场效应管习题答案
第四章场效应管基本放大电路
4-1 选择填空
1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。
a. 栅源电流
b. 栅源电压
c. 漏源电流
d. 漏源电压
2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a. 关断
b. 进入恒流区
c. 进入饱和区
d. 可变电阻区3．场效应管的低频跨导g m是________。
a. 常数
b. 不是常数
c. 栅源电压有关
d. 栅源电压无关
4. 场效应管靠__________导电。
a. 一种载流子
b. 两种载流子
c. 电子
d. 空穴
5. 增强型PMOS管的开启电压__________。
a. 大于零
b. 小于零
c. 等于零
d. 或大于零或小于零
6. 增强型NMOS管的开启电压__________。
a. 大于零
b. 小于零
c. 等于零
d. 或大于零或小于零
7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型
b. 耗尽型
c. 结型
d. 增强型和耗尽型
8. 分压式电路中的栅极电阻R G一般阻值很大，目的是__________。
a. 设置合适的静态工作点
b. 减小栅极电流
c. 提高电路的电压放大倍数
d. 提高电路的输入电阻
9. 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m
b. 源极电阻R S
c. 管子跨导g m和源极电阻R S
10. 某场效应管的I DSS为6mA，而I DQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是_______。
a. P沟道结型管
b. N沟道结型管
c. 增强型PMOS管
d. 耗尽型PMOS管
e. 增强型NMOS管
f. 耗尽型NMOS管
解答：
,c 4. a 7. b,c 8. d
4-2 已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源V DD的极性（+、-）、u GS的极性（>0，≥0，<0，≤0,任意）分别填写在表格中。
解：
4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。
解：
(a)不能。
VT是一个N沟道JFET，要求偏置电压U GS满足U GS,off 0，因此不能进行正常放大。
(b)能。
VT是一个P沟道JFET，要求偏置电压U GS满足00，只要在0
（c）能。
VT是一个N沟道MOSFET，要求偏置电压U GS满足U GS> U GS,off>0。电路中U GS>0，如果满足U GS < U GS,off就可以正常放大。
（d）不能。
虽然MOSFET的漏极D和源极S可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然电路中自给偏置电压U GS>0，也可能满足U GS> U GS,off >0。但是D极和衬底B之间的PN结正向导通，因此电路不能进行信号放大。
（e）不能
VT是一个N沟道增强型MOSFET，开启电压U on >0，要求直流偏置电压U GS> U on，电路中U GS=0，因此不能进行正常放大。
（f）能。
VT是一个P沟道耗尽型MOSFET，夹断电压U GS,off>0，放大时要求偏置电压U GS满足U GS< U GS,off。电路中U GS>0，如果满足U GS < U GS,off就可以正常放大。
4-4 电路如题4-4图所示，V DD=24 V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其参数I DSS=，U GS,off=-4V，跨导g m=V。电路参数R G1=200kΩ, R G2=64kΩ, R G=1MΩ, R D= R S= R L=10kΩ。试求：
1．静态工作点。
2．电压放大倍数。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点的计算
在U GS,off≤U GS≤0时，
解上面两个联立方程组，得
漏源电压为
2．电压放大倍数
3．输入电阻和输出电阻。
输入电阻
输出电阻
4-5 电路如题4-5图所示，V DD=18 V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其跨导g m=2mA/V。电路参数R G1=Ω, R G2=51kΩ, R G=10MΩ, R S=2 kΩ, R D=33 kΩ。试求：
1．电压放大倍数。
2．若接上负载电阻R L=100 kΩ,求电压放大倍数。
3．输入电阻和输出电阻。
4．定性说明当源极电阻R S增大时，电压放大倍数、输入电阻、输出电阻是否发生变化如果有变化，如何变化
5. 若源极电阻的旁路电容C S开路，接负载时的电压增益下降到原来的百分之几
解：
1．无负载时，电压放大倍数
2．有负载时，电压放大倍数为
3．输入电阻和输出电阻。
输入电阻
输出电阻
4．N沟道耗尽型FET的跨导定义为
当源极电阻R S增大时，有
所以当源极电阻R S增大时，跨导g m减小，电压增益因此而减小。
输入电阻和输出电阻与源极电阻R S无关，因此其变化对输入电阻和输出电阻没有影响。5．若源极电阻的旁路电容C S开路，接负载R L时的电压增益为
既输出增益下降到原来的20%.
