材料科学基础-晶体缺陷

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《材料科学基础》课件之第四章----04晶体缺陷

《材料科学基础》课件之第四章----04晶体缺陷

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刃位错:插入半原子面,位错上方,原子间距变小, 产生压应变,下方原子间距变大,拉应变。过渡处 切应变,滑移面处有最大切应力,正应力为0。x NhomakorabeaGb
2 (1 )
y(3x2 (x2
y2) y2 )2
y
Gb
2 (1
)
y(x2 y2) (x2 y2)2
z ( x y )
x
xy
Gb
2 (1 )
21
刃位错b与位错线 垂直
螺位错b与位错线 平行
bb
l
l


b
b
右旋
左旋
任意一根位错线上各点b相同,同一位错只有一个b。
有大小的晶向指数表示
b a [uvw] 模 n
b a u2 v2 w2 n
22
Burgers矢量合成与分解:如果几条位错线在晶体内
部相交(交点称为节点),则指向节点的各位错的伯氏矢量 之和,必然等于离开节点的各位错的伯氏矢量之和 。
不可能中断于晶体内部(表面露头,终止与 晶界和相界,与其他位错相交,位错环)
半原子面及周围区域统称为位错
18
2. 螺位错
晶体在大于屈服值的切应力作用下,以某晶面为滑移面发生滑移。由于位错线周围 的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。
几何特征:位错线与原子滑移方向相平行;位错线周围原子的配置是螺旋状的。
d
34
六、位错应变能
位错原子偏移正常位置,产生畸变应力, 处于高能量状态,但偏移量很小,晶格为弹 性应变。
位错心部应变较大,超出弹性范围, 但这部分能量所占比例较小, <10%,可以近似忽略。
35
1. 理论基础:连续弹性介质模型

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷

《材料科学基础》教学中的晶体缺陷
晶体缺陷是晶体中的异常结构,它可以影响晶体的物理性质和力学性质。

在《材料科学基础》教学中,学生需要了解以下关于晶体缺陷的内容:
1. 晶体缺陷的分类:晶体缺陷可以分为内部缺陷和表面缺陷,内部缺陷包括缺位缺陷、离子缺陷、晶界缺陷、层缺陷等,而表面缺陷则包括裂纹、气孔、氧化物等。

2. 晶体缺陷的形成机制:晶体缺陷的形成可以由晶体原子或离子的迁移、晶体原子或离子的排斥、晶体原子或离子的结晶不足、晶体原子或离子的结晶过度等机制来解释。

3. 晶体缺陷的影响:晶体缺陷可以影响材料的物理性质和力学性质,例如热导率、电导率、磁导率等,以及材料的强度、韧性、硬度等。

4. 晶体缺陷的检测方法:常用的晶体缺陷检测方法包括X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、热扩散系数测定等。

材料科学基础第三章晶体缺陷

材料科学基础第三章晶体缺陷

够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。

材料科学基础第3章

材料科学基础第3章

3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用,或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用,使晶体内部质点排列 变形,原子行列间相互滑移,即不再符合理想 晶格的有序排列,由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点: 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错,记为“┻”;而把多出在下边的称为负刃 型位错,记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时,就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行,故其滑移不限于单一的滑移面上,所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如:
在体心立方中, 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用,其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动,如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

材料科学基础第三章 晶体缺陷

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贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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晶体缺陷【材料科学基础】

晶体缺陷【材料科学基础】

14
大角度晶界
¾ ¾ 9 9
大角度晶界的结构较复杂,其中原子排列较不规则。 有关大角度晶界的结构,人们曾提出许多模型: 早期:认为晶界是由一层很薄(几个原子间距)的非晶 质组成。 后来: 过渡结构模型:晶界原子分布同时受两相邻晶粒位向的 影响,处于折中位置。 小岛结构模型:晶界中的一部分原子与其相邻两边界的 点阵匹配排列,成为好区;有的部分(岛屿)原子排列 较混乱,成为坏区。好区与坏区交替相间组成晶界。

相界能低(畸变非常小)。
36
半共格相界
定义:两相结构相近而原子 间距相差较大,在相界面上 出现了一些刃位错。(界面 上两相原子部分匹配) 相界能较高(有畸变)。相 界面上的原子共格关系主要 通过一组刃位错调整和维持。

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半共格相界上位错间距D取决于相界处两相匹配晶 面的错配度(δ) 。 相界两侧原子的不匹配程度
19
晶界的性质
晶界能:形成单位面积晶界时所增加的能量。 ¾ 小角度晶界的晶界能: 小角度晶界的能量主要来自位错能量(形成位错的 能量和将位错排成有关组态所作的功),而位错密 度又决定于晶粒间的位向差,所以,小角度晶界能 也和位向差有关:

