原子层沉积技术
原子层沉积制造技术
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原子层沉积法的原理和应用
原子层沉积法的原理和应用原子层沉积法 (Atomic Layer Deposition, ALD) 是一种表面化学反应技术，可用于在纳米尺度下控制材料的沉积和生长。
该技术的原理是以分子层为单位对待，通过依次将预定数量的原子或分子沉积到待处理物表面上形成一层完整的原子层。
ALD技术的应用非常广泛，包括微电子、纳米电子、纳米器件、光电子器件、能源储存和转换器件等领域。
原子层沉积法的原理基于准分子吸附和表面反应。
该过程通过两种或多种前体物质的交替供给，通过吸附和反应在基体上一层一层地沉积，形成精确控制的薄膜，具有高质量和强大的薄膜控制能力。
该技术的关键是前体分子的热解和表面反应，热解可将前体分子分解为无机或有机反应性种子，而表面反应可使种子与基体表面上的活性基团反应，从而沉积出薄膜。
ALD的应用非常广泛，主要包括以下几个方面：1.微电子领域：ALD技术可以制备高质量的薄膜，用于晶体管栅极绝缘层、源漏极等器件结构。
此外，ALD还可用于制备超大规模集成电路(ULSI)的线路隔离、超薄栅氧化物和晶体管栅氧化物。
2.纳米器件和纳米电子：ALD技术可用于制备纳米尺度的电子器件和器件层，如纳米线、纳米点和二维材料等。
该技术可以控制沉积的原子或分子数量，从而实现纳米尺度的器件和电子元件。
3.光电子器件：ALD技术可用于制备太阳能电池、光电二极管、高频电化学传感器、光电转换薄膜和光学镀膜等光电子器件。
通过ALD能够将薄膜的光学、电学和磁学特性调控到所需的性能范围。
4.能源储存和转换器件：ALD技术可用于制备锂离子电池电极材料、超级电容器电极材料和燃料电池膜电极等能源储存和转换器件。
该技术可以调控材料的晶体结构和表面化学组成，从而改善器件的性能和稳定性。
5.生物医学：ALD技术可用于制备生物传感器、细胞培养基质和药物输送系统等生物医学应用。
通过ALD可实现对生物材料的表面改性，增加生物相容性和生物活性。
总之，原子层沉积法是一种重要的表面化学反应技术，可实现对材料的精确控制和定量分析。
原子层沉积特点
原子层沉积特点原子层沉积(ALD)是一种薄膜沉积技术，其特点在于能够精确控制薄膜的厚度、组分和结构，同时具有高度均匀性和良好的覆盖性。
在中心扩展下的描述中，我们将详细解释原子层沉积的特点及其在各个领域的应用。
原子层沉积的特点之一是单层沉积。
在ALD过程中，反应气体依次吸附在衬底表面，形成一层原子或分子的覆盖物，然后通过另一种反应气体进行反应，生成另一层薄膜。
这种单层沉积的方式使得薄膜的厚度可以精确控制，通常在纳米尺度范围内，从而实现对薄膜性能的精细调控。
原子层沉积具有高度均匀性。
由于各个原子或分子层的沉积是逐层进行的，且每一层都经过完全的反应和覆盖，因此薄膜的厚度和组分在整个表面上都非常均匀，避免了普通沉积方法中常见的非均匀性问题。
这种高度均匀性使得ALD技术在微电子和光电子领域得到广泛应用。
原子层沉积具有良好的覆盖性。
在ALD过程中，反应气体分子会在表面扩散并完全覆盖每一个表面的微观结构，确保了薄膜在整个表面上的连续性和完整性。
这种良好的覆盖性使得ALD技术在制备高质量薄膜的过程中具有独特优势，尤其在功能性薄膜和涂层的制备中表现突出。
原子层沉积还具有高度可控性。
通过控制不同的反应气体种类、时间和温度等参数，可以精确调节薄膜的厚度、成分和结构，实现对薄膜性能的定制化设计。
这种高度可控性使得ALD技术在纳米器件、光学涂层、传感器等领域中得到广泛应用，并展现出巨大的潜力。
在中心扩展下，原子层沉积技术已经在多个领域得到了成功应用。
在微电子领域，ALD技术可以用于制备高介电常数的绝缘层、金属氧化物薄膜和金属薄膜等，提高了器件的性能和稳定性。
在光电子领域，ALD技术可以制备高透明度的导电氧化物薄膜、光学涂层和光学薄膜，广泛应用于太阳能电池、光学器件和显示屏等领域。
在传感器领域，ALD技术可以制备高灵敏度的传感膜和反射层，提高了传感器的响应速度和检测精度。
总的来说，原子层沉积具有单层沉积、高度均匀性、良好覆盖性和高度可控性等特点，适用于各种应用领域，并在微纳技术、新能源、生物医药等领域展现出广阔的应用前景。
