IC芯片封装测试工艺流程
IC芯片封装流程
IC芯片封装流程首先是芯片测试阶段。
在封装之前，芯片需要进行功能测试和可靠性测试。
功能测试是为了确认芯片制造后是否能正常工作，通常采用自动测试设备进行电气功能测试。
而可靠性测试则是为了验证芯片在在各种特定环境和应力下的可靠性和稳定性。
接下来是封装设计阶段。
在芯片测试合格后，需要根据芯片的尺寸、引脚和功能特性等要求，设计封装的外观和引脚布局。
这个阶段通常由封装工程师进行，他们需要考虑封装的材料、制造成本、热学性能、电学性能等方面因素。
然后是封装工艺阶段。
在封装设计完成后，需要确定封装的制造工艺流程。
这个阶段涉及到封装所使用的材料、工艺设备和工艺参数等。
常见的封装工艺包括模切、焊球连接、胶粘连接等。
接下来是封装制造阶段。
在确定封装工艺流程后，可以开始进行芯片的封装制造。
首先是准备封装材料，例如封装基板、胶粘剂、焊球等。
然后，将芯片放置在封装基板上，利用各种工艺设备进行连接和固定。
最后，进行焊球连接、点胶、预热回流焊等步骤，完成芯片的封装制造。
最后是封装测试阶段。
在封装制造完成后，需要对封装好的芯片进行测试，以确保封装过程没有引入问题，并且芯片的功能和性能达到设计要求。
这个阶段通常包括外观检查、尺寸测量、引脚连通性测试、电气性能测试等。
总结起来，IC芯片封装流程包括芯片测试、封装设计、封装工艺、封装制造和封装测试等多个阶段。
这些阶段需要高度的专业知识和技术，因此在封装过程中需要密切合作的设计工程师、制造工程师和测试工程师，以确保封装质量和产品性能的可靠性。
IC_芯片封装流程
IC_芯片封装流程IC芯片封装流程是指将芯片导联引脚与外部连接器相连接，封装成集成电路封装，以保护芯片的平安与便当使用。
IC芯片封装流程主要包括设计封装布局、制造封装模具、封装工艺流程、封装工艺流程检验、封装成品测试五个环节。
首先是设计封装布局。
芯片封装是由封装层、导引层、室内层、封装间层四个部分低迷完成。
设计封装布局要依据芯片的功用、尺寸等要素停止合理布局，在这之中最重要的三个方面是封装较大的总尺寸、导引力度和封装层的最低限度间隔。
合理的封装布局能够进步封装的稳定性和性能。
其次是制造封装模具。
制造封装模具是将封装布局设计成的图纸制造模板转化为实物模具。
这一进程关系到封装工艺流程的顺畅性以及封装产率的提高。
制造封装模具进程中主要包括模板材料的挑选、制造模具种类的挑选、切割与打磨、洗涤与研磨等环节。
制造封装模具要采纳适合的原料以及精准的制造尺寸，以确保最终制造出的封装模具可以完全符合封装布局的要求。
第三是封装工艺流程。
封装工艺流程包括胶水挤撑、银丝焊接、金线焊接、热胀冷缩、填充封装材料、封装模具加压、焊锡浸镀等纷歧。
各个环节的次序和操作技术要专业，并前后衔接紧密，这样才干确保封装结果的完美，同时也能够减小芯片损坏以及封装过程中的其他问题。
第四是封装工艺流程检验。
这一环节在封装工艺流程完成后进行，要对封装结果进行综合检验。
主要检验项包括封装结果的外观光亮度、尺寸、颜色、封装后芯片的严密性、焊锡过程中金线和银线的状况等。
只有在封装工艺流程检验合格后，才干胜利停止封装成品的测试。
最后是封装成品测试。
封装成品测试相对来说就相对简单了。
主要包括封装成品的性质检验以及性质检验等。
成品测试主要是为了确保封装后的芯片性能是合格的，能够顺利运行。
如果在成品测试中发现了问题，需要及时进行维修或更换，直到最终得到合格的成品封装。
总之，IC芯片封装流程是一个复杂而精细的过程，每个环节都必须严格控制，以确保封装后的芯片能够正常工作。
IC芯片封装流程
IC芯片封装流程1.晶圆切割：首先，将制造好的晶圆裸片进行切割，切割成单独的芯片。
切割过程中需要考虑芯片之间的间距和切割质量，以避免芯片损坏或出现毛刺。
2.封装设计：在IC芯片封装之前，需要根据芯片的性能和封装要求进行封装设计。
封装设计包括尺寸、引脚布局、引脚间距等等。
设计师需要根据芯片的功能和使用环境来确定适合的封装类型。
3.封装厂封装：封装厂按照封装设计的要求，使用专用设备将晶圆裸片按照封装形式进行封装。
封装方式有多种，常见的有表面贴装技术（SMT）、插件封装（DIP）、引脚网格阵列（BGA）、球栅阵列（LGA）等。
4.焊接：芯片封装完成后，需要将芯片与电路板进行焊接，使芯片与电路板的引脚相连。
焊接方式有手工焊接和自动焊接两种，常见的焊接方法有焊锡、热风熔融等。
5.测试：在完成焊接后，需要对已封装好的芯片进行测试，以确保芯片的功能正常。
测试方式有功能测试、电气特性测试、可靠性测试等，通过测试可以排除不良品，并对芯片性能进行评估。
6.封装尺寸精加工：封装尺寸精加工是指在封装过程中，对封装材料进行精细加工，以确保封装尺寸与设计要求一致。
这包括精细研磨、切削、去除残渣等工艺。
7.清洗：在封装完成后，需要进行清洗，将封装过程中产生的灰尘、残渣等清除，以保证芯片的清洁度和可靠性。
8.包装：最后，对封装好的芯片进行包装，通常采用保护性的塑料或金属封装盒。
