熔沸点的比较

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分子晶体熔沸点比较方法

分子晶体熔沸点比较方法

分子晶体熔沸点比较方法分子晶体是指由分子组成的晶体,其中分子之间通过共价键或弱相互作用力相互连接。

分子晶体的熔沸点是指在一定压强下,晶体从固体状态转变为液体状态的温度。

熔沸点的高低反映了分子晶体中分子间的相互作用力的强度。

分子晶体的熔沸点比较方法主要有理论计算方法和实验测定方法两种。

理论计算方法是通过计算分子晶体中分子间相互作用力的强度来预测其熔沸点。

常用的理论计算方法包括分子力场方法、密度泛函理论方法和分子动力学模拟方法等。

1.分子力场方法是基于经验参数和分子力学原理,通过构建分子间相互作用势能函数来计算分子晶体的熔沸点。

该方法的计算结果受到选取的力场参数和计算模型的影响,对于复杂的分子晶体往往需要经过调整和参数优化。

2.密度泛函理论方法是基于量子化学原理,通过求解分子的电子结构和电子密度来计算分子晶体的熔沸点。

该方法的计算结果与实验值较为吻合,但计算量较大,适用于小分子晶体的计算。

3.分子动力学模拟方法是通过模拟分子晶体在不同温度下的运动来计算熔沸点。

该方法可以考虑分子的运动和相互作用的动态变化,但需要大量的计算资源和时间,并且模拟的准确性受到模拟时间和模拟尺寸等因素的限制。

实验测定方法是通过实验手段直接测定分子晶体的熔沸点。

常用的实验测定方法包括热分析法、差示扫描量热法和晶体学方法等。

1.热分析法是通过在一定升温速率下测定样品的质量变化和热量变化来确定分子晶体的熔沸点。

常用的热分析方法包括热重分析法和差示扫描量热法,可以得到熔化峰的温度和熔化热。

2.差示扫描量热法是通过测定样品和参比样品的热量变化的差值来确定样品的熔沸点。

该方法对样品的纯度要求较高,但可以得到较准确的熔沸点值。

3.晶体学方法是通过测定分子晶体的晶体结构来间接获得其熔沸点。

该方法需要获取分子晶体的单晶X射线衍射数据,并进行数据处理和晶体结构分析。

总结起来,分子晶体熔沸点的比较方法包括理论计算方法和实验测定方法。

理论计算方法主要是通过计算分子间相互作用力的强度来预测熔沸点,而实验测定方法则是通过实际测量热量变化或晶体结构来确定熔沸点。

物质熔沸点的比较

物质熔沸点的比较

物质熔沸点的比较1、不同晶体类型的物体的熔沸点高低的一般顺序原子晶体→离子晶体→分子晶体(金属晶体的熔沸点跨度大)同一晶体类型的物质,晶体内部结构粒子间的作用越强,熔沸点越高。

2、原子晶体要比较其共价键的强弱,一般地说,原子半径越小,形成的共价键长越短,键能越大,其晶体熔沸点越高,如:金刚石→碳化硅→晶体硅。

3、离子晶体要比较离子键的强弱,一般地说,阴阳离子的电荷数越多,离子半径越小,则离之间的相互作用就越强,其离子晶体的熔沸点越高。

如:MgO >Mgd2>Nad>Csd。

4、分子晶体组成和结构相似的物质,相对分子质量越大,熔沸点越高,如:O2>N2,HI>HBr>Hd;组成和结构不相似的物质,分子极性越大,其熔沸点越高,如Co>N2;在同分异构件,一般支链越多,其熔沸点越低,如沸点,正成烷>异成烷>新戌烷洁香烃及其衔生物的同分异构件,其熔沸点,高低顺序为:邻位>间位>对位化容物。

5、金属晶体中金属离子半径越小,离子电荷越多,其金属键越强,金属熔沸点就越高。

6、元素周期表中第IA族金属元素单质(金属晶体)的熔沸点,随原子序数的递增而降低;第VIA族卤素单质(分子晶体)的溶沸点随原子序数递增而升高。

1、HNO3→AgNO3溶液法①检验方法:表明存在cl表明存在Br表明存在I②反应原理反应①:Ag+d-=Agd↓反应②:Ag+Br-=AgBr↓反应③:Ag+I-=AgI↓2、氯水—CdH法①检验方法加适量新朱子饱和氯水加Cll H 未知液混合液分层振荡振荡橙红色表明有Br-有机层紫红色表明有I-②原理:D2+2Br-=Br2+2a-d2+2I-=I2+2d-,因Br2、I2在ccl4中的溶解度大于在水中的溶解度。

