硅片制绒和清洗.
制绒小组 08.11.14
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概述
硅片表面的处理目的：
去除硅片表面的机械损伤 清除表面油污和金属杂质
形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收
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硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程
单晶硅
多晶硅
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硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割
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制绒基础知识
碱的腐蚀
• 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐 蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体 密布的表面形貌 ，就称为表面织构化，俗称制绒。角锥 体四面全是由〈111〉面包围形成。 反应式为： Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
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制绒基础知识
• 陷光原理图示：
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制绒基础知识
1.3 制绒的分类： •������ •������ ������ ������ 碱制绒：Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑ 酸制绒：HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ HF=SiF4+H2O SiF4+HF=H2[SiF6]
•溶液温度恒定在80℃时发现腐蚀液NaOH浓度在1.5～4%范围之 外将会破坏角锥体的几何形状 。
•当NaOH处于合适范围内时，异丙醇的浓度的上升会使腐蚀速率 大幅度下降。
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NaOH浓度的影响
维持制绒液中IPA的含量为10 vol%，温度85 ℃，时间 30分钟条件下：
NaOH浓度5g/l时绒面形貌
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不同制绒时间的图片
经过1min制绒的表面形貌
经过5min制绒的表面形貌
经过10min制绒的表面形貌
经过30min制绒的表面形貌
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不同制绒时间绒面反射率的比较
0.7
Reflectance(0-1)
0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 300 500 700 Wavelength (nm) 900
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化学清洗原理
HCL的作用 • 中和残留在硅片表面的碱液 •������ 去除在硅片切割时表面引入的金属杂质
������ 注：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能 与Fe 3+、Pt 2+、Au 3+、Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物
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a
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制绒过程中的影响因素
