电子背散射衍射及其应用

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电子背散射衍射技术及其在材料科学中的应用

电子背散射衍射技术及其在材料科学中的应用

中国体视学与图像分析 2005年 第10卷 第4期CH I N ESE JOURNAL O F S TER EOLO GY AND I M AGE ANALYS I S Vo l .10No.4D e c.2005205 收稿日期:2005-11-14基金项目:国家自然科学基金重点项目(No .50231030)作者简介:刘庆(1964-),清华大学材料系教授,博士生导师研究方向:形变、再结晶;超导材料;微区晶体结构及取向测定技术,E 2mail:qing .liu@mail .tsinghua .edu .cn文章编号:1007-1482(2005)04-0205-06・综述・电子背散射衍射技术及其在材料科学中的应用刘 庆(清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室, 北京 100084)摘 要:本文介绍了电子背散射衍射(E BS D )分析技术的基本原理、发展历史、EBS D 系统的组成、实验条件、分辨率及E BS D 数据处理方法等。

通过多个典型的实例,系统介绍E BS D 技术在材料研究领域中的应用,并就E BS D 技术与其他相关分析技术的比较进行了讨论。

关键词:EBS D;取向;织构中图分类号:TG115.23;O 722+7 文献标识码:AEBS D techn i que and its appli ca ti on s i n ma ter i a ls sc i enceL I U Q ing(Metals Research I nstitute,Depart m ent of Materials Science and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China )Abstract:I n this paper,the basic p rinci p le of electr on back 2scattering diffracti on (E BS D )technique is intr oduced .The modern E BS D syste m ,experi m ental conditi ons,s patial res oluti on,angular res oluti on and post analysis of the data are als o described in this paper .Finally,the app licati ons of the EBS D technique in material science are discussed by using a fe w typ ical exa mp les .Key words:EBS D;orientati on;texture1 电子背散射衍射分析技术简介20世纪90年代以来,装配在扫描电子显微镜(SE M )上的电子背散射花样(Electr on Back 2scatter 2ing Patterns,简称EBSP )晶体微区取向和晶体结构的分析技术取得了较大的发展[1-3],并已在材料微观组织结构及微织构表征中广泛应用。

电子背散射衍射技术及其应用

电子背散射衍射技术及其应用

电子背散射衍射技术及其应用张寿禄(太原钢铁集团有限公司钢铁研究所,山西太原030003)电子背散射衍射(electron backscattered diffraction,EBSD),是开始于20世纪90年代初的一项应用于扫描电子显微镜(SEM)的新技术。

此技术实现了在块状样品上观察显微组织形貌的同时进行晶体学数据的分析,改变了传统的显微组织和晶体学分析是两个分支的研究方法。

它大大地拓展了SE M的应用范围,目前已经变成了类似于X射线能谱仪(E DS)的SE M的一个标准附件。

1 EBSD的理论基础1 1 电子背散射衍射花样(EBSP)的形成电子背散射衍射花样(electron backscattered pattern),简称 EBSP 。

它实质上是菊池花样。

在SE M中,非弹性电子的弹性散射,形成菊池衍射圆锥。

对于典型的SE M工作条件(20kV),计算得布拉格衍射角 约为0 5 ,则衍射圆锥的顶角接近180 ,因此如果将荧光屏直接置于样品之前使其与衍射圆锥相截成一对平行线,即 菊池线 。

不同晶面的衍射菊池线组成EBSP,见图1。

1 2 试验条件图2是丹麦的HKL Technology APS公司EBSD 系统的基本构成。

除了扫描电子显微镜外,EBSD系统基本由CCD相机、图像处理系统和计算机系统组成。

目前,进行EB SP的采集需要将样品高角度倾斜(70 左右),以增强背散射信号,荧光屏与高灵敏的CCD相机相连,EB SP经放大处理后显示在计算机显示器上,然后经软件进行EB SP的菊池带识别和标定。

进行EBSD试验,要求SEM的电子束是稳定的,样品应不充电,表面无严重形变的晶体。

由于EBSD系统对SE M电子束和样品台的自动控制,实现了EBSP花样的自动采集和标定,使得在短时间内可以获得大量的晶体学信息。

1 3 EBSD的测量局限目前,EBSD的测量空间分辨率一般为0 5 m (W-SEM,20kV,Al)或0 1 m(FEG-SE M,20kV, Al),角分辨率为0 5 。

