(完整版)半导体器件基础测试题
第1章测试题第1章半导体基础
第1章半导体基础 测试题 班级 学号 姓名第一题 单项选择题（每题2分）1．要形成N 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）三价硼元素 （D ）五价磷元素2．场效应管是（ ）控制器件。
（A ）电流 （B ）电压 （C ）电磁 （D ）电场3．要形成P 型半导体，可以在本征半导体中加入（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）五价磷元素 （D ）三价硼元素4．某三极管的I E =1mA ，I B =20μA ，则I C =（ ）。
（A ）0.98 mA （B ）1.02 mA （C ）0.8 mA （D ）1.2 mA5．在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（ ）。
（A ）掺杂工艺 （B ）杂质浓度 （C ）温度 （D ）晶体缺陷6．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
（A ）杂质浓度 （B ）温度 （C ）掺杂工艺 （D ）电压7．二极管的电流方程是（ ）。
（A ）u S e I （B ）T U u S e I / （C ）)1(/-T U u S e I （D ）)1(/T U u S e I -8．半导体中的载流子为（ ）。
（A ）电子 （B ）空穴 （C ）正离子 （D ）电子和空穴9．PN 结外加正向电压时，其空间电荷区将（ ）。
（A ）变窄 （B ）基本不变 （C ）变宽 （D ）视掺杂浓度而定10．当绝对温度零度时，本征半导体的导电能力（ ）。
（A ）相同金属 （B ）相同绝缘体 （C ）相同室温下的半导体 （D ）视制作材料而定11．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）。
（A ）稳压二极管与负载电阻串联 （B ）稳压二极管与负载电阻并联。
（C ）限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联 （D ）以上都可以12．与双极型晶体管相比，场效应管不具有的特点是（ ）。
（A ）放大作用大 （B ）输入阻抗高 （C ）抗辐射能力强 （D ）功耗小13．下列对场效应管的描述中，不正确的是（ ）。
半导体器件试题
半导体器件试题第一章半导体器件一、是非题1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（） 4．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。
（） 5．当外加电压为0时，PN结的电容最小。
（）6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。
（）7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。
（）8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（）9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。
（）10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。
（） 11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（） 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。
（） 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为19.4V，则二极管处于零偏。
（） 15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。
（）16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。
（）17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。
（）18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（）19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。
（） 20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 22、三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。
半导体基础知识单选题100道及答案解析
半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于（）之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案：A解析：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有（）。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案：A解析：硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质，其导电能力（）。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案：C解析：掺入杂质会增加载流子浓度，从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括（）。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案：C解析：半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：B解析：P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是（）。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案：A解析：N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时，会形成（）。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案：A解析：电压作用下，半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而（）。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B解析：温度升高，载流子浓度增加，电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是（）。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案：A解析：二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是（）。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案：A解析：三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是（）控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是（）。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案：D解析：光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
