晶体管直流参数测量
晶体管测试
实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
半导体基本测试原理
半导体基本测试原理半导体是一种具有特殊电学特性的材料，在电子、光电子和光电子技术等领域具有广泛的应用。
半导体器件的基本测试主要包括单个器件的电学测试、晶体管的参数测试以及集成电路的功能测试等。
本文将从半导体基本测试的原理、测试方法和测试仪器等方面进行详细介绍。
1.电学测试原理：半导体器件的电学测试主要是通过电压和电流的测量，来判断器件的电学性能。
常见的电学测试有阻抗测量、电流-电压特性测试等。
阻抗测量通常使用交流信号来测试器件的电阻、电感和电容等参数，可以通过测试不同频率下的阻抗来分析器件的频率响应特性。
2.晶体管参数测试原理：晶体管是半导体器件中最常见的器件之一，其参数测试主要包括DC参数测试和AC(交流)参数测试。
DC参数测试主要通过测试器件的电流增益、静态工作点等参数来分析和评估器件的直流工作性能。
AC参数测试主要通过测试器件在射频信号下的增益、带宽等参数来分析和评估其射频性能。
3.功能测试原理：集成电路是半导体器件的一种，其测试主要从功能方面进行。
功能测试主要分为逻辑测试和模拟测试两种。
逻辑测试主要测试器件的逻辑功能是否正常，比如输入输出的逻辑电平是否正确，数据传输是否正确等。
模拟测试主要测试器件的模拟电路部分，比如电压、电流、频率等参数是否在规定范围内。
二、半导体基本测试方法1.电学测试方法：常用的电学测试方法包括直流测试和交流测试。
直流测试主要通过对器件的电流和电压进行测量来分析器件的基本电学性能，如电流增益、电压饱和等。
交流测试主要通过在不同频率下测试器件的阻抗来分析器件的频率响应特性，一般使用网络分析仪等仪器进行测试。
2.参数测试方法：晶体管参数测试主要使用数字万用表等测试仪器来测量器件的电流和电压，并通过计算得到相关参数。
AC参数测试一般使用高频测试仪器，如频谱分析仪、示波器等来测试器件在射频信号下的特性。
3.功能测试方法：功能测试一般通过编写测试程序，控制测试仪器进行测试。
逻辑测试的方法主要是通过输入特定的信号序列，对输出结果进行判断，是否与预期的结果相符。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
微电子器件实验指导书(实验2)
实验指导书实验名称：实验二图示仪检测MOS管参数学时安排：4学时实验类别：验证性实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣一、实验目的和任务1、用图示仪检测MOS直流参数；2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。
二、实验原理介绍同实验五三、实验设备介绍晶体管直流参数是衡量晶体管质量优劣的重要性能指标。
在晶体管生产中和晶体管使用前，须对其直流参数进行测试。
XJ4822晶体管图示仪是一类专门用于晶体管直流参数测量的仪器。
用该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。
用它可测试晶体管的输出特性、输入特性、转移特性和电流放大特性等；也可以测定各种极限、过负荷特性。
四、实验内容和步骤1、测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。
准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K档，“峰值电压” 调到0位，“X轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y轴作用”置集电极电流1毫安/度档。
接通电源预热10分钟。
调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。
晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。
场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。
普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。
1)场效应管2SK30是N-MOS器件，它的管脚分布如图6.1所示。
图6.1 2SK30管脚分布图按照管脚的分布插好管脚后，把“Y轴作用”调到0.2mA/div，“X轴作用”调到1V/div，扫描电压极性为“+”,“功耗限制电阻”调为250Ω，“峰值电压”范围为60% ,“阶梯档级”调到0.1V/div,“阶梯极性”为“-”，“级/簇”置为10。
MOSFET参数及其测试方法
MOSFET参数及其测试方法MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的电子器件，被广泛应用于各种电子设备和电路中。
MOSFET的参数测试对于确保器件的性能和可靠性至关重要。
本文将介绍一些常见的MOSFET参数及其测试方法。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当MOSFET处于截止状态时，栅极电压与源级电压之间的电压差。
阈值电压可以通过静态测试方法来测量，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一系列电压，测量源级电流，找到伏安特性曲线上的截止点。