在包装过程中，需要考虑芯片的稳定性、避免静电电荷等问题。
同时，还需要在包装上标示芯片的相关信息，以便于识别和使用。
总结：IC芯片封装是将晶圆裸片进行封装，以保护芯片并提供便于使用的接口。
封装流程包括晶圆切割、封装设计、封装厂封装、焊接、测试、尺寸精加工、清洗和包装等环节。
通过这些环节，可以将制造好的芯片晶圆转化为成品，并确保芯片的品质和性能。
IC芯片封装流程
IC芯片封装流程
IC芯片封装是指将制造好的芯片封装到封装材料中，以保护芯片的外部环境，提供电气连接，同时方便印刷线路板上插装既提供电气连接，又一定程度上可以增强集成块的可靠性和寿命。
IC芯片封装流程通常包括以下几个步骤：
1.芯片背面处理：首先对芯片背面进行处理，用特殊的涂覆剂或胶水将芯片与封装物质粘接在一起，同时提供固定和导电的功能。
2.粘接芯片：将芯片放置在封装模具的基座上，使芯片与基座的位置对齐，并使用紫外线或热处理适当加热固化。
3.排列焊点：将封装胶水涂覆到芯片的金属焊盘，然后使用针或其他工具将焊线排布在合适的位置。
4.环氧封装：将芯片放置在环氧树脂中，用压力和热量实现芯片与封装物质之间的完全粘结，并确保芯片不会受到机械或温度应力的影响。
5.外观检验：对封装后的IC芯片进行外观检验，确保芯片没有明显的损坏或缺陷。
6.电性能测试：将封装好的芯片连接到测试设备，测试其电气性能，如电流、电压、频率等，以确保芯片的功能正常。
7.标识和包装：根据芯片的型号和要求，在芯片或封装材料上进行标识，然后将芯片放入适当的包装盒或袋中，并进行密封，以防止芯片受到外界环境的影响。
8.成品检验：对已封装的IC芯片进行仔细的检查和测试，确保芯片的质量符合标准，并记录相关数据。
9.存储和出货：妥善存储已封装好的IC芯片，根据客户需求，安排发货。
10.售后服务：对于客户反馈的问题进行处理，提供售后服务和技术支持。
封装流程中的每个步骤都是非常重要的，任何一个环节的失误都可能导致芯片封装质量不合格，影响芯片的可靠性和性能。
因此，封装工艺的完善和精确执行对于芯片制造厂商来说至关重要。
ic封测工艺
ic封测工艺IC封测工艺IC封测工艺是微电子工程中的重要环节，它是指对集成电路芯片进行外包装和测试的过程。
IC封测工艺的主要目的是确保芯片的可靠性和性能，同时满足市场需求。
本文将从封装工艺和测试工艺两个方面来介绍IC封测工艺的基本内容。
一、封装工艺封装工艺是将集成电路芯片封装成IC封装，保护芯片免受机械损伤和环境影响。
常见的封装形式包括无引脚封装（QFN、CSP）、单行列引脚封装（SOP、TSOP）、双行列引脚封装（DIP）等。
封装工艺的主要步骤包括以下几个方面：1. 晶圆切割：将晶圆切割成多个芯片，通常采用切割盘和切割刀进行切割。
2. 焊盘制备：在芯片的金属表面加工出封装焊盘，用于连接芯片和封装基板。
3. 封装基板制备：制备封装基板，通常采用陶瓷基板或塑料基板。
4. 焊接芯片：将芯片与封装基板焊接在一起，通常采用焊膏和回流焊技术。
5. 焊盘球化：在芯片的焊盘上加工焊盘球，用于与外部电路连接。
6. 封装密封：对封装芯片进行密封，以防止湿气和污染物进入芯片内部。
二、测试工艺测试工艺是对封装后的芯片进行功能性测试和可靠性测试，以确保芯片的性能和质量符合要求。
测试工艺的主要步骤包括以下几个方面：1. 电性能测试：对芯片的电气性能进行测试，包括输入输出特性、电流电压特性、时钟频率特性等。
2. 逻辑功能测试：对芯片的逻辑功能进行测试，包括逻辑门电平转换、寄存器读写、逻辑运算等。
3. 温度测试：对芯片在不同温度下的工作性能进行测试，以评估芯片的温度稳定性和可靠性。
4. 可靠性测试：对芯片进行长时间的工作和负载测试，以评估芯片的寿命和可靠性。
5. 封装测试：对封装芯片的外观、尺寸、引脚焊接等进行测试，以确保封装质量符合要求。
6. 功能测试：对芯片的各个功能模块进行测试，以评估芯片的整体性能和功能。
在IC封测工艺中，封装工艺和测试工艺是相互依存的，只有通过合理的封装工艺才能保证芯片在测试过程中的可靠性和准确性。
IC封装测试工艺流程
IC封装测试工艺流程1.芯片准备：在IC封装测试工艺流程开始之前，需要对待封装的芯片进行准备工作。
这包括将芯片切割成单个的小尺寸芯片，然后对其进行清洗、去除尘埃等净化处理。
2.焊接：在将芯片封装前，需要在芯片上焊接金线。
这些金线用于将芯片内部的各个功能单元与外界的引线相连。
这个过程需要使用特殊的焊接设备，确保焊接质量。
3.封装：接下来，将芯片放置在封装材料中。
封装材料可以是塑料、陶瓷等，不同的材料可以提供不同的保护性能。
芯片与封装材料之间还需要使用金线或焊膏进行连接。
封装过程可以是手工操作，也可以是自动化机器进行。
4.封装测试：在完成封装后，需要对封装好的芯片进行测试以确保其质量和性能。
这些测试可以包括外观检查、尺寸测量、电气性能测试等。
测试过程需要使用专业的测试设备和工艺流程。
5.校准：如果芯片测试结果不符合要求，可能需要对测试设备进行校准，以确保测试的准确性和一致性。
