MOS管选型
mos选型规则
mos选型规则MOS选型规则引言：MOS（Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的电路元件，广泛应用于集成电路中。
MOS选型规则是指在设计电路时，根据电路需求和性能要求，选择合适的MOS管型号和参数的一系列规则和方法。
本文将介绍MOS选型规则的基本概念、应用场景和具体操作步骤，帮助读者理解和应用MOS选型规则。
一、MOS管的基本概念MOS管是一种半导体器件，由金属-氧化物-半导体构成。
它具有电流放大、开关控制等特性，在数字电路、模拟电路和混合信号电路中得到广泛应用。
MOS管有不同的型号和参数，如通道长度、通道宽度、栅极电压等，不同的MOS管适用于不同的电路需求。
二、MOS选型规则的作用MOS选型规则是为了在设计电路时能够选择到最适合的MOS管型号和参数，以满足电路的性能要求。
通过合理的选型，可以提高电路的稳定性、工作效率和可靠性。
MOS选型规则是电路设计中的重要环节，对于提高电路性能和降低成本具有重要意义。
三、MOS选型规则的应用场景MOS选型规则适用于各种电路设计，特别是需要使用MOS管的电路。
比如，数字电路中的逻辑门、存储器等电路；模拟电路中的放大器、滤波器等电路；混合信号电路中的ADC、DAC等电路。
无论是低功耗、高速度还是高精度电路，都需要根据具体要求选择合适的MOS管。
四、MOS选型规则的具体操作步骤1.明确电路需求：首先要明确电路的功能要求、性能要求和工作条件。
比如，电路需要承受的电压、电流范围以及工作频率等。
2.确定MOS管类型：根据电路需求，确定所需的MOS管类型，包括N沟道型和P沟道型MOS管。
不同的MOS管类型适用于不同的电路应用。
3.选择合适的参数范围：根据电路需求，确定MOS管的参数范围，如通道长度、通道宽度、栅极电压等。
这些参数会直接影响电路的性能。
4.查找器件手册：根据确定的MOS管类型和参数范围，查找相关的器件手册。
手册中会提供各种型号和参数的MOS管的详细信息。
MOS功率与选型
品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。
MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。
第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。
根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
常用低压MOS管选型
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
mos管选型
开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。
小参数常用MOS管选型
小参数常用MOS管选型1.N沟道MOS管选型：N沟道MOS管在电子设备中广泛应用。
常见的N沟道MOS管有IRF1010、IRF520、IRF540等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功率电子设备。
2.P沟道MOS管选型：P沟道MOS管通常应用于负载开关和功率放大器等电路中。
常见的P沟道MOS管有IRLR3103、IRLR7843等，其工作电压范围一般在20V至100V之间，适用于低功耗设备。
3.逻辑开关MOS管选型：逻辑开关MOS管通常应用于数字逻辑电路中，用于开关控制。
常见的逻辑开关MOS管有IRLZ44N、IRF630等，其工作电压范围一般在50V至100V之间，适用于低功耗数字电路。
4.功率MOS管选型：功率MOS管通常应用于功率放大器和开关电路中，需要承受较大的电流和功率。
常见的功率MOS管有IRF3205、IRF2807等，其工作电压范围一般在100V至250V之间，适用于高功率设备。
5.MOS场效应管选型：除了常见的N沟道和P沟道MOS管外，还有一种特殊的MOS场效应管，如深亚微米CMOS器件。
这些器件具有更低的功耗、更快的开关速度和更高的集成度，适用于高性能和低功耗应用。
选择合适的MOS管型号还需要考虑其他因素，如漏极电流、导通电阻、击穿电压和导通损耗等。
在实际选型过程中，可以通过参考厂家提供的数据手册和相关应用笔记，进行详细的参数对比和分析。
总之，小参数常用MOS管的选型需要综合考虑工作电压、电流和功耗等参数，同时还要考虑具体的电路设计需求。
对于不同类型的电子设备和电路，选择合适的MOS管型号可以提高工作效率和性能。
mos选型参数
mos选型参数
当设计和开发一个mos电路时，我们需要考虑很多因素，其中一个非常重要的因素是mos选型参数。
这些参数决定了mos管的性能、可靠性和成本。