半导体器件试题
第八章 半导体器件 一、单项选择题1、当 温 度 升 高 时，半 导 体 的 导 电 能 力 将（ ）。
(a) 增 强 (b) 减 弱 (c) 不 变2、电 路 如 图 所 示， 输 入信 号u i = 6sin ωt V 时， 二 极 管D 承 受 的 最 高 反 向 电 压 为（ ）。
(a) 3 V (b) 6 V (c) 9 V5k Ωu O3、整 流 电 路 如 图 所 示，已 知输 出电 压 平 均 值 U O 是18 V ， 则 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 是（ ）。
(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V(d) 12.7 Vu O+-4、在电 感 电 容 滤 波 电 路 中，欲使滤波 效 果 好， 则 要 求（ ）。
(a) 电 感 大 (b) 电 感 小 (c) 电 感 为 任 意 值5、已 知 某 晶 体 管 的 I CEO 为 200μA ， 当 基 极 电 流 为 20μA 时， 集 电 极 电 流 为1mA ，则 该 管 的 I CBO 约 等 于 （ ）。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5μA (d) 20μA 6、二 极 管 接 在 电 路 中， 若 测 得 a 、b 两 端 电 位 如 图 所 示，则 二 极 管 工 作 状 态 为（ ）。
(a) 导 通 (b) 截 止 (c) 击 穿-6.3V D7、整 流 电 路 如 图 所 示，输 出电 流 平 均 值I O mA =50，则 流 过 二 极 管的 电 流 平 均 值I D 是（ ）。
(a)I D =50 mA(b)I D =25 mA(c)I D=12.5 mA~u O8、整 流 滤 波 电 路 如 图 所 示， 二 极 管 的 导 通 角 （ ）。
(a) 等 于180︒(b) 小 于 180︒(c) 大 于 180︒～Du O+-9、电 路 如 图 1 所 示， 二 极 管 D 为 理 想 元 件，U u =3V,i =6sin ωt V ， 则 输 出 电 压 u O 的 波 形 为 图2 中（ ）。
半导体器件基础测试题
半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件期末考试试题
半导体器件期末考试试题# 半导体器件期末考试试题## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，这是因为： - A. 温度影响- B. 掺杂效应- C. 晶格结构- D. 电子空穴对2. PN结形成后，其两侧的电势差是：- A. 正值- B. 负值- C. 零- D. 无法确定3. 下列哪个不是半导体器件的特性参数：- A. 载流子浓度- B. 迁移率- C. 击穿电压- D. 频率响应4. MOSFET的全称是：- A. 金属-氧化物-半导体场效应晶体管- B. 金属-半导体-氧化物场效应晶体管- C. 金属-氧化物-半导体二极管- D. 金属-氧化物-半导体变容二极管5. 以下哪个是半导体器件的制造工艺：- A. 光刻- B. 焊接- C. 铸造- D. 热处理## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述PN结的工作原理及其在半导体器件中的应用。
2. 描述MOSFET的工作原理，并说明其在集成电路设计中的重要性。
3. 解释半导体材料的掺杂过程，并举例说明掺杂对半导体器件性能的影响。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设一个N型半导体的掺杂浓度为\[10^{15}\] cm\[^{-3}\]，计算其在室温下的电子浓度。
假设电子的亲和力为0.7eV。
2. 给定一个PN结，其正向偏置电压为0.7V，反向击穿电压为100V。
若PN结处于反向偏置状态，计算其反向偏置电压为50V时的耗尽区宽度。
假设耗尽区宽度与电压的关系为线性。
## 四、论述题（共30分）1. 论述半导体器件在现代电子技术中的重要性，并展望其在未来技术发展中的潜在应用。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能根据教学大纲和课程内容有所不同。
考生应根据所学知识和理解，认真作答。
半导体物理基础与器件原理考核试卷
4. 二极管的主要参数包括正向电压和________。
答案：
5. 晶体管的工作状态包括________、饱和和截止。
答案：
6. 场效应晶体管（FET）的输入阻抗比双极型晶体管（BJT）的输入阻抗________。
答案：
7. LED的发光颜色取决于其材料的________。
答案：
8. 太阳能电池的转换效率受到________、材料类型和环境温度等因素的影响。
3. BJT基于电子和空穴的复合与扩散，FET基于电场控制载流子流动。BJT适用于模拟放大，FET适用于数字开关和模拟放大，FET输入阻抗高，开关速度快。
4. 太阳能电池通过光生伏特效应将光能转换为电能。效率受材料类型、表面纹理、环境温度影响。提高效率可通过优化材料、设计表面纹理、使用太阳能跟踪系统等。
11. BD
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. ABCD
16. ABCD
17. ABC
18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1. 本征
2. 掺杂浓度、温度
3. 反向；正向
4. 反向饱和电流
5. 放大
6. 高
7. 禁带宽度
8. 材料类型、结构设计
9. 光刻胶
10. 与
A. FET有一个栅极，BJT没有
B. BJT有一个基极，FET没有
C. FET的源极和漏极可以互换，BJT不行
D. BJT使用PN结，FET使用金属-半导体结
13. 在MOSFET中，当栅极电压低于阈值电压时，器件处于（ ）状态。
A. 导通
B. 截止
C. 饱和
D. 反向导通
半导体材料性质与器件制造基础考核试卷
1.在N型半导体中，主要载流子是空穴。（）
2. PN结在反向偏压下，扩散层会变宽。（）
3.三极管的放大作用主要发生在基区。（）
4.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的控制方式相同。（）
5.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻胶的曝光量越多。（）
6.半导体器件的掺杂工艺是为了改变其电阻率。（）
7.集成电路的制造过程中，每一层都需要进行光刻。（）
8.硅太阳能电池的工作原理基于热电效应。（）
9.在集成电路设计中，布线是设计过程中的最后一步。（）
10.半导体器件的失效通常是由于过电压引起的。（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请简述半导体材料的基本性质，并说明这些性质如何影响半导体器件的性能。
D.制备金属电极
15.以下哪种材料常用作半导体器件的绝缘层？（）
A.硅
B.氧化硅
C.硼
D.砷化镓
16.在半导体器件中，金属化的作用是（）
A.提供载流子
B.提供电接触
C.提高热导率
D.提高机械强度
17.以下哪种器件主要用于放大信号？（）
A.二极管
B.三极管
C.电阻
D.电容
18.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要区别在于（）
12.光刻工艺中，光源波长对光刻分辨率的影响是（）
A.波长越短，分辨率越高
B.波长越长，分辨率越高
C.波长与分辨率无关
D.波长取决于分辨率
13.以下哪种掺杂元素主要用于制作N型半导体器件？（）
A.硼
B.磷
C.砷
D.锗