2. 转导电阻（Rds）：转导电阻是指MOSFET导通时，由于导通的电流和栅极-源级电压之间的斜率。
可以使用四线电压法测量Rds，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一定的电压，通过源极和漏极之间的电压差和电流的比值得到转导电阻。
3. 饱和漏源电流（Idsat）：饱和漏源电流是指当MOSFET处于饱和状态时，通过漏极的电流值。
可以通过直流测试方法来测量饱和漏源电流，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个恒定的栅极电压，测量漏极电流。
4.互导电阻（Gm）：互导电阻是指MOSFET的输出电导，也称为跨导。
可以通过微小信号测试方法来测量互导电阻，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个小幅度的交流信号，测量源极和漏极之间的电压差和电流的比值。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指MOSFET的栅极-源级电容和栅极-漏极电容。
可以通过测试方法来测量输出电容，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个恒定的栅极电压，将频率为1kHz的输入信号施加到栅极，测量输出电容。
6.开关速度：开关速度是指MOSFET的开关时间，即从关断到导通或从导通到关断的时间。
可以通过测试方法来测量开关速度，即在MOSFET的栅极和源级之间施加一个恒定的栅极电压，通过测量导通和关断时刻的时间差来得到开关速度。
综上所述，MOSFET的参数测试方法包括静态测试方法和动态测试方法。
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)
场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。
场效应晶体管是一种电压控制器件。
从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。
场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。
通常用“FET”表示。
场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。
目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。
本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。
场效应管按导电沟道和工作类型可分为：???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。
同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。
本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。
二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即G（栅极）? B（基极）；S（源极）? E（发射极）；D（漏极）? C（集电极）。
值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。
另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。
DC参数测试范文
DC参数测试范文DC（直流）参数测试是评估电子器件性能和稳定性的重要手段之一、直流参数指电子器件在稳定直流工作点下的电流、电压和功耗等性能指标。
DC参数测试可以帮助工程师了解器件性能，指导电路设计和系统优化，并确保器件在设定的工作范围内工作正常。
直流偏置电压是指晶体管的基极电压（Vbe）和集电极电压（Vce）在直流工作点下的稳定值。
它是晶体管工作的重要参数，直接影响到晶体管的放大效果。
通过DC参数测试可以确认器件工作的稳定范围，从而在电路设计过程中确定合适的分压电阻值和电源电压等。
直流输入电流指的是输入端的电流，通常用来评估晶体管的低频响应特性和放大能力。
直流输入电流较大的晶体管可用于放大较小的信号，因此DC参数测试对于放大器的性能评估和选择非常重要。
直流增益是指晶体管的电流放大倍数，通常用来确定放大器的放大能力。
直流增益越大，意味着晶体管可以放大的电流越多，放大器的增益也就越高。
DC参数测试可以帮助工程师选择合适的晶体管，以满足特定的放大需求。
在进行DC参数测试时，需要一台专用的直流参数测试仪器，例如晶体管参数分析仪（Transistor Parameter Analyzer，TPA）。
这种仪器可以精确地测量器件的电流、电压和功耗等特性，并能够实时显示波形图和相关数据。
通过合适的设备和测试方法，可以有效地完成DC参数测试，以确保器件工作在安全和稳定的范围内。
总之，DC参数测试是评估电子器件性能和稳定性的重要手段之一、它可以帮助工程师了解器件的性能指标，并在电路设计和系统优化中发挥重要作用。
通过合适的测试仪器和方法，可以准确地测量DC参数，提高电子器件的性能和可靠性。
双极型晶体管直流参数测量