•������ •������
NaOH的浓度 异丙醇浓度
•������
•������
溶液的温度
制绒腐蚀时间的长短
•������
•������
Байду номын сангаас
槽体密封程度、异丙醇的挥发程度
制绒槽内硅酸钠的影响
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NaOH浓度的影响
•制绒液中的异丙醇、NaOH、硅酸纳三者浓度比例决定着溶液的 腐蚀速率和角锥体形成情况。
• ������
• ������ • ������
制绒温度范围：75-81℃
温度过低：反应速度慢 温度过高：IPA将完全挥发加剧，晶面择优性降低
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制绒腐蚀时间长短的影响
经过去除损伤层后，硅片表面留下了许多肤浅的准方形的 腐蚀坑。1分钟后，金字塔如雨后春笋，零星的冒出了头； 5分钟后，硅片表面基本上被小金字塔覆盖，少数已开始 长大。我们称绒面形成初期的这种变化为金字塔“成核”。 10分钟后，金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀， 反射率也降到了比较低的水平。随着时间的延长，金字塔 向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等。
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IPA的影响
• 降低硅片表面张力，减少气泡在硅片表面的粘附，使硅 片的金字塔更加均匀一致 • 气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了硅片表面织构 的几何特征。气泡的大小以及在硅片表面停留的时间，与 溶液的粘度、表面张力有关系。所以需要异丙醇来调节溶 液的粘滞特性。
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温度的影响
1min 5min 10min
1100
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槽体密封程度、异丙醇的挥发程度
• 受影响项：碱液溶液浓度、IPA浓度
• 结果：由于密封程度的不同，水气和IPA的挥发速度不 同，导致硅片的腐蚀深度过大以及绒面不均
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硅酸钠的影响
• 硅酸钠在溶液中呈胶体状态，大大的增加了溶液的粘稠度。 对腐蚀液中OH离子从腐蚀液向反应界面的输运过程具有缓 冲作用，使得大批量腐蚀加工单晶硅绒面时，溶液中NaOH 含量具有较宽的工艺容差范围，提高了产品工艺加工质量 的稳定性和溶液的可重复性。随着硅酸钠含量的增加，溶 液粘度会增加，结果在硅片与片匣边框接触部位会产生 “花篮印”，硅酸钠来源大多是反应的生成物，要调整它 的浓度只能通过排放溶液。
NaOH浓度15g/l时绒面形貌
NaOH浓度55g/l时绒面形貌
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NaOH浓度的影响
绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化
0.16
Average Reflectance
0.15
0.14
0.13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Concentration of NaOH (g/l)
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制绒基础知识
• 1.1 什么是制绒
• 制绒是利用硅的各向异性腐蚀特性在表面刻出类似与金 字塔或者是蜂窝状的结构
单晶硅片表面的 金字塔状绒面
多晶绒面
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制绒基础知识