ald沉积技术
ALD沉积技术概览ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）是一种用于制备薄膜材料的表面沉积技术。
它的独特之处在于能够在纳米尺度上控制薄膜的厚度和成分，并提供出色的薄膜均匀性和密度。
ALD技术具有广泛的应用领域，如电子器件、光电材料、能源存储、催化剂等。
原理ALD技术的基本原理是通过分子层沉积的方式在基底表面逐步生长薄膜。
ALD的每个周期包括两个步骤：前体分子吸附和表面反应。
前体分子通过物理吸附或化学吸附的方式吸附在基底表面，形成一个单分子层。
然后，第二个前体分子被引入，与已吸附的分子进行反应，生成一层新的物质。
这个周期重复进行，直到薄膜达到所需的厚度。
为了实现单分子层的沉积，ALD应用了非均匀前体分子吸附和表面反应的原理，即前体分子与表面反应的速率要高于与气相反应的速率，从而确保每个周期只有一个单分子层被沉积。
操作步骤ALD沉积通常包括以下几个步骤：1.基底预处理：将基底进行表面清洗和氧化处理，以确保其表面干净和活性。
2.吸附前体1：将前体分子1引入反应室中，使其与基底表面发生吸附。
3.后处理：将反应室进行干燥，以去除未反应的前体分子1，并清洗表面。
4.吸附前体2：将前体分子2引入反应室中，使其与已吸附的前体分子1进行反应，生成新的沉积层。
5.后处理：重复第3步。
6.重复步骤2至5，直到薄膜达到所需的厚度。
ALD技术在薄膜制备中具有以下优势：1.厚度控制：ALD可精确地控制薄膜的厚度，通常在几个纳米到一百纳米之间。
2.均匀性：ALD提供出色的薄膜均匀性，可以在整个基底表面实现原子级别的均一沉积。
3.高纯度：由于ALD使用准分子层沉积，所以薄膜具有较高的纯度和化学均匀性。
4.选择性：ALD可以实现不同材料之间的选择性沉积，从而实现多层复合材料的制备。
5.低温制备：相比其他制备方法，ALD通常在相对较低的温度下进行，避免了基底的热应力。
应用领域由于ALD技术的优势，它在许多领域中得到了广泛应用：电子器件ALD在电子器件制造中被广泛应用。
ALD_精品文档
原子层沉积技术（ALD ）原子层沉积技术（ALD ），也称为原子层外延（ALE ）技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法[6]。
ALD 技术用于商用是由Suntola 和他的合作者在70年代中期发展起来的，最初是用于生产ZnS ∶Mn 场致发光薄膜。
近年来，由于半导体工业的发展，ALD 技术已被广泛应用于半导体器件的生产研究中。
图1.3.1为通过ISI 数据库检索系统统计得出的1981年至2009年，近三十年来发表的关于ALD 的文章数量。
从图中可以看出，对原子层沉积技术的研究呈现出指数增长的趋势。
N u m b e r o f p a p e r sDate （year ）图1.3.1 1981-2009年ISI Web of Knowledge 数据库中主题为ALD 的论文数量变化曲线1.3.1 原子层沉积的原理和特点ALD 与传统化学气相沉积（CVD ）技术不同的是，所用的气相先驱体通过交替脉冲的方式进入反应腔，先驱体彼此在气相中不相遇，通过惰性气体(Ar 、N 2)冲洗隔开并实现先驱体在基片表面的单层饱和吸附反应。
其反应属于自限制性反应，即当一种先驱体与另一种先驱体反应达到饱和时，反应自动终止。
基于原子层生长的自限制性特点，以原子层沉积制备的薄膜具有优异的厚度控制性能，可以通过控制脉冲的周期数来精确的控制薄膜生长的厚度。
由于先驱体是通过交替脉冲的方式进入反应腔，原子层沉积中，薄膜的生长是以一种周期性的方式进行的。
一个周期包括四个阶段：第一种先驱体蒸汽通入反应腔体；惰性气体冲洗；第二种先驱体蒸汽通入反应腔体；惰性气体冲洗。
每个周期薄膜生长一定的厚度，通过控制这种周期的次数可以得到所需厚度的薄膜。
图1.3.2 一个原子层沉积周期反应过程示意图从图1.3.2可以看到，在一个周期内，第一个脉冲的气相先驱体与基片表面产生化学吸附，形成一单分子层。
多余的先驱体在第二次脉冲中惰性气体冲洗中排出反应腔，完成一个半周期反应。