EBSD及3DEBSD

EBSD及3DEBSD
• 分辨率高(空间分辨率和角分辨率能分别达到0.1μm和 0.5°); • 实现全自动采集微区取向信息,数据采集速度快; • 进行EBSD分析所需的样品制备相对于TEM样品而言大大简 化; • 具有的高速(每秒钟可测定100个点)分析的特点及在样品 上自动线、面分布采集数据点的特点; • 晶体取向分析功能使EBSD技术已成为一种标准的微区织构 6 分析技术。
EBSD及3D-EBSD技术特点及 其在材料科学中的应用
1
EBSD技术特点及其在材料科学中的应用
1
2 3
EBSD
要点
1、技术简介 2、原理分析 3、技术特点 4、应用介绍
4
2
EBSD技术简介
电子背散射衍射(EBSD),是基于扫描电子显微镜的微观组织— 晶体学分析技术用以测量微区晶体取向。
始于20世纪80年代,是基于扫描电镜基础的一项新技术。兼 备 X 射线衍射统计分析和TEM电子衍射微区分析的特点,是 两者在晶体结构和晶体取向分析的补充。
3D-EBSD
4
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3D-EBSD技术简介
• 探究样品的3D信息,3D EBSD技术是通过完整描述所有 晶粒,晶界,晶粒和相之间的形貌和晶体学关系以及微观 织构从而提供了一种研究微观组织的新方法。
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3D-EBSD原理分析

通过与装有聚焦离子束(FIB)扫描电镜结合,EBSD可
以用于3D分析技术。聚焦离子束(FIB)用来切除样品表面一 层。在每一层样品表面都被切除之后,就从新鲜的表面获取 了EBSD数据。如果重复这个过程,我们就可以获得感兴趣 区域的3D EBSD数据。
10
3D-EBSD原理分析
3D-EBSD 分析中FIB/SEM和EBSD之间的几何关系示意图113D-EBSD技术特点

ebsd分析2篇

ebsd分析2篇

ebsd分析2篇篇一:电子背散射衍射在材料表征中的应用电子背散射衍射(EBSD)是一种被广泛应用于材料表征的实验技术。

该技术基于电子光学原理,通过观察材料内部结构的电子图案来得到物理参数的信息。

EBSD有许多应用领域,比如材料的微结构表征、材料的性质研究等。

EBSD常用于材料微结构分析。

它能提供材料的晶体学信息、晶格排列和物相构成等信息。

通过分析这些信息,我们可以得到目标材料的组成、微观结构和应变状态等方面的详细信息。

举例来说,EBSD可用于研究金属材料的晶粒尺寸、位置、取向、拓扑结构以及缺陷等。

这些信息可以帮助科学家理解金属的硬度、塑性、磁性以及化学性质等。

EBSD在材料微结构分析中的应用相关论文已经非常丰富。

除了微结构分析,EBSD还能够应用于材料性能研究之中。

如果我们将EBSD与其他测量技术配合使用,可以得到材料的更详细性能信息。

例如,EBSD和X射线衍射技术一起使用,可以精确测量材料的显微应变和晶格度数。

这些数据非常有用,可以揭示材料的应力、强度、断裂韧性等性能。

总之,EBSD是一种多功能、可靠性强的材料表征技术。

它在材料科学及其它相关领域中具有很大的应用前景。

篇二:电子背散射衍射技术在半导体晶体表征中的应用电子背散射衍射(EBSD)技术在半导体晶体表征中发挥了重要作用。

在这种应用中,EBSD可以测量半导体的微观结构、晶格取向和异质结构等方面的信息,从而帮助研究者更好地理解材料在器件应用中的行为特征。

本文将探讨EBSD在半导体晶体表征中的应用。

EBSD在半导体晶体表征中的应用有许多方面,比如半导体衬底的取向和微观结构、半导体材料的尺寸和形状以及半导体晶体缺陷和纯度等等。

其应用范围非常广泛。

EBSD技术在半导体晶体表征中的一个重要应用是测量衬底取向和微观结构。

这是非常重要的,因为衬底结构直接影响到生长于上面的半导体薄膜的微观结构和性质。

通过EBSD技术,我们可以得到衬底晶体在每个方向上的取向,以及其中的微观结构信息。

对EBSD的理解及应用

对EBSD的理解及应用

对EBSD的理解及应用EBSD是电子背散射衍射技术(Electron Backscatter Diffraction)的缩写,是一种常用于材料科学和工程领域的表征方法。

