模电公式总结
模电内容总结
第一章1本征半导体里面掺+5 价元素构成N 型半导体，掺 +3价元素构成P 型半导体. 2半导体里面有（2）种载流子：（电子和空穴） 3PN 结的主要特性：单向导电性4半导体/PN 结里面内电场的方向是：从N 区到P 区5描绘PN 结电流和电压关系的表达式：i=is(e 的（vd/vt ）次方-1) 6稳压管正常工作时应该怎么接电源：N 区接正，P 区接负 第二章1在三极管中有几个区（3）分别是（发射区基区集电区） 体积大小从大到小是：集电区>发射区>基区 杂质密度从大到小：发射区>集电区>基区2三极管工作在放大区的条件：发射结正偏，集电结反偏 三极管工作在截止区的条件：发射结反偏，集电结反偏 三极管工作在饱和区的条件：发射结正偏，集电结正偏 三极管输入端的伏安特性曲线：（三个变量IbVBE VCE ）三极管工作在输出端的伏安特性曲线：（三个变量ic iB VCE ）3 在三极管放大电路里面，输入电阻越大越好，输出电阻越小越好 设置Q 点过低，造成截止失真 设置Q 点过高，造成饱和失真最好设置在放大区的中间，此时的放大幅度最大(V)BE u i C CE (V)(mA)=60uAI B u 1V4复合管----达林顿管同类型的三极管：发射极和基极连接 不同类型的三极管：集电极和基极连接 第四章功率放大电路1甲类乙类甲乙类功率放大电路的导通角分别是360°180° 180到360 理想的甲类功放最大的放大效率是 25%乙类双电源互补对称放大电路在理想的情况下的最大效率是 78.5% 2 乙类双电源互补对称电路中三极管功耗最大的时候V om =0.6V CC 最大功耗Pmax静态功耗是：0（在静态当中没有电流）第五章集成运放电路1 集成运放由四部分构成：输入级差动放大电路组成，中间级是电压放大极，输出极是功率放大极，还有一部分是直流偏置，直流偏置用电流源来实现2 电流源的两种作用，作直流偏置电路，用作有源负载 电流源的特点：直流电阻小、交流电阻大3 集成运放第一级为什么用差动放大电路：抑制温漂（零点漂移，也叫零漂） 第六章负反馈放大电路2CCC1maxomL0.20.22V P P R ≈=22CC CES CC OML L()22V V V P R R -=≈2要加大输出电阻，引入电流反馈减小输出电阻，引入电压反馈 加大输入电阻，引入串联反馈 减小输入电阻，引入并联反馈7在深度负反馈的时候，闭环增益约等于反馈系数的倒数，F 分之一 8 对于负反馈放大电路，牺牲了增益，改变了电路的性能 第七章信号运算1集成运放理想情况下增益是无穷大的，认为有好几级是互相乘的关系，增益一大以后，他的线性区间趋近于0，要想增大线性区间，应该引入负反馈，即负反馈可以降低增益，增益减小那么线性区间就变大了 第八章信号产生电路正弦波信号怎么产生Rc 是咱们学的 （一） 自激振荡的条件1：振幅平衡条件A*F=1A 是基本放大电路的增益，F 是反馈放大电路的增益 （原因是什么请去看课件）2：相位平衡条件：比如在基本放大电路里面有一个相位仪移动了90度，ΨA=90度 幅值放大了五倍，为了保持一致，ΨF =-90度货真ΨF =270度，A*F=1，这个时候幅值和相位就都一样了（二） 自激振荡的意思是：一开始给你一个信号，开始工作，回头我把信号撤掉，自己激励自己开始工作，电路里面有一个Vcc 提供能源，信号是从输出端反馈回来的，要求一个值和一个值相等，所以是A*F=1，一个放大了五倍，另外一个就要反馈五分之一（振幅平衡条件哦）（三） 正弦波放大电路由四部分构成基本放大选频正反馈增幅稳幅o id X A X ∙∙=。
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结
模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。
3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。
4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。
5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。
6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。
7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。
9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。
三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。
三个极：基极B、发射极E和集电极C。
二个结：即发射结和集电结。
饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。
三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。
11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。
调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。
⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。
调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。
⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。
1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。
（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。
模电数电考研面试总结
1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）11、画差放的两个输入管。
（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。
(Infineon笔试试题) )15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<<T时，给出输入电压波形图，绘制两种电路的输出波形图。
（未知）16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?（新太硬件）17、有一时域信号S="V0sin"(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题）19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P 管还是N管，为什么？（仕兰微电子）20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
模拟电子技术基础中的常用公式(1)