3、检验食盐是否加碘(1:Io3)的方法①检验方法变蓝:加碘盐食盐未变蓝:无碘盐②反应原理:IO3-+SI-+6H+=3I2+3H2O(淀粉遇I2变蓝色)常见的放热反应与吸热反应一、放热反应(1)燃烧都是放热反应;(2)中和反应都是放热反应;(3)化合反应都是放热反应;(4)置换风应多为放热反应;(5)生石灰与水的反应、铝热反应等。

四种晶体熔沸点的比较

四种晶体熔沸点的比较

四种晶体熔沸点的比较
晶体熔沸点是指某物质从固态转变到液态所需要投入的能量的量的高低,它是衡量材料性能的重要指标。

本文结合四种晶体的熔沸点,来比较这四种
晶体的性能。

以钠为例,钠的熔沸点较低,为98.8℃,它容易溶解在水中并可以形成
氢气,因而具有腐蚀性,将引起金属的腐蚀性变质,这是它的主要缺点之一。

同样,硒以1330.4℃,属于中等熔沸点,它稳定可靠,较低的比重,电
性好,是制作各种有损绝缘材料的得天独厚的金属,此外,由于高熔点,锡
性质也很好,是制作管道和各类器件的大功臣。

此外,钯熔沸点非常高,达到3210℃,这是一种较比较稀有的贵金属,
由于具有良好的机械性能和耐热性,被广泛用于制造各类尖端产品及配件,
具有得天独厚的优势。

再看金,金的熔沸点最高,达到1064.43℃,它是不可起火材料,有着
非常适合用于制作艺术品、建筑装饰等等,它还具有非常高的抗腐蚀性,它
还可以带出更多的异质结,非常适合工业的使用场合。

因此,晶体的熔沸点是不同的,由此可以看出,晶体的物质性能完全不
一样,比如对钠而言,它的主要优势是容易溶解;而由于金的熔沸点较高、
腐蚀性不易,因而很适合用来制作艺术品、建筑装饰等等。

它们的特点和性
能都应当在不同的场合、材料中进行比较,以达到最佳效果。

物质熔点和沸点高低的比较

物质熔点和沸点高低的比较

物质熔点和沸点高低的比较比较物质的熔点和沸点的高低,通常按下列步骤进行,首先比较物质的晶体类型,然后再根据同类晶体中晶体微粒间作用力大小,比较物质熔点和沸点的高低,具体比较如下:一、判断所给物质的晶体类型,然后按晶体的熔点和沸点的高低进行比较,一般来说晶体的熔点和沸点的高低是:原子晶体>离子晶体>分子晶体,例如:晶体硅>氯化钠>干冰。

但并不是所有这三种晶体的熔点和沸点都符合该规律,例如:氧化镁(离子晶体)>晶体硅(原子晶体)。

而金属晶体的熔点和沸点变化太大,例如汞、铷、铯、钾等的熔点和沸点都很低,钨、铼、锇等的熔点和沸点却很高,所以不能和其它晶体进行简单的比较。

例如、(2002年高考上海试题第7小题,)下列有关晶体的叙述中错误的是A离子晶体中,一定存在离子键 B 原子晶体中,只存在共价键C 金属晶体的熔沸点均很高D 稀有气体的原子能形成分子分析:其中选项C中的说法就是错误的,如汞、铷、铯、钾等的熔点和沸点都很低。

A、B、D三者说法都正确,所以应选C。

二、当物质是同类晶体时,则分别按下列方式比较。

1.原子晶体因为构成原子晶体的微粒是原子,微粒间的作用力是共价键,则其晶体的熔点和沸点的高低则由共价键的键能大小决定,而键能大小又由共价键的键长决定,键长越短,而键长可以通过原子半径来比较,键能越大,熔点和沸点就越高。

