LED驱动芯片-74HC595中文资料
74HC595中文手册(手工翻译,可复制)
74HC595/74HCT595
它是带控制端的8位串行输入并行输入的移位寄存器，具有3态输出。
特点
➢8位串行输入
➢8位串行或并行输出
➢带有3态输出的存储寄存器
➢移位寄存器具有清零控制端
➢100MHz移位输出频率
➢输出能力：并行输出，总线驱动；串行输出，标准输出
应用
串行数据转并行
远程控制保持寄存器
相关描述
74HC/HCT595是高速硅栅CMOS元件与低功耗肖特基TTL引脚兼容。
它们符合JEDEC第7A号标准。
“595”是一个带存储器的8级串行移位寄存器，有3态输出。
移位寄存器以及存储寄存器有独立的时钟输入端。
当SH_CP端接收一个上跳沿时数据会发生移位。
当ST_CP端接收一个上跳沿时，移位寄存器中的数据将被送入存储寄存器。
当SH_CP端和ST_CP端短接时，移位寄存器当中所存储的数据将会永远比存储寄存器中的数据状态早一个时钟周期。
移位寄存器有一个串行输入（DS端）以及一个标准的串行级联输出端（Q7’）。
该芯片的8位移位寄存器有一个复位引脚（MR，低电平有效）。
存储寄存器有8条并行的3态总线连接至输出引脚。
只要芯片的输出使能引脚（OE）处于低电平，芯片就实时将存储寄存器中的数据输出至输出引脚。
595芯片中文资料
8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。
三态。
特点8位串行输入，8位串行或并行输出，存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力，并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。
595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。
如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据符号参数条件 TYP 单位HC HCt ，tPHL/tPLH 传输延时，SHcp到Q7’，STcp到Qn，MR到Q7’，CL=15pF，Vcc=5V，16，17，14， 21，20，19 Ns，Ns，Ns，fmax STcp到SHcp 最大时钟速度100，57 MHz，CL 输入电容Notes 1 3.5 ， 3.5 pFCPD Power dissipation capacitance per package. Notes2 115 130 pF，CPD决定动态的能耗，PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0)F1＝输入频率，CL＝输出电容 f0＝输出频率（MHz） Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出，GND 8 地，Q7’ 9 串行数据输出，MR 10 主复位（低电平），SHCP 11 移位寄存器时钟输入，STCP 12 存储寄存器时钟输入，OE 13 输出有效（低电平），DS 14 串行数据输入，VCC 16 电源功能表输入输出功能SHCP STCP OE MR DS Q7’ Qn× × L ↓ × L NC MR为低电平时紧紧影响移位寄存器× ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器× × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态↑ × L H H Q6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。
74HC595芯片中文资料
11
移位寄存器时钟输入
STCP
12
存储寄存器时钟输入
OE
13
输出有效（低电平）
DS
14
串行数据输入
VCC
16
电源
输入
输出
功能
SHCP
STCP
OE
MR
DS
Q7’
Qn
×
×
L
↓
×
L
NC
MR为低电平时紧紧影响移位寄存器
×
↑
L
L
×
L
L
空移位寄存器到输出寄存器
×
×
H
L
×
L
Z
清空移位寄存器，并行输出为高阻状态
↑
×
L
H
H
Q6’
NC
逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。
×
↑
L
H
×
NC
Qn’
移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输
↑
↑
LHΒιβλιοθήκη ×Q6’Qn’
移位寄存器内容移入，先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并输出
引脚说明 H＝高电平状态 ，L＝低电平状态，↑＝上升沿，↓＝下降沿，Z＝高阻， NC＝无变化，功能表：当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。
符号
引脚
描述
Q0…Q7
15， 1， 7
并行数据输出
GND
8
地
Q7’
9
串行数据输出
MR
10
主复位（低电平）
74HC595芯片资料53971
