清洗工艺
清洗工艺流程标准
清洗工艺流程标准清洗工艺流程标准是指在工业生产中对物品进行清洗时的一套操作规范和流程要求。
清洗工艺流程标准的制定可以提高清洗效率、减少清洗成本、保证清洗质量，对于确保产品质量具有重要的作用。
清洗工艺流程标准一般包括以下环节：1.准备工作：包括对清洗设备、清洗剂和工具进行检查和维护，确保其正常运行和清洗效果。
2.预清洗：将待清洗的物品进行初步清洗，去除表面的大颗粒或沉积物，减少对清洗装置的损耗。
3.主清洗：根据物品的特性和需求，选择合适的清洗剂和清洗方法，进行彻底的清洗。
清洗剂的选择要考虑其对物品的材质和表面的损伤程度。
清洗方法可以包括浸泡、喷洗、刷洗等。
4.冲洗：对清洗后的物品进行充分冲洗，将残留的清洗剂和污染物彻底冲洗干净。
冲洗水的质量要求高，不能再带有清洗剂或污染物，否则会影响清洗质量。
5.烘干：将清洗后的物品进行烘干，除去表面的水分。
烘干方式可以有自然风干、加热风干等。
烘干温度和时间的控制要根据物品的特性和烘干设备的性能进行合理设置。
6.质量检验：对清洗后的物品进行质量检验，确保其达到清洗要求和标准。
质量检验可以包括目视检查、物理性能测试、化学分析等。
7.包装：对清洗合格的物品进行包装，保证其在运输和储存过程中不再受到污染。
清洗工艺流程标准的制定要根据具体的工艺要求和物品特性进行调整和优化。
同时，清洗过程中要注意相关的环境保护和安全措施。
清洗剂要选择环境友好、无毒无害的产品，减少对环境和人员的危害。
工作人员要正确使用和保护清洗设备，确保操作的安全和效果。
总之，清洗工艺流程标准的制定是对清洗过程中各个环节的规范和要求，可以确保清洗质量和效率，保证产品的质量，同时也保护了环境和人员的安全和健康。
清洗工艺流程标准的执行从根本上提高了清洗工艺的水平，对于促进工业生产的发展和提高企业形象具有重要的作用。
清洗工艺工艺规程
除掉钼杆表面的杂质，获得清洁的钼杆。
二、材料、设备：
1、材料：成型的圆钼杆和扁钼丝；
2、设备：容器：烧杯、量筒、烤箱、玻璃棒、天平。
三、工艺流程：
1、用洗衣粉清洗，然后用清水冲洗5-6次；
2、用钼杆洗液浸泡30-40s，然后用清水冲洗5-6次；
3、用铬酸溶液浸泡1-2分钟，然后用清水冲洗5-6次；
4、用去离子水冲洗5-6次；
5、用酒精脱水，放入烤箱烘干。
四、工艺要求：
1、钼杆表面清洁、光亮、无杂质；
2、清洗好的钼杆不能有弯曲变形。
3、未经允许不得改换溶液和比例。
五、溶液配比：
溶液名称
配比方法
钼杆洗液
硝酸100ml、硫酸100vml（先加入硝酸，再加入硫酸，用玻璃棒搅拌混合均匀。）
铬酸溶液ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
水：三氧化铬：硫酸=40ml:1.8g:0.5ml(先加水，再加三氧化铬,最后加硫酸，用玻璃棒搅拌混合均匀.)