例如:金刚石>金刚砂>晶体硅。

例如:(2004高考上海试题第10题)有关晶体的下列说法中正确的是()A.晶体中分子间作用力越大,分子越稳定B.原子晶体中共价键越强,熔点越高C.冰熔化时水分子中共价键发生断裂D.氯化钠熔化时离子键未被破坏分析:分子间作用力大小与分子的稳定性无关;原子晶体中共价键越强,原子间作用力越大,熔点就越高,说法正确;冰熔化时只破坏分子之间作用力,分子内共价键不变;而氯化钠熔化时其离子键一定要断裂才能变化成阴阳离子;所以正确选B,而A、C、D三者都错了。

物质溶沸点的比较以及简答

物质溶沸点的比较以及简答

物质溶沸点的比较以及说明原因一、判断物质熔沸点高低的方法(一)、先判断晶体类型,不同类晶体:一般情况下,原子晶体>离子晶体>分子晶体;(二)、同种类型晶体:构成晶体微粒间的作用大,则熔沸点高,反之则小。

(1)离子晶体:离子所带的电荷数越高,离子半径越小,晶格能越大,熔沸点就越高。

例如:MgO>Na2O(2)分子晶体:①、首先判断是形成在分子间形成氢键,如果形成分子间氢键,则熔沸点升高。

形成分子键氢键的高于分子内氢键.例如:H2O > H2S NH3> PH3②、对于同类分子晶体(即组成和结构相似),如果不存在氢键,则相对分子质量越大,熔沸点越高;若相对分子质量相近,分子极性越大,熔沸点越高例如:CH4 > SiH4AsH3> PH3没有氢键,比较相对分子质量CO > N2相对分子质量相同,比较分子极性判断③、对于同分异构体,支链越多,熔沸点越低(3)原子晶体:原子半径越小,键长越短、键能越大,熔沸点越高。

例如:金刚石> 碳化硅> 晶体硅(4)金属晶体:金属阳离子半径越小,价电子数越大,金属键强度越强。

例如:Al > Mg > Na Li > Na> K常温常压下状态①熔点:固态物质>液态物质②沸点:液态物质> 气态物质。

例如:S > Hg H2O > CO2二、物质熔沸点高低说明原因答题模板:先说明晶体类型-------直接原因------根本原因-------回归问题1、分子晶体为什么水的沸点高于硫化氢都是分子晶体,水分子键存在氢键,分子间作用力强,水的沸点高2、离子晶体为什么氧化镁的熔点高于氧化钠都是离子晶体,M g2+半径小,电荷数多,氧化镁的晶格能大,氧化镁的熔点高3、原子晶体为什么金刚石的熔点高于晶体硅都是原子晶体,碳原子半径小,键长短,键能大,金刚石的熔点高4、金属晶体。