1.2制备绒面的目的： • 利用陷光原理，减少光的反射率，提高短路电流 （Isc），增加PN结的面积，最终提高电池的光电转换 效率。 • 陷光原理： 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜 面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
硅片表面的机械损伤层 （三）机械损伤层
硅片
机械损伤层（10微米）
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粗抛
• 粗抛 原理：各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具有各项异性腐 蚀特性 • 目的：去除表面的机械损伤层以及其它杂质 • 一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀 0.5～1min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到6～10um/min 。 • 粗抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片 被腐蚀过薄。 • 对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决 于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。
硅片制绒和清洗
利用接触角测量仪测量硅 片表面的接触角，评估表 面的润湿性和清洁度。
使用反射率测量仪测量硅 片表面的反射率，判断绒 面质量和减反射效果。
使用颗粒计数器检测清洗 后硅片表面的颗粒数量和 大小，评估清洗效果。
05 环境因素与安全生产管理
环境因素对制绒和清洗影响分析
01
温度
温度的变化会影响化学反应的速 率和效果，需要控制在适宜的范 围内。
硅片制绒和清洗
目录
• 硅片制绒概述 • 硅片清洗技术 • 制绒与清洗工艺参数优化 • 质量控制与检测方法 • 环境因素与安全生产管理 • 总结与展望
01 硅片制绒概述
制绒目的与意义
提高硅片对光的吸收能力
改善硅片表面的润湿性
通过制绒在硅片表面形成一层具有陷光作 用的绒面结构，增加光在硅片表面的反射 次数，从而提高硅片对光的吸收能力。
全。
工艺参数对清洗效果影响
清洗液种类
不同种类的清洗液对硅片 的清洗效果不同，需要根 据硅片表面的污染物种类 选择合适的清洗液。
清洗液浓度
浓度过高可能对硅片表面 造成损伤，浓度过低则可 能使清洗效果不佳。
清洗时间
时间过长可能浪费资源， 时间过短则可能使清洗不 彻底。
参数优化策略及实施
01
02
03
04
智能制造与自动化
随着工业4.0和智能制造的推进，硅片制ห้องสมุดไป่ตู้和清洗生产线将更加智能 化和自动化，提高生产效率和降低成本。
行业挑战与机遇
环保政策压力
随着全球对环保问题的关注度不断提高，光伏行业面临的环保政策压力也将加大，企业需要采取 更加环保的生产方式和技术。
市场竞争加剧
光伏市场竞争日益激烈，企业需要不断提高产品质量和降低成本，才能在市场中立于不败之地。
清洗制绒生产
16
任务一、认识硅片的清洗制绒
任务实施
（2）.湿法腐蚀制绒面
.各向异性腐蚀（碱腐蚀） 单晶硅电池的绒面通常是利用某些化学腐蚀剂对 硅片表面进行腐蚀而形成，常用腐蚀剂一般分为两类： 一类是有机腐蚀剂，包括EPW（乙二胺、邻苯二酸和 水）和联胺等；另一类是无机腐蚀剂，包括碱性腐蚀 液，如KOH、NaOH、LiOH、CsOH和NH4OH等。
6
任务一、认识硅片的清洗制绒
任务实施
1.去除损伤层
多线切割的硅片机械损伤层大概有10um左右，光 伏企业一般采用NaOH溶液在80~90℃温度腐蚀数分 钟来除去晶体硅片表面的机械损伤层，如图3-1所 示。
7
任务一、认识硅片的清洗制绒
任务实施
硅片
机械损伤层（10微米）
采用NaOH溶液腐蚀去除
图3-1 去除硅片损伤层示意图
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清洗制绒生产
目录
任务1.认识硅片的清洗制绒 任务2.单晶硅清洗制绒流程 任务3.操作清洗制绒机 任务4.清洗制绒生产 任务5.操作甩干机 任务6.使用D8积分反射仪检测硅片
2
