原子层沉积设备技术参数
Picosun原子层沉积(ALD)产品手册说明书
Picosun产品手册ALD是未来工业发展趋势的可选方案原子层沉积(ALD)是目前最先进的镀膜和表面处理技术。
ALD可以制备多种材料的超薄薄膜，比如氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、金属甚至聚合物,并在几乎所有类型的衬底表面精确数字化和可重复的控制薄膜厚度、均匀性、成分及保形性。
ALD薄膜本质上是无针孔、无裂纹、无缺陷的。
ALD工艺在真空中相对低温下进行，能够应用于敏感表面。
ALD在现代半导体工业中起到了中流砥柱的作用。
采用ALD工艺制备的功能材料层能使集成电路（IC）组件不断小型化，带来更快、更可靠的计算，移动通信和数据传输和存储。
当今最先进的产品加工过程中都包含ALD工艺智能家庭及智能行业，更安全的汽车及其它交通工具，更快更简便的医疗诊断方式及可穿戴的健康监控器件都可以通过微尺度的传感器。
ALD在这些器件加工中是非常关键的技术。
使用ALD制备的LED照明更亮，寿命更长。
ALD精确的光学层拓展到更多的特殊光学应用中。
在医疗技术中，病人的安全性及人工植入部件的寿命通过ALD的生物兼容层获得提高。
新颖的靶向药物输运技术也用ALD开发出来。
ALD实现可持续发展的未来在可持续发展的未来，ALD薄膜可以提高太阳能电池板和燃料电池的性能。
新颖的高能量密度电池和能量收集装置都已使用ALD做超薄层。
采用ALD涂层的粉末载体展现了在低成本、环境友好型催化剂方面的潜力。
有价值的物品如贵金属首饰和纪念币可以通过ALD工艺起抗老化、抗暗色化、抗变污的作用。
在钟表与珠宝行业，充满活力和金属色调并具有光泽性、色彩性的ALD薄膜在无毒，非过敏性，并节省材料的方式下带来全新的视觉效果。
Picosun提供经生产线验证的ALD解决方案今天，世界上许多最大的微电子和集成电路（IC）制造企业都选择Picosun的ALD来生产他们最先进的产品。
在IC领域之外，我们的工业ALD技术也在全球铸币业、制表业、医疗植入、能源及固态照明行业被广泛使用。
原子层沉积制造技术
原子层沉积制造技术下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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ald原子层沉积技术介绍
ald原子层沉积技术介绍嘿，咱今儿个就来聊聊 ald 原子层沉积技术！这可是个厉害的玩意儿呢！你知道不，ald 原子层沉积技术就像是一位超级精细的艺术家，在微观世界里进行着神奇的创作。
它能一层一层地、极其精准地把材料堆积起来，那精度，简直了！想象一下，就好像是在给一个小小的物件穿上一层又一层无比合身的衣服，每一层都那么恰到好处，不多也不少。
这和咱平常涂油漆可不一样，那可粗糙多了。
ald 原子层沉积技术能做到的，是咱想都想不到的精细活儿。
它可以让材料拥有各种各样神奇的性能。
比如说，让一种材料变得超级耐磨，就像给它穿上了一层坚不可摧的铠甲；或者让它具有超好的导电性，就像给电流修了一条畅通无阻的高速公路。
这可太牛了吧！ald 原子层沉积技术在好多领域都大显身手呢！在电子行业，那些小小的芯片可离不开它。
它能让芯片变得更强大、更高效，咱手里的手机、电脑啥的，性能越来越好，这里面可就有它的功劳呀！在新能源领域，它也能发挥大作用，让电池更耐用、更安全，以后咱就不用担心手机没电啦！而且哦，这技术还在不断发展呢！就像一个不断成长的孩子，越来越厉害。
科研人员们一直在努力，让它能做出更棒的东西来。
说不定哪天，它就能给咱带来更大的惊喜呢！ald 原子层沉积技术，真的是科技的小魔法呀！它让那些看起来不可能的事情变得可能，让我们的生活变得更加美好。
咱可得好好感谢那些研究这个技术的人，是他们让我们看到了未来的无限可能。
你说，这么厉害的技术，是不是值得我们好好了解了解呢？咱可不能错过这么好的东西呀！以后再听到 ald 原子层沉积技术，可别两眼一抹黑啦，咱也能跟别人唠唠这其中的门道呢！它就像是隐藏在科技世界里的一颗璀璨明珠，等着我们去发现它的光芒。
你难道不想去探索一下这光芒背后的奥秘吗？。
ALD（AtomicLayerDeposition）原子层沉积设备
ALD（AtomicLayerDeposition）原⼦层沉积设备原⼦层沉积ALD（Atomic Layer Deposition）设备介绍本公司原⼦层沉积ALD（Atomic Layer Deposition）设备及沉积技术来源于北京印刷学院陈强教授及其科研团队在ALD⽅⾯研究的多年成果。
该科研团队与多个⾼校和科研院所联合开发多种类型原⼦层沉积设备和镀膜⼯艺研究，并为企业提供原⼦层沉积设备⼯艺调试和样品处理等。