74HC595芯片资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。
三态。
特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。
595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。
如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据CPD决定动态的能耗，PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0)F1＝输入频率，CL＝输出电容f0＝输出频率（MHz）Vcc=电源电压功能表H＝高电平状态L＝低电平状态↑＝上升沿↓＝下降沿Z＝高阻NC＝无变化×＝无效当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。
/***************************************************************************************/ 给个74HC595的"慢动作"void WriteSIOByte(unsigned char val){unsigned char i;ACC = val;for (i = 8; i > 0; i --) {SRCLK = 0;//拉低74HC595时钟_rrca_();//右移一位数据SER = CY;//发送74HC595一位串行数据SRCLK = 1;//拉高74HC595时钟_nop_();//延时}SER = 1;//释放数据总线//以下3条指令若在多字节时,应该移入多字节全发送完后在执行此3条指令RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据}74ls595"速射"hotpowerfor(i = 0; i < buffsize; i ++){SBUF = siobuff[i];while(TI == 0);TI = 0;}RCLK = 0;_nop_();//延时RCLK = 1;//打入并行数据/************************************************************************/摘要：本文介绍了应用移位寄存器芯片74HC595实现LED动、静态显示的基本原理。
74HC595中文资料_数据手册_参数
onsemicom7功能表手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩寄存器内容串行产量sqh平行输出大号大号大号将数据移入换档寄存器lh大号dsrsrn锁存寄存器保持不变不变sr移位寄存器内容数据lh逻辑电平低到高取决于复位和移位时钟输入lr保持不变从高到低取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明inputsa引脚1474hc595串行数据输入
图 SERIAL数据 INPUT 14 11 10 12 13转移时钟重启 LATCH时钟 OUTPUT ENABLE转 移寄存器 LATCH 15 1 2 3 4五 6 7 9 Q A Q B Q C Q D Q E Q F Q G Q H SQ H一个 V CC = PIN 16 GND = PIN 8平行数据产出 SERIAL数据 OUTPUT引脚分配 13 14 15 16 9 10 11 12五 4 3 2 1 8 7 6锁定时钟输出启用一CK Q E Q D Q C Q B GND Q H Q G Q F订购信息设备包 运输 ? 74HC595DR2G SOIC-16 （无铅） 2500磁带和卷轴 74HC595DTR2G TSSOP-16 * 2500磁带和卷轴 ?有关磁带和 卷轴规格的信息，包括零件方向和磁带尺寸，请参阅我们的74hc595磁带和卷轴包 74hc595装规格手册，BRD8011 / D. *该封装本身具有无铅功能.74HC595中文资料第3 页精选内容： 74HC595 3最大额定值符号参数值单元 V CC 直流电源电压（参考GND） - 0.5至+ 7.0 V V IN直流输入电压（参考GND） - 0.5至 V CC + 0.5 V V OUT直流输出电压（参考GND） - 0.5至V CC + 0.5 V 我 在直流输入 电流，每个引脚 ±20嘛 我 出去了直流输出电流，每个引脚 ±35嘛 我 CC DC电源 电流，V CC 和GND引脚 ±75嘛 P D.静止空气中的功率耗散， SOIC封装? TSSOP封 装? 500 450毫瓦 T STG储存温度 - 65至+ 150 _C T L引线温度，距壳体1毫米，持续10 秒 （SOIC或TSSOP封装） 260 _C74hc595强调超过最大额定值74hc595可能会损坏设 备.最大额定值是压力仅限评级.不建议在推荐操作条件之上进行功能操作.长时间暴 露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备74hc595可靠性. ?