清洗工艺介绍
清洗工艺介绍扩散部陈永南清洗概论半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。
为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。
清洗的基本原理讲清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表1。
1去除颗粒和玷污的机理颗粒粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。
在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2所示，其中H2SO4最高，HF最低。
对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：1.溶解2.氧化分解3.对硅片表面轻微的腐蚀去除4.粒子和硅片表面的电排斥SC-1液具有上述2，4项的功能，H2O2在硅的表面有氧化作用，NH4OH中的OH-能提供给硅表面和粒子负电荷。
粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
SC-1 NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃10minSC-2 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃10minPM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃10minPSL：聚苯乙烯橡胶小球有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
清洗工艺流程
清洗工艺流程清洗工艺流程是指将需要清洗的物品进行深度清洗的全过程。
下面是清洗工艺流程的一般步骤及详细说明。
1. 资源准备：准备清洗所需的设备和材料，如清洗机、清洗剂、清水等。
确保设备完好、水源充足，并根据需要调制出合适的清洗剂。
2. 表面去污：将需要清洗的物品表面的杂质、污垢等进行初步处理。
可以使用刷子、喷枪等工具，将物品表面的大颗粒污垢和油污等进行清理。
3. 杂质筛选：将物品放入筛网中，并通过水流冲刷去除表面的细小杂质，如沙粒、微小异物等。
同时，可以通过振动筛将颗粒状杂质从物品中筛选出来。
4. 清洗剂浸泡：将物品浸泡在清洗剂中，保持一定的时间，使其与清洗剂充分接触。
可以根据物品的材质和污垢情况选择合适的清洗剂，如碱性清洗剂、酸性清洗剂等。
5. 清洗剂冲洗：将清洗剂从物品表面冲洗干净，可使用清洗机或者手动清洗。
清洗剂的冲洗时间和冲洗水量应根据物品的大小和具体情况进行调整。
6. 次级清洗：对于较为复杂的物品，可以进行次级清洗。
次级清洗可以使用不同的清洗剂和工艺，如超声波清洗、喷砂清洗等，以达到更好的清洁效果。
7. 除尘除水：将物品从清洗剂中取出，并通过自然沥水或使用吹风机等工具，将物品表面的水分和残留的污垢等除去，保持物品的干燥和清洁。
8. 检查和测试：对清洗后的物品进行检查和测试，确保其达到清洗要求。
如清洗电子元器件，可以通过测试仪器测试其电性能；如清洗精密仪器，可以进行外观检查和功能测试等。
9. 包装和贮存：将清洗完毕的物品进行包装，并妥善贮存。
对于需要长时间贮存的物品，可以采取防潮、防尘等措施，保证物品在贮存期间不腐蚀、受损等。
10. 清洁设备及环境：对清洗设备进行清洁和维护，保证其正常运行和使用寿命。
同时，对清洗工作区域进行清洁和消毒，确保工作环境的良好卫生。
以上是一般的清洗工艺流程，流程中的每个步骤都需要严格执行，以确保清洗效果和物品的安全性。
实际的清洗工艺流程还需要根据具体的清洗对象、清洗要求和工作环境等因素进行调整和优化。
清洗的工艺流程
清洗的工艺流程
《清洗工艺流程》
清洗是指将物品、设备或场所中的污垢、杂质、油渍等去除的过程。
清洗工艺流程是指按照一定的步骤和方法进行清洗的具体操作流程。
下面是一个一般清洗工艺流程的示例：
1. 准备工作：首先需要做好清洗前的准备工作，包括清洗设备、工具的准备，清洗剂的准备以及工作环境的准备。
2. 预处理：将待清洗物品进行预处理，包括除去粗大杂质、浸泡、蒸汽清洗等。
预处理是为了将污垢软化、松动，从而便于清洗剂的渗透和清洗。
3. 涂抹清洗剂：根据待清洗物品的不同材质和污垢程度，选择合适的清洗剂进行涂抹。
清洗剂可以根据需要选择强碱性、强酸性或中性的清洗剂。
4. 机械清洗：对于一些较难清洗的物品，可以采用机械清洗的方式，例如使用高压水枪清洗、喷淋清洗、超声波清洗等。