项目目标
1.知道硅片清洗制绒原理。 2.掌握清洗制绒的流程。
3.会操作清洗制绒生产设备。
3
项目描述
硅片清洗制绒的主要目的是去除硅片表面 的损伤层及在硅片表面制成绒面。本项目的 学习是让同学们掌握硅片清洗制绒的流程、 清洗制绒机的操作、甩干机的操作、金相显 微镜和D8积分反射仪和电子天平的操作。
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任务一、认识硅片的清洗制绒
任务实施
（2）.湿法腐蚀制绒面
.各向同性腐蚀（酸腐蚀） 多晶硅表面的晶向是随意分布的，因此碱溶液的 各向异性腐蚀现象对于多晶硅来说并不理想，而且由 于碱性腐蚀液对多晶硅表面不同晶粒之间的方向速度 不一样，会产生台阶和裂缝，不能形成均匀的绒面。 酸腐蚀法的工作原理也是利用某些化学腐蚀剂对 硅片表面进行腐蚀而形成绒面，常用一定比例的HF和 HNO3的酸混合液。这种腐蚀对硅的不同晶面有相同的 腐蚀速度，因此也称各向同性腐蚀法。
perc电池工序流程
perc电池工序流程一、硅片清洗。
这是第一步呢，就像是给硅片洗个澡，把它身上那些脏东西都给弄掉。
硅片从生产出来可能带着一些杂质啊灰尘啥的，要是不清理干净，后面的工序可就会有大麻烦。
这个清洗可不能马虎，得用专门的清洗剂，还要控制好清洗的时间、温度和清洗的方式。
就好比咱自己洗脸，得用合适的洗面奶，在温水里好好洗一洗，这样脸才能干净又舒服，硅片清洗好了才能精神饱满地迎接后面的挑战。
二、制绒。
制绒这一步就像是给硅片穿上一层毛茸茸的小衣服。
通过化学腐蚀的办法，让硅片表面形成那种绒面结构。
这有啥用呢？这就像是给光准备了好多小陷阱，光一照过来就不容易跑掉啦，能更多地被硅片吸收。
这个过程得小心翼翼的，化学溶液的浓度得调好，反应的时间也得掐准了。
要是制绒没制好，那硅片吸收光的能力就会大打折扣，就像一个人没穿对衣服，在外面受冻一样。
三、扩散。
扩散这个工序啊，就像是给硅片注入魔法一样。
把磷啊这些杂质扩散到硅片里面去，这样就能形成PN结啦。
这个过程就像在一个大集体里，突然加入了一些新成员，然后大家重新调整布局。
扩散的温度、时间还有杂质源的流量都是关键因素。
要是哪个没弄好，这个PN结可能就不健康，就像一个团队里人员安排不合理，工作就开展不顺利。
四、刻蚀。
刻蚀这一步呢，就像是个雕刻大师在硅片上精雕细琢。
把硅片上一些不需要的部分给去除掉，让硅片的结构更加完美。
这个时候得精确控制刻蚀的深度和范围，就像雕刻的时候得知道从哪儿下刀，下多深一样。
如果刻蚀过度或者不够，那硅片的性能又会受到影响，就像雕刻作品一不小心刻坏了，那就前功尽弃啦。
五、去磷硅玻璃。
这就像是把硅片上的小垃圾给清理掉。
磷硅玻璃在之前的工序中产生，它留在硅片上可不好，会影响电池的性能。
这个过程得用专门的方法把它去除得干干净净，就像打扫房间，要把角落里的灰尘都扫走一样。
六、镀减反射膜。
这就像是给硅片戴了个隐形的帽子。
这个膜可以减少光的反射，让更多的光留在硅片里。
镀这个膜的时候，膜的厚度啊质量啊都得把控好，就像做帽子，尺寸得合适，质量得过关，不然这个隐形帽子就起不到应有的作用啦。
晶硅片制绒与清洗
定期检测制绒液的成分和质量，确保其符合工艺 要求，及时更换不合格的制绒液，避免对硅片造 成不良影响。
制绒设备维护与校准
定期对制绒设备进行维护和校准，确保设备运行 正常，制绒槽、喷头等部件无磨损、堵塞等现象。
清洗质量控制
清洗流程监控
对清洗流程进行严格监控，确保每一步骤都按照规定的工艺要求 进行，防止遗漏或错误操作。
半自动清洗
02
03全自动清洗源自采用机械或简单的自动化设备进 行清洗，提高了效率和清洗质量。
利用先进的自动化设备和控制系 统，实现高效、高精度的清洗， 是目前主流的清洗技术。
清洗技术的应用场景
光伏产业
晶硅片是光伏电池的主要原料，清洗技术用于制 备高质量的光伏电池。
半导体产业
晶硅片用于制造集成电路、微电子器件等，清洗 技术用于制备高纯度、高精度的半导体器件。
制绒技术的应用场景
制绒技术主要应用于太阳能电池制造领域，特别是晶体硅 太阳能电池制造领域。通过制绒技术可以提高太阳能电池 的光电转换效率，从而提高整个光伏系统的发电效率。
制绒技术还可以应用于其他需要增加光散射和吸收的领域 ，如光电子、光通信、照明等领域。
02 晶硅片清洗技术介绍
清洗技术原理