原⼦层沉积系统是制备⾼性能致密薄膜的重要⼿段，具有良好的台阶覆盖率和精确的膜厚控制能⼒，主要⽤于燃料电池催化剂，氮化物，氧化物薄膜等沉积。
⼯作原理:原⼦层沉积通过前驱体A与基体表⾯的饱和化学吸附和反应⽣成第⼀层原⼦层，然后通过吹扫排除剩余前驱体A，之后通⼊前驱体B再次饱和化学吸附到基体表⾯并与前驱体A发⽣化学反应⽣成另⼀层预沉积物质，其副产品与多余前驱体B通过吹扫排出。
此过程依次循环反复获得沉积薄膜，并通过反应循环次数精确控制膜厚。
⽬前原⼦层沉积系统ALD system（Atomic Layer Deposition System）系列设备包括以下4种：●Thermal ALD （Thermal Atomic Layer Deposition System）传统热原⼦层沉积系统；●PE-ALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition System）等离⼦增强原⼦层沉积系统；●Roll to Roll ALD （Roll to Roll Atomic Layer Deposition System）辊对辊式原⼦层沉积；●ALD for particle/powder颗粒/粉末样品的原⼦层沉积；Thermal ALD （Thermal Atomic Layer Deposition System）传统热原⼦层沉积系统基⽚尺⼨：6英⼨、8英⼨、12英⼨；加热温度：25℃～400℃（可选配更⾼温度）；薄膜不均匀性：< ± 2 % (1δ)前驱体数：4路（可选配6路）；源瓶加热温度：25℃～200℃，控制精度±0.1℃；ALD阀：Swagelok快速⾼温ALD专⽤阀；本底真空：< 2x10-1Pa，进⼝防腐泵；控制系统：配备控制电脑，全⾃动电脑控制，⾃动⼯艺控制软件；或选择触摸屏系统控制。
ald设备工作手册
ald设备工作手册《ALD设备工作手册》是一本详细介绍ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）设备操作和工作原理的手册。
ALD是一种薄膜沉积技术，通过逐层沉积原子或分子来形成高质量、均匀厚度的薄膜。
以下是对该手册的多角度全面回答。
首先，该手册可能会包含ALD设备的基本介绍，包括设备的外观、主要组成部分和功能。
它可能会详细描述设备的结构和工作原理，以及其中涉及的关键组件和技术。
这些组件可能包括反应室、前驱体供应系统、载体、真空系统、温度控制系统等。
手册可能会解释这些组件的作用和工作原理，以及它们如何协同工作来实现ALD过程。
其次，手册可能会介绍ALD过程的基本步骤和参数设置。
这些步骤可能包括前驱体吸附、表面反应、后处理等。
手册可能会详细说明每个步骤的操作方法、时间和温度要求，以及如何选择合适的前驱体和反应条件来获得所需的薄膜性质。
此外，手册可能还会讨论如何调整ALD过程中的其他参数，如气体流量、压力、反应时间等，以优化薄膜的生长速率、均匀性和质量。
此外，手册可能会涉及到ALD薄膜的特性和应用。
它可能会介绍不同材料的ALD薄膜的特性，包括其化学、物理和电学性质。
手册可能还会讨论ALD薄膜在不同领域的应用，如微电子器件、太阳能电池、传感器、光学涂层等。
它可能会提供一些实际应用案例，以帮助读者更好地理解ALD技术的潜力和优势。
除了操作和应用方面，手册可能还会涉及到ALD设备的维护和故障排除。
它可能会提供一些常见故障的解决方法和维护建议，以确保设备的正常运行和长寿命。
手册可能会介绍一些常见的维护任务，如清洁反应室、更换耗材等，并提供相应的操作步骤和注意事项。
最后，手册可能会包含一些附录，如常用术语解释、常见问题解答、参考文献等，以帮助读者更好地理解和应用ALD技术。
总结起来，《ALD设备工作手册》可能会包含ALD设备的介绍、工作原理、操作步骤、参数设置、薄膜特性和应用、设备维护等内容。
AL2O3沉积用PE-ALD设备介绍
Confidential
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高效电池技术和研究进展
• SE高效电池技术限制：
件电池 SE电效池率提提高高短有波限区。域但的背吸场收钝效化率却，能但有做效Co成提n组f高id件对en后于tia，长l 玻波璃的和吸E收V，A材从料而将增短加波了过电滤池掉和，组造件成的S6效E组率。
• 钝化膜发展过程
高效电池技术和研究进展
钝化性能高,常用于 制备高效电池,如 UNSW的PERC、PERL
电池。
沉积温度低,一般低于400 SiNx/SiO2,SiNx/a度 ；薄膜厚度易控制,精 Si,SiO2/Al2O3等,钝 确度高；钝化性能良 化性能良好,也常用 好；适合P型背场和N型