20
可见,小角度晶界的界面能随位向差增加而增大。
21
大角度晶界的晶界能: 9 基本恒定,约在0.25~1.0J/m2范围内,与晶粒 之间的位向差无关。 9 晶界能可以界面张力的形式来表现,且可以通过界 面交角的测定求出它的相对值。三个晶粒相交于一 点,界面张力达到平衡时:
9
界面结构:溶质原子在大角度晶界中偏聚严重。
27
¾ ¾ ¾ ¾ ¾
晶界的其它特性: 晶界的扩散激活能约为晶内的一半,晶界处原子的 扩散速度比在晶内快得多。 随温度升高,保温时间延长,晶界发生迁移,晶粒 要长大,晶界平直化;晶界可能熔化(过烧)。 新相易在晶界处优先形核(晶界能量高,原子活动 能力大)。 晶界具有较低的抗腐蚀能力。 晶界阻碍位错运动,使金属具有较高的塑变抗力。

材料科学基础 晶体缺陷

材料科学基础 晶体缺陷

二元离子晶体——不等径刚球密堆理论
.
12
2. 共价晶体结构(原子晶体)
典型共价晶体结构
金刚石型(单质型) ZnS型(AB型) SiO2型(AB2型)
.
13
第三节 原子的不规则排列
晶体中的缺陷——原子排列偏离完整性的区域
点缺陷——在三个方向上尺寸都很小 线缺陷——在二个方向上尺寸很小 面缺陷——在一个方向上尺寸很小
24
(1) 包含位错线做一封闭回路——柏氏回路 (2) 将同样的回路置于完整晶体中——不能闭合 (3) 补一矢量(终点指向起点)使回路闭合——柏氏矢量
43 21
1
2
2
1
1
3
1
1 23 4
b
43
2
1 2
1
1 23 4
.
25
2)柏氏矢量特性
(1) 满足右螺旋规则时,柏氏矢量与柏氏回路路径无关
二、金属晶体结构及几何特征
1. 常见的三种晶体结构
面心立方 体心立方
既是晶体结构,又是点阵
密排六方 —— 仅是晶体结构,不是点阵 — 简单六方
.
1
1) 面心立方(fcc 或 A1)
点 阵 常 数: R 2 a
4
最近原子间距:d 2 a 2
<110> 方向 晶胞原子数: 1/8×8 +1/2 ×6 = 4
1a 1b 0c a[11 ] 0
22
2
例:b 5a 2[11 0]、 b 6a 2[01] 1
b 5b 6a 2[11 0]a 2[01 ]1 a 2[11 ] 0
1) 刃位错


多出(或少了) 称为
半排原子面
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位错的攀移:在垂直于滑移面方向上运动. 攀移的实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小. 刃位错的攀移过程:正攀移,向上运动;负攀移, 向下运动。
(1)攀移方式
原子扩散离开(到)位错线—半原子
面缩短(伸长)—正(负)攀移 空位扩散离开(到)位错线 —半原子面伸长(缩短)—负(正)攀移 注意:只有刃型位错才能发生攀移;滑移不涉及原子扩散, 而攀移必须借助原子扩散;外加应力对攀移起促进作用, 压(拉)促进正(负)攀移;高温影响位错的攀移.
螺型位错滑移动态示意图
螺型位错滑移特征 a) 位错逐排依次滑移,实现原子面的滑移;
b) 滑移量=柏氏矢量的模;
c)τ // b,位错线//τ ,位错线运动方向⊥τ ; d)τ一定时,左、右螺位错位错运动方向相反,但 最终滑移效果相同; e) 滑移面不唯一。
(3)混合位错的滑移
正刃
右螺
b
τ 左螺
正负均为相对而言,位错线方向改变,正负随之改变。
正刃
L
负刃
L
4. 位错运动
基 本 形 式 : 滑 移 ( slip ) 和 攀 移 ( climb ) , 还 有 交 割 (cross/interaction)和扭折(kink)
位错的滑移(slipping of dislocation):位错在滑移面上的运动。滑 移面即位错线和柏氏矢量构成的平面。任何类型的位错均可进 行滑移. (1) 刃位错的滑移过程(教材图 3.13 ) ∥ b 、 b⊥ 、 滑移方 向⊥ 、滑移方向∥b,单一滑移面。 (2) 螺型位错的滑移过程(教材图 3.14 ) ∥ b 、 b ∥ 、滑 移方向⊥ 、滑移方向⊥ b ,非单一滑移面。可发生交滑移。 (3) 混合位错的滑移过程(教材图 3.15 )沿位错线各点的法 线方向在滑移面上扩展,滑动方向垂直于位错线方向。但滑动 方向与柏氏矢量有夹角。
第3章 晶体缺陷
一、点缺陷(point Defect)空位和间隙原子 二、线缺陷(Line Defect)-位错
三、面缺陷(Face Defect)-晶界、相界、表面 和堆垛层错
一、点缺陷类型:
(一)
空位
肖脱基空位(简称肖氏空位) 弗兰克尔空位(简称弗氏空位)
(二)
间隙原子:同类和异类间隙原子。
(四)点缺陷的特性 1.点缺陷是热力学平衡缺陷,T↑C ↑。
a 对于立方晶系 a = b = b [uvw] ua vb wc n a 2 模 b u v 2 w2 n 2 2 2 b a [100] b a 1 0 0 a 1 例1: 1 a b2 [101] b2 a 12 02 (1)2 2 a 2 2 2
形成 畸变区
纯剪切 应力区
3. 混合位错
剪切力方向
刃型位错分量 + 螺型位错分量
混合位错的空间模型
伯氏矢量b的守恒性
如果若干条位错线交于一点,此交汇点称为节点,那么“流入”节点的位错线的 伯氏矢量之和等于“流出”节点的位错线的矢量之和。
b
in i
b
out j
推论:一条位错线只能有一个伯氏矢量。
2.
1. 刃位错