4-6 电路如题4-6图a所示，MOS管的转移特性如题4-6图b所示。试求：
1．电路的静态工作点。
2．电压增益。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点的计算。
根据MOS管的转移特性曲线，可知当U GS=3V时，I DQ=。
此时MOS管的压降为
2．电压增益的计算。
根据MOS管的转移特性曲线，U GS,off=2V；当U GS=4V时，I D=1mA。
根据解得I DSS=1mA。
电压增益
3．输入电阻和输出电阻的计算
输入电阻
输出电阻
4-7 电路参数如题4-7图所示，场效应管的U GS,off=-1V，I DSS=，r ds为无穷大。试求：
1．静态工作点。
2．电压增益A U。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益A U。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
4-8 电路如题4-8图所示。场效应管的g m=2mS，r ds为无穷大，电路中各电容对交流均可视
为短路，试求:
1.电路的电压增益A U。
2．输入电阻和输出电阻。
解：1.电路的电压增益A U。
2．输入电阻r i’和输出电阻r o’
4-9 电路如题4-9图所示。已知V DD=20V，R G=51MΩ，R G1=200kΩ，R G2=200kΩ，R S=22 kΩ, 场效应管的g m=2mS。试求：
1．无自举电容C时，电路的输入电阻。
2．有自举电容C时，电路的输入电阻。
分析：电路中跨接在电阻R G和源极S之间的C称为自举电容，该电容将输出电压信号u o反馈到输入端的栅极G，形成正反馈，提升了电路的输入电阻r i。
关于负反馈电路的分析计算将在第7章详细介绍。
解：
1．无自举电容C时电路输入电阻计算
根据电路可知，输入电阻为
2．有自举电容C时电路的输入电阻计算
此时交流等效电路如图题4-9图a所示。
题4-9图a
根据等效电路图，可知栅极对地的等效电阻为
其中电流
输出电压
当电流i i很小时，
电压放大倍数为
计算结果说明自举电容C使电路的输入电阻提高了。
4-10 电路如题4-10图所示。已知g m=,R G1= R G2=1MΩ, R D=R L=3 kΩ,耦合电容C i=C o=10μF。试求
1．电路的中频增益A U。
2．估算电路的下限截止频率f L。
3．当考虑信号源内阻时，高频增益计算公式。
解：
1．电路的中频增益A U。
2．估算电路的下限截止频率f L
电路低频等效电路如题4-10图a所示。
增益函数
整理得
显然增益函数有两个极点和两个零点和两个极点。
零点分别为
极点分别为
所以下限频率为
3．电路高频等效电路如题4-10图b所示。
高频增益函数为
其中：
R s为信号源内阻。
增益函数的两个极点分别为
通常，所以高频截止频率为，
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应
场效应管及其电路
第4章场效应管及其电路本章要点 ●MOS管的原理、特性和主要参数 ●结型场效应管原理、特性及主要参数 ●场效应管放大电路的组成与原理 本章难点 ●MOS管的原理和转移特性及主要参数 ●场效应管的微变等效电路法 场效应管(FET)是一种电压控制器件，它是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的。它具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点，目前已被广泛应用于各种电子电路中。 场效应管按其结构不同分为结型(JFET)和绝缘栅型(IGFET)两种，其中绝缘栅型场效应管由于其制造工艺简单，便于大规模集成，因此应用更为广泛。 4.1 绝缘栅场效应管(MOSFET) 绝缘栅型场效应管简称MOS管，由于其内部由金属—氧化物—半导体三种材料制成，可分为增强型和耗尽型两大类，每一类中又有N沟道和P沟道之分。下面主要讨论N沟道增强型MOS管的工作原理，其余三种仅做简要介绍。 4.1.1 N沟道增强型场效应管(NMOS管) 1．结构 N沟道增强型MOS管的结构如图4-1(a)所示。它是在一块掺杂浓度较低的P型硅片(称为衬底)上，通过扩散工艺形成两个高掺杂的N+区，通过金属铝引出两个电极分别作为源极S和漏极D，再在半导体表面覆盖一层二氧化硅绝缘层，在源漏极之间的绝缘层上制作一铝电极，作为栅极G，另外从衬底引出衬底引线B(工作时通常与源极S接在一起)。在两个N+区之间的半导体区，是载流子从源极S流向漏极D的通道，把它称为导电沟道。由于栅极与导电沟道之间被二氧化硅所绝缘，故将此类场效应管称为绝缘栅型。 图4-1(b)是N沟道增强型MOS管的符号，其中箭头方向是由P(衬底)指向N(沟道)， 由此可判断沟道类型。符号中的三条断续线表示 GS 0 = U不存在导电沟道，它是判断增强型MOS管的特殊标志。
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
P沟道场效应管大全