其原理是利用电子束经过材料后,被背散射散射回来的电子与入射电子发生衍射现象,通过测量衍射图样的形态和强度来获取材料的晶体结构、取向以及晶界等信息。

EBSD的应用领域广泛,例如:1. 材料学研究:EBSD可以用来研究材料的晶体结构、晶体取向以及晶体缺陷等信息,从而增加对材料的认识。

例如,可以用EBSD来研究合金材料的晶粒取向与机械性能之间的关系,优化材料的制备工艺。

2. 金属学研究:EBSD可用于研究金属材料的晶体取向与力学行为之间的关系。

通过观察材料中晶体的取向分布,可以了解材料的力学性能、塑性变形机制等。

此外,还可以用EBSD分析区域选区电子衍射(Selected Area Electron Diffraction)数据,对金属晶体的三维取向进行建模和姿态分析。

3. 薄膜和界面研究:EBSD在研究薄膜和界面的晶体结构、晶界取向和位错密度等方面具有广泛的应用。

通过EBSD可以获得薄膜/基底的晶体取向分布、晶界的取向关系等信息,进一步了解薄膜的生长机制和界面的结构演化。

4. 小晶粒材料研究:对于小晶粒材料,传统的衍射方法往往由于粒子尺寸太小而无法获取充分的衍射信息。

而EBSD则可以通过对大量小尺寸晶体的衍射数据进行统计,还原出材料的晶体结构和取向信息。

这对于研究纳米材料、纳米晶、亚微米晶等具有重要意义。

5. 力学性能研究:EBSD可以用来研究材料的力学性能,如塑性变形、屈服行为和断裂特性等。

通过EBSD可以获得材料中晶体取向的信息,从而解析材料的力学行为与晶体结构之间的关系。

除了上述应用领域外,EBSD在材料科学与工程的其他领域也有广泛的应用,例如焊接等工艺的优化、热处理过程的研究、高温合金的应力分析等。

总结起来,EBSD是一种非常强大的材料表征方法,可以通过分析衍射图样的形态和强度,获得材料的晶体结构、晶体取向、位错密度等信息。

背散射电子衍射EBSD

背散射电子衍射EBSD

能量很高,有相当部分接近入射电子能 量 E 0 ,在试样中产生的范围大,像的分 辨率低。
背散射电子衍射原理

在扫描电子显微镜(SEM)中,入射于 样品上的电子束与样品作用产生几种不 同效应,其中之一就是在每一个晶体或 晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。 从所有原子面上产生的衍射组成“衍射 花样”,这可被看成是一张晶体中原子 面间的角度关系图。
背散射电子衍射EBSD
背散射电子

当电子束照射样品时,入射电子在样品 内遭到衍射时,会改变方向,甚至损失 一部分能量(在非弹性散射的情况下)。 在这种弹性和非弹性散射的过程中,有 些入射电子累积散射角超过90度,并将 重新从样品表面逸出。那么背散射电子 就是由样品反射出来的初次电子
背散射电子特点
衍射花样

衍射花样包含晶系 (立方、六方等)对 称性的信息,而且, 晶面和晶带轴间的夹 角与晶系种类和晶体 的晶格参数相对应, 这些数据可用于 EBSD相鉴定。对于 已知相,则花样的取 向与晶体的取向直接 对应。
单晶硅的EBSD
EBSD系统组成


一台扫描电子显微镜 EBSD系统 CCD摄像仪 花样平均化和扣除背底的图象处理系统
总结
EBSD是可以做快速而准确的晶体取 向测量的强有力的分析工具。EBSD的主 要应用是取向和取向差异的测量、微织 构分析、相鉴定、应变和真实晶粒尺寸 的测量。
电子背散射衍射(EBSD)的应用

ห้องสมุดไป่ตู้


织构和取向差分析 晶粒尺寸及形状分布分析 晶界、亚晶及孪晶界性质分析 应变和再结晶的分析 相签定及相比计算
EBSD与其他衍射技术的比较

X射线衍射,中子衍射不能进行点衍射分析 电子通道花样(SAC)已被EBSD取代 透射电子显微镜(TEM)中的微衍射(MD) 需要严格的样品制备,且不可能进行自动快速 测量。

