半导体工艺学
半导体工艺
工艺优化的策略与技巧
工艺优化的策略
• 降低成本：通过优化工艺，降低生产成本 • 提高质量：通过优化工艺，提高产品质量 • 提高效率：通过优化工艺，提高生产效率
工艺优化的技巧
• 工艺参数调整：合理调整工艺参数，提高工艺性能 • 工艺过程改进：改进工艺过程，提高工艺稳定性 • 新材料应用：采用新材料，提高工艺性能
05
半导体工艺质量与可靠性
工艺质量的评价与控制方法
工艺质量的评价方法
• 参数评价：评价工艺参数是否符合工艺标准 • 性能评价：评价工艺制程对产品性能的影响 • 可靠性评价：评价工艺制程对产品质量和可靠性的影响
工艺质量的控制方法
• 在线监测：对生产过程中的工艺参数进行实时监测 • 工艺反馈：根据监测数据，调整工艺参数和过程 • 质量跟踪：对产品质量进行跟踪，分析问题和原因
薄膜工艺的特点
• 薄膜质量高：可以制备高质量、均匀的薄膜 • 工艺灵活：可以制备各种形状和结构的薄膜 • 应用广泛：广泛应用于半导体、微电子、表面处理等领 域
03
半导体工艺制程技术
光刻工艺的原理与应用
光刻工艺的原理
• 光刻胶：利用光敏材料在光照下发生化学反应 • 曝光：通过光源照射光刻胶，形成图形 • 显影：通过显影液溶解光刻胶，形成图形 • 刻蚀：将图形转移到衬底上，形成器件
半导体工艺的重要节点
• 1958年：硅晶体管发明 • 1960年：集成电路发明 • 1970年：CMOS工艺发明 • 1980年：超大规模集成电路（VLSI）时代来临 • 1990年：深亚微米工艺发展 • 2000年：纳米工艺发展
半导体工艺的未来发展趋势与挑战
半导体工艺的未来发展趋势
• 制程工艺不断缩小：提高集成度，降低成本 • 新材料的应用：提高性能，降低成本 • 三维集成技术：提高集成度，降低功耗
半导体工艺技术怎么样学
半导体工艺技术怎么样学半导体工艺技术（Semiconductor fabrication technology）是指在半导体材料上进行微细结构制造和集成电路加工的一系列技术方法和工艺流程。
它是现代电子工艺领域的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
学习半导体工艺技术有着重要的意义，以下是关于该领域学习的一些观点。
首先，学习半导体工艺技术需要掌握一定的理论基础。
这包括物理学、半导体物理学、微电子学等学科的基本知识。
只有了解了基本原理和概念，才能更好地理解工艺技术的操作方法和设计原则。
其次，学习半导体工艺技术需要进行实践和实验。
在实验室中，学生可以通过亲自操作设备，独立完成一些工艺流程，从而提高实际动手能力和解决问题的能力。
实践中遇到的具体问题和挑战，有助于深入理解半导体工艺技术的复杂性和特殊性。
此外，了解行业最新的技术发展是学习半导体工艺技术的关键。
半导体工艺技术非常庞杂复杂，瞬息万变，并且有着快速发展的趋势。
因此，学生需要不断关注行业的最新动态，了解最新的工艺流程、新材料、新设备等领域的研究和应用。
只有紧跟行业的步伐，才能适应市场需求和就业竞争。
最后，学习半导体工艺技术需要具备一定的职业素养和团队合作精神。
作为一个技术领域，半导体工艺技术具有一定的专业性和复杂性，在工作中需要与多个领域的工程师和专家进行合作。
在团队中，学生需要善于沟通、合作和共享资源，共同解决问题和提高工作效率。
总的来说，学习半导体工艺技术是一项具有挑战性但也富有成就感的任务。
通过系统的学习和实践，可以掌握相关的理论和技能，逐步成为行业中的专家和领导者。
随着半导体工艺技术的不断发展，展望未来，这一领域将持续为人们的日常生活和科技创新带来更多惊喜和变革。
因此，学习半导体工艺技术具有良好的前景和广阔的发展空间。
半导体工艺学
请回答以下问题：题目：（1）请回答以下几个概念：【20分】（1）场区、（2）有源区、（3）键合、（4）负载效应、（5）钝化。
题目：（2）集成电路工艺主要分为哪几大部分，每一部分中包括哪些主要工艺、并简述各工艺的主要作用。
【20分】 题目：（3）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理!【15分】题目：（4）在电极形成或布线工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的特性、金属Ti 的相关工艺、以及金属Ti在电路中的作用!【15分】题目：（5）在光刻胶工艺中要进行，软烘，曝光后烘焙和坚膜烘焙，请详细说明这三步工艺的目的和条件。
【15分】题目：（6）请对Si（以一种含有Cl元素的刻蚀气体为例）和SiO2（以一种含有F元素的刻蚀气体为例）刻蚀工艺进行描述，并给出主要的化学反应方程式。