比较熔沸点高低的方法

比较熔沸点高低的方法

比较熔沸点高低的方法熔沸点是物质的物理性质之一,用于反映物质的固态和液态相之间的转化温度。

熔沸点的高低可以影响物质的性质和用途,因此研究和比较物质的熔沸点是很重要的。

接下来,我们将详细讨论比较熔沸点高低的方法。

首先,一种常用的方法是实验测定法。

这种方法通常通过加热物质并记录其熔沸点来进行。

在实验过程中,我们可以使用不同的实验装置,如酒精灯、加热板等,加热样品并观察其相变过程。

通过测量样品在升温过程中开始熔化或沸腾的温度,就可以得到熔沸点。

通过多次实验并取平均值可以提高测量的准确性。

此外,文献调研也是比较熔沸点高低的常用方法之一。

熔沸点是常见物质的基本性质之一,已经有大量的研究文献对各种物质的熔沸点进行了测定和比较。

通过查阅相关的文献资料,我们可以了解到许多物质的熔沸点范围和一些常见物质的比较结果。

这种方法可以帮助我们更全面地了解物质的性质,同时也可以为我们进行实验时提供一些建议。

此外,理论计算是另一种比较熔沸点高低的方法。

借助分子动力学仿真、量子化学计算等理论工具,我们可以通过计算物质的分子结构和相互作用力来预测物质的熔沸点。

这种方法基于一些基本的物理和化学原理,并使用计算模型和算法进行数值计算。

虽然理论计算方法可能存在误差,但它可以为我们提供一种在实验之前对物质性质进行预测的快速和经济的方法。

综上所述,比较熔沸点高低的方法包括实验测定、文献调研和理论计算。

这些方法各有优劣,可以互相补充和验证。

在实际应用中,我们可以根据具体情况选择合适的方法,以获得准确和全面的比较结果。

同时,我们也需要注意不同方法之间的差异和局限性,并结合其他物质性质进行综合分析,以达到更好的研究效果。

原子晶体熔沸点比较方法

原子晶体熔沸点比较方法

原子晶体熔沸点比较方法原子晶体的熔沸点比较是研究其物理性质和热力学特性的重要方法之一。

在研究中,科学家们经过探索和研究总结了多种熔沸点比较方法。

下面是十条关于原子晶体熔沸点比较方法的详细描述。

1. 比较原子晶体的分子量原子晶体的分子量是其熔沸点的一个重要因素。

相同元素的原子晶体在结构上可能存在不同的晶格构型,分子量也会不同。

比较分子量可以对同一元素的不同晶格构型的熔沸点进行比较。

2. 比较原子晶体的电子密度原子晶体的电子密度也是其熔沸点的一个重要因素。

由于电子运动越剧烈,原子晶体的分子间距越大,熔沸点也就越低。

比较电子密度可以对熔沸点较低的原子晶体进行鉴别。

3. 比较原子晶体的晶格结构原子晶体的晶格结构对其熔沸点也有很大影响。

不同的晶格结构对应着不同的排列方式和分子间距离。

晶格结构的比较可以揭示出原子晶体的熔沸点的差异。

4. 比较原子晶体的化学成分原子晶体的化学成分也是其熔沸点的重要影响因素之一。

不同元素在结构上可能有不同的排列方式,这会对熔沸点产生影响。

比较化学成分可以揭示出不同元素形成的原子晶体的熔沸点的异同。

5. 比较原子晶体的键长原子晶体的键长也对其熔沸点产生影响。

键长越长,能量越低,分子间距离越大,熔沸点也就越低。

比较键长可以对原子晶体的熔沸点进行评估。

6. 比较原子晶体的键合系数原子晶体的键合系数是其熔沸点的另一个重要影响因素。

不同的元素的键合系数差异较大,这会影响分子间的吸引力和排斥力,从而影响熔沸点。

比较键合系数可以对不同元素形成的原子晶体的熔沸点进行比较。

7. 比较原子晶体的晶体形态原子晶体的晶体形态也与其熔沸点有一定关系。

晶体形态不同,分子间距离也就不同,熔沸点也会相应变化。

比较晶体形态可以对原子晶体的熔沸点进行评估。

8. 比较原子晶体的密度原子晶体的密度也是其熔沸点的重要影响因素之一。

密度越大,熔沸点也就越高。

比较密度可以对原子晶体熔沸点的差异进行评估。

9. 比较原子晶体的质量原子晶体的质量也与其熔沸点有关。

熔沸点的比较

熔沸点的比较

物质熔沸点高低的比较及应用河北省宣化县第一中学栾春武如何比较物质的熔、沸点的高低,首先分析物质所属的晶体类型,其次抓住同一类型晶体熔、沸点高低的决定因素,现总结如下供同学们参考:一、不同类型晶体熔沸点高低的比较一般来说,原子晶体>离子晶体>分子晶体;金属晶体(除少数外)>分子晶体。

例如:SiO2>NaCL>CO2(干冰)金属晶体的熔沸点有的很高,如钨、铂等;有的则很低,如汞、镓、铯等。

二、同类型晶体熔沸点高低的比较同一晶体类型的物质,需要比较晶体内部结构粒子间的作用力,作用力越大,熔沸点越高。

影响分子晶体熔沸点的是晶体分子中分子间的作用力,包括范德华力和氢键。

1.同属分子晶体①组成和结构相似的分子晶体,一般来说相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高。