双极型晶体管直流参数测量发布时间：2021-09-16T06:47:58.597Z 来源：《教育学》2021年7月总第254期作者：李英棣逄珂邓海峰吴一傅伟[导读] 在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。
集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。
91206部队山东青岛266100摘要：在当今的电子技术领域中，晶体管被广泛地使用。
当处于晶体管或者集成电路的制作，并使用晶体管的过程中，需要进行测试的晶体管的性能。
一般直接显示晶体管的输入、输出和传输特性，得到特性曲线，然后测量各种直流参数。
该晶体管的直流参数，诸如DC电流增益，饱和电压降，晶体管的PN结存在的反向饱和漏电流和PN结的开路电压和击穿电压，通过施加DC偏压条件至晶体管测量。
这些直流参数是测量双极晶体管质量的重要基本参数。
关键词：晶体管双极型晶体管直流参数一、实验概述在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。
集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。
一般采用直接显示的方法来获得晶体管输入，输出和传输特性曲线，进一步可以测量各种直流参数。
本实验通过给晶体管加直流偏置条件，测其饱和压降，直流电流增益，晶体管中的PN 结反向饱和漏电流、PN 结开启电压和击穿电压等直流参数。
这些直流参数是衡量双极型晶体管品质优劣的重要基本参数。
实验仪器BJ48151.BJ4815概述。
BJ4815 型半导体管特性图示仪通过示波管屏幕及标尺刻度，准确地反映器件的特性曲线，信息量相比其它类型直流测试设备要大，在此基础上图示仪更能展现出其极为显著的闪光点。
因为这些优势的存在，图示仪成为了半导体生产与研制行业中的宠儿，是进行半导体一系列研究(设计，研发，改良，测试)中不可或缺的重要角色。
BJ4815功能齐全，测试范围宽，绝大部分电路实现了集成化，其中集电极扫描电路实现了电子扫描，大电流测试状态进行了占空比压缩，减小了发热，减小了重量阶梯部分的大电流，测试状态采用了脉冲阶梯输出。
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实验五 用图示仪测量二极管、三极管的直流参数晶体管在电子技术方面具有广泛的应用。
在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。
晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。
晶体管直流参数测试仪很多 ，XJ-4810型晶体管特性图示仪是最常用的 一种。
本实验的目的是了解XJ-4810型特性图示仪原理，掌握其使用方法，并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测，分析晶体管质量，分析晶体管质量，找出失效原因，作为进一步改进器件性能的依据。
一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管的主要参数。
2．学习使用万用表判断三级管极性和管脚的方法。
3．学习使用XJ-4810型晶体管特性图示仪测量晶体管的方法。
4．熟悉XJ-4810型晶体管特性图示仪。
二、实验仪器：XJ-4810型晶体管特性图示仪、万用表。
三、实验原理1．晶体二极管主要参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V (BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R ：二极管未击穿时的反向电流值。
（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：（1）稳定电压V Z ：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
（2）稳定电流I Z ：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
（3）动态电阻r Z ：稳压管两端的电压V Z 和流过稳压管的电流I 的变化量之比，可用电压表、电流表共同测得，或用晶体管特性图示仪测得，用下式计算：IV r ZZ ∆∆=（4）额定功耗P Z ：由生产厂规定，可由特性手册中查到。
3．晶体三极管主要参数： （1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。
计算公式：BCB CEC I I I I I ≈-=-0β式中I CE0是三极管的穿透电流。
（2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了三极管的热稳定性，越小越好。
（3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。
可由晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算：BCI I ∆∆=β 该参数也可表为h fe 。
两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。
β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。
（4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。