5. 冲洗：清洗完毕后，需要使用清水对待清洗物品进行彻底的冲洗，以去除残留的清洗剂和污垢。
6. 消毒：对于需要消毒的物品，还需要进行消毒处理，确保清洗后的物品符合卫生标准。
7. 干燥：最后需要将清洗完毕的物品进行干燥处理，可以通过晾晒、烘干或者使用吹风机进行干燥。
以上就是一个一般清洗工艺流程的示例。
实际操作中，不同的清洗对象和不同的清洗要求会有不同的清洗工艺流程，但总体上可以通过以上步骤来进行清洗工作。
清洗工艺流程的完善和规范将有助于提高清洗效率和清洗质量，保障清洗操作的安全和卫生。
化学清洗之清洗工艺
化学清洗之清洗工艺化学清洗的清洗工艺分为循环清洗、开路清洗和不停运清洗三部分下面来简单介绍下：一.清洗工艺循环清洗循环清洗是利用两条原有的平行排灰管线组成回路，与清洗泵站形成循环系统，加入一定浓度的酸洗液，在灰水管道中循环流动清洗，并在酸度下降至一定程度时，不断补充酸液。
对于短距离的单条灰水管道，若条件许可，可铺设一条临时管道与其构成循环回路清洗。
该工艺需在停运状态下进行，且工艺复杂，成本较高。
二。
.开路清洗在清洗时不能有两条灰管形成回路，只能采用单条灰管开路清洗。
方法是将灰管一端与清洗装置连接，在配液罐中连续配制一定浓度的酸洗液，连续或间歇地注入灰管中。
此工艺需在停运状态下增加清洗设备，成本较高。
三.不停运清洗该工艺是在灰管正常输灰不停运的状态下，连续注入一定量的酸液，同时注入一定量的输灰管运行清洗缓蚀剂和管道清剥离剂，开路清洗。
清洗助剂的主要作用是在一定浓度及流速的酸液中，促进酸液与灰垢的反应，同时增加二氧化碳在水中的溶解度，减少气阻的产生，保证灰管的清洗质量。
操作方法是：清洗前，先按管道中总垢量估算出所需的酸量，再根据灰水流量及酸度计算出加酸速度及输灰管运行清洗缓蚀剂和管道清剥离剂的加入流速。
清洗时，在灰管前端取样点每隔30 min取样测试酸度，并通过加酸的流量调节来严格控制酸度。
清洗后期，在灰管末端每隔15 min取样测试pH值，当pH值达到一定数值并保持30 min不变时，可判定清洗结束。
此种工艺方法具有如下特点：(1)不增加清洗设备（直接在灰水池加药），清洗系统简单。
(2)酸利用率高。
由于不停机清洗，一般输灰管道内压力较大，酸与垢反应生成大量CO2气体，当输灰管线距离较长时，在这个体系中，参加清洗反应除酸外的物质有：气体CO2、溶解于水中的二氧化碳（CO2）、碳酸（H2CO3）、碳酸氢根离子（HCO3-）、碳酸根（CO32-）、灰垢（CaCO3）、活性氧化钙（CaO）组成的反应体系，并存在这样一个反应平衡：CO2（气）CO2（液）K=10-1.5CO2（液）+H2O H2CO3 Km=10-2.8在输灰管道清洗过程中,由于酸性灰浆液在管道中流动时间长,灰浆液中二氧化碳量相当多,从量值关系上看：CO2(气)>>CO2(液)>>H2CO3，这样为反应：CaCO3+H2CO3=Ca(HCO3)2提供有利条件,从而提高酸的利用率。
零件清洗工艺操作规程
零件清洗工艺操作规程1. 引言零件清洗是现代工业生产中的重要环节之一，通过清洗零件可以去除表面的污染物，保证零件的质量，并确保零件在后续加工过程中的稳定性和可靠性。
本文档将详细介绍零件清洗的工艺操作规程，以确保清洗工作的高效和安全。
2. 工艺流程2.1 准备工作在开始清洗操作之前，需要进行以下准备工作：•确定清洗零件的种类和数量。
•检查清洗设备的工作状态，确保设备良好运行。
•准备清洗液和辅助工具。
2.2 清洗设备操作1.打开清洗设备的电源，确保设备运行正常。
2.根据清洗零件的尺寸和数量，调整清洗设备的参数，如清洗液的温度、喷洗压力等。
3.将待清洗的零件放入清洗篮中，并将清洗篮放入清洗设备中。
4.打开清洗设备的喷洗系统，开始清洗零件。
根据需要，可以设置清洗时间和循环次数。
5.在清洗过程中，监控清洗设备的运行情况，确保设备正常工作。
6.清洗完成后，关闭清洗设备的喷洗系统，并等待一段时间以让零件自然沥干。
2.3 清洗液更换和维护1.定期检查清洗液的浓度和污染程度，根据需要及时更换清洗液。
2.清洗液更换时，先关闭清洗设备的电源，并将清洗液放入废液桶中。
注意将废液正确处理，遵守环保要求。
3.清洗设备内部的过滤器也需要定期清洗和更换，以保证清洗液的纯净度。
2.4 安全注意事项在进行零件清洗操作时，需要注意以下安全事项：•戴上适当的防护手套和眼镜，以防止清洗液溅到皮肤和眼睛。
•清洗设备操作时，不得将手伸入设备内部。
•清洗设备周围要保持干燥和整洁，防止滑倒和意外触电。
•清洗设备故障时，应立即关闭设备并通知维修人员进行检修。
3. 结束语本文档详细介绍了零件清洗的工艺操作规程，通过遵循这些规程，可以保证清洗工作的高效和安全。
在进行零件清洗操作时，操作人员应严格遵守操作规范，并注意安全事项，以避免潜在的危险发生。