降额 - SOIC封 装： - 从65到125°C时为7 MW / _C TSSOP封装： - 从65_到125_C的6.1 MW / _C有 关高频或高负载考虑事项，请参阅安森美半导体高速CMOS数据手册（DL129 / D） 的第2章.推荐工作条件符号参数敏马克斯单元 V CC直流电源电压（参考GND） 2.0 6 V V IN ，V OUT 直流输入电压，输出电压 （参考GND） 0 V CC V T A.工作温 度，所有封装类型 - 55 + 125 _C T R ，T F输入上升和下降时间 V CC = 2.0 V （图1） V CC = 4.5V V CC = 6.0 V 0 0 0 1000 500 400 NS此设备包含保护防止损坏的电路由于高静态电压或电领域.但是，必 须采取预防措施被采取以避免任何应用程序电压高于最大额定值这个高阻抗电路 的电压 - CUIT. 为了正确的操作，V IN 和 V OUT 应该受到限制 范围GND V（V IN 或V OUT ）V V CC .未使用的输入必须始终为绑定到适当的逻辑电压 电平（例 如，GND或V CC ）.未使用的输出必须保持打开状态.74HC595中文资料第1页精选 内容：74HC595中文资料第7页精选内容： 74HC595 7功能表 手术输入结果函数重启串行输入一个转移时钟闩时钟产量启用转移寄存器内容闩 寄存器内容串行产量 SQ H平行输出 Q A - Q H复位移位寄存器大号 X X L，H， ↓ 大→号SR大N号+ 1üü大S号R Gü→将S数R 据H 移ü入移换74h档c5寄95存位器寄H存D器↑保持L，不H变，H↓X大L号，DH→，S↓R LA，; SHR，N↓ 大号 ü ü ü ü转移移位寄存器内容锁定寄存器 H X L，H，↓ ↑大号 ü SR N →LR N ü SR N锁存寄存器保持不变不变 X X X L，H，↓大号 * ü * ü启用并行输 出 X X X X大号 * ** *启用强制输出为高阻抗状态 X X X X H * ** * ? SR =移位寄存器 内容 D =数据（L，H）逻辑电平 ↑=低到高 * =取决于复位和移位时钟输入 LR =锁 存寄存器内容 U =保持不变 ↓=从高到低 ** =取决于锁存时钟74hc595输入引脚说明 I1N4）PU7T4ShcA5（95串引行脚数据输入.该引脚上的数据被移入 8位串行移位寄存器.控制输入移 位时钟（引脚11）移位寄存器时钟输入.从低到高的过渡该输74hc595入会导致串行
74hc595中文数据手册(datasheet)
IO=‐6.0mA 4.18 4.31
4.13
4.10
6.0
IO=‐7.8mA 5.68 5.8
5.63
5.60
VOL 输出低电平 2.0 VI=VIH IO=20μA
0.0 0.1
0.1
(SQH)
4.5 or VIL
0.0 0.1
0.1
0.1
V
0.1
6.0
0.0 0.1
0.1
0.1
4.5
IO=4.0mA
‐1‐
输入输出管脚电路：
CMOS 移位寄存器 74HC595
真值表：
输入管脚
SI SCK SCLR RCK OE
XX X X H
XX X X L
XX L L 上沿 H H 上沿 H X 下沿 H
XX X
XX X
时序图：
XX XX XX XX 上沿 X 下沿 X
输出管脚
QA—QH 输出高阻 QA—QH 输出有效值 移位寄存器清零 移位寄存器存储 L 移位寄存器存储 H 移位寄存器状态保持 输出存储器锁存移位寄存器中的状态值 输出存储器状态保持
‐3‐
CMOS 移位寄存器 74HC595
DC 电气特性：
类型 参数定义 测试条件
数值
单位
VCC
VIH 输入高电平 2.0 4.5 6.0
VIL 输入低电平 2.0
25℃
‐40℃—85℃ ‐55℃—125℃
Min Typ Max Min Max Min Max
1.46
1.46
1.46
V
3.23
3.23
管脚图：
管脚说明：
管脚编号 管脚名
1、2、3、4、 QA—QH 5、6、7、15
74hc595资料
74HC595芯片中文资料8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。
三态。
特点8位串行输入8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换Remote control holding register.描述595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。
595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在SCHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。