7.1 半导体器件基础GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示：式中，i D 为流过二极管的电流，u D 。
为加在二极管两端的电压，V T 称为温度的电压当量，与热力学温度成正比，表示为V T = kT/q 其中T 为热力学温度，单位是K ；q 是电子的电荷量，q=1.602×10-19C ；k 为玻耳兹曼常数，k = 1.381×10-23 J ／K 。
室温下，可求得V T = 26mV 。
I R(sat)是二极管的反向饱和电流。
GS0102 直流等效电阻R D直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压U D 与流过二极管的直流电流I D 之比，即R D 的大小与二极管的工作点有关。
通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。
不过应注意的是，使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。
其原因是二极管工作点的位置不同。
一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。
正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。
GS0103 交流等效电阻r dr d 亦随工作点而变化，是非线性电阻。
通常，二极管的交流正向电阻在几～几十欧姆之间。
需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。
通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的，使用时应注意条件。
GS0104 I Zmin ＜Iz ＜I Zmax其中稳定电流I Z 是指稳压管正常工作时的参考电流。
I Z 通常在最小稳定电流I Zmin 与最大稳定电流I Zmax 之间。
其中I Zmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；I Zmax 是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。
故一般要求I Zmin ＜Iz ＜I Zmax 。
I C = I NC + I CBO ≈ I NCI B = I PB + I PE - I CBO ≈I PB - I CBOI E ＝I NE ＋I PE ≈I NEI NE ＝ I NC ＋I PBI E ＝I C ＋ I BC U BE B CE U f I ==|)( (C 表示常数)C I CE C B U f I ==|)( (C 表示常数)P CM ＝I C U CE2)1(PGS DSS D V U I I -=，I DSS 是U GS ＝0时的漏极饱和电流，V P 称为夹断电压。
常用运放公式大全
常用运放公式大全运放（Operational Amplifier，OP）是一种重要的电子元器件，广泛应用于模拟电路中。
运放可以放大电压信号、实现各种线性运算以及滤波、比较等功能。
在设计和分析电路时，常用的运放公式非常有用，下面是一些常用的运放公式。
1.运放的基本理想模型公式：Vout = A*(V+ - V-)，其中Vout为运放的输出电压，A为运放的放大倍数，V+和V-分别为非反馈输入和反馈输入的电压。
2.反向放大运放电压放大倍数公式：Vout = -Rf/Ri * Vin，其中Rf为反馈电阻，Ri为输入电阻，Vin为输入电压。
3.非反向放大运放电压放大倍数公式：Vout = (1 + Rf/Ri) * Vin，其中Rf为反馈电阻，Ri为输入电阻，Vin为输入电压。
4. 电压跟随器（Voltage Follower）电压放大倍数公式：Vout ≈ Vin，电压跟随器的输入电压和输出电压近似相等。
当V+ > V-时，Vout = Vsat+，当V+ < V-时，Vout = Vsat-。
Vsat+和Vsat-分别为正饱和电压和负饱和电压。
CMRR = 20 * log10(Aac/Acm)，其中Aac为差模增益，Acm为共模增益。
7. 运放的输入偏置电流（Input Bias Current）公式：输入偏置电流为非反馈输入端和反馈输入端的电流之差。
8. 极限频率（Gain Bandwidth Product，GBP）公式：GBP=A*f，其中A为运放的放大倍数，f为运放的截止频率。
9. 运放的输入偏置电压（Input Offset Voltage）公式：输入偏置电压为非反馈输入端和反馈输入端的电压之差。
10.运放的输入阻抗公式：输入阻抗可以用输入电阻（Ri）和输入电流（Ii）表示，输入阻抗Zi=Ri+(1/A)*Ri。
11.运放的输出阻抗公式：输出阻抗可以用输出电阻（Ro）和输出电流（Io）表示，输出阻抗Zo=Ro+(1/A)*Ro。
模电知识点复习总结
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或 反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距。此时，发射结正 偏，集电结反偏。
(2)虚断
由于运放的差模输入电阻很大，一般都在1 M 以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1 A， 远小于输入端外电路的电流。故通常可把运放的两 输入端视为开路，且输入电阻越大，两输入端越接 近开路。 “虚断”是指在分析运放处于线性状态时， 可以把两输入端视为等效开路，这一特性称为虚假 开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。 下面举两个例子说明虚短和虚断的运用。
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区
杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反
向偏置。
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。
(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。
3.2.3 PN结的单向导电性 PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电计算公式汇总