只有通过规范的操作，我们才能确保零件在清洗过程中得到充分的清洁，从而带来更好的加工质量和产品可靠性。
清洗剂工艺流程
清洗剂工艺流程清洗剂工艺流程是指在工业生产中对产品或设备进行清洗的一系列步骤和流程。
清洗剂工艺流程的目的是去除产品表面的污垢、油脂、铁锈、氧化物等杂质，确保产品质量和生产效率。
本文将详细描述清洗剂工艺流程的步骤和流程。
1. 准备工作在进行清洗剂工艺流程之前，需要进行一些准备工作，包括准备清洗设备、清洗剂和个人防护装备。
清洗设备可以是清洗槽、喷淋设备、超声波清洗器等。
清洗剂的选择应根据被清洗物的性质和污垢的种类来确定。
个人防护装备包括手套、护目镜、口罩等，以确保操作人员的安全。
2. 清洗前的准备在进行清洗之前，需要对被清洗物进行一些准备工作，包括拆卸、分解或固定。
这样可以将清洗剂更好地接触到被清洗物的表面，提高清洗效果。
同时，还需要对被清洗物进行初步的清洁，去除表面可见的污垢。
3. 清洗剂的配制根据被清洗物的性质和污垢的种类，选择合适的清洗剂，并按照一定的比例将清洗剂与水混合配制。
清洗剂的选择应根据清洗剂的溶解性、表面活性剂含量、腐蚀性等因素来确定。
4. 清洗剂的预热将配制好的清洗剂加热至一定温度，通常在40-60摄氏度之间。
预热清洗剂可以提高清洗效果，加快污垢的溶解和去除速度。
5. 清洗剂的循环将预热好的清洗剂通过清洗设备循环使用。
循环清洗剂可以提高清洗效率，减少清洗剂的消耗。
同时，还可以通过调节清洗剂的流速和喷淋压力来适应不同的清洗需求。
6. 清洗剂的喷淋或浸泡根据被清洗物的尺寸和形状，选择喷淋或浸泡的方式进行清洗。
喷淋适用于平面或较大尺寸的被清洗物，可以通过喷淋头将清洗剂均匀地喷洒到被清洗物的表面。
浸泡适用于小尺寸或复杂形状的被清洗物，将被清洗物浸泡在清洗剂中一段时间，使清洗剂充分接触到被清洗物的表面。
7. 清洗剂的超声波清洗对于一些细小孔隙或难以清洗的部位，可以使用超声波清洗器进行清洗。
超声波清洗器通过高频振动产生的微小气泡破裂的冲击力来清洁被清洗物的表面。
8. 清洗剂的冲洗在清洗完成后，需要对被清洗物进行冲洗，将清洗剂和污垢彻底冲洗掉。
清洗工艺概述
预处理
去除表面污渍
使用物理或化学方法去除 物品表面的污渍、油渍和 其他杂质，为后续清洗步 骤做准备。
分类处理
根据物品的材质、颜色、 大小等因素进行分类，以 便采用不同的清洗方法和 程序。
检查与记录
检查物品是否有破损、腐 蚀、锈迹等情况，并记录 在案，以便后续处理。
主清洗
选择清洗剂
根据清洗物品的材质和污渍类型 选择合适的清洗剂，确保清洗效
果和安全性。
清洗方法
采用浸泡、擦洗、喷淋等方法对物 品进行清洗，去除污渍和杂质。
清洗温度
根据清洗剂和物品的特性，选择适 当的清洗温度，以提高清洗效果。
后处理
漂洗
用清水冲洗清洗物品，去除残留的清洗剂和污渍。
干燥
采用自然晾干、风干、烘干等方法，使物品干燥， 避免生锈或霉变。
整理与包装
根据需要整理物品形状，并进行包装，以便储存 和运输。
清洗效果的评估
目视检查
客户反馈
通过肉眼观察清洗物品表面的光洁度、 色泽等指标，初步评估清洗效果。
收集客户对清洗效果的反馈意见，不 断改进和优化清洗工艺流程。
仪器检测
使用专业仪器对清洗物品进行检测， 如表面粗糙度、残留物等指标，以客 观评估清洗效果。
03 清洗工艺的应用
工业清洗
清洗类型
包括机械清洗、化学清洗和超声波清洗等。
感谢您的观看
清洗的重要性
01
02
03
卫生保障
清洗可以去除细菌、病毒、 微生物等有害物质，保障 人类健康。
产品质量
清洗可以去除杂质、尘埃 等，提高产品的质量和外 观。
设备运行
清洗可以去除设备表面的 污垢和积垢，保证设备的 正常运行和效率。
零件清洗工艺规范
零件清洗工艺规范
1、目的和范围
1.1凡公司和外协加工的所有零件。
1.2需要清洗的标准件、外购件。
2、基本要求
2.1清洗前检查零件是否有毛刺、氧化皮、焊渣、铁豆等，如有应清除干净。
2.2零件的盲孔内不得有铁屑及其他异物。
2.3清洗液选用三氯乙烯。
3、清洗步骤
3.1小零件放于超声波机内清洗。
3.2倒入适量三氯乙烯对零部件进行浸泡3分钟后倒掉残液；清洗次数不低于2次，直至干净无油污，油脂。
3.3大零件如长翅片管将一段封闭，另一端倒入三氯乙烯浸泡保持3分钟后，将残液倒出；清洗次数不低于2次，直至干净无油污，油脂。
3.4所有零部件清洗干净后置放于洁净的专用场地内。
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清洗工艺介绍
清洗概论
半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。