物理清洗
新型制绒技术
制绒工艺优化
通过不断优化制绒工艺参数，提高制 绒效果和降低成本，以满足光伏产业 对晶硅片质量、效率和经济性的要求。
为了提高晶硅片的表面质量和效率， 新型制绒技术的研究和开发将不断涌 现，如离子注入、激光刻蚀等。
清洗技术未来发展趋势
环保清洗技术
随着环保意识的提高，环保清洗 技术将成为未来的发展趋势，如 超声波清洗、激光清洗等。
高效清洗设备
硅片制绒和清洗
400
500
600
700 Wavelength (nm) smooth texture
800
900
1000
1100
单晶硅片表面反射率
8
绒面腐蚀原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具 有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐 蚀形成角锥体密布的表面形貌 ，就称为表面织构化。 角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。
Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
9
单晶的各种形貌
单晶原始形貌（500倍） 单晶绒面 （500倍）
单晶粗抛（500倍）
单晶绒面（SEM）
10
化学腐蚀液的配制
单晶硅片的清洗和制绒
超声波清洗
单晶硅片的表面油污比较严重，需要在60℃清洗剂的水溶液中， 利用超声波震荡清洗15分钟。 九槽清洗机
乙醇的含量在3vol%至20vol%的范围内变化时，制绒
反应的变化不大，都可以得到比较理想的绒面，而5 vol%至10vol%的环境最佳。
25
关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
制绒液中NaOH的浓度为15克/升，反应温度85 ℃。无乙醇时的绒面形貌：
26
关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
0.16
Average Reflectance
0.15
0.14
0.13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Concentration of NaOH (g/l)
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关键因素的分析 ——硅酸钠的影响
硅酸钠在溶液中呈胶体状态，大大的增加了溶液的粘
制绒
制绒制绒的目的：去除硅片表面机械损伤层，形成起伏不平的绒面，增加太阳光吸收。
流程多晶制绒《上料——制绒（HF+HNO3）——H2O(清洗)——碱槽（NaOH/KOH）——H2O （清洗）——（HCL+HF）酸槽——H2O3清洗——吹干》单晶制绒《装片——制绒——清洗》作用HF(氢氟酸):去除制绒后残留在硅片表面的氧化物和硅酸钠。
HCL（盐酸）:去除硅片表面的油污和金属离子。
HNO3（硝酸）:起到氧化的作用，氧化剂和催化剂，将硅片氧化。
KOH（氢氧化钾）/NaOH（氢氧化钠）: 去除表面损伤成。
C3H8O（异丙醇）:增加氢气的挥发，起到消泡作用，同时增加硅片表面的可润湿性。
NaSiO3（硅酸钠）:降低反应速率的作用。
化学式Si+2NaOH+H2O——Na2SiO3+2H2 (异丙醇)单晶的绒面呈金字塔装（温度控制在80正负2度。
单晶：原子在晶体内按固期性规则排列。
陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
3HF+HNO3+Si=H2SiF6+4NO2+H2O多晶绒面呈凹坑装。
多晶：由许多取向不同的单晶颗粒杂乱排列。
多晶主要化学品：H2O、HF、HCL、HNO3、NaOH/KOH制绒后硅片表面注意事项1、单晶制绒时请关闭所有玻璃窗户。
（注：因为在制绒时会产生氢气，在空气中达到一定的浓度与高温、明火会爆炸。
2、在生产中氢氧化钠与硅片反应时会有碱蒸汽。
3、盐酸是挥发性的强酸，没经过设备和工艺的允许严禁打开槽盖。
4、氢氟酸是强酸是无色透明有刺激性的液体。
5、用完的异丙醇和一些化学品要分区放置，严禁将用完的化学品空箱堆的很高以免倒塌发生安全事故。
6、生产过程中严禁员工及工序长擅自更改工艺参数或设备参数。