校准可以通过标准器件或其他校准设备进行。
6.封装精调：如果芯片测试结果仍然不达标，可能需要对封装工艺进行精细调整。
这意味着需要调整封装材料的配方、焊接参数、封装温度等。
精细调整可以通过试验和实验确定最佳的封装工艺参数。
7.标识与包装：在完成封装测试后，需要对封装好的芯片进行标识和包装。
标识可以包括芯片型号、生产日期、批次号等信息。
包装可以是常规的芯片包装方式，如管装、带装等。
包装后的芯片可以进行存储或运输。
8.品质管理：在整个封装测试工艺流程中，需要对每个步骤进行严格的品质管理。
这包括设立合理的工艺流程、制定工艺参数标准、对工艺设备和材料进行检验等。
品质管理可以通过ISO9001等质量管理体系认证。
总结：IC封装测试工艺流程是将芯片封装为成品集成电路的关键过程。
通过逐步进行焊接、封装、测试、校准、精细调整、标识和包装等步骤，可以确保封装好的芯片的品质和性能。
并且通过切合实际的品质管理措施，可以提高封装工艺的稳定性和一致性。
ic芯片检测流程
ic芯片检测流程
ic芯片的检测流程主要包括前工序检测、后工序检测和出货前检测三个环节。
1.前工序检测：是在芯片制造过程中的各个工序中，对芯片的各项参数进行检测。
包括晶圆制备、掩模光刻、腐蚀刻蚀、扩散、退火、化学机械抛光等多个工序。
每个工序都需要对芯片进行相应的参数检测，以确保芯片的质量和性能符合要求。
主要检测项目包括晶圆表面形貌、晶体管的电学参数、MOS栅极的质量等。
2.后工序检测：是在芯片制造过程的最后几个工序中，对芯片进行的各项参数检测。
包括胶合、切割、打磨、薄膜沉积、金属化等多个工序。
每个工序都需要对芯片进行相应的参数检测，以确保芯片的质量和性能符合要求。
主要检测项目包括金属线宽度、金属线间隔、金属线层的均匀性等。
3.出货前检测：是在芯片封装成成品之后进行的测试。
由于芯片已经封装，所以不再需要无尘室环境，
测试要求的条件大大降低。
通常包含测试各种电子或光学参数的传感器，但通常不使用探针探入芯片内部（多数芯片封装后也无法探入），而是直接从管脚连线进行测试。
由于packagetest无法使用探针测试芯片内部，因此其测试范围受到限制，有很多指标无法在这一环节进行测试。
此外，还有一些专门针对芯片的测试方法，如晶圆测试、芯片测试和封装测试等。
这些测试方法在芯片制造的不同阶段进行，用于检测芯片的性能和质量。
在熟悉芯片规格后，提取验证功能点，撰写验证方案，搭建验证平台，执行验证测试，最后撰写验证报告。
如需了解更多关于IC芯片检测流程的问题，建议咨询专业技术人员获取帮助。
ic封装工艺流程
ic封装工艺流程IC封装工艺流程是指将集成电路芯片封装成完整的电子元件的一系列工艺流程。
封装工艺流程的主要目的是为了保护芯片、提高器件的可靠性和稳定性，并方便其与外部电路连接。
下面将介绍一个常见的IC封装工艺流程。
首先，IC封装工艺流程的第一步是对芯片进行划片。
原始的硅圆片（wafer）经过切割机械或者其他手段，切割成一个个小尺寸的芯片。
划片时需要注意芯片之间的间距，避免切割过程中对芯片造成损坏。
划片完成后，第二步是将芯片背面进行抛光处理。
抛光可以使芯片的背面变得平整光滑。
通过抛光可以更好地与封装基板接触，提高封装质量。
第三步是将芯片进行金属化处理。
金属化是在芯片表面通过蒸镀或者其他方法，覆盖一层金属（通常是铜和铝）。
金属化的目的是为了提供电信号的传输路径，同时也可以提高器件的散热能力。
接下来是芯片封装的关键步骤，第四步是将芯片粘贴在封装基板上。
通常使用一种叫做胶带（die attach tape）的材料将芯片粘贴在基板上。
粘贴时要确保芯片位置准确，避免粘贴不良引起封装质量问题。
第五步是对芯片进行焊接。
在焊接过程中，使用融化的金属让芯片与封装基板之间的引脚连接起来。
常见的焊接方式有焊膏、焊球、焊线等。
焊接过程需要控制温度和时间，避免过高的温度对芯片造成损害。
完成焊接后，第六步是进行封装的外壳封装。
外壳封装是为了保护芯片，并保证芯片与外部环境的隔离。
外壳封装通常采用塑封（plastic molding）或者金属封装（metal can）。
塑封通常使用环氧树脂封装芯片，金属封装则使用金属壳体进行封装。
最后一步是对封装的芯片进行测试和排序。
测试可以检查芯片的性能和可靠性，如果有不合格的芯片，则需要进行剔除或者再次修复。
测试完成后，还需要根据性能和功能对芯片进行排序，分为不同的等级，以满足不同客户的需求。
综上所述，IC封装工艺流程经过划片、抛光、金属化、粘贴、焊接、外壳封装和测试等一系列步骤。
每个步骤都是为了提供优质的封装产品，保证芯片的可靠性和稳定性。
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• 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装
• 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