为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。
清洗的基本原理
讲清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表1。
1去除颗粒和玷污的机理
颗粒粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。
在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2所示，其
中H
2SO
4
最高，HF最低。
对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般
粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
静电力或范德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：
1.溶解
2.氧化分解
3.对硅片表面轻微的腐蚀去除
4.粒子和硅片表面的电排斥
SC-1液具有上述2，4项的功能，H
2O
2
在硅的表面有氧化作用，NH
4
OH中的OH-能提供给硅
表面和粒子负电荷。
粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
SC-1 NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃ 10min
SC-2 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃ 10min
PM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃ 10min
PSL：聚苯乙烯橡胶小球
有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
金属沾污
金属沾污的来源可以是化学试剂和离子注入、反应离子刻蚀等工艺中引入，金属沾污回影响器件性能，在界面形成缺陷，在后续的氧化或外延工艺中引入层错，PN结的漏电流，减少少数载流子的寿命。
金属沉积到硅表面有两种机理：
1．通过金属离子和硅衬底表面的氢原子之间的电荷交换直接结合到硅表面，这种类型的杂质很难通过湿法清洗工艺去除，这类金属常是贵金属离子，如金（AU），由于它的负电性较Si高，有从硅中取出电子中和的趋向，并沉积在硅表面。
2．金属沉积的第二种机理是氧化时发生的，当硅在氧化时，象Al、Cr和Fe有氧化的趋向，并会进入氧化层中，这种金属杂质可通过在稀释的HF中去除氧化层而去除。
有机沾污
硅片表面的有机沾污通常来源于环境中的有机蒸汽，存储容器和光刻胶的残留，在硅表面存在有机杂质将会使硅片表面无法得到彻底的清洗，如自然氧化层和金属杂质，这会影响到后面的工艺，比如在以后的反应离子刻蚀工艺中会有微掩膜作用，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。
在目前工艺中光刻胶一般是用O3干法去除，然后在SPM中处理，大部分的胶在干法时已被去除，湿法会使去除更彻底。
但由于SPM的温度较高，会降低H2O2的浓度，工艺较难控制，最近有人提出用O3注入到纯水中或采
用紫外光和过滤系统去除有机沾污的方法。
表面粗糙度
表面粗糙度对于制备高性能、高可靠性半导体器件和ULSI是非常重要的，特别是随着特征线宽的减小，栅氧的厚度也相应的减小到40A左右，表面就需要原子级的平整，在
RCA清洗工艺中，NH
4OH-H
2
O
2
-H
2
0通常是第一步去除粒子、有机物和金属杂质的方法。
据报
道NH
4OH-H
2
O
2
-H
2
0=1：1：5，在70℃中清洗10-15分钟会造成非常粗糙的表面，引起这一
原因的机理是当H2O作为氧化剂时，NH40H作为氧化剂的腐蚀剂。
在SC-1清洗液中，氧化和腐蚀同时进行，结果表面会变粗糙，减少粗糙的方法归纳起来如下：1．减少NH4OH的份额
2．降低清洗温度
3．减少清洗时间
目前公司主要的清洗设备
1.槽清洗:也叫浸没式清洗.如:三协清洗机, SCP-3等，此设备的特点：化学液可多次使用，但也带来不足之处，化学液的比例会发生改变，如SH（有）需在使用过程中定期
增加H
2O
2。
2.FSI清洗:
FSI清洗的优点：a.整个过程是在密封状态下进行，不会有工艺过程中的搬迁
沾污;b.化学液是一次性使用,不会有交叉沾污; C.化学液在高雾化状态下与硅
片接触.D.硅片高速旋转,有利于颗粒的去除.但FSI也存在缺点：对于漂洗超过300A 的氧化层，会在硅片表面产生痕迹。
3.兆声清洗.