于制备高效电池。 发射极钝化,PEALD可满 足工业化生产（3000片 /h）。
Losses in Solar Cells
Optical Losses
Electrical Losses
Ohmic Recombination
Single or double layer antireflection
coatings;
Bulk recombination losses
Buried contacts formed in grooves cut • Auger recombination: The
ALD Al2O3， 负电性材料
SiO2钝化膜 SiNx钝化膜 α-Si钝化膜 Al2O3钝化膜
Confidential
氧化温度高，降低了载流子体 寿命 正电性，不适用于PERC电池，降低 了短路电流密度，产生parasitic shunting
钝化性能对工艺温度太敏感
ALD 方式沉积速率低
8
原子层沉积(ALD)操作说明介绍
5.可同时进行多样品沉积；
原子层沉积Al2O3配方调控范例：
序号
类型
步数
数值（s）
1
Dose
2
0.020
2
Purge
20.000
3
Dose
7
0.015
4
Reaction
5.000
5
Purge
20.000
6
Goto
1
300.000
7
End
上一个沉积完成后继续做下一个原子层沉积Al2O3配方调控范例：
序号
类型
步数
数值（s）
1
Dose
2
0.040
2
Reaction
5.000
3
Purge
40.000
4
Dose
7
0.025
5
Reaction
5.000
6
Purge
40.000
7
Goto
1
50.000
8
End
3.编辑配方：--读取模式
Dose（0.02S）通入前驱体；沉积前编辑选择配方，读取；
配方编辑程序：
【Dose—Purge—Dose—Reaction—Purge—Goto—End】
注：1.正常只开泵、加热器，不关设备；
2.运行沉积过程中不可调配方页面；
3.看压力实时趋势—前驱体是否吹走来Purge时间；
原子层沉积
操Байду номын сангаас：
1.开机—gy01（不能手动/自动调节）
wh02（可手动/自动调节）
2.进入页面自动模式：打开泵、流量计、加热器—工艺参数配置全部打开—稳定之后—关闭泵、流量计，打开充气阀—关充气—（压力760T左右）—开腔体、放基底—关闭腔体、打开充气—关充气、打开泵、流量计—待稳定，开前驱体源阀，打开沉积【几个circle后，关闭Vg（配置页面）】—完成循环后，打开Vg。
原子层沉积工艺 参数 机理 tio2
原子层沉积工艺参数机理 tio2
原子层沉积（ALD）是一种可以将物质以单原子膜的形式一层一层的镀在基底表面的薄膜沉积技术。
ALD 技术在制备高质量薄膜材料时，需要考虑前驱体的选择、前驱体脉冲时间和沉积温度等工艺参数。
在利用原子层沉积技术制备 TiO2薄膜时，前驱体需要满足良好的挥发性、足够的反应活性以及一定的热稳定性，并且不能对薄膜或衬底具有腐蚀或溶解作用。
前驱体脉冲时间需要保证单层饱和吸附，而沉积温度应保持在ALD窗口内，以避免因前驱体冷凝或热分解等引发CVD生长从而使得薄膜不均匀。
ALD 技术可以精确控制薄膜的厚度和成分，从而制备出高质量的 TiO2薄膜。
在结焦实验中，TiO2薄膜的抗积碳钝化性能普遍优于 SiO2薄膜。
沉积周期数为1000的 TiO2膜层具有最佳的抗积碳钝化效果，能够使反应器的运行时间延长4-5倍。
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3.流量控制系统，采用质量流量计实现四路流量精确控制，其中两路流量范围0~500 sccm，两路流量范围0~200 sccm；
4.阀门控制系统，需满足18组阀门开关时序控制；
5.反应控制系统，需实现常规生长模式、夹层生长模式、合金生长模式、准静态模式等多种需要的生长模式；
6.计算机控制系统，阀门控制系统可通过计算机软件操作。（后期可根据实际反应器系统
反应器管径为50 mm，长度为800 mm，可加热温度不低于400℃。另外需有4个样品台。同时保持零部件组装与拆卸的灵活性，以便与其他设备串联。
真空系统
1.整个过程中需保证系统的密封性，并且其极限压力不高于1 Pa；
2.运行过程中，气体的抽速需达到6 m3/h。
控制系统
1.真空控制系统，需控制压力从1 Pa到大气压范围内可调；
原子层沉积成套装置主要技术指标
项目分类
技术要求
前驱体供给系统
前驱体通道不少于六路：其中易挥发性液体三路，难挥发性液体及固体通道不少于两路，气体通道一路。对难挥发性前驱体通道的加热温度不低于270℃，对易挥发性液体前驱体通道的加热温度不低于70℃，气体通道除适用于一般非腐蚀性气体外，还需适用于臭氧等。