【15分】参考答案：题目一答案:(1) 场区是指一种很厚的氧化层,位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域,可以起到隔离晶体管的作用(2) 有源区是指硅片上做有源器件的区域,有源区主要针对MOS而言,只要源极,漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区.(3) 键合是指将芯片表面的铝压点和引线框架上或基座上的电极内端(有时称为柱)进行电连接最常用的方法,常用的键合方法有热压键合、超声键合、热超声键合. (4) 刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度称为刻蚀速率,它通常正比于刻蚀剂的浓度,要刻蚀硅片表面的大面积区域,则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来;如果刻蚀的面积比较小,则刻蚀就会快些.这称为负载效应.(5) 钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐蚀速度的方法.热生长SiO2的一个主要优点是可以通过束缚硅的悬挂键,从而降低它的表面态密度,这种效果称为表面钝化,它能防止电性能的退化并减少由潮湿、离子或其它外部沾污物引起的漏电流通路.题目二答案:答:集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
半导体工艺知识点总结
半导体工艺知识点总结半导体工艺这事儿啊，就像一场超级精细的魔术表演。
咱先说说半导体材料这一块吧。
硅，那可是半导体世界里的大明星，就像一场演唱会里的主唱一样重要。
它的特性特别适合用来做半导体器件。
不过你可别以为硅就是唯一的主角啦，还有像锗啊之类的材料也在这个大舞台上有自己的戏份呢。
这半导体材料啊，就像是盖房子的砖头，没有好砖头，房子肯定盖不结实，同理，没有合适的半导体材料，后面那些神奇的半导体器件就无从谈起啦。
光刻技术呢，这可是半导体工艺里的一把神奇画笔。
光刻就像是在微观世界里搞艺术创作。
光刻机能把设计好的电路图案精确地印到硅片上，这个精度啊，那是超级高的。
你要是把硅片想象成一块超级小的画布，光刻技术就是那个能在上面画出超级精细图案的神来之笔。
这就好比刺绣，普通的刺绣可能针法粗糙一点没关系，可这半导体光刻啊，就像是苏绣里最精细的那种，一针一线都不能差，稍微有点偏差，整个电路可能就废了。
蚀刻工艺也很关键呢。
蚀刻就像是一个超级精准的雕刻师，把不需要的部分一点一点地去除掉，只留下我们想要的电路结构。
这就像做木雕一样，木雕师傅拿着刻刀，一点点地把多余的木头削掉，最后呈现出精美的木雕作品。
半导体蚀刻也是这个道理，只不过它是在微观层面上进行的，那难度可比木雕大多了。
再说说掺杂工艺吧。
掺杂就像是给半导体材料注入灵魂。
往纯净的半导体材料里加入一些杂质原子，就好像给一杯白开水加点糖或者盐一样，一下子就改变了它的性质。
这一改变可不得了，能让半导体具备我们想要的电学特性，像是导电性之类的。
这就好比一个人原本很内向，突然给他注入了一些开朗的元素，整个人的性格就变得不一样了，在半导体这里，就是电学性能发生了变化。
封装工艺呢，这就是给做好的半导体芯片穿上保护的外衣。
芯片就像一个娇弱的小宝宝，需要好好保护起来。
封装就像是给小宝宝做一个坚固又舒适的小房子。
这个小房子不仅要保护芯片不受外界环境的影响，像温度、湿度之类的，还要能方便芯片和外界进行连接，就像房子要有门和窗户一样，芯片封装也要有引脚之类的东西来实现电气连接。
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体八大工艺顺序是指半导体器件制造过程中的八个主要工艺步骤。
这些工艺步骤的顺序严格按照一定的流程进行，确保半导体器件的质量和性能。
下面将逐一介绍这八大工艺顺序。
第一步是晶圆清洁工艺。
在半导体器件制造过程中，晶圆是最基本的材料。
晶圆清洁工艺旨在去除晶圆表面的杂质和污染物，确保后续工艺步骤的顺利进行。
第二步是光刻工艺。
光刻工艺是将图形模式转移到晶圆表面的关键步骤。
通过光刻工艺，可以在晶圆表面形成所需的图形结构，为后续工艺步骤提供准确的参考。
第三步是沉积工艺。
沉积工艺是将材料沉积到晶圆表面的过程，包括化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等技术。
通过沉积工艺，可以在晶圆表面形成所需的材料结构。
第四步是刻蚀工艺。
刻蚀工艺是将多余的材料从晶圆表面去除的过程，以形成所需的图形结构。
刻蚀工艺通常使用化学刻蚀或物理刻蚀的方式进行。
第五步是离子注入工艺。
离子注入工艺是向晶圆表面注入掺杂物质的过程，以改变晶体的电学性质。
通过离子注入工艺，可以实现半导体器件的掺杂和调控。
第六步是热处理工艺。
热处理工艺是将晶圆置于高温环境中进行退火、烘烤或氧化等处理的过程。
通过热处理工艺，可以改善晶体的结晶质量和电学性能。