4.最新的清洗:单片清洗工艺和气相清洗。
目前主要的清洗液
1.APM(NH4OH-H2O2-H2O),其比例为1:1:5到1:2:10度在70-80℃,可去除颗粒、有机粘
污和金属离子。
H2O2有很强的氧化性，可将有机物、无机杂质氧化成高价离子和氧化物
而清除。
氨水有充当络合物的作用，它与许多重金属杂质离子如：CU2+、Ag+ 、CO2-、Ni2+、Cd2+等发生络合反应，生成的络合物溶于水而除掉。
2.HPM(HCL-H2O2-H2O) ，其比例为1:1:5到1:2:8, H2O2的作用同上，另外盐酸使H2O2
的氧化性能大大加强,并和硅片表面杂质中的活泼金属（Al、Zn）、金属氧化物（CIO、Fe2O3等）、氢氧化物、硫化物、碳酸盐等相互作用，使这些杂质变成可溶解的，另外盐酸还兼有络合剂的作用，盐酸中的氯离子与Au3+、Pt2+、Cu+、Ag+ Hg2+、Fe3+等金属离子形成溶于水的络合物。
3.SPM( H2SO4-H2O2),5:1到4:1:去光刻残余、去有机粘污、去金属离子。
4.稀HF的漂洗，可去除自然氧化层、光刻的残胶，特别用于栅氧前的去除自然氧化层。
FSI 的主要菜单简介
一.菜单及步骤
1．S/P5*1
H2SO4：H2O2=600ml：150ml
2．B-CLEAN
a．H2SO4：H2O2=600ml:150ml 90Sec
b．HF：H2O=1:15 30-50Sec
c．NH4OH:H2O2:H2O=125:250:1250 30Sec H2O2+2min NH4OH:H2O2:H2O+10Sec H2O2 d．HCL:H2O2:H2O=200:200:1000 100Sec
3.POLY-CLEAN
4.BP-BCLN
5.BPBCLN2700
6.MG-POST
清洗与产品质量的关系。
a.漏电
清洗不净或遭受粘污，易导致氧化层质量降低，缺陷密度上升，击穿电压下降，漏电大增，
b.表面问题
斑点：清洗不净或冲水不足，易出现斑点。
如5”二次氧化后的斑点
白雾：清洗质量不佳容易使表面状况变差，生长POLY时产生黑点，肉眼整片看来成白雾状
C.可靠性问题
不良的清洗使园片的质量下降，随着使用时间的延长和使用环境的变化，可靠
性迅速下降
d.影响氧化层的厚度
FSI工艺QC及方法：
a.BT测量
主要是监控可动离子的沾污情况。
b.颗粒
监控FSI的机械颗粒情况
C.铁沾污
主要监控铁离子和重金属离子的沾污情况。
D.E/R
监控HF对热氧化层和BPTEOS的腐蚀情况。
工艺异常判断及解决方法:
由于FSI而造成异常的大致有以下几点：
（1）一氧前的B-CLEAN需理片，将打标处对着FSI的桶壁，这样可减小打标颗粒，一般产品片的打标在圆边处，但也有少数产品或试验片打标在平边处，因此清洗一氧前的产品一定要当心。
下面就由于理片不当造成的颗粒图：
误将S/P5*1清洗成B-CLEAN，因B-CLEAN对氧化层有105A的腐蚀，下图是两种清洗的比较：
由于B-CLEAN对热氧化的腐蚀量为105A，但对TEOS的腐蚀量为800A左右。
（3）回流后的漂洗，BPBCLEAN2700，对热氧化的腐蚀量为400A左右，但对BPTEOS 的腐蚀量将达到7倍左右，在2001年曾出现过因过腐蚀而报废的事。
（4）关于清洗时ABOUT的处理：
若清洗S/P5*1，不管ABOUT在哪步，只需重新清洗。
但对于清洗B-CLEAN类菜单，若ABOUT在HF之前，可重新清洗，若发生在HF之后必须从从中断步开始进行。
使用的材料和规范：
使用的化学液有：H
2SO
4
、H
2
O
2
、HF、HCl、NH
4
OH，具体材料见《Q S9000—》。