键合工艺参数培训

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键合工艺参数培训

键合工艺参数培训

- Default = 0.5 mils/ms
Min = 0.2 mils/ms
在 TIP 范围内的速度。
Max = 3.0 mils/ms
Parameter
USG Mode 1
USG Power 1 USG Volts 1 USG Current 1
-
Default /
Allowable Range
Default / Allowable Range Default = 10 % Min = 0 % Max = 75 % Default = 0 % Min = 0 % Max = 25 % Default = 1.5 ms Min = 1.5 ms Max = 3.0 ms Default = 125 % Min = 100 % Max = 200 %
Function Function
Default = 0 ms Min = 0 ms Max = 10 ms
压力开始到超声开始的延时时间,主要针对压得不十分 理想的。
Default = 0 % Min = 0 % Max = 100 %
Default / Allowable Range Default = 0 % Min = 0 % Max = 100 % Default = 100 % Min = 0 % Max = 200 % Default = Ramp Min = Ramp Max = Burst
Function
焊头脱离挤压金球开始往上升到第一个转折点(kink height)起动速度的大小。
安置超声波,在劈刀下降过程中的一个超声的能量输 出,目的是协助金球落在劈刀中心,参考值为:50100mA
1.1.2 Second Bond Parameters

金丝键合主要工艺参数技术研究

金丝键合主要工艺参数技术研究

金丝键合主要工艺参数技术研究作者:刘文来源:《科学与财富》2018年第22期摘要:介绍了金丝键合技术,阐述了影响金丝键合强度的主要工艺参数,采用超声热压技术和楔形键合方式对25μm的金丝进行键合正交试验。

通过对测试结果进行极差分析,获得了超声功率、超声时间和热台温度的最佳匹配组合关系及影响键合强度的主次因素顺序关系。

关键词:金丝键合工艺参数正交试验1引言微组装技术因成本低廉、实现简单、热膨胀系数小、适用电路封装形式多样化等优点[1],在现代通信系统中发挥着至关重要的作用。

金丝键合是微组装技术中的关键工艺,其键合质量好坏直接影响产品可靠性和电性能稳定性。

衡量金丝键合质量好坏的主要指标为键合强度,而键合强度的期望值不能通过单独改变某个工艺参数即可实现,需对某些主要工艺参数进行调节,才能达到最佳效果。

2金丝键合定义金丝键合是多芯片微波组件中常用的工艺,它是指将延展性和导电性很好的极细金丝压焊在基板-基板、基板-芯片或芯片-芯片表面上,实现电气特征相互关联的一种技术。

根据键合能量的不同,金丝键合分为热压键合、超声键合和超声热压键合[2][3]。

根据键合方式和劈刀外形、材料的不同,金丝键合又分为球形键合和楔形键合[3]。

3 键合强度影响因素影响金丝键合强度的工艺参数有很多,从设备方面考虑,它与超声功率、超声时间、热台温度、键合压力、劈刀温度和劈刀安装长度等因素有关;从被键合表面上考虑,它与被键合面的材料特性、厚度、平整度、清洁度和处理工艺等因素有关[1]。

根据以往经验,影响键合强度最主要工艺参数为:超声功率、超声时间和热台温度。

3.1超声功率超声是指振动频率大于1200Hz的振动波。

适当的超声功率是金丝键合具有可靠性的前提,能够产生足够强度的、稳定的键合。

过小的超声功率会导致金丝翘起,无法焊接或只微焊接于焊点上,而过大的功率会导致焊点发生形变,甚至金丝断裂或焊盘破裂[3]。

3.2超声时间超声时间是指在劈刀上施加超声功率和键合压力的作用时间,目的是控制超声能量。

手动键合专业技能培训大纲

手动键合专业技能培训大纲

手动键合专业技能培训大纲技能培训大纲:手动键合专业技能
1. 基础知识介绍:
a. 手动键合的定义和原理
b. 手动键合的应用领域
c. 手动键合的基本要求和技巧
2. 设备和工具的介绍:
a. 键合机的类型和功能
b. 键合针和焊线的选择
c. 其他辅助工具(镊子、倒钳等)的使用
3. 准备工作:
a. 工作环境的搭建和准备
b. 检查设备和工具的工作状态
c. 清洁和维护设备的基本知识
4. 键合操作的基本步骤:
a. 准备焊线和待处理的器件
b. 将焊线固定在器件上
c. 启动键合机并选择适当的参数
d. 进行焊接操作
e. 检查焊接结果并进行必要的修正
5. 常见问题和故障排除:
a. 焊接时可能遇到的问题和原因分析
b. 常见故障的排查方法和解决方案
c. 如何预防常见问题和故障的发生
6. 键合技巧和进阶操作:
a. 不同器件的键合技巧和注意事项
b. 高难度键合操作的技巧和经验分享
c. 键合工艺的优化和改进方法
7. 安全操作和注意事项:
a. 使用键合机的安全规范和操作要点
b. 避免操作中可能遇到的危险和损伤
c. 紧急情况下的应急处理和自救方法
8. 实践操作和案例分析:
a. 进行实际的键合操作练习
b. 分析实际案例的键合过程和结果
c. 根据实践操作和案例分析问题和讨论
9. 培训总结和评估:
a. 培训内容的总结和回顾
b. 对培训效果进行评估和反馈
c. 提供进一步学习和改进的建议。