19.1 EBSD(电子背散射衍射)介绍

19.1 EBSD(电子背散射衍射)介绍

电子背散射衍射(EBSD)
EBSD(电子背散射衍射)技术主要用于快速获取晶体材料的晶体学信息,可对材料进行织构和晶粒间取向差分析,晶粒尺寸及形状分布分析,晶界、亚晶及孪晶分析,应变和再结晶的分析,以及相鉴定和相含量计算等,解决材料在结晶、薄膜制备、半导体器件、形变、再结晶、相变、断裂、腐蚀等过程中的问题。

国家有色金属及电子材料分析测试中心,在JSM-7001F型场发射扫描电镜上配备了EDAX公司的EBSD装置,与安装在普通钨灯丝的EBSD装置相比,具有光源强,采集速度快,菊池线质量高等优点。

通过该公司最新的TSL OIM Data-Collection 5 软件,可对采集数据进行各种解析。

实验室对铝合金、镁合金、钛合金等材料有丰富的制样及EBSD数据分析经验。

国家有色金属及电子材料分析测试中心,是中国权威的第三方金属检测机构,实验室通过ISO 17025国家实验室认可(CNAS),中国计量认证(CMA),国际航空材料认证(NADCAP),为客户提供科学的产品检测、评价方案,满足进出口及工程检测等各种需求。

电子背散射衍射及其应用

电子背散射衍射及其应用

2011年春季学期研究生课程考核(读书报告、研究报告)考核科目:电子显微镜分析技能训练学生所在院(系):材料学院学生所在学科:材料加工工程学生姓名:王浩学号:10S009104学生类别:硕士考核结果阅卷人1.前言电子背散射衍射(EBSD)的历史应追朔至1928年Kikuchi在透射电镜中观察到的条带状衍射花样,即菊池线,不过这种菊池线是透射电子形成的。

直到1954年,Alam,Blackman 和Pashley同样利用透射电镜,用胶片记录了解理LiF,KI,NaCl,PbS2晶体的大角度菊池花样,这是第一次严格意义上的电子背散射衍射。

1973年,Venables和Harland在扫描电镜上用电子背散射衍射花样对材料进行晶体学研究,开辟了EBSD在材料科学方面的应用。

20世纪80年代后期,Dingley使用荧光屏和电视相机接收与采集电子背散射衍射花样。

20世纪90年代,实现了花样的自动标定。

随着数码相机、计算机和软件的快速发展,现在的商品EBSD实现了从花样的接收、采集到标定完全自动化。

每秒能获得多于100帧的菊池花样及标定结果,广泛用于地质、微电子学、材料科学等方面。

2.EBSD的工作原理2.1 电子背散射衍射(EBSD)花样在SEM中,入射于样品上的电子束与样品作用产生几种不同效应,其中之一就是在每一个晶体或晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。

从晶面上产生的衍射组成“衍射花样”,可被着成是一张晶体中晶面间的角度关系图。

图1是在单晶硅上获得的花样。

图1 单晶硅的EBSD花样衍射花样包含晶体对称性的信息,而且晶面和晶带轴间的夹角与晶系种类和晶体的晶格参数相对应,这些数据可用于EBSD相鉴定。

对于已知相结构的样品,则衍射花样与微区晶体相对于宏观样品的取向直接对应。

2.2 EBSD系统组成系统设备的基木要求是一台扫描电子显微镜和一套EBSD系统。

EBSD采集的硬件部分通常包括一台高灵敏度的CCD摄像仪和一套用来花样平均化和扣除背底的图象处理系统。

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2011年春季学期研究生课程考核
(读书报告、研究报告)
考核科目:电子显微镜分析技能训练学生所在院(系):材料学院
学生所在学科:材料加工工程
学生姓名:王浩
学号:10S009104
学生类别:硕士
考核结果阅卷人
1.前言
电子背散射衍射(EBSD)的历史应追朔至1928年Kikuchi在透射电镜中观察到的条带状衍射花样,即菊池线,不过这种菊池线是透射电子形成的。

直到1954年,Alam,Blackman 和Pashley同样利用透射电镜,用胶片记录了解理LiF,KI,NaCl,PbS2晶体的大角度菊池花样,这是第一次严格意义上的电子背散射衍射。