AO P沟道场效应管系列: AO3401,3401 AO SOT-23 P场 -30V -4.2A AO3403L,AO3403,3403 AO SOT-23 P场 -30V -2.6A AO3407,3407 AO SOT-23 P场 -30V -4.1A AO3409,3409 AO SOT-23 P场 -30V -2.6A AO3413L,AO3413,3413 AO SOT-23 P场 -20V -3A AO3415,3415 AO SOT-23 P场 -20V -4A AO3419,3419 AO SOT-23 P场 -20V -3.5A AO4401,4401 AO SOP-8 P场 -30V -6.1A AO4403,4403 AO SOP-8 P场 -30V -6.1A AO4405,4405 AO SOP-8 P场 -30V -6A AO4407,4407 AO SOP-8 P场 -30V -12A AO4411,4411 AO SOP-8 P场 -30V -8A AO4413,4413 AO SOP-8 P场 -30V -15A AO4415,4415 AO SOP-8 P场 -30V -8A AO4419,4419 AO SOP-8 P场 -30V -9.7A AO4423L,AO4423,4423 AO SOP-8 P场 -30V -15A AO4425,4425 AO SOP-8 P场 -38V -14A AO4429,4429 AO SOP-8 P场 -30V -15A AO4433L,AO4433,4433 AO SOP-8 P场 -30V -11A AO4437,4437 AO SOP-8 P场 -12V -11A AO4701L,AO4701,4701 AO SOP-8 P场 -30V -5A
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两
个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极
常用场效应管参数.doc
常用场效应管参数
常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38) 转载 标签：分类：电气知识 mos（和谐社会） 场效应管 开关管 型号 参数 封装 it 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220
MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
场效应管参数用途大全解析
型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5
常用场效应管(25N120等)参数及 代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460
常用场效应管参数表
（IRF系列） 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3
IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA
常用场效应管型号及参数表
常用场效应管型号及参数表（三） 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF
场效应管参数大全
40 45 50-100m 600m 4-35 -10m 200m 4-1 -10m 200m 4-1 0.5m 10m 4-47 -5 63 4-45 -100m 800m 4-41 -10 100 4-42 0.5m 50m 4-48 -10m .15/CH 4-81 -10m 300m 4-151 20m 250m 4-80A -10m 400m 4-53A -10m 400m 4-53A -7 100 4-28A -7 100 4-28A -7 100 4-28A -7 100 4-28A -7 100 4-28A -7 100 4-28A -10m 800m 4-97A -8 125 4-28A -8 125 4-28A -8 125 4-28A -10m 300m 4-79A -10m 300m 4-79A -10m 800m 4-97A -10m 600m 4-74A -10m 0.6/CH 4-98 -10m 400m 4-90 -10m 0.4/CH 4-99 -500m 30 4-116A -500m 30 4-116A -500m 30 4-116A -500m 30 4-116A -500m 30 4-116A -500m 30 4-116A 39 2SJ81日立LF PA MOS P -120 -7 100 4-117A 2SJ82日立LF PA MOS P -140 -7 100 4-117A 41 2SJ83日立LF PA MOS P -160 -7 100 4-117A 42 2SJ84松下LF A J P 15 -10m 200m 4-105A 43 2SJ85日立LF PA MOS P 44 2SJ86日立LF PA MOS P 2SJ87日立LF PA MOS P 46 2SJ90东芝LF LN A J P 30 -10m 0.2/CH 4-75 47 2SJ91东芝LF PA MOS P -140 -8 120 4-118 48 2SJ92东芝LF PA MOS P -140 -7 100 4-119 49 2SJ96日立LF/HF PA, H MOS P -60 -8 100 4-117A 2SJ99日立LF/HF PA, H MOS P -140 -8 100 4-117B 51 2SJ100日立LF/HF PA, H MOS P -160 -8 100 4-117B