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Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
Epoxy Storage： 零下50度存放；
Epoxy Aging： 使用之前回温，除 去气泡；
Epoxy Writing： 点银浆于L/F的Pad 上，Pattern可选；
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➢主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰；
➢存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Epoxy】银浆
FOL– Wire Bonding 引线焊接
※利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。
W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
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De-Taping 去胶带
➢将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils~10mils）；
➢磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域
同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
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其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
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IC Package （IC的封装形式）
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: ➢ 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； ➢ 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点， 一般为一个球形；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊 接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Saw Machine
Saw Blade(切割刀片)： Life Time：900~1500M； Spindlier Speed：30~50K rpm： Feed Speed：30~50/s;
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➢成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；
➢有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用；
➢-50°以下存放，使用之前回温24小时；
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Typical Assembly Process Flow
FOL/前段
EOL/中段 Plating/电镀
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Raw Material in Assembly(封装原材料)
【Gold Wire】焊接金线
➢实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接；
➢金线采用的是99.99%的高纯度金；
➢同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
塑料封装用于消费电子，因为其成本低， 工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的 金属封装 市场份额；
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Company Logo
FOL– Wire Bonding 引线焊接
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为 空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成 第一和第二焊点；
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温， 将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一 焊点（Bond Ball）；
Customer 客户
SMT IC组装
Wafer Fab 晶圆制造
Wafer Probe 晶圆测试
Assembly& Test IC 封装测试
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IC Package （IC的封装形式）
Package--封装体：
➢指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC） 形成的不同外形的封装体。
FOL– 2nd Optical Inspection二 光检查
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有 出现废品。
Chipping Die 崩边
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FOL– Die Attach 芯片粘接
IC Package （IC的封装形式）
• 按与PCB板的连接方式划分为：
PTH
PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology， 表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式 的
SMT SMT
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FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
➢将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；
➢通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序；
➢Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； All right reserved © Shanghai Imart 360
的Pad上，具体位置可控； 4、Bond Head Resolution：
X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um； 5、Bond Head Speed：1.3m/s；
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FOL– Die Attach 芯片粘接
Epoxy Write： Coverage >75%;
【Lead Frame】引线框架
➢提供电路连接和Die的固定作用；
➢主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料；
➢L/F的制程有Etch和Stamp两种；
➢易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH;
➢除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame，
BGA采用的是Substrate；
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
陶瓷的Capillary
内穿金线，并且在EFO的 作用下，高温烧球；
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下， 形成Bond Ball；
金线在Cap施加的一
定压力作用下，形成
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IC Package Structure（IC结构图）
TOP VIEW SIDE VIEW
Lead Frame 引线框架
Die Pad 芯片焊盘
Gold Wire 金线
Epoxy 银浆
Mold Compound 环氧树脂
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取过程： 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于
脱离蓝膜； 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer
到L/F的运输过程； 3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F