例如:I2>Br2>Cl2>F2。

②组成和结构相似的分子晶体,如果分子之间存在氢键,则分子之间作用力增大,熔沸点出现反常。

有氢键的熔沸点较高。

例如,熔点:HI>HBr>HF>HCl;沸点:HF>HI>HBr>HCl。

③相对分子质量相同的同分异构体,一般是支链越多,熔沸点越低。

例如:正戊烷>异戊烷>新戊烷;互为同分异构体的芳香烃及其衍生物,其熔沸点高低的顺序是邻>间>对位化合物。

④组成和结构不相似的分子晶体,分子的极性越大,熔沸点越高。

例如:CO>N2。

⑤还可以根据物质在相同的条件下状态的不同,熔沸点:固体>液体>气体。

例如:S >Hg>O2。

2.同属原子晶体原子晶体熔沸点的高低与共价键的强弱有关。

一般来说,半径越小形成共价键的键长越短,键能就越大,晶体的熔沸点也就越高。

例如:金刚石(C-C)>二氧化硅(Si-O)>碳化硅(Si-C)晶体硅(Si-Si)。

3.同属离子晶体离子的半径越小,所带的电荷越多,则离子键越强,熔沸点越高。

例如:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。

4.同属金属晶体金属阳离子所带的电荷越多,离子半径越小,则金属键越强,高沸点越高。

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物质熔沸点高低的比较及应用河北省宣化县第一中学栾春武如何比较物质的熔、沸点的高低,首先分析物质所属的晶体类型,其次抓住同一类型晶体熔、沸点高低的决定因素,现总结如下供同学们参考:一、不同类型晶体熔沸点高低的比较一般来说,原子晶体>离子晶体>分子晶体;金属晶体〔除少数外〕>分子晶体。

例如:SiO2>NaCL>CO2〔干冰〕金属晶体的熔沸点有的很高,如钨、铂等;有的则很低,如汞、镓、铯等。

二、同类型晶体熔沸点高低的比较同一晶体类型的物质,需要比较晶体内部结构粒子间的作用力,作用力越大,熔沸点越高。

影响分子晶体熔沸点的是晶体分子中分子间的作用力,包括范德华力和氢键。

1.同属分子晶体①组成和结构相似的分子晶体,一般来说相对分子质量越大,分子间作用力越强,熔沸点越高。

例如:I2>Br2>Cl2>F2。

②组成和结构相似的分子晶体,如果分子之间存在氢键,则分子之间作用力增大,熔沸点出现反常。

有氢键的熔沸点较高。

例如,熔点:HI>HBr>HF>HCl;沸点:HF>HI>HBr>HCl。

③相对分子质量相同的同分异构体,一般是支链越多,熔沸点越低。

例如:正戊烷>异戊烷>新戊烷;互为同分异构体的芳香烃及其衍生物,其熔沸点高低的顺序是邻>间>对位化合物。

④组成和结构不相似的分子晶体,分子的极性越大,熔沸点越高。

例如:CO>N2。

⑤还可以根据物质在相同的条件下状态的不同,熔沸点:固体>液体>气体。

例如:S >Hg>O2。

2.同属原子晶体原子晶体熔沸点的高低与共价键的强弱有关。

一般来说,半径越小形成共价键的键长越短,键能就越大,晶体的熔沸点也就越高。

例如:金刚石〔C-C〕>二氧化硅〔Si-O〕>碳化硅〔Si-C〕晶体硅〔Si-Si〕。

3.同属离子晶体离子的半径越小,所带的电荷越多,则离子键越强,熔沸点越高。

例如:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl。

4.同属金属晶体金属阳离子所带的电荷越多,离子半径越小,则金属键越强,高沸点越高。

例如:Al>Mg>Na。

三、例题分析例题1.以下各组物质熔点高低的比较,正确的选项是:A. 晶体硅>金刚石>碳化硅B. CsCl>KCl>NaClC. SiO2>CO2>HeD. I2>Br2>He解析:A中三种物质都是原子晶体半径C<Si,则熔点:金刚石>碳化硅>晶体硅,B中应为:NaCl>KCl>CsCl,因为离子的半径越小,离子键越强,熔沸点就越高。

因此C、D正确。

答案:C、D例题2.以下物质性质的变化规律,与共价键的键能大小有关的是:、Cl2、Br2、I2的熔点、沸点逐渐升高、HCl、HBr、HI的热稳定性依次减弱2C.金刚石的硬度、熔点、沸点都高于晶体硅、NaCl、NaBr、NaI的熔点依次降低解析:F2、Cl2、Br2、I2形成的晶体属于分子晶体。