《键合技能培训》课件

《键合技能培训》课件

优化工艺参数
通过不断试验和调整,找到最佳的工艺参数 组合,提高键合质量和效率。
建立质量管理体系
制定完善的质量管理体系和规章制度,确保 产品质量得到有效控制和管理。
05
CATALOGUE
键合技术的应用案例
集成电路封装中的键合应用
总结词
集成电路封装中,键合技术主要用于连接芯片与引线框架, 实现电气连接和机械固定。
或分子结合在一起。
键合的物理基础
总结词
键合的物理基础主要包括量子力学和分子运动论。
详细描述
量子力学是描述微观粒子运动和相互作用的科学,它解释了原子和分子的结构 和性质。分子运动论则从宏观角度解释了物质的热性质和分子运动。这些理论 为理解键合的物理基础提供了重要的理论基础。
键合的化学基础
总结词
键合的化学基础主要包括共价键、离子键和金属键等。
VS
详细描述
在传感器封装中,传感器芯片与基板之间 的连接是关键环节。键合技术通过将传感 器芯片与基板上的电极进行连接,实现信 号传输和机械固定。常用的键合技术包括 超声键合、热压键合和球状键合等。
06
CATALOGUE
总结与展望
键合技术的总结
键合技术的基本原理
详细介绍了键合技术的基本原理,包括键合的概念、键合的分类 以及键合的物理机制等。
键合技术广泛应用于电子封装 、微电子器件制造、光电子器 件制造等领域。
键合技术的应用领域
01芯片与基板连接在一 起,实现芯片与外部电路 的互连。
微电子器件制造
在微电子器件制造中,键 合技术用于将不同材料连 接在一起,形成复杂的电 路和结构。
光电子器件制造
无损检测
利用超声波、X射线等技术,在不破 坏产品的情况下进行内部结构和键合 质量的检测。

键合培训资料

键合培训资料

pad
lead
Formation of a loop
pad
lead
pad
lead
pad
lead
pad
lead
pad
lead
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lead
pad
lead
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lead
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lead
pad
lead
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lead
pad
lead
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lead
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lead
pad
lead
pad
焊线工艺标准
拉力测试的五个关键点
图一:第一焊点松脱, 晶片接垫上无金线
图二:第一焊点球颈断, 晶片接垫上有金线附着
图三:第二焊点松脱, 晶片接垫上无金线
图四:第二焊点球颈断, 第二焊点上有金线附着
图五:金线中间拉力不足
焊线检查项目图示
C B A D E
金线力测试在 C 点 金球推力测试在 A B点之间
金球与铝垫的焊接模式
振盪 (POWER)
氧化鋁
壓力 (FORCE) 水氣及雜質 玻璃層 金球
純鋁
二氧化矽層
矽層 溫度 溫度
鋁墊SEM側視圖
ASM 焊 线 机
控制系统屏幕
影像辨别系统屏幕
送线系统 推料装置 打火杆烧球焊接处
料盒升降台输出端 料盒升降台输入端 功能键盘
电源开关
轨迹球
控制电路板
急停按钮
lead
pad
lead
Formation of a second bond
pad
heat
lead
Formation of a second bond

金丝键合工艺培训

金丝键合工艺培训
一焊焊不上&球脱 一焊焊偏&金球短路 球大&球小&球变形 掉金&弹坑
2. 二焊异常&问题:
二焊焊不上&二焊翘起 二焊焊偏 锁球&植球不良 有尾丝&尾丝过长
3. 线弧异常&问题:
金丝坍塌 金丝短路(碰线) 金丝倒伏
4. 其它:
断线 颈部受损 金线受损
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
依照焊线图将已经黏附在导线架(Leadfream) 上的晶粒(Die)焊垫(Bond Pad)焊上金线以 便导线架外脚与内脚能够连接,使晶粒所设计的 功能能够正常的输出。
金丝(gold wire)
一焊 (Pad)
二焊 (Lead)
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
Chamfer径的影响
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
Chamfer Angle的影响
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
线弧的形成
pad
lead
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
线弧的形成
pad
lead
武汉昱升光器件有限公司
WuhanYushengOpticalDevicesCo.,Ltd
线弧的形成
pad
lead
武汉昱升光器件有限公司