7、装片拆箱时应注意轻拿轻放，送片时双手应抓紧小推车轻忽拖拉或蹦跑。
8、配液前请用水枪冲洗槽体和槽盖。
9、橡胶手套必须保持干净、清洁，及时更换，接触硅片时必须戴上手套，且保证手套上无赃物。
多晶硅片的表面清洗与制绒
多晶硅片的表面清洗与制绒摘要：太阳能电池生产过程中采用硅片作为基底，对硅片的制绒清洗属于第一道工序，主要目的有两个：①去除硅片表面杂志损伤层，②在硅片表面腐蚀出微观绒面结构。
本文在不同生产参数变化情况下对减薄量、反射率、电池效率等参数进行跟踪，通过D8反射仪、Haml测试仪进行测试和表征。
通过多组试验数据可得到最优链式多晶硅清洗制绒工艺。
关键词：太阳能电池；清洗制绒；减薄量；反射率0.引言清洗制绒是多晶硅生产的首要环节，在清洗制绒过程中形成微观蠕虫状绒面结构，通过此结构减少光的反射，提高短路电流，增加PN结面积，提升开路电压，是提高太阳能电池转换效率的重要途径。
多晶硅的晶向属于多向性，常采用的清洗制绒方式为酸性溶液各向同性腐蚀，也是目前最常用的批量生产方案[[1].2]。
在酸性溶液中主要是是HF与HNO3两种，其中HF主要取其酸性作用，HNO3主要是取其氧化性强的作用，两者结合形成强氧化性酸溶液对硅片进行腐蚀[[]3.4.5]。
主要反映过程如下：3Si+4HNO3→3SiO2+2H2O+4NO ↑ (1)SiO2+4HF→SiF4+2H2O (2)SiF4+4HF→H2SiF6 (3)本文所有技术跟踪全部在链式酸制绒设备上进行，多晶硅片进入设备后，酸腐蚀反应开始在硅片表面发生，因损伤层的深浅不一形成不规则的蠕虫状绒面结构。
为得到较低的反射率，本文通过对不同影响因素的调整来进行验证，争取得到最优清洗制绒工艺。
1.实验流程设计选取同锭切割硅片进行分组，共分2组，每组选取1000片，进行如下实验安排：1）对制绒槽药温度的确定在制绒槽药液寿命中段，分别采取20℃、22℃、24℃、26℃、28℃温度进行硅片腐蚀，然后每组选5片进行腐蚀量及反射率测试，记录其平均值。
2）对HF/HNO3配比的确定选取1）试验中最优组制绒温度，然后进行HF：HNO3=1:1/3:2/2:1/5:2/3:1不同浓度下腐蚀，然后每组选5片进行腐蚀量及反射率测试，记录其平均值。
晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序
1000mm
Blow Off
300L
50L
200L
50L
200L
50L*2
HF+HNO3
NaOH
HF+HCl
Dryer
3℃
RT
25℃
RT
RT
RT
9# Output
ccoonnffiiddeennttiaial l
2、清洗制绒的工艺设备及操作流程工艺
多晶制绒的影响因素：
1.温度对氧化反应的影响比较大，对扩散及溶解反应的影响比较小。温度升高，反应速度 常数会增大，物质传输速度也增大。 2.水的加入主要降低了硝酸的浓度，从而减小了酸液对硅片的氧化能力 3. 硫酸能提高溶液粘度，也不参加腐蚀反应，可以稳定反应速度，增加腐蚀均匀性。 （rena刻蚀设备加硫酸而kuttler并不加）
解决方法
备注
绒面没有制满
H2没有及时脱离硅片表 面 硅酸钠含量过大
脂肪酸玷污
反应过于剧烈
延长制绒时间、 增加NaOH 增加IPA
重新配槽、改 善喷淋 规范生产操作 手法 增加2#槽HNO3
反应过多
增加2#槽HF
没有完全吹干 反应速度过快或过慢
改善吹风、增 加6#槽HF含量
手动添加2#槽 的药液含量
ccoonnffiiddeennttiaial l
晶体硅太阳能电池生产线 清洗制绒工序培训
王大男
光伏电池评测中心
目录
1、清洗制绒的作用及方法； 2、清洗制绒的工艺设备及操作流程； 3、主要检测项目及标准； 4、常见问题及解决方法； 5、未来工艺的发展方向；
ccoonnffiiddeennttiaial l
1、清洗制绒的作用及方法
清洗制绒操作规程
前清洗&制绒作业指导书前清洗&制绒作业指导书1.目的硅片表面制绒。
2 原理在低浓度NaOH水溶液中，硅片表面发生各向异性腐蚀，产生密集的金字塔型角锥体结构。
化学反应方程式：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑。