ald工艺技术
ald工艺技术ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）是一种薄膜制备技术，通过按照一种预定的顺序反复沉积单层膜来达到精确控制膜厚和成分的目的。
ALD在微电子、光电子、纳米材料等领域具有广泛的应用。
ALD工艺技术的主要特点之一是能够实现非常薄的膜沉积，单层厚度可控在纳米数量级。
这种特点使得ALD非常适用于电子器件的制造，特别是新一代超大规模集成电路（ULSI）的制造。
由于现代电子器件要求薄膜具有很好的均匀性、致密性和界面质量，ALD成为了一种理想的薄膜制备技术。
ALD的工作原理是通过气相反应将金属或者非金属前驱物引入到沉积室，在反应物与基材表面之间形成化学反应，生成一层单原子或者单分子层覆盖的薄膜。
为了实现成核和生长的控制，ALD需要反应室中存在反应前驱物的蒸气饱和度和反应室内各部分的温度进行精确控制。
通过多次循环反应获得所需的膜厚。
ALD的工艺特点使得它在纳米材料制备中具有独特的优势。
由于ALD可以沉积非常薄的膜，因此薄膜所占材料的比例非常小，对材料性能的影响极小。
另外，ALD可以在纳米颗粒表面沉积一层包覆膜，以提高纳米颗粒的稳定性和抗氧化性能。
这种方法可以应用于制备多种纳米材料，包括金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒和铁磁纳米颗粒等。
在能量存储领域，ALD技术也有广泛应用。
比如，ALD可以用于制备锂离子电池的电极材料和固体电解质膜。
利用ALD 沉积技术可以控制电极材料和固体电解质的厚度和成分，提高电池的循环稳定性和充放电性能。
此外，ALD技术还可以用于制备超级电容器和燃料电池等能源存储和转换设备。
此外，ALD还被广泛应用于微电子和光电子器件的制造中。
比如，ALD可以用于制备高介电常数的薄膜来提高电容的性能；ALD可以制备高质量的铁电薄膜和铁磁薄膜用于存储和传感器器件；ALD还可以制备光学薄膜用于太阳能电池和发光二极管等光电器件。
综上所述，ALD工艺技术是一种能够精确控制膜厚和成分的薄膜制备技术，具有在微电子、光电子、纳米材料等领域广泛应用的优势。
原子层沉积 低压气相沉积 沉积效率
原子层沉积低压气相沉积沉积效率（实用版）目录1.原子层沉积技术简介2.低压气相沉积技术简介3.沉积效率的定义与重要性4.原子层沉积与低压气相沉积的沉积效率比较5.结论正文原子层沉积（Atomic Layer Deposition，简称 ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，能够在纳米尺度下实现精确的控制。
这种技术通过将气相前驱体与载体气体混合，以原子级别的精度在基底表面逐层沉积薄膜。
原子层沉积技术具有优异的薄膜均匀性、台阶覆盖能力和高选择性，广泛应用于微电子、光电子和能源等领域。
低压气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，简称LPCVD）是一种常用的薄膜沉积技术，主要通过加热使气相前驱体在基底表面反应生成薄膜。
这种技术具有沉积速度快、生产效率高、设备成本低等优点，适用于大规模生产。
然而，与原子层沉积相比，低压气相沉积的薄膜均匀性和台阶覆盖能力较差，可能导致薄膜性能下降。
沉积效率是指在特定条件下，单位时间内薄膜沉积的厚度。
它是衡量薄膜沉积技术性能的重要指标，直接影响到生产效率和薄膜质量。
提高沉积效率有助于降低生产成本，提高产品竞争力。
在原子层沉积和低压气相沉积中，沉积效率受到多种因素的影响，如反应温度、反应压力、气体流量和前驱体浓度等。
原子层沉积技术具有高沉积效率，因为它能够实现对每个前驱体原子的精确控制，使得薄膜生长速率与前驱体供应速率相匹配。
而低压气相沉积的沉积效率受到反应条件和薄膜均匀性的限制，可能不如原子层沉积。
总之，原子层沉积和低压气相沉积是两种具有不同特点的薄膜沉积技术。
原子层沉积具有高精度、高均匀性和高选择性，但生产效率较低；而低压气相沉积具有高生产效率和低成本，但薄膜质量和均匀性相对较差。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的沉积技术。