1973年,Venables和Harland在扫描电镜上用电子背散射衍射花样对材料进行晶体学研究,开辟了EBSD在材料科学方面的应用。

20世纪80年代后期,Dingley使用荧光屏和电视相机接收与采集电子背散射衍射花样。

20世纪90年代,实现了花样的自动标定。

随着数码相机、计算机和软件的快速发展,现在的商品EBSD实现了从花样的接收、采集到标定完全自动化。

每秒能获得多于100帧的菊池花样及标定结果,广泛用于地质、微电子学、材料科学等方面。

2.EBSD的工作原理
2.1 电子背散射衍射(EBSD)花样
在SEM中,入射于样品上的电子束与样品作用产生几种不同效应,其中之一就是在每一个晶体或晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。

从晶面上产生的衍射组成“衍射花样”,可被着成是一张晶体中晶面间的角度关系图。

图1是在单晶硅上获得的花样。

图1 单晶硅的EBSD花样
衍射花样包含晶体对称性的信息,而且晶面和晶带轴间的夹角与晶系种类和晶体的晶格参数相对应,这些数据可用于EBSD相鉴定。

对于已知相结构的样品,则衍射花样与微区晶体相对于宏观样品的取向直接对应。

2.2 EBSD系统组成
系统设备的基木要求是一台扫描电子显微镜和一套EBSD系统。

EBSD采集的硬件部分通常包括一台高灵敏度的CCD摄像仪和一套用来花样平均化和扣除背底的图象处理系统。

图2是EBSD系统的构成及工作原理。

图2 EBSD系统的构成及工作原理
在扫描电子显微镜中得到一张电子背散射衍射花样的基本操作是简单的。

相对于入射电子束,样品被高角度倾斜,以便背散射(即衍射)的信号,即EBSD花样被充分强化到能被荧光屏接收(在显微镜样品室内),荧光屏与一个CCD相机相连,EBSD花样能直接或经放大储存图象后在荧光屏上观察到。

只需很少的输入操作,软件程序可对花样进行标定以获得晶体学信息。

目前最快的EBSD系统每一秒钟可进行近一百个点的测量。

现代EBSD系统和能谱EDX探头可同时安装在SEM上,这样,在快速得到样品取向信息的同时,可以进行成分分析。

图3是EBSD探头和EDX探头同时安装在SEM上的一个实例。

图3 EBSD和EDX同时安装在SEM上
2.3 EBSD的分辨率
EBSD的分辨率包括空间分辨率和角度分辨率。

EBSD的空间分辨率是EBSD能正确标定的两个花样所对应在样品上两个点之间的最小距离。

EBSD的空间分辨率主要取决于电子显微镜的电子束束斑的尺寸,电子束束斑的尺寸越大则空间分辨率越小,同时也取决于标定EBSD花样的算法。

降低加速电压、减小光阑和电子束的束流等都可以提高EBSD的空间分辨率。

EBSD在垂直于转轴方向和平行于转轴方向的空间分辨率是不一样的,前者大约是后者分辨率的3倍。

3.EBSD在材料研究中的应用
3.1 织构及取向差分析
EBSD不仅能测量宏观样品中各晶体取向所占的比例,还能知道各种取向在样品中的显微分布,这是不同于X-ray宏观结构分析的重要特点。

图4是无取向硅钢300℃退火后Goss 织构(蓝色表示)的分布,Goss织构占整个区域面积的4.6%。

图4 无取向硅钢Goss织构的分布
EBSD可应用于取向关系测量的范例有:确定第二相和基体间的取向关系、穿晶裂纹的结晶学分析、单晶体的完整性、微电子内连使用期间的可靠性、断口面的结晶学、高温超导体沿结晶方向的氧扩散、形变研究、薄膜材料晶粒生长方向测量。

EBSD测量的是样品中每一点的取向,那么不同点或不同区域的取向差异也就可以获得,从而可以研究晶界或相界等界面,如在图4中任意画一条线,就可得到沿此线的取向差分布(见图5)。

图5 图4中线的相邻点的取向差
3.2 相鉴定及相比计算
就目前来说,相鉴定是指根据固体的晶体结构来对其物理上的区别进行分类。

EBSD技术的发展,特别是与微区化学分析相结合,已成为进行材料微区相鉴定的有力工具。

EBSD 技术最有效的是区分化学成分相似的相,如,在扫描电子显微镜中很难在能谱成分分析的基础上区别某元素的氧化物、碳化物或氮化物,但是,这些各种相的晶体结构有很大差异,能很方便地用EBSD技术给予区分。