它们的熔沸点高低决定于分子间的作用力,与共价键的键能无关,A错;HF、HCl、HBr、HI的分子内存在共价键,它们的热稳定性与它们内部存在的共价键的强弱有关,B正确;金刚石和晶体硅都是原子间通过共价键结合而成的原子晶体,其熔沸点的高低决定于共价键的键能,C正确;NaF、NaCl、NaBr、NaI都是由离子键形成的离子晶体,其内部没有共价键,D错。

答案:B、C例题3.以下图中每条折线表示周期表ⅥA~ⅦA中的某一族元素氢化物的沸点变化,每个小黑点代表一种氢化物,其中a点代表的是:A. H2SB. HClC. PH3D. SiH4解析:NH3、H2O、HF分子间存在氢键,它们的沸点较高,即沸点高低关系为:NH3>PH3、H2O>H2S、HF>HCl,对应图中上三条折线。

所以a点所在折线对应第IVA族元素的气态氢化物,且a点对应第三周期,所以a表示SiH4。

答案:D例题4.以下各组物质中,按熔点由低到高顺序排列正确的选项是:A. O2I2 HgB. CO KCl SiO2C. Na K RbD. SiC NaCl SO2解析:选项A中的O2是气体,I2是固体,Hg是液体,所以熔点由低到高的顺序是:O2<Hg <I2 ;选项B中的CO固态时是分子晶体,KCl属于离子晶体,SiO2属于原子晶体,所以熔点由低到高的顺序是:CO<KCl<SiO2;选项C中的Na、K、Rb都是金属晶体,原子半径不断增大,金属键不断减弱,所以熔点不断降低;选项D中的SiC属于原子晶体,NaCl属于离子晶体,SO2形成分子晶体,因此熔点不断降低。

答案: B例题5.〔09全国卷I 29〕已知周期表中,元素Q、R、W、Y与元素X相邻。

Y的最高化合价氧化物的水化物是强酸。

答复以下问题:〔1〕W与Q可以形成一种高温结构陶瓷材料。

W的氯化物分子呈正四面体结构,W 的氧化物的晶体类型是_______________;〔2〕Q的具有相同化合价且可以相互转变的氧化物是_______________;〔3〕R和Y形成的二元化合物中,R呈现最高化合价的化合物是化学式是_________;〔4〕这5个元素的氢化物分子中,①立体结构类型相同的氢化物的沸点从高到低排列次序是〔填化学式〕____________,其原因是_______________;②电子总数相同的氢化物的化学式和立体结构分别是_______________;〔5〕W和Q所形成的结构陶瓷材料的一种合成方法如下:W的氯化物与Q的氢化物加热反应,生成化合物W(QH2)4和HCl气体;W(QH2)4在高温下分解生成Q的氢化物和该陶瓷材料。

上述相关反应的化学方程式〔各物质用化学式表示〕是_______________。

解析:此题可结合问题作答。

W的氯化物为正四体型,则应为SiCl4或CCl4,又W与Q形成高温陶瓷,故可推断W为Si。

〔1〕SiO2为原子晶体。

〔2〕高温陶瓷可联想到Si3N4,Q为N,则有NO2与N2O4之间的相互转化关系。

〔3〕Y的最高价氧化的的水化物为强酸,且与Si、N等相邻,则只能是S。

Y为O,所以R为As元素。

〔4〕显然X为P元素。

①氢化物沸点顺序为NH3>AsH3>PH3,因为NH3分子间存在氢键,所以沸点最高。

相对分子质量AsH3>PH3,分子间的作用力AsH3>PH3,故AsH3得沸点高于PH3。

②SiH4、PH3和H2S的电子数均为18。

结构分别为正四面体,三角锥和角形〔V形〕。

〔5〕由题中所给出的含字母的化学式可以写出具体的物质,然后配平即可。

答案:〔1〕原子晶体。

〔2〕NO2和N2O4〔3〕As2S5。

〔4〕①NH3>AsH3>PH3,因为前者中含有氢键。

②SiH4、PH3和H2S结构分别为正四面体,三角锥和角形〔V形〕。

〔5〕SiCl4 + 4NH3Si(NH2)4 + 4HCl,3Si(NH2)4 Si3N4 + 8NH3↑例题6.〔09山东卷32〕C和Si元素在化学中占有极其重要的地位。

