第四章 凝固与结晶

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在三相交叉点,表面张力应达到平衡:
LW L cos W
式中Ө为晶核和器壁的接触角。由于
AW R2 r 2 sin2
AL 2r 2 (1 cos )
GS AL L r 2 sin2 W r 2 sin2 ( L cos W )
在等压时,dp=0,所以可推导得:
dG S dT
由于熵 S 恒为正值,所以自
由能是随温度增高而减小。
在一定温度下,从一相转变为另一相的自由能变化为:
G H TS 令液相转变为固相后的单位体积自由能变化为ΔGV,则
GV GS GL
GV ( H S H L ) T ( SS SL )
Vc 临界晶核中晶胞数目: n V 173 L
铜为面心立方结构,每个晶胞中有4个原子,因此,一 个临界晶核的原子数目为692个原子。
2. 非均匀形核
由于均匀形核难度较大,所以液态金属多为非均匀 形核。
若晶核形成时体系表面能的变化为ΔGS ,则
GS AL L AW W AW LW
当晶胚的半径r<r*,晶胚消失;
当晶胚的半径 r>r* ,晶胚长大, 为晶核(Nucleus)。
由 d G dr 0 可得晶核临界半径:
2 r* GV
代入
Lm T GV Tm
2 Tm r* Lm T

由式可知,过冷度△T 越大,临界半径则越小,则形 核的几率越大,晶核数目增多。
2)非均匀形核(Heterogeneous nucleation)。
1. 均匀形核 a. 晶核形成时的能量变化和临界晶核
假定晶胚为球形,半径为 r,当 过冷液中出现一个晶胚时,总 的自由能变化△G应为:
4 3 G r GV 4 r 2 3 在一定温度下,△Gv和σ是确定值 ,所以△Gv是r的函数。
G Gt GS
4 3 2 3 cos cos3 2 G ( r GV 4r L )( ) 3 4
G * Q N K e xp( ) e xp( ) kT kT
形核率与过冷度之间的 关系如图所示:
对于易流动液体来说,如金属,存在有效形核温度。 对于高粘滞性的液体,
均匀形核速率很小,以 致常常不存在有效形核 温度。 结论:均匀形核的难度 较大。
例题:计算铜形核时临界晶核中的原子数。 已知:纯铜的凝固温度 Tm=1356 K,液体可过冷的最低 温度T*=1120 K,熔化热Lm=1628×106 J/m3,比表面能 σ=177×10-3 J/m2,晶格常数a0=3.615×10-10 m。
由于恒压下熔化时, H P H L H S Lm
Lm S m S L S S Tm
式中 Lm 是熔化潜热,表示固相转变为液相时,体系向环 境吸热,定义为正值;ΔSm 为固体的熔化熵。
在一定温度下,液相到固相转变(凝固)的单位体积自由
能变化:
Lm T GV Tm
式中,△T=Tm - T ,为过冷度。
欲使△GV < 0,须△T > 0。
晶体凝固的热力学条件表明,实际凝固温度应低于熔点
Tm ,即需要有过冷度(Undercooling or Supercooling )。
4.1.3 形核
晶体的凝固是通过形核与长大两个过程进行的,形
核方式可以分为两类:
1)均匀形核核 (Homogeneous nucleation)
第四章 凝固与结晶
4.1 纯晶体的凝固
4.1.1 液态结构
液体中原子间的平均距离比固体中略大;液体中原子 的配位数比密排结构晶体的配位数减小; 液态结构的最重要特征是原子排列为长程无序,短程 有序,存在结构起伏。
4.1.2 晶体凝固的热力学条件
自由能
G H TS
dG Vdp SdT
AL L r 2 sin2 W r 2 sin2 cosL r 2 sin2 W
AL L r 2 sin2 cosL
( AL r 2 sin2 cos ) L
球冠晶核的体积:
1 2 V h ( 3r h) 3 1 rh 2 h3 3 1 3 2 2 r r (1 cos ) r (1 cos )3
2 Tm 2 177 103 1356 9 r * 1 . 249 10 m 解: 6 Lm T 1628 10 236 晶胞体积: VL=a03=4.724×10-29 m3 4 临界晶核体积: Vc r *3 8.157 10 27 m 3 3
2 将 r* GV

4 3 2 代入 G r GV 4 r 3
16 3 G* 2 3(GV )
Lm T GV Tm
代入

形核功为:
2 16 3Tm G* 3( Lm T )2
A*为临界晶核表面积:
2 16 2 A* 4 (r*) 2 GV
代入 得
16 3 G* 2 3(GV )
源自文库
1 * G A 3
*
液相必须处于一定的过冷条件时方能结晶,而液体中客观 存在的结构起伏和能量起伏是促成均匀形核的必要因素。
b. 形核率
受两个因素控制,即形核功因子( exp(-△G*/kT) )和 原子扩散的几率因子(exp(-Q/kT)) ,因此形核率为:
3 3 3 3 2 3 cos cos r ( ) 3
3 1 3 2 r [1 2 cos cos (1 3 cos 3 cos2 cos3 )] 3 2 1 r 3 ( cos cos3 )
3 2 3 cos cos 3 Gt V GV r ( )GV 3
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