原子层沉积ald原理
原子层沉积ald原理
原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种化学气相沉积
技术，可以在纳米级别的薄膜表面上制备出单层原子厚度的材料薄膜。
ALD技术具有很高的原子精度和重复性，在微电子、纳米器件、传感器、光学薄膜等领域有着广泛的应用。
ALD技术的原理是通过极限条件下控制反应物分子的吸附和表面反应，利用化学键的形成和断裂控制材料成分和厚度的增长。
一般来说，ALD技术的基本过程包括以下几个步骤：
1. 曝露基底
首先，基底（Substrate）被放置在化学反应室中，并被曝露在反应物质量比控制良好的气氛中。
2. 吸附与反应
反应室中加入一种预先选择好的反应物A，如一种金属有机前体分子，该分子在基底表面被吸附并进行表面反应，反应产生的化学物会与基
底表面形成化学键唯一连接。
3. 后处理
反应后进行后处理，在后处理过程中，通过对反应室内的A和B反应
物的流量和时间比例及温度和压力参数的调节，完成单层材料原子沉积。
4. 重复操作
重复以上操作，附加反应物B这时反应室内的A和B反应物及温度和时间等参数均由程序自动控制，直到获得所需厚度的材料层。
5. 结束
制备完成后，反应物质被清除，将制备好的材料薄膜从反应室中取出，并送入相应的质检和测试环节。
总之，ALD在制备纳米材料方面有非常广泛的应用，可以精确地控制
材料的厚度、形貌和化学组分，从而在微电子、光学薄膜、传感器、
光电器件等领域中得到广泛应用。
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已报导的使用ALD工艺沉积的材料
Dielectric
Conductors/ Semiconductors Other ternaries Nitrides Semiconductors /Dielectric Metallic II-VI compounds II-VI based TFEL phosphors III-V compounds Fluorides Elements
BN, AlN, GaN, InN, SiNx, Ta3N5, Cu3N, Zr3N4, Hf3N4 TiN, Ti-Si-N, Ti-Al-N, TaN, NbN, MoN, WNx, WNxCy ZnS, ZnSe, ZnTe, CaS, SrS, BaS, CdS, CdTe, MnTe, HgTe,Cax(PO4)y, CaCO3 ZnS:M (M = Mn, Tb, Tm), CaS:M (M = Eu, Ce, Tb, Pb), SrS:M (M = Ce, Tb, Pb) GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs CaF2, SrF2, MgF2, LaF3, ZnF2 Ru, Pt, Ir, Pd, Rh, Ag, W, Cu, Co, Fe, Ni, Mo, Ta, Ti, Al, Si, Ge La S , PbS, In S , Cu S, CuGaS , Y O S, WS , TiS , SiC, TiC , TaC , WC ,Ca (PO ) ,
扩散势垒层及钝化层
改性的催化剂载体
电致发光显示器中的发光层
在结构复杂的多孔粉末材料表面上的均匀覆盖保护层.特定表面 Oxidised overlayers of Zr, Ti, Cr, Ce, Mn, 的控制性生产. La, Cu, Mg, Co, Ni, Mo 高的结构稳定性, 无退化.单个工艺即具备的钝化能力.原子级控 制的掺杂和组份. 在低温下的高的化学计量同质性和结晶度.精确的膜厚及成份控 制. 高的多层膜制备能力.具备众多不同折射系数的可与ALD 工艺 匹配的材料. ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce
原子层沉积是在一个加热反应器中的衬底上连续引入至少两 种气相前驱体物种，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动 终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。目前 可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳 化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。
原子层沉积的基本原则
原子层沉积通过在反应区独自引进具有高反应活性的前驱体， 这些前驱体各含所沉积薄膜的元素， 这种方式使不受控制的 气相反应得以避免。——均匀、 规整， 可控。 这种机理同时也使薄膜生长的过程除了前驱体的反应活性及 温度敏感外， 对其他参数并不敏感， 如气压等。
原子层沉积简介
原子层沉积技术的原理
通过交替的饱和性的表面反应实现薄膜的自限性生长
在氧化物生长方面存在普遍流行并被 广泛接受的生长机理 羟基及配位不饱和表面离子为金属前躯 体的有效反应位点
原子层沉积简介
原子层沉积技术的原理
原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但是，在原子层 沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相 关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，因此也称为 单原子层沉积。
原子级可控的掺杂 确保高灵敏度的多孔载体的均匀覆盖及性能稳定化. 高扩散性及活性. 纳米管, 纳米线, 多孔基体, 生物基体的均匀覆镀.
V2O5/TiO2/SiO2
Al2O3, TiO2 etc.
原子层沉积技术的应用
ALD技术的商业应用是由Suntola和他 的合作者在70年代中期发展起来的， 为了生产薄膜电致发光平板显示器， 现在已经发展到多种工业应用，包括 半导体器件的生产。
目前存在的ALD技术的商业应用领域
微电子领域 磁头领域 TFEL显示器 部件的功能和保护涂层 光学器件
1974, Finland, Suntola.
原子层沉积技术的应用
微电子微电子领域
微电子行业的发展过去及将来仍将是提升ALD生产及研发的驱 动力. 过去的十年间使用ALD制备高K介电层的技术已经被广泛研究 并应用. Intel 公司使用ALD技术大规模生产 CMOS 晶体管中的栅级 氧化物层. DRAM 工业中使用ALD技术生产电容器介电层(高K材料)已有 近十年历史 (最初Samsung, 随后其它公司). 现在以上应用都在大规模生产阶段. 抗腐蚀涂层以提高部件的机械性能， 如MEMS的膜润滑剂、 摩擦膜， 高度的表面规整性也使复杂部件的涂层成为可能， 包括内部的管道和洞穴。
原子层沉积的基本原则
原子层沉积周期
一般的沉积速率是1 埃/Cycle, 有时基片表面没有形成单分子 层大都是因为前驱体化合物基团的阴影效应； 通过控制周期 数达到精确控制薄膜生长的厚度， 通常薄膜厚度从几个纳米 到几个微米。
原子层沉积技术的特点
原子层沉积技术的优势
精确的膜厚控制 : 由沉积的循环次数决定 无需精确控制每次反应的反应物通量 超级的薄膜均匀性及同质性 大面积沉积及批量生产能力
薄膜生长可在低温(室温~400℃)下进行
固有的沉积均匀性,易子缩放,可直接按比例放大 可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度,形成达 到原子层厚度精度的薄膜 对尘埃相对不敏感,薄膜可在尘埃颗粒下生长 可广泛适用子各种形状的基底
不需要控制反应流量的均一性。
原子层沉积技术的特点
原子层沉积的前驱体、材料及过程
a)
反应的表面饱和性及 “ ALD window ”
如反应具有表面饱和性，前驱体的脉冲长度(脉冲剂量)对 生长速率没有影响，即表面所有位点均被吸附的前驱体分 子占据。 不同的工艺温度范围对反应模式的影响。
b)
原子层沉积的前驱体、材料及过程