以下是一些常见的mos选型参数：
1. 阈值电压(Vth)：这是mos管的最小门电压，当门电压高于该值时，管子才会导通。
通常情况下，Vth越小，mos管的导通能力越强。
2. 漏电流(Idss)：这是mos管在最小门电压下的漏电流，通常情况下，漏电流越小，mos管的性能越好。
3. 负载电容(Ciss)：这是mos管的输入电容，也就是由于门电极和晶体管结构而形成的电容。
通常情况下，Ciss越小，mos管的开关速度越快。
4. 开关速度：这是mos管从导通到截止的时间。
通常情况下，开关速度越快，mos管的性能越好。
5. 最大耗散功率(Pd)：这是mos管能承受的最大功率，超过该值将导致mos管损坏。
6. 工作温度范围：这是mos管能够正常工作的温度范围，超出该范围将导致mos管性能下降或损坏。
综合考虑以上因素，我们可以选择一个合适的mos管，以满足设计要求。
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华之美半导体MOS管型号选型指南
型号 HM2301/A HM2301B HM2301C HM2301D HM2301E HM2301DR HM2301KR HM2301BKR /BSR/BJR
沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道 P沟道
VGS -10V -12V -12V -6V -12V -6V -10V
IDM -10A -10A -10A -4A -7A -4A -6A
60V 60V 100V 100V 100V 100V 150V 200V 150V
20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V 20V
3V 3V 2V 2V 1.8V 1.4V 3.2V 3.0V 2.0V
单P沟道低压MOS场效应管 VDS (Max) -20V -20V -12V -20V -12V -20V -20V VTH (Typ) -0.65V -0.7V -0.7V -0.45V -0.7V -0.45V -0.65V ID (Max) -3A -2.8A -2.8A -0.8A -2A -0.8A -3A RDS(on) (Max) 65mΩ 83mΩ 85mΩ 350mΩ 95mΩ 350mΩ 65mΩ
-0.45V -0.7V -0.7V -0.65V
-0.8A -4.1A -4.0A -6A -4.2A -4.2A -2.5A -4.6A -5.2A
-1.6A -15A -15A -20A -30A -30A -10A -32A -30A
350mΩ 39mΩ 40mΩ 30mΩ 50mΩ 50mΩ 72mΩ 50mΩ 50mΩ
双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道 双P沟道
-20V -30V -30V -30V -40V -40V -40V -55V -60V -100V -30V -20V
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MOS管选型
1、预估使用环境温度T ambient
一般情况下取室温25°C，器件附件空气温升10°C，
较差情况下不妨取温度45°C，器件附件空气温升20°C
最差情况下T ambient=65°C
2、计算I D
T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j
例:ME4970
RθJA =76°C/W
R DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）
T j≤150°C
T ambient=65°C
得I D≤8.36A，与规格书中I D≤8.3A（T ambient=70°C）值很接近
3、关于关键器件温升控制
△T+To+RθJC * I D * I D * R DS（ON）=T j
To=25°C 室温
△T=45°C器件温升，即MOS表面70°C。
RθJC=46°C/W
R DS（ON）≤16mΩ（V GS=10V）
T j≤150°C
得I D≤10.4A
以上表明，规格书所标注的I D可以直接作为设计参考电流值（Tambient 取70°C）。
满足温升等要求。
也可用到80%，留有一定余量。
使用条件不同的，需通过T ambient + RθJA * I D * I D * R DS（ON）=T j计算I D。
注：MOS的气候特性，包括juction-to-ambient 和junction-to-case两个参数
juction-to-ambient：是指PN结到环境的温度，
junction-to-case：PN结至器件外壳的温度。