键合工艺参数指导

键合工艺参数指导

精心整理
Default=125% Min=100% Max=200% Default=0ms Min=0ms Max=10ms
Default=70% Min=10% Max=90% Default=off Min=off Max=on
Default=115grams Min=0grams
Max=350grams Default=33%
研磨的次
0degrees 与所有的 90degrees 对正交的垂直 180degrees 对正交的垂直研

尾丝是以微米为单位
0 与线的方 1 与线的方向
2 圆形 研磨次
研磨频
0 研磨并没有接触焊点表面 T 度
1 研磨时接触
TAILSCRUBOFFSET
TAILSCRUBUSG TAILSCRUBFORCE TAILSCRUBHEIGHT
Min=0mA Max=250mA Default=7ms
Min=0ms Max=3980ms Default=85grams Min=0grams Max=350grams
Default/ AllowableRange Default=100%
Min=0% Max=200% Default=100%
本功能主要对 finepit
Functi
精心整理
USGPre-BleedRatio EqualizationFactor
USGProfile1
Parameter
RampUpTime1 RampDownTime1
BurstTime1 BurstLevel1 CONTACTDETECTMODE
Parameter
精心整理
根据送线方向的一个补偿距离 标点

全自动键合机工艺调试方法

全自动键合机工艺调试方法

全自动键合机工艺调试方法发布时间:2009-6-18 阅读:1885次潘峰,颜向乙,郑轩,广明安,王丰摘要:介绍新型金球键合机工艺调试过程,分析并解决调试过程中遇到的工艺问题。

关键词:工艺;键合;调试目前,集成电路先进后封装过程关键技术中,封装管脚的90%以上采用引线键合技术。

封装行业多年的事实和权威预测表明,到2020年,引线键合技术仍将是半导体封装尤其是低端封装内部连接的主流方式。

所谓的引线键合技术,是指以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和管脚键合,形成电气连接的技术。

对于一般半导体封装的性能和成本要求,引线键合是最优的选择。

先进后封装技术,如多芯片封装和系统级封装(SIP)都对引线键合技术、工艺等方面有很高的要求。

本文侧重于金丝球键合的工艺调试过程分析。

1 引线键合工艺过程介绍键合工艺根据焊接原理(热或者超声能量),分为三种:热压焊、超声焊和热超声焊。

热超声焊在工作温度上和键合效果上适合于目前主流的金线焊接。

本文中进行调试的全自动金线键合机是以热超声球焊为工艺基础的金丝球焊机。

引线键合主要有两种工艺过程:楔形键合和球形键合。

这两种引线键合技术基本的步骤分为:形成第一焊点(通常在芯片表面),拉成线弧,形成第二焊点(通常在引线框架/基板上)。

这两种键合的不同之处在于:球形焊接中在每次焊接循环的开始会形成一个焊点;而楔形焊接则是将引线在压力和超声能量下直接焊接到芯片的焊盘上。

1.1 球形键合工艺过程球形键合的工艺是:将金丝穿过劈刀毛细管,利用氢氧焰或电气放电系统产生电火花高温融化金属丝伸出到劈刀腔体外的部分,在表面张力作用下熔融金属凝固形成标准的球形,紧接着控制降下劈刀,在适当的压力和设定好的时间内将金球压在电极或芯片上。

在键合过程中,通过劈刀向金属球施加压力,同时促进引线金属和下面的芯片电极金属发生塑性变形和原子间相互扩散,完成第一次键合。

然后,劈刀运动到第二键合位置,第二点焊接包括阵脚式焊接和拉尾线,通过劈刀端口对金属线施加压力以楔焊的方式完成第二次键合,焊接之后拉尾线是为下一个键合点循环成球作准备。