〔1〕写出Si的基态原子核外电子排布式。

从电负性角度分析,C、Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为。

〔2〕SiC的晶体结构与晶体硅的相似,其中C原子的杂化方式为,微粒间存在的作用力是。

〔3〕氧化物MO的电子总数与SiC的相等,则M为〔填元素符号〕。

MO是优良的耐高温材料,其晶体结构与NaCl晶体相似。

MO的熔点比CaO的高,其原因是。

〔4〕C、Si为同一主族的元素,CO2和SiO2化学式相似,但结构和性质有很大不同。

CO2中C与O原子间形成σ键和π键,SiO2中Si与O原子间不形成上述π健。

从原子半径大小的角度分析,为何C、O原子间能形成,而Si、O原子间不能形成上述π键。

解析:〔1〕C、Si和O的电负性大小顺序为:O>C>Si。

〔2〕晶体硅中一个硅原子周围与4个硅原子相连,呈正四面体结构,所以杂化方式是sp3 。

〔3〕SiC电子总数是20个,则氧化物为MgO;晶格能与所组成离子所带电荷成正比,与离子半径成反比,MgO与CaO的离子电荷数相同,Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大,熔点高。

〔4〕Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,p-p轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的π键。

答案:〔1〕1s22s22p63s23p2 O>C>Si 〔2〕sp3 共价键〔3〕Mg Mg2+半径比Ca2+小,MgO晶格能大〔4〕Si的原子半径较大,Si、O原子间距离较大,p-p轨道肩并肩重叠程度较小,不能形成上述稳定的π键例题7.〔09福建卷30〕Q、R、X、Y、Z五种元素的原子序数依次递增。

已知:①Z 的原子序数为29,其余的均为短周期主族元素;②Y原子价电子〔外围电子〕排布ms n mp n;③R原子核外L层电子数为奇数;④Q、X原子p轨道的电子数分别为2和4。

请答复以下问题:〔1〕Z2+ 的核外电子排布式是。

〔2〕在[Z(NH3)4]2+离子中,Z2+的空间轨道受NH3分子提供的形成配位键。

〔3〕Q与Y形成的最简单气态氢化物分别为甲、乙,以下判断正确的选项是。

a.稳定性:甲>乙,沸点:甲>乙b.稳定性:甲>乙,沸点:甲<乙c.稳定性:甲<乙,沸点:甲<乙d.稳定性:甲<乙,沸点:甲>乙(4) Q、R、Y三种元素的第一电离能数值由小到大的顺序为〔用元素符号作答〕〔5〕Q的一种氢化物相对分子质量为26,其中分子中的σ键与π键的键数之比为。

〔6〕五种元素中,电负性最大与最小的两种非金属元素形成的晶体属于。

答案:〔1〕1s22s22p63s23p63d9〔2〕孤对电子〔孤电子对〕〔3〕b 〔4〕Si < C <N 〔5〕3:2 〔6〕原子晶体解析:由题给条件知Z的原子序数为29,29号为Cu。

Y价电子:ms n mp n中n只能取2,又为短周期,则Y可能为C或Si。

R的核外L层为数,则可能为Li、B、N或F。

Q、X 的p轨道为2和4,则C〔或Si〕和O(或S)。

因为五种元素原子序数依次递增。

故可推出:Q为C,R为N,X为O,Y为Si。

〔1〕Cu的价电子排布为3d104s1,失去两个电子,则为3d9。

〔2〕Cu2+可以与NH3形成配合物,其中NH3中N提供孤对电子,Cu提供空轨道,而形成配位键。

〔3〕Q、Y的氢化物分别为CH4和SiH4,由于C的非金属性强于Si,则稳定性CH4>SiH4。

因为SiH4的相对分子质量比CH4大,故分子间作用力大,沸点高。

〔4〕C、N和Si中,C、Si位于同一主族,则上面的非金属性强,故第一电离能大,而N由于具有半充满状态,故第一电离能比相邻元素大,所以N>C>Si。

〔5〕C、H形成的相对分子质量的物质为C2H2,结构式为H-C≡C-H,单键是σ键,叁键中有两个是σ键一个π键,所以σ键与π键数之比为3 : 2。

〔6〕电负性最大的非元素是O,最小的非金属元素是Si,两者构成的SiO2,属于原子晶体。

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