，厚度为d ，若在x 方向通过电流S I ，电子电荷以速度v 向左运动。
若电子的电荷量为e ，自由电子浓度为n ，则 envbd I S = (1) 若在z 轴方向加上恒定的磁场B ，电子电荷在沿x 轴负方向运动时将受到洛伦兹力的作用，洛伦兹力用B f 表示： evB f B = (2) 由于洛伦兹力的作用，使得电子将沿B f 的方向向下侧偏移（即y 轴的负方向），这样就引起了S 侧电子的积累，P 侧正电荷的积累，从而使两侧出现电势差，且P 点高于S 点，所以在试样中形成了横向电场H E ， 这一电场就称为霍尔电场。
该电场又对电子具有反方向的静电力。
H e eE f = （此力方向向上） 电子受到电场力e f 和磁场力B f 的作用，一方面使电子向下偏移，另一方面电子又受到向上的阻碍电子向下偏移的力。
由于这两个力的作用所以电子在半导体试样侧面的积累不会无限止地进行下去：在开始阶段，电场力比磁场力小，电荷继续向侧面积累，随着积累电荷e f B f S I S I v bd l + + + — — —的增加，电场力不断增加，直到电子所受的电场力和磁场力相等，即e Bf f =时，电子不再横向漂移，结果在P 、S 两面形成恒定的电势差H V 叫霍尔电势差。
e B f f =Θ 即 H eE evB =vB E H =∴ ned B I vBb b E V S H H ===∴ (3)由固体物理理论可以证明金属的霍尔系数为 neR H 1=(4)式中n 为载流子浓度，e 为载流子所带的电量。
H R 是一常量，仅与导体材料有关，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数 。
由(3)(4)式得 410⨯=BI d V R S H H (5) 上式中的410是由于磁感应强度B 用电磁单位(T)，H V (V)，S I (A)，d (cm)，R (c cm /3)。
2、霍尔效应H R 与其它参数间的关系由H R 可以确定以下参数 ：①导电类型 如图：由于运动电荷受到洛伦兹力的作用，使其S 侧积累负电荷，P 侧积累正电荷，因此电势差是P 点高于S 点，0<H V 则0<H R 为N 型半导体。
p 型半导体导电载流子为空穴，空穴相当于带正电的粒子，带正电粒子其运动方向和电流运动方向相同，如图所示：带正电的粒子在洛伦兹力作用下，其正电荷向下偏移，上侧积累了负电荷，形成下高上低的电势差。
这时，0>H V 则0>H R ，所以是p 型半导体。
②求载流子浓度 eR n H 1= (6) 一般情况下可以用上式求解，但是严格说来，霍尔系数表达式中应当乘以一个修正因子 83π：ne R H 183⋅=π 即 e R n H 183⋅=π (7) 结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ。
电导率σ与载流子浓度n 以及迁移率μ之间有如下关系： μσne = 即 σμH R = (8)则测出σ值，即可求μ。
由以上讨论可知，霍尔电压H V 与载流子浓度n 成反比，即导电材料的载流子浓度n 越大，霍尔系数H R 就越小，霍尔电势差H V 就越小，一般金属中的载流子是自由电子，其浓度很大(大约322/10cm )，所以金属材料的霍尔系数很小，霍尔效应不显著。
半导体材料的载流子浓度要比金属小得多，能够产生较大的霍尔电势差，所以霍尔片要用半导体材料做成，而不用金属材料做霍尔片。
另外载流子浓度的大小受温度的影响较大，所以要注意消除温度的影响。
还有，霍尔电压H V 与通过霍尔片的工作电流和电荷所受的磁场B 的乘积成正比，与霍尔片厚度d 成反比，霍尔片厚度d 越小，霍尔电动势就越大，所以制作霍尔片时往往采用减小d 的办法来增加霍尔电动势，从而提高灵敏度。
3.系统误差的消除——对称测量法在研究固体导电过程中，发现在产生霍尔效应的同时，还会伴随各种副效应，已发现的几种副效应产生的电压正负与S I 、B 关系如下： 爱廷豪森效应E V : E V 与S I 、B 均有关能斯脱效应N V : N V 与B 的方向有关里纪——勒杜克效应RL V : RL V 与B 的方向有关不等势效应0V : 0V 与S I 的方向有关根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。
即规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的S I 、B 组合的H V ，即(S I B -+,) RL N E H V V V V V V ---+-=01(S I B +-,) RL N E H V V V V V V ++---=02(S I B --,) RL N E H V V V V V V --+-=03(S I B ++,) RL N E H V V V V V V ++++=04由上式可知 E H V V V V V V --+-=41324 H E V V <<Θ ∴41324V V V V V H -+-= (9) 通过上述的测量方法，虽然不能消除所有的副效应，但其引入的误差不大，可以忽略不计。
实验步骤1、仪器的连接与预热将测试仪按实验指导说明书提供方法连接好，将测试仪的“S I 调节”和“M I 调节”旋钮置于零位（即逆时针旋转到底）。
接通电源，预热数分钟。
2、测绘S H I V -曲线将测试仪的“功能切换”置H V ，S I 及M I 换向开关掷向上方，表明S I 及M I 均为正值（即S I 沿x 方向，M I 沿y 方向）。
反之，则为负。
调节取A I M 600.0=不变，改变S I 的值，S I 取值范围为mA 00.4~00.1。
将实验测量值记入表1。
3、测绘M H I V -曲线调节取mA I S 00.3=不变，改变M I 的值，M I 取值范围为A 800.0~300.0。
将实验测量值记入表2。
4、测量σV 值“σV V H 输出”拨向σV 侧，“功能切换”置σV ,在零磁场下（0=M I ）,取mA I S 00.2=，测量记录σV 。
5、测单边水平方向磁场分布 调节取mA I S 00.2=，A I M 600.0=，测量点取mm X 50,45....,10,5,0=，将实验测量值记入表3.数据记录与处理 实验原始数据（1）数据记录表表1 测绘S H I V -实验曲线数据记录表A I M 600.0=mA I S / mV V /1 mV V /2 mV V /3 mV V /4 mA V V V V V H /41324-+-=S I B -+,S I B +-,S I B --,S I B ++,1.00 1.15 1.07 -1.08 -1.15 -1.1125 1.50 1.72 1.61 -1.62 -1.73 -1.672.00 2.31 2.16 -2.17 -2.32 -2.2375 2.502.882.69-2.70-2.90-2.79253.00 3.46 3.24 -3.24 -3.47 -3.3525 3.504.04 3.78 -3.79 -4.06 -3.9175 4.00 4.634.33-4.34-4.64-4.485表2 测绘M H I V -实验曲线数据记录表mA I S 00.3=A I M / mV V /1 mV V /2 mV V /3 mV V /4 mA V V V V V H /41324-+-=S I B -+,S I B +-,S I B --,S I B ++,0.300 1.77 1.56 -1.57 -1.79 -1.6725 0.400 2.33 2.11 -2.12 -2.35 -2.2275 0.500 2.90 2.67 -2.68 -2.91 -2.79 0.600 3.46 3.23 -3.24 -3.47 -3.35 0.700 4.03 3.80 -3.81 -4.04 -3.92 0.800 4.604.38-4.39-4.61-4.495（2）使用excel 制作S H I V -曲线图和M H I V -曲线图mAI S /mVV H /S H I V -曲线图A I M /mV V H /M H I V -曲线图（3）根据实验原理，因为测量0<H V ，所以该样品导电类型为N 型。