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第一章半导体器件基础测试题（高三）
姓名班次分数
一、选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；
B、空穴；
C、三价元素；
D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；
B、杂质的浓度：
C、温度；
D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；
B、发射结正偏、集电结正偏；
C、发射结反偏、集电结正偏；
D、发射结反偏、集电结反偏；
6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；
B、—6V；
C、+6V；
D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；
B、锗管使用在反向击穿区；
C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；
D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；
D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；
9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；
B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；
C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；
D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
10、稳压二极管在电路中的接法，正确的说法是。
A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极；
B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极；
C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位，负极接电源的
低电位。
D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的
高电位。
11、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时，会引起输出电压的变化，则
下列四种变化中正确的是。
A、U I↑→U0↑→I W↑→I R↑→U R↑→U0↓；
B、U I↑→U0↑→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓；
C、U I↑→U0↓→I W↓→I R↑→U R↑→U0↓；
D、U I↑→U0↓→I W↓→I R↓→U R↓→U0↓。
12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是。
A、三极管具有电压放大作用；
B、三极管具有功率放大作用；
C、三极管具有电流放大作用；
D、三极管具有能量放大作用。
13、对于二极管来说，下列说法中错误的是。
A、二极管具有单向导电性；
B、二极管同样具有放大作用；
C、二极管具有箝位功能；
D、二极管具有开关等功能。
14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是。
A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系；
B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；
C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系；
D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系；
15、下图中两只二极管的导通状态是。
A、D1、D2导通；
B、D1、D2截止；
C、D1导通、D2截止；
D、D1截止、D2导通。
16、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -15V；
D、U AO= -12V。
17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=15V；
B、U AO=12V；
C、U AO= -12V；
D、U AO= 0V。
18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是。
A、U AO=6V；
B、U AO= –6V；
C、U AO= -12V；
D、U AO=12V。
19、金属导体的电阻率随温度升高而，半导体的导电能力随温度的升高而。
A、升高/升高；
B、降低/降低；
C、升高/降低；
D、降低/升高。
20、下列是PN结两端的电位值，使PN结导通的是。
A、P端接+5V，N端通过一电阻接+7V；
B、N端接+2V，P端通过一电阻接+7V；
C、P端接─3V，N端通过一电阻接+7V；
D、P端接+1V，N端通过一电阻接+6V。
21、电路如图所示，R=1KΩ，设二管导通时的管压降为0.5V，则电压表的读数是。
A、0.5V；
B、15V；
C、3V；
D、以上答案都不对。
22、如图所示，设输入信号u i为正弦波，幅值为1V，二极管导通时正向电压降为0.6V，关于输出信号u0波形的说法，正确的是。
A、输出电压值的范围介于-0.6V — +0.6V之间；
B、输出电压值的范围介于-0V — +0.6V之间；
C、输出电压值的范围介于-0.6V — 0V之间；
D、输出电压值的范围介于0V — 1V之间。
23、对于3AG11C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
24、对于3DD80C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管；
25、对于3DG12C三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
26、对于3AD30B三极管的型号，下列说法正确的是。
A、锗管PNP型高频小功率晶体管；
B、锗管PNP型低频大功率晶体管；
C、硅管NPN型高频小功率晶体管；
D、硅管NPN型低频大功率晶体管
27、场效应管属于控制型器件，晶体三极管则属于控制器件。
A、电压/电流；
B、电流/电压；
C、电压/电压；
D、电流/电流
28、电路其如图所示，D为理想二极管，则u0为。
A、3V；
B、6V；
C、-3V；
D、-6V。
29、电路如下图所示，已知Rb=10KΩ，Rc=1KΩ，Ec=10V，
晶体管的β=50，Ube=0.7V，当Ui=0V时，
三极管处于。
A、截止状态；
B、放大状态；
C、饱和状态；
D、击穿状态。
二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（）
（6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（）
三、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求下图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
五、作图分析题
1、电路如图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
2、电路如图（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。