第七步是清洗工艺。
清洗工艺是在制造过程中对晶圆进行清洗和去除残留污染物的过程，以确保半导体器件的质量和可靠性。
第八步是封装测试工艺。
封装测试工艺是将完成的半导体器件封装成最终产品，并进行性能测试和质量检验的过程。
通过封装测试工艺，可以确保半导体器件符合规格要求，并具有稳定可靠的性能。
总的来说，半导体八大工艺顺序是半导体器件制造过程中的关键步骤，每个工艺步骤都至关重要，任何一环节的不慎都可能影响整个制造过程的质量和性能。
通过严格按照八大工艺顺序进行制造，可以确保半导体器件具有优良的性能和可靠性，从而满足现代电子产品对半导体器件的高要求。
半导体工艺技术优质课件
7 ➢第六次光刻：接触孔刻蚀；
8
➢金属Al淀积； ➢第七次光刻：生成金属化图形；
课程设计作业一
课程设计作业一
形成N阱
初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷
形成P阱
去掉光刻胶
在N阱区生长厚氧化层，其他区域被氮化硅层保护 而不会被氧化
优点是选择性好、反复性好、生产效率高、 设备简朴、成本低
缺陷是钻蚀严重、对图形旳控制性较差
干法刻蚀
溅射与离子束铣蚀：经过高能惰性气体离子旳物理轰
击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差
等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生旳游
离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选 择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差
➢热氧化生成场氧； ➢氮化硅刻蚀； ➢缓冲层刻蚀； ➢清洗表面； ➢阈值电压调整旳离子注入； ➢栅氧生长；
4
➢CVD淀积N+多晶硅栅； ➢第三次光刻：形成多晶硅图形，定义栅极；
5
➢第四次光刻：打开N+区旳离子注入窗口； ➢磷注入；
5
➢光刻胶掩蔽条； ➢第五次光刻：P+区离子注入；
6
➢光刻胶掩蔽条； ➢CVD淀积SiO2； ➢离子注入退火；
掺杂旳均匀性好 温度低：不大于600℃ 能够精确控制杂质分布 能够注入多种各样旳元素 横向扩展比扩散要小得多。 能够对化合物半导体进行掺杂
离子注入系统旳原理示意图
离子注入到无定形靶中旳高斯分布情况
退火
退火：也叫热处理，集成电路工艺中全部旳 在氮气等不活泼气氛中进行旳热处理过程都 能够称为退火
形成N管源漏区
光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区
八个基本半导体工艺
八个基本半导体工艺半导体工艺是指将材料变成半导体器件的过程，其重要程度不言而喻。
在现代电子技术中，半导体器件已经成为核心，广泛应用于计算机、通讯、能源、医疗、交通等各个领域。
这里我们将介绍八个基本的半导体工艺。
1. 晶圆制备工艺晶圆是半导体器件制造的关键材料，其制备工艺又被称为晶圆制备工艺。
晶圆制备工艺包括：单晶生长、切片、去除表面缺陷等。
单晶生长是指将高纯度的半导体材料通过熔融法或气相沉积法制成单晶，在这个过程中需要控制晶体生长速度、温度、压力等因素，以保证晶体质量。
切片是指将单晶切成厚度为0.5 mm左右的晶片，这个过程中需要控制切割角度、切割速度等因素，以保证晶片质量。
去除表面缺陷是指通过化学机械抛光等方式去除晶片表面缺陷，以保证晶圆表面平整度。
2. 氧化工艺氧化工艺是指将半导体器件表面形成氧化物层的过程。
氧化工艺可以通过湿法氧化、干法氧化等方式实现。
湿法氧化是将半导体器件置于酸性或碱性液体中，通过化学反应形成氧化物层。
干法氧化是将半导体器件置于高温气氛中，通过氧化反应形成氧化物层。
氧化工艺可以提高半导体器件的绝缘性能、稳定性和可靠性。
3. 沉积工艺沉积工艺是指将材料沉积在半导体器件表面形成薄膜的过程。
沉积工艺包括物理气相沉积、化学气相沉积、物理溅射沉积等。
物理气相沉积是将材料蒸发或溅射到半导体器件表面，形成薄膜。
化学气相沉积是将材料化学反应后生成气体，再将气体沉积到半导体器件表面，形成薄膜。
物理溅射沉积是将材料通过溅射的方式，将材料沉积在半导体器件表面，形成薄膜。
沉积工艺可以改善半导体器件的电学、光学、机械性能等。
4. 电子束光刻工艺电子束光刻工艺是指通过电子束照射对光刻胶进行曝光，制作出微米级别的图形的过程。
电子束光刻工艺具有高分辨率、高精度和高速度等优点，是制造微电子元器件的必要工艺。
5. 金属化工艺金属化工艺是指将金属材料沉积在半导体器件表面形成导电层的过程。
金属化工艺包括：电镀、化学镀、物理气相沉积等。
半导体工艺要点
半导体工艺要点半导体工艺是指将半导体材料加工成电子器件的过程。
半导体工艺的要点主要包括材料选择、晶体生长、制备芯片、刻蚀、镀膜、退火、测试等。