如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据符号参数条件TYP单位HC HCtt PHL/t PLH传输延时SHcp到Q7’C L=15pFVcc=5V 161714212019NsNsNsC PD 决定动态的能耗，P D ＝C PD ×V CC ×f 1+∑(C L ×V CC 2×f 0)F 1＝输入频率，C L ＝输出电容 f 0＝输出频率（MHz ） Vcc=电源电压 引脚说明 符号 引脚 描述 Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出 GND 8 地 Q7’ 9 串行数据输出 MR 10 主复位（低电平） SH CP 11 移位寄存器时钟输入 ST CP 12 存储寄存器时钟输入 OE 13 输出有效（低电平） D S 14 串行数据输入 V CC 16 电源 功能表输入 输出功能SH CP ST CP OE MR D S Q7’ Q n× × L ↓ × L NC MR 为低电平时紧紧影响移位寄存器× ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器 × × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态↑ × L H H Q 6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。
DP74HC595规格书(新版)
说明 并行数据输出端
电源地 串行数据输入端 移位寄存器清零端
移位时钟 存储时钟 使能输出端 串行数据输入端 电源端
DP74HC595 LED 驱动芯片
输入及并行数据输出引脚电路
功能真值表
S
X
X
X
SCLR
功能
L
位移寄存器清“零”SDO=0
H
位移寄存器储存
H
存储位移寄存器的值
X
O1—O8 输出有效值
2
时序图
DP74HC595 LED 驱动芯片
3
扩展逻辑图
DP74HC595 LED 驱动芯片
推荐工作条件
符号 VCC VIN VOUT TA
Tstg
参数 直流电源电压 直流输入电压 DC 输出电压
工作温度 存储温度
最小值
2.0 0 0 -40 -50
最大值
5.8 5.8 VCC +85 +150
特点
l 采用 CMOS 工艺 l 工作电压范围：3.0V—5.5V l 高速移位时钟频率 Fmax：25MHZ l 串行输出，可用于多个设备的级联 l ESD HBM>6KV
引脚图
引脚定义说明
引脚编号
1、2、3、4、5、6、7、15 8 9 10 11 12 13 14 16
符号
O1—O8 GND SDO SCLR SHC STC OE SDI VCC
DP74HC595 LED 驱动芯片
概述
DP74HC595 是一款高速 COMS 器件，74HC595 引脚兼容低功耗肖特基 TTL（LSTTL）系列。 DP74HC595 是 8 位串行移位寄存器，带有存储寄存器。移位寄存器和存储寄存器分别采用单独的时钟。 在 SHC 的上升沿，数据发生移位，在 STC 的上升沿，数据从每个寄存器中传送到存储寄存器。如果两个 时钟信号被绑定在一起，则移位寄存器将会一直领先存储寄存器一个时钟脉冲。 位移寄存器带有一个串行输入（SDI）端和一个串行输出（SDO），用于控制下一级级联芯片。
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2V
75
175
tPZL 的最大延迟时 CL =50pF
间（普通状态） CL =150pF 2V
100
245
CL =50pF 4.5V 15
35
TA=25 to 85℃ TA=-55 to 125℃
极限值
4.8
4.0
24
20
28
24
265
315
367
441
53
63
74
88
45
54
63
76
220
265
306
58
210
CL =150pF 2V
83
294
tPHL SCK 到 Q’H 的 CL =50pF 4.5V
14
42
tPLH 最大延迟时间 CL =150pF 4.5V
17
58
CL =50pF 6V
10
36
CL =150pF 6V
14
50
CL =50pF 2V
70
175
tPHL tPLH
RCK 到 QA 至 QH 的最大延迟
17
42
tPHZ
G 到 QA 至 QH 的最大延迟时
RL =1kΩ
2V 4.5V
75 15
175 35
tPLZ
间（高阻态） CL =50pF
6V
13
30
SER 到 SCK 最
tS
小状态建立时
间
2V
100
4.5V
20
6V
17
SCLR 到 SCK
tR
最小状态建立
时间
2V
50
4.5V
10
6V
9
SCK 到 RCK 最
QB 1 QC 2 QD 3 QE 4 QF 5 QG 6 QH 7 GND 8
74HC595
16 VCC
15
QA
14 SER
13
G
12
RCK
11
SCK
10
SCLR
9
Q'H
SOP16(74HC595M)、TSSOP16(74HC595V)
管脚
I/O
QA～QH
O
GND，VCC
－
Q’H
O
SCLR
I
SCK
tS
小状态建立时
间
2V
100
4.5V
20
6V
17
SER 到 SCK 最
tH
小保持时间
2V
5
4.5V
5
6V
5
SCK 或 SCLR
tW
最小脉宽时间
2V
30
80
4.5V
9
16
6V
8
14
时钟输入最大 tr tf 上升和下降时
间
2V
1000
4.5V
500
6V
400
输出最大上升
tTHL
和下降时间
tTLH
QA～QH
时间
CL =150pF CL =50pF CL =150pF
2V 4.5V 4.5V
105 21 28
245 35 49
CL =50pF 6V
18
30