如M7C3和M3C相(M大多是铬)已被从二者共存的合金中鉴别出来,因为它们分别属于六方晶系和四方晶系,具有完全不同特征的EBSD花样。

类似地,已用EBSD区分了赤铁矿、磁铁矿和方铁矿。

同样,在实践中经常碰到的例子里区分体心立方和面心立方的铁,因为用元素的化学分析方法是无法办到的,如钢中的铁素体和奥氏体。

在相鉴定和取向成像图绘制的基础上,很容易地进行多相材料中相百分含量的计算。

图6 合金钢中析出相的相鉴定
3.3 晶粒尺寸及形状的分析
传统的晶粒尺寸测量依赖于显微组织图象中晶界的观察。

自从EBSD出现以来,并非所有晶界都能被常规浸蚀方法显现这一事实已变得很清楚,特别是那些被称为“特殊”的晶界,
如孪晶和小角晶界。

因为其复杂性,严重孪晶显微组织的晶粒尺寸测量就变得十分困难。

由于晶粒主要被定义为均匀结晶学取向的单元,EBSD是作为晶粒尺寸测量的理想工具。

3.4 晶界、亚晶及孪晶性质的分析
在得到EBSD整个扫描区域相邻两点之间的取向差信息后,可对所有界面的性质进行确定,如:亚晶界、相界、孪晶界、特殊界面。

图7是EBSD扫描区域中的孪晶界(红线表示)的分布图。

图7 Ni基超合金中的孪晶
3.5 EBSD应变分布测定方法
3.5.1 EBSD花样质量图法
在EBSD中,每一张衍射花样根据其明锐程度用一花样质量数值来表示,且可用于作图。

明亮的点对应高花样质量,暗的点对应低花样质量。

低花样质量意味着晶格不完整,存在大量位错等缺陷。

花样质量图法适合于中一个晶粒内应变分布的测量,不适合于具有不同晶体取向的各个晶粒或不同相之间应变分布的测定,因为即使不存在应变,不同晶体取向的晶粒或不同相均具有不同的花样质量数值。

3.5.2 晶界分布图
其依据是变形区具有大量的低角度晶界(如错配度为2°-10°的晶界)。

3.5.3 局部错配图
计算每个测量点与其周围8个近邻间错配角的平均值,计算时不考虑高角度晶界(例如>5°的晶界)。

这种图能突出局部应变变化,而与晶粒尺寸无关。

3.5.4 晶内错配图
在每个晶粒内,计算出错配角梯度最小的点(即变形最小的点)。

以此点的取向作为参考取向,计算出晶内所有其它点相对于此点的错配角。

这种图能清楚地显示应变最大的晶粒。

3.5.5 等应变图
计算每一晶粒内的取向分布,并根据晶粒尺寸给予一定权重。

然后,用一平滑因子加以平滑,得到整个区域的等应变分布图,这种图能突出高应变区(见图8)。

图8 裂纹附近应变分布
3.6 晶格常数测定
通过测量菊池带宽度,可以计算出相应晶面族的晶面间距。

需要指出的是,每条菊池带的边缘相当于两根双曲线,因此在菊池带不同位置测得的宽度值不同。

一般应测菊池带上最窄处的宽度值来计算晶面间距。

由于测量过程中存在误差,用EBSD测晶面间距误差一般达1.5%左右。

故EBSD并不是测量晶格常数的专门方法。

除上述用途外,由于EBSD能准确测定不同晶粒晶向,在金相法等测定样品晶粒有困难的情况下,可用EBSD测定样品中晶粒的真实分布及晶粒尺寸的分布情况。

4.结语
电子背散射衍射(EBSD)技术目前己很成熟,可广泛用于晶粒取向、微区织构、取向关系、惯习面测定及物相鉴定、应变分布测定、晶界性质研究和晶格常数等测定。

与常用的X-ray衍射、TEM中的选区电子衍射相比具有其自身的特点。

尤其是安装在扫描电镜上时,使扫描电镜具有形貌观察、结构分析和成分测定(配备能谱和波谱)的功能,成为一种综合分析仪器。

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