首先，材料选择是半导体工艺的首要要点。
半导体材料主要包括硅、镓、砷和磷等。
在选择材料时，需要考虑材料的电子性能、热传导性能、机械强度等因素。
同时，还需要考虑材料的成本、供应稳定性以及制备工艺的适用性。
其次，晶体生长是半导体工艺的核心步骤之一、晶体生长是指将纯度高的半导体材料通过化学蒸发、溶液淬冷或分子束外延等方法，使其逐渐形成大块晶体。
晶体生长的质量对最终器件性能有很大影响，因此需要控制生长过程中的温度、压力、供气速率等参数。
制备芯片是半导体工艺的关键步骤之一、芯片制备包括晶圆制备、刻蚀、镀膜和退火等步骤。
晶圆制备是将大块晶体切割成薄片，并将其进行多道研磨和抛光，以获得光滑的表面。
刻蚀是通过化学反应或物理方法将芯片上的无关部分去除，形成所需的微细结构。
镀膜是在芯片表面形成一层保护层，以减少杂质和氧化物的影响。
退火是通过加热芯片，使其内部结构恢复稳定，提高电子迁移率和晶粒大小。
半导体工艺中还需要注意的要点是测试和质量控制。
半导体器件通常需要经过多道测试，以确保其性能符合规格要求。
测试包括电性测试、光学测试和可靠性测试等。
同时，在整个工艺过程中，需要建立严格的质量控制体系，确保每个步骤的工艺参数和材料质量都符合标准要求。
只有保持良好的质量控制，才能保证最终的器件性能和可靠性。
总的来说，半导体工艺要点包括材料选择、晶体生长、制备芯片、刻蚀、镀膜、退火、测试和质量控制等。
这些要点需要在整个工艺过程中得到严格控制和实施，以确保最终的器件性能和可靠性。
随着半导体技术的不断发展，半导体工艺也在不断创新和改进，以满足不断提高的性能要求和市场需求。
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请回答以下问题：题目：（1）请回答以下几个概念：【20分】（1）场区、（2）有源区、（3）键合、（4）负载效应、（5）钝化。
题目：（2）集成电路工艺主要分为哪几大部分，每一部分中包括哪些主要工艺、并简述各工艺的主要作用。
【20分】 题目：（3）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理!【15分】题目：（4）在电极形成或布线工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的特性、金属Ti 的相关工艺、以及金属Ti在电路中的作用!【15分】题目：（5）在光刻胶工艺中要进行，软烘，曝光后烘焙和坚膜烘焙，请详细说明这三步工艺的目的和条件。
【15分】题目：（6）请对Si（以一种含有Cl元素的刻蚀气体为例）和SiO2（以一种含有F元素的刻蚀气体为例）刻蚀工艺进行描述，并给出主要的化学反应方程式。
【15分】参考答案：题目一答案:(1) 场区是指一种很厚的氧化层,位于芯片上不做晶体管、电极接触的区域,可以起到隔离晶体管的作用(2) 有源区是指硅片上做有源器件的区域,有源区主要针对MOS而言,只要源极,漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区.(3) 键合是指将芯片表面的铝压点和引线框架上或基座上的电极内端(有时称为柱)进行电连接最常用的方法,常用的键合方法有热压键合、超声键合、热超声键合. (4) 刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度称为刻蚀速率,它通常正比于刻蚀剂的浓度,要刻蚀硅片表面的大面积区域,则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来;如果刻蚀的面积比较小,则刻蚀就会快些.这称为负载效应.(5) 钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态，而延缓金属的腐蚀速度的方法.热生长SiO2的一个主要优点是可以通过束缚硅的悬挂键,从而降低它的表面态密度,这种效果称为表面钝化,它能防止电性能的退化并减少由潮湿、离子或其它外部沾污物引起的漏电流通路.题目二答案:答:集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之，这些操作可分为六大基本类：晶片制造、薄膜制作、刻印、刻蚀、掺杂、封装。
1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 )晶体生长晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。
将石英矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。
采用精炼石英矿而获得的多晶硅，加入少量的电活性“掺杂剂”，如砷、硼、磷或锑，一同放入位于高温炉中融解。