3.职责3.1 生产准备3.1.1 穿上工作服，戴上PVC/乳胶手套，加药操作人员需要戴上安全眼镜、防护面具、防酸碱围裙、长袖防酸手套。
3.1.2 确保手套没有粘有油脂性物质,在插片过程中请使用真空吸笔,如有其他取片需要,严禁直接接触硅片的表面，只允许接触硅片的两侧.手套若接触过皮肤、头发或者是带有油脂的物品，请更换手套。
3.1.3 在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、硅片类型，电阻率和投入数。
3.1.4 检查抽风是否正常，检查DI水的电阻率，实际观察值需＞2MΩ·cm,上班前并做好相应记录，低于规定数值，立即通知工艺人员。
3.2 生产操作过程A：制绒槽的操作过程3.2.1 把DI水装入制绒槽中，使水位到达预定的刻度，盖上槽盖，开启加热。
3.2.2 当屏幕显示制绒槽温度达到，先按工艺规定的配液比例加入 NaOH, 盖上盖子，无篮循环，鼓泡数分钟，使溶液混合均匀。
3.2.3 制绒槽持续加热溶液，直到控制屏幕实际显示温度达到工艺规定要求。
3.2.4 按工艺配液比例要求加入IPA、添加剂,盖上盖子。
3.2.5 当温度稳定后，开始投料生产，改为有篮鼓泡。
3.2.6 正式生产时，当硅片从制绒槽中提出后，在漂洗槽检查硅片质量（外观与重量检查，标准见质量检查一项）。
3.2.7在每个槽中做完一批后，需要定量补料，补料范围为：根据实际生产出片制绒效果结合工艺参数。
3.2.8 如果当班在下班时制绒槽如果没有做满20批，则不需要将药液放掉，下个班次可以继续使用10个批次。
B：其它辅助槽的操作过程3.2.9 预清洗、HF、HCL槽将水位加到预定刻度处（在相应的槽中有标定刻度），溢流槽加满水。
topcon工艺流程详细解读
TOPCon工艺流程详细解读一、清洗制绒1.1 清洗目的去除硅片表面的污垢和杂质，保证硅片表面的洁净度和均匀性，以便后续工艺的正常进行。
1.2 制绒原理利用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片进行腐蚀，形成绒面结构，以增加硅片表面的陷光效应，提高太阳能电池的光电转换效率。
二、正面硼扩散2.1 硼扩散目的将硼元素注入硅片正面，形成P型半导体层，为后续的电极接触和钝化层沉积做准备。
2.2 硼扩散原理利用高温条件下的硼源扩散作用，将硼元素注入硅片正面。
三、BSG去除3.1 BSG去除目的去除硅片正面和背面的BSG（硼硅酸盐玻璃），以暴露出硅片的晶体结构，便于进行后续的工艺处理。
3.2 BSG去除原理利用化学腐蚀或机械研磨的方式，去除硅片正面和背面的BSG。
四、背面刻蚀4.1 背面刻蚀目的对硅片的背面进行机械研磨或化学腐蚀，以形成背面场结构，降低电池片的串联电阻，提高电池片的电流输出。
4.2 背面刻蚀原理利用机械研磨或化学腐蚀的方式，对硅片的背面进行减薄处理，形成背面场结构。
五、氧化层钝化接触制备5.1 氧化层钝化接触制备目的在硅片的正面形成氧化层，以钝化接触表面，同时增加一层绝缘层，防止电流短路。
5.2 氧化层钝化接触制备原理利用高温氧化作用，在硅片的正面形成一层氧化层，实现钝化接触表面的目的。
六、正面氧化铝沉积6.1 正面氧化铝沉积目的在硅片的正面沉积一层氧化铝薄膜，以提高硅片的抗反射能力和耐候性，同时保护硅片不受环境因素的影响。
6.2 正面氧化铝沉积原理物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）的方式，在硅片的正面沉积一层氧化铝薄膜。
七、正背面氮化硅沉积 7.1 正背面氮化硅沉积目的在硅片的正面和背面沉积一层氮化硅薄膜，以提高硅片的抗反射能力和耐候性八、丝网印刷8.1 丝网印刷目的利用丝网印刷技术将电极材料印涂在硅片表面，形成电极结构九、烧结 9.1 烧结目的通过高温烧结过程使电极材料与硅片表面形成良好的欧姆接触十、测试分选10.1 测试分选目的对太阳能电池片进行电性能测试和分选，保证产品的质量和性能一致性十一、其他注意事项在整个TOPCon工艺流程中，需要注意以下几点：1.严格控制各道工序的工艺参数和环境条件，确保工艺的稳定性和重复性；2.对于关键工艺步骤需进行严格的质量控制和检测，防止出现质量问题；3.不断优化工艺流程和设备配置，提高生产效率和产品质量；4.重视环境保护和安全生产，确保生产过程对环境不产生污染，同时保证员工的健康和安全。