多出(或少) 称为 刃位错 半排原子面
刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。
┻ 用 ┻ ( 或 形成 正:上压下拉 ┳)表示 负:上拉下压
畸变区
2. 螺位错
c b a
d e 8 4 5 1
7 3 2
6ห้องสมุดไป่ตู้
5 1
8 4
76 3 2
原子面部分错动 一个原子间距
形成
不吻合 过渡区
称作
螺位错
C= n u = Aexp - V KT N
UV…….单个空位的形成能
K……..波尔茲曼常数 1.38×10-23J/mole.K T………绝对温度(℃) A为常数
n N
……空位数(n)与原子总数(N)之比.
空位形成能UV越大,空位浓度越小。 3.空位浓度越高,点阵畸变越大,材料的强度 升高,硬度增大; 4.空位浓度越高(C↑),电阻↑,导电性能↓, 点缺陷浓度增大导致晶体体积↑。
负刃 沿位错线各点的法线方向在滑移面上扩展,滑动方向垂直于 位错线方向。但滑动方向与柏氏矢量有夹角。
类型
b与
位错线 //
位错线运 动方向
与 b
//
//
位错线


//
滑移面 个数
刃位错
螺位错
法线
法线
唯一
无限多个
混合位错 一定角度
法线
//
一定角度
2)攀移(climbing of disloction)
c
a 例2: b3 [111] 3
a b4 [112] 6
例3 :
a a b3 b4 [111] [112] 3 6 1 1 1 1 1 2 ( a b c) ( a b c) 3 3 3 6 6 6 1 1 a b 0c 2 2 a [110] 2
三种位错伯氏矢量的主要特征
位错类型 刃位错 螺位错 混合位错 伯氏矢量与位 错线关系 畸变应力场
垂直(顺正、逆负) 主要是正应力 平行(正右、负左) 一定角度 纯剪应力 复杂
3)伯氏矢量表示法
伯氏矢量的表示方法与晶向指数相似,伯氏矢量必须在晶向指 数的基础上把矢量的模也表示出来.如:
立方晶系中 b=(a/n)[uvw] ,其大小为位错强度,用模表示 ,模的 大小表示该晶向上原子间的距离。 六方晶系中: b=(a/n)[uvtw]
a b5 [101] 2
a b6 [011] 2
a a a b5 b6 [101] [011] [110] 2 2 2
5)位错正、负(左、右)的确定
人为规定位错线方向 刃位错: 有晶体图时用右手法则 ——中指b方向,食指位错线方向,拇指:上正下负 无晶体图时用旋转法 ——b顺时针方向转90°,与位错线方向:顺正逆负
τ
滑移面
τ
滑移台阶
刃型位错滑移特征


• • • •
位错逐排依次前进,实现两原子面的相对滑移;
滑移量=柏氏矢量的模; 外力τ // b,位错线⊥τ ,位错线运动方向//τ τ一定时,正、负位错运动方向相反,但最终滑移效果相同; 滑移面唯一。

(2) 螺型位错的滑移
在切应力作用下,螺型位错使晶体右半部沿滑移面上下相对的 移动了一个原子间距 (a) 。这种位移会随着螺型位错向左移动而逐 渐扩展到晶体左半部分的原子列(b)。
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