多晶硅块及掺杂剂融化以后，用一根长晶线缆作为籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。
然后，旋转线缆并慢慢拉出，最后，再将其冷却结晶，就形成圆柱状的单晶硅晶棒，即硅棒。
此过程称为“长晶”。
硅棒一般长3英尺，直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。
硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后，即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。
切片/边缘研磨/抛光切片是利用特殊的内圆刀片，将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。
然后，对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗，将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形，去除粗糙的划痕和杂质，就获得近乎完美的硅晶圆。
包裹/运输晶圆制造完成以后，还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。
晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放，并提高生产力。
2.氧化淀积外延淀积在晶圆使用过程中，外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。
现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。
外延层由超纯硅形成，是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。
过去一般是双极工艺需要使用外延层，CMOS技术不使用。
由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用，所以今后可能会在300mm晶圆上更多采用。
化学气相淀积化学气相沉积 (CVD) 是在晶圆表面通过分解气体分子沉积混合物的技术。
CVD会产生很多非等离子热中间物，一个共性的方面是这些中间物或先驱物都是气体。
有很多种CVD技术，如热CVD、等离子CVD、非等离子CVD、大气CVD、LPCVD、HDPCVD、LDPCVD、PECVD等，应用于半导体制造的不同方面。
3.光刻光刻是在晶圆上印制芯片电路图形的工艺，是集成电路制造的最关键步骤，在整个芯片的制造过程中约占据了整体制造成本的35%。
光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
光刻工艺将掩膜图形转移到晶片表面的光刻胶上，首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形成需要的图形。
通常以一个制程所需要经过掩膜数量来表示这个制程的难易。
根据曝光方式不同，光刻可分为接触式、接近式和投影式；根据光刻面数的不同，有单面对准光刻和双面对准光刻；根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。
一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘。
4.刻蚀经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜上去，制造出所需的薄层图案。
刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。
等离子刻蚀是在特定的条件下将反应气体电离形成等离子体，等离子体选择性地从晶圆上除去物质，剩下的物质在晶圆上形成芯片图形。
5.离子注入晶圆衬底是纯硅材料，不导电或导电性极弱。
为了在芯片内具有导电性，必须在晶圆里掺入微量的不纯物质，通常是砷、硼、磷。
掺杂可以在扩散炉中进行，也可以采用离子注入实现。
一些先进的应用都是采用离子注入掺杂的。
离子注入有中电流离子注入、大电流/低能量离子注入、高能量离子注入三种，适于不同的应用需求。
6.热处理利用热能将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。
所施加的能量将增加晶格原子及缺陷在物体内的振动及扩散，使得原子的排列得以重整。
热处理是沉积制造工序后的一个工序，用来改变沉积薄膜的机械性能。
目前，热处理技术主要有两项应用：一个使用超低k绝缘体来提升多孔薄膜的硬度，另一个使用高强度氮化物来增加沉积薄膜的韧性抗张力，以提升器件性能。