CL =150pF 6V
26
42
tPHL SCLR 到 QH 最
tPLH
大延迟时间
2V
175
4.5V
36
6V
30
tPZH G 到 QA 至 QH RL =1kΩ
0.90～ 1.05
0°～8° Unit：mm
Rev 2.1 2006-09-13 7/7
符号
特性
fMAX tPHL tPLH tPHL tPLH
tPZH tPZL
SCK 最高工作频率 SCK 到 Q’H 的最大延迟时间 RCK 到 QA 至 QH 的最大延迟时间 G 到 QA 至 QH 的最大延迟时间
（普通状态）
tPHZ tPLZ
G 到 QA 至 QH 的最大延迟时间 （高阻态）
tS
SER 到 SCK 最小状态建立时间
ns
℃
Rev 2.1 2006-09-13 3/7
74HC595
电参数
DC 特性
符号
特性
条件
TA=25℃
VCC 典型值
TA=25 to 85℃ TA=-55 to 125℃ 单
极限值
位
输入最小高
VIH
电平电压
2V
1.5
4.5V
3.15
6V
4.2
输入最大低
VIL
电平电压
2V
0.5
4.5V
1.35
6V
15 QA
1 QB
2 QC
3 QD
4 QE
PARALLEL DATA OUTPUTS
5 QF
6 QG
7 QH
9
Q'H
SERIAL DATA OUTPUT
Rev 2.1 2006-09-13 2/7
74HC595
时序图
CLK SER SCLR RCK
G QA QB QC QD QE QF
QG QH Q'H
1.8
输出最小高 电平电压
VIN = VIH or VIL ︱IOUT ︱≤20μA
2V 4.5V
2.0 4.5
1.9 4.4
6V
6
5.9
VIN = VIH or VIL
4.5V
4.2
3.98
VOH
QH
︱IOUT ︱≤4.0mA
︱IOUT ︱≤5.2mA 6V
5.2 5.48
QA 至 QH
VIN = VIH or VIL
0.203
0.55±0.20
3.95±0.10 6.04±0.20
TSSOP16
0.406±0.1
1.27
0.20±0.10
4.96±0.10
1.45±0.10
2°～8° Unit：mm
1.20MAX
0. 60±0. 15
4.40±0.10 6.40±0.20
0.20～0.28 0.65 0.10 0.05～0.15
28
25
20 20 40 0 16
单位 MHz
ns ns
ns
ns
ns ns ns ns ns
AC 特性(VCC =2.0～6.0V，CL =50pF，tr=tf =6ns)
符号
特性
条件
TA=25℃
VCC 典型值
2V
10
6
fMAX 最高工作频率 CL =50pF 4.5V
45
30
6V
50
35
CL =50pF 2V
368
44
53
61
74
37
45
53
63
221
261
44
52
37
44
220
265
306
368
44
53
单位 MHz
ns ns ns ns ns ns ns
ns ns
Rev 2.1 2006-09-13 5/7
74HC595
CL =150pF 4.5V 20
49
CL =50pF 6V
13
30
CL =150pF 6V
2V
25
60
4.5V
7
12
6V
6
10
tTHL 最大输出上升 tTLH 和下降时间 QH
2V
75
4.5V
15
6V
13
CPD
工作电容 (有输出)
G =VCC G =GND
90 150
CIN 最大输入电容
5
10
COUT 最大输出电容
15
20
61 37 53 220 44 37 125 25 21 63 13 11 125 25 21 5 5 5 100 20 18 1000 500 400 75 15 13 95 19 16
G
功能说明
H
QA 至 QH=高阻态
L
移位寄存器清零，Q’H =0
L
移位寄存，QN= Qn-1，Q0= SER
L
从移位寄存器输出到输出寄存器
G 13 RCK 12 SER 14
11 SCK SCLR 10
DQ R DQ R DQ R DQ R DQ R DQ R DQ R DQ R
DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ DQ
tS
SCLR 到 SCK 最小状态建立时间
tS
SCK 到 RCK 最小状态建立时间
tH
SER 到 SCK 最小保持时间
tW
SCK 或 RCK 最小脉宽时间
条件
CL =45pF CL =45pF RL=1kΩ CL =45pF RL=1kΩ CL =5pF
典型值 50 12 18 17
15
极限值 30 20 30
Etek Microelectronics
74HC595
8 位带输出寄存的移位寄存器
概述
74HC595 是 硅 CMOS 工艺集成的高速移位寄存器。是一种高抗干扰能力、低功耗的标准 CMOS 集成 电路，具有 15 个 LS－TTL 门的驱动能力。该电路是带 8 个 D 触发存储器的 8 位串行输入，并行输出的移 位寄存器。输出寄存器具有 8 位的 3 态输出。移位寄存器和输出寄存器的时钟分开且它们都是上升沿触发， 移位寄存器有清零信号控制。提供串行输入、串行输出信号引脚。如果两个时钟接在一起，移位寄存器状 态总是比存储寄存器快一个时钟。