Oxides Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Sc2O3, Y2O3, MgO, B2O3, SiO2, GeO2, La2O3, CeO2, PrOx, Nd2O3, Sm2O3, EuOx, Gd2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, SrTiO3, BaTiO3, PbTiO3, PbZrO3, BixTiyO, BixSiyO, SrTa2O6, SrBi2Ta2O9, YScO3, LaAlO3, NdAlO3, GdScO3, LaScO3, LaLuO3, Er3Ga5O13 In2O3, In2O3:Sn, In2O3:F, In2O3:Zr, SnO2, SnO2:Sb, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, ZnO:Ga, RuO2, RhO2, IrO2, Ga2O3, V2O5, WO3, W2O3, NiO, FeOx, CrOx, CoOx, MnOx LaCoO3, LaNiO3, LaMnO3, La1-xCaxMnO3
存在孵化时间,非真正自限生长艺
原子层沉积技术的特点
各种薄膜沉积方法比较
方法 均匀性 密度 台阶覆盖 界面质量 原料的数目 低温沉积 沉积速率 工业适用性 ALD 好 好 好 好 不好 好 不好 好 MBE 较好 好 不好 好 好 好 不好 较好 CVD 好 好 多变 多变 不好 多变 好 好 Sputtter 好 好 不好 不好 好 好 好 好 Evapor 较好 不好 不好 好 较好 好 好 好 PLD 较好 好 不好 多变 不好 好 好 不好
原子层沉积简介
原子层沉积技术的原理
前驱体:两种或者两种以上，各含所需沉积薄膜的元素， 交替 吸附在基片表面，每次只有一种前驱体，彼此独立。每种前 驱体使基片表面饱和形成一单分子层。 中洗气体:冲去表面吸附后多余的前驱体一一保证每一脉冲在 基片表面形成一单分子层;使前驱体彼此在气中目不反应。一 般是惰性气体， 如Ar气、N2等。 时间:1 秒一几秒， 基于反应设备和过程的设计 温度:通常是200-400度 沉积速率:一般1 埃/周期
原子层沉积的前驱体、材料及过程
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
原子层沉积的前驱体、材料及过程
不同类型前驱体的选择决定所生长薄膜的特性例 如: 薄膜 ZrO2 的生长
Ref. J. Niinistöet al. Adv. Eng. Mater. 2009
原子层沉积的前驱体、材料及过程
先驱体所需具备的性质
足够高的纯度
包括混配络合物前驱体如: 醇盐及环戊二烯基金属有 机化合物
原子层沉积技术的应用
ALD技术的应用
应用 优点 适合的材料举例
介电及绝缘层
Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, 在大尺寸基片上的致密, 无孔洞缺陷,高同质性和厚度均匀性的薄 RE2O3perovskites, SiOx, SiNx, oxynitrides, 膜. 高介电性和低漏电流薄膜. 精确的膜厚控制. silicates nm 级的致密的, 无孔洞缺陷的, 高同质性的离子和金属原子扩 散阻挡层, 材料表面的防水汽和腐蚀性气体的保护层. TiN, TaN, MoN, Al2O3, WN, WNxCy
部件的功能和保护涂层
原子层沉积技术的应用
磁头和TFEL显示器工业中ALD技术的应用
背景：ALD最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料 ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板 显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积 速度，直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的 突破。到了20世纪90年代中期，这主要是由于微电子和深亚 微米芯片技术的发展要求器件和材料的精细度不断增加，这 样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级。因此原子层沉 积技术的优势就体现出来。