在紫外热处理反应器里，等离子增强化学气相沉积薄膜经过光和热的联合作用改变了膜的性能。
高强度氮化薄膜中紫外热处理工艺使连接重排，空间接触更好，产生出了提高器件性能所需的高强度水平。
7.化学机械研磨 CMP推动芯片技术向前发展的关键之一是每个芯片的层数在增加，一个芯片上堆叠的层数越来越多，而各层的平坦不均会增加光刻精细电路图像的困难。
CMP 系统是使用抛光垫和化学研磨剂选择性抛光沉积层使其平坦化。
CMP包括多晶硅金属介质(PMD) 平坦化、层间绝缘膜(ILD) 平坦化和钨平坦化。
CMP是铜镶嵌互连工艺中的关键技术。
8.晶圆检测 Wafer Metrology在芯片制造过程中，为了保证晶圆按照预定的设计要求被加工必须进行大量的检测和量测，包括芯片上线宽度的测量、各层厚度的测量、各层表面形貌测量，以及各个层的一些电子性能的测量。
随着半导体工艺和制造技术的不断发展，这些检测已经成为提高量产和良率的不可缺少的部分。
在铜互连工艺中，由于采用更精细的线宽技术和低k介电材料，需要开发更精密的测试设备和新的测试方法。
检测主要包括三类：光学检测、薄膜检测、关键尺寸扫描电子检测(CD-SEM)。
晶圆检测的一个重要发展趋势是将多种测量方法融合于一个工艺设备中。
9.晶圆检查Wafer Inspection (Particles)在晶圆制造过程中很多步骤需要进行晶圆的污染微粒检查。
如裸晶圆检查、设备监控（利用工艺设备控制沉积到晶圆上的微粒尺寸），以及在CMP、CVD及离子注入之后的检查，通常这样的检查是在晶圆应用之前，或在一个涂光刻胶的层曝光之前，称之为无图形检查。
10.晶圆探针测试（Wafer Probe Test）晶圆探针测试是对制造完成的晶圆上的每个芯片（Die）进行针测，测试时，晶圆被固定在真空吸力的卡盘上，并与很薄的探针电测器对准，细如毛发的探针与芯片的每一个焊接点相接触。
在测试过程中，每一个芯片的电性能和电路机能都被检测到，不合格的晶粒会被标上记号，而后当芯片切割成独立的芯片颗粒时，标有记号的不合格芯片颗粒会被淘汰。
探针检测的相关数据，现在已经可以用来对晶圆制造中的良率提升提供帮助。
14.封装晶圆上的芯片在这里被切割成单个芯片，然后进行封装，这样才能使芯片最终安放在PCB 板上。
这里需要用的设备包括晶圆切割机，粘片机（将芯片封装到引线框架中）、线焊机（负责将芯片和引线框架的连接，如金丝焊和铜丝焊）等。
在引线键合工艺中使用不同类型的引线：金(Au)、铝(Al)、铜(Cu)，每一种材料都有其优点和缺点，通过不同的方法来键合。
随着多层封装乃至3D封装的应用的出现，超薄晶圆的需求也在不断增强。
15.成品检测因为最终的芯片良率不可能达到100%，芯片的检测就变得尤为重要。
如何检测出性能高的芯片，如何快速进行检测，考虑到每片芯片都要进行检测，晶圆厂就必须全盘平衡成本，这催生了检测功能更为强大、成本更为低廉、检测速度更快的新一代检测设备。
题目三答案：答：轻掺杂漏区（LDD）注入用于定义MOS晶体管的源漏区。
这种区域通常被称为源漏扩展区。
注入使LDD杂质位于栅下紧贴沟道区边缘，为源漏区提供杂质浓度梯度。
LDD 在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。
nMOS和pMOS的LDD注入需用两次不同的光刻和注入。
在源漏区浅结形成的同时MOSFET的栅也被注入。
LDD结构用栅作为掩膜中低剂量注入形成（n-或p-注入），随后是大剂量的源漏注入（n+或p+注入）。
源漏注入用栅氧化物侧墙作为掩膜。
如果没有形成LDD，在正常的晶体管工作时会在结和沟道区之间形成高电场。
电子在从源区向漏区移动的过程中（对n沟道器件）将受此高电场加速成为高能电子，它碰撞产生电子—空穴对。
热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱捕获，影响器件的阀值电压控制。
随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大,热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响。
通过分析我们可以看到：LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应：弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极。
增大注入剂量对于提高电流驱动能力有好处,但在剂量达到约 以后,驱动电流的增加就显得困难。
最后我们得出n-区掺杂浓度 附近,注入能量定为30keV时器件性能最佳。
LDD在高浓度源漏区和低浓度沟道区间形成渐变的横向浓度梯度。
LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场。