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Default / Allowable Range Default = 100 % Min = 0 % Max = 200 % Default = 100 % Min = 0 % Max = 200 % Default = Off Min = Off Max = On Default = 0 mA
Min = 0 mA
通过调整电流值改变超声大小,建议使用。
.
. Parameter
USG Bond Time 1
Force
USG
g
6
Die
Force 1
g
Bond Force1
Die
Default / Allowable Range Default = 7 ms
1ST 压焊时间
Min = 0 ms
Max = 3980 ms
USG Bond Time
Default / Allowable Range Default = 10 %
Min = 0 %
Max = 75 %
Ramp Down Time
Ramp Down Time 1
Ramp Down Time
Default = 0 % Min = 0 %
Max = 25 %
Function
Default = off Min = off Max = on
Function
接触灵敏度,就是焊头下降过程中检测到芯片和框架的 灵敏度,其实是一个比例值。 例如:但CV=1.0mils/s 时,70%就是表示伺服系统 知道已经接触到被压焊表面时的速度为 0.3mils/s 第一点压力输出波形控制,是开关功能,打开后以下三 项将会起作用 Initial force Iniltial force time Force ramp time
Default = 100 % Min = 40 % Max = 100 %
扯线速度
.
.
Parameter
Cap Offset
Bonding direction
Actual bond position
Positive Cap. Offset causes the actual bond position to be in opposite of the bonding direction
TIP OFFSET/TIP HEIGHT
2
CV 1
3
TIP1 Die
TIP1
CV 1
4
Die
5
Die
- Default = 0.5 mils/ms 在 TIP 范围内的速度。
Min = 0.2 mils/ms Max = 3.0 mils/ms
-
.
. Parameter
USG Mode 1
USG Output
Target bond position
Default /
Allowable Range
Default = 0 mils
第二点的劈刀偏移量
Min = -20 mils
Max = 20 mils
Function
USG Profile 2 Ramp Up Time 2 Ramp Down Time 2
Negative Cap. Offset is used to bring the crescent onto the middle of the leadfinger, same as the bonding direction
Max = 10
.
. Parameter
Scrub Phase
Life Throttle
Seating USG
Default / Allowable Range Default = 90 deg
Min = 0 deg
Function
Max = 180 deg
Default = 100% Min = 1% Max = 100%
Default = 85 grams Min = 0 grams Max = 350 grams
Function
.
.
Parameter
Power Equ PF (USG power factor) Force Equ FF (bond force factor) Z-Tear State ZBurst Time 1
USG Bond Time
Burst Level
USG Current
Default = 1.5 ms Min = 1.5 ms Max = 3.0 ms
Burst Time
Burst Level 1 CONTACT DETECT MODE
Default = 125 % Min = 100 % Max = 200 %
Default / Allowable Range Default = C. Current
Min = C. Power
Max = C. Voltage
Lead
USG Power 2
USG Volts 2
Default = 400 mW Min = 0 mW Max = 4000 mW Default = 7000 mV Min = 0 mV Max = 16000 mV
.
Default = 100 % Min = 0 % Max = 200 % Default = Ramp Min = Ramp Max = Burst
超声输出模式共有三种 1、 梯形波形 Ramp up/down 2、 方波 Square 3、 凸形 Burst
. Parameter
Ramp Up Time 1
Function
.
. Parameter
USG Current 2
USG Bond Time 2
USG
Force 2
Force
12
Lead
Default / Allowable Range Default = 100 mA Min = 0 mA Max = 250 mA Default = 7 ms Min = 0 ms Max = 3980 ms
Default = Ramp
Min = Ramp
Max = Burst Default = 10 %
Min = 0 %
Max = 75 %
Default = 0 %
Min = 0 %
Max = 25 %
.
. Parameter
Burst Time 2 Burst Level 2 USG Pre-Delay 2 Contact Threshold 2 Force Profiling 2 Initial Force 2 Initial Force Time 2 Force Ramp Time 2
.
键合人员工艺参数培训
――基础篇
(软件版本 9-28-2-32b)
一、键合过程控制参数
1.1、1st Bond 和 2nd bond 参数 1.2、Loop 参数 1.3、Ball 参数 1.4、Bits 参数
二、走带控制参数
2.1、W/H 参数 2.2、ELEV 参数
.
.
图一
.
.
一、键合过程参数
USG
USG Pre_Delay
I.F.T
Initial Force
F.R.T
Force
When Initial Force > Bond Force
Initial Force
Force
When Initial Force < Bond Force
Default / Allowable Range Default = 70 % Min = 10 % Max = 90 %
Default = 35 grams Min = 0 grams
1ST 的压力
Max = 350 grams
Function
.
. Parameter
USG Pre-Delay 1
Default / Allowable Range
Function
Default = 0 ms Min = 0 ms
压力开始到超声开始的延时时间,主要针对压得不十分 理想的。
Max = 10 ms
Lift USG Ratio
Lift USG
g
Die
.
Default = 0 % Min = 0 % Max = 100 %
劈刀离开金球时的超声,这是一个比例值,有助于金球 焊接的稳定和牢固。 本功能主要对 fine pitch 类 20%-40%
. Parameter
USG Pre-Bleed Ratio
焊头脱离挤压金球开始往上升到第一个转折点(kink height)起动速度的大小。
安置超声波,在劈刀下降过程中的一个超声的能量输 出,目的是协助金球落在劈刀中心,参考值为:50100mA
.
.
1.1.2
Tip 2
Second Bond Parameters
Parameter
Default / Allowable Range Default = 2 mils
USG PreBleeding
CV 1
TIP1
Die
Default /
Function
Allowable Range
Default = 0 %
超声波前置输出比例,此超声在 TIP 高度范围内起作用
Min = 0 %
Max = 100 %
Equalization Factor USG Profile 1
1.1.1 First Bond Parameters
Parameter
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