模电专题复习一：计算公式一、二极管整流电路1.半波整流电路2.全波整流电路Uo=0.45U2U RM=√2U2I v=I o Uo=0.9U2U RM=2√2U2I v=0.5I o3.桥式整流电路4.半波整流滤波电路Uo=0.9U2U RM=√2U2I v=0.5I o Uo=U2U RM=2√2U2I v=I o 5.桥式整流滤波电路Uo=1.2U2U RM=√2U2I v=0.5I o6.滤波空载电路U o=√2U2≈1.4U2二、三极管放大电路1.共射级基本放大电路2.分压式偏置放大电路静态：I BQ =V CC −U BEQR B静态：U BQ =V CC ×R b2Rb1+R b2I CQ =βI BQ I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQR EU CEQ =V CC -I C R C I BQ =I CQ β动态：r be =300+（1+β）26I EQU CEQ =V CC -I C R C -I E R E ≈V CC -I C （R C +R E ） A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ） 动态：r be =300+（1+β）26I EQR i =r be //R b ≈r be A U =-βR L‘r be（R L ’=R L //R C ）R o =R C R i =r be //R b1//R b2 R o =R C3.旁路电容开路的放大电路静态：U BQ =V CC ×R b2R b1+R b2I CQ ≈I EQ =U BQ −U BEQ R f +R EI BQ =I CQ βU CEQ =V CC -I C R C -I E R e -R f ≈V CC -I C （R C +R e +R f ） 动态：r be =300+（1+β）26I EQA U =-βR L‘r be +（1+β）R f（R L ’=R L //R C ）R i =（r be +（1+β）R f ）//R b1//R b2R o=R C4.带发射极电阻的基本放大电路静态：I B R2+U BEQ+I E R4=V CC 动态：r be=300+（1+β）26I EQI BQ=V CC−U BEQR2+（1+β）R4A U=-βR L‘r be（RL’=RL//R C）I EQ≈I CQ=βI BQ R i=r be//R b≈r beU CEQ=V CC-I C（R3+R4）R o=R C5.共集电极放大电路静态：I BQ=V CC−U BEQR B+（1+β）R E动态：Ri大I CQ≈I EQ=（1+β）I BQ Ro小U CEQ=V CC-I E R E A U≈1，略小于1三、集成运算放大器1.反向比例运算电路2.同相比例运算电路Uo=−Rf R 1U i R 3=R 1//R 2 Uo=（1+Rf R 1）U i R 3=R 1//R 2 R i =R 1 Ro=0 R i =∞ Ro=0 3.反向加法运算电路Uo=−（R 2R 1U i1+R2R 3U i2） R P =R 1/ / R 2/ / R 34.同相加法运算电路i1i2i1i2P 345P3434(////)u u u u u R R R R R R R R ⎛⎫⎛⎫=+=+ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭P 345////R R R R =22P P o N i1i2113411R R R Ru u u u R R R R ⎛⎫⎛⎫⎛⎫=+=++ ⎪⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭ N12//R R R = 4.减法运算电路ou i1uUo =（1+R 3R 1）（R pR2+R p）U i −R3R 1U i四、稳压电源电路 1.并联型稳压电路I Z =I-I L =U i −U Z R−UL R L2.串联型稳压电路Uo=U Z -U BE3.串联可调型稳压电路Uo =R 1+R 2+R pp 下2（U Z +U BE ）3.317可调电源电路Uo=1.25×（1+R2R1）五、低频功率放大器1.OCL电路P om=U o2L=U om2L=（U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=2V cc U omπR L≈2U cc2πR Lη=P ov =πU omcc≈π=78.5%2.OTL电路P om=U o2L=U om2L=（12U CC−U CES）2L≈U cc2L P v=V c c U omL≈U cc2LP o P v =π4U omV cc≈π4=78.5%η=。
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模电公式总结
1. 基本电路参数
1.1 电流公式
•电流公式：
$$I = \\frac{V}{R}$$
–其中，I为电流，V为电压，R为电阻。
1.2 电压公式
•电压公式：
$$V = I \\cdot R$$
–其中，V为电压，I为电流，R为电阻。
1.3 功率公式
•功率公式：
$$P = V \\cdot I$$
–其中，P为功率，V为电压，I为电流。
2. 放大电路
2.1 电压放大倍数
•电压放大倍数：
$$A_v = \\frac{V_o}{V_i}$$
–其中，A_v为电压放大倍数，V_o为输出电压，V_i为输入电压。
2.2 增益
•增益：
$$G = \\frac{V_o - V_i}{V_i}$$
–其中，G为增益，V_o为输出电压，V_i为输入电压。
3. 滤波电路
3.1 截止频率
•截止频率：
$$f_c = \\frac{1}{2\\pi RC}$$
–其中，f_c为截止频率，R为电阻，C为电容。
4. 频率响应
4.1 相位差
•相位差：
$$\\phi = \\arctan(\\frac{X_L - X_C}{R})$$
–其中，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。
4.2 增益
•增益：
$$|A_v| = \\sqrt{\\frac{X_L - X_C}{R}^2 + 1}$$
–其中，|A_v|为增益，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。
5. 脉冲响应
5.1 集成电路
•脉冲响应：
$$h(t) = V_i(t) \\ast g(t)$$
–其中，h(t)为脉冲响应，V_i(t)为输入信号，g(t)为脉冲响应函数。
6. 非线性电路
6.1 二极管方程
•二极管方程：
$$I_D = I_s(e^{\\frac{V_D}{V_t}} - 1)$$
–其中，I_D为二极管正向电流，I_s为饱和电流，V_D为二极管正向电压，V_t为温度标准电压。
7. 反馈电路
7.1 闭环增益
•闭环增益：
$$A_f = \\frac{A}{1 + A\\beta}$$
–其中，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数。
7.2 输入电阻
•输入电阻：
$$R_i = (1 + A\\beta)R_{in}$$
–其中，R_i为输入电阻，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数，R in为输入电阻。
7.3 输出电阻
•输出电阻：
$$R_o = \\frac{R_{out}}{1 + A\\beta}$$
–其中，R_o为输出电阻，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数，R out为输出电阻。
以上是一些常见的模拟电路公式的总结，希望对你有帮助！。