也可表示为U （BR ）CE0 。
使用晶体管特性图示仪测量十分方便。
测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测三极管因功耗过大烧毁。
（5）其它参数或在一般条件下不易测得，或在使用中意义不大，不再介绍。
如果在使用中用到，可由三极管参数手册查阅。
4．图示仪工作原理利用图示仪测试晶体管输出特性曲线的原理如图1所示。
图中BG代表被测的晶体管，R B、E B构成基极偏流电路。
取E B>>V BE,可使I B=(E B- V BE)/ R B基本保持恒定。
在晶体管C-E之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻R C，这样加到示波器上X轴和Y轴的电压分别为V x =V ce =V ca +V ac=V ca-I c R c ≈V ca V y=-I c.R cα∝-I c图1测试输出特性曲线的原理电路当I B恒定时，在示波器的屏幕上可以看到一根I c—V ce的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。
为了显示一组在不同I B的特性曲线簇Ici=Φ(Ici, V ce)应该在X轴的锯齿波扫描电压每变化一个周期时，使I B也有一个相应的变化，所以应将图1中的E B改为能随X轴的锯齿波扫描电压变化的阶梯电压。
每一个阶梯电压能为被测管的基极提供一定的基极电流，这样不同的阶梯电压V B1、V B2 、V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1 I B2 I B3…。
只要能使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图2所示，就可以在T0时刻扫描出Ic0=Φ(Ib0, V ce)曲线，在T1时刻扫描出Ic1=Φ(Ib1, V ce)曲线…。
通常阶梯电压有多少级，就可以相应地扫描出有多少根Ic=Φ(Ib, V ce)输出曲线。
JT-1型晶体管特性图示仪是根据上述的基本工作原理而设计的。
它由基极正负阶梯信号发生器，集电极正负扫描电压发生器，X轴、Y轴放大器和示波器等部分构成，其组成框图如3所示，详细情况可参考图示仪说明书。
V CET图2基极阶梯电压与集电极扫描电压间关系图3图示仪的组成框图四、实验步骤1、稳压二极管特性曲线测量2、三极管的判断利用万用表先判断三极管的导电类型和管脚（NPN型或PNP型，管脚e、b、c）；三极管是由两个PN结（发射结、集电结）组成的器件，一般具有3个引脚（某些型号三极管（例如3DG56型）具有四只引脚，其中一个脚接管壳，供接地屏蔽用）。
使用万用表可以判别三极管的极性（NPN或PNP 型）、管脚（e、b、c）和估计三极管的性能好坏。
（1）区分三极管的基极b：测量方法：用万用表的红、黑表笔分别接触三极管的任意两个管脚，测量一次后，如果电阻值无穷大（指针表的表针不动；数字表只显示“1”），则将红、黑表笔交换，再测这两个管脚一次。
如果两次测得的电阻值都是无穷大，说明被测的两个管脚是集电极c和发射极e，剩下的一个则是基极b。
如果在两次测量中，有一次的阻值不是无穷大，则换一个管脚再测，直到找出正、反向电阻都大的两个管脚为止。
（如果在三个管脚中找不出正、反向电阻都大的两个管脚，说明三极管已经损坏，至少有一个PN结已经击穿短路。
）（2）区分三极管的极性（NPN、PNP）：测出三极管的基极b后，通过再次测量来区分三极管是NPN型还是PNP型。
将万用表的正表笔（指针表的黑表笔；数字表的红表笔）接触已知的基极，用另一支表笔分别接触另外两个管脚，如果另外两个管脚都导通，说明被测管是NPN型，否则是PNP型。
（3）区分发射极和集电极：三极管的发射结、集电结对称于基极，所以仅仅通过测量“PN结单向导电性”难以区分出哪一个是发射极，哪一个是集电极。
但发射结和集电结的结构有所不同。
制造三极管时，发射区面积（体积）做得小，掺杂浓度高，便于发射载流子；而集电区面积大，掺杂浓度低，便于收集载流子，所以c、e正确连接电源时，三极管具有较大的电流放大的能力，用万用表Ω档测量，c、e之间的电阻小；当c、e与电源连接反了时，电流放大能力很差，c、e之间的电阻很大。
使用数字万用表来区分集电极和发射极十分方便。
仍然需要先测出被测管的极性和基极。
然后将数字表旋钮对准H FE档，将被测管按假定的e、c插入数字表的“三极管测量插座”中，其中基极和三极管的极性（NPN或PNP）必须正确，观察并记录数字显示的被测管H FE值；交换假定的c、e之后再测一次。
两次测量中数值大的一次为正确插入。
由此判断出被测管的e和c。
3、三极管的输入、输出特性曲线测量根据判断结果，将三极管接入测试电路，调整相关旋钮（集电极扫描电压、基极阶梯信号等），观测三极管的输入、输出特性曲线，并画出测量曲线。
４、β值的计算根据测量曲线，按β=ΔIc/ΔIb计算。
五、思考题1、“功耗电阻”在测试中起什么作用？应根据什么来选取？2、为保证测试管的安全，在测试中应注意哪些事项？附录：晶体管特性图示仪的使用晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。
旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮.16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。