电工学-下册(电子技术)第六版-秦曾煌——期末考试试题
《电工学》秦曾煌第六版上下册课后答案(同名17708)
《电工学》秦曾煌第六版上下册课后答案(同名17708)D[解] 首先根据基尔霍夫电流定律列出图2: 习题1.5.2图−I1 + I2 −I3=−3 + 1 −I3=可求得I3= −2mA, I3的实际方向与图中的参考方向相反。
根据基尔霍夫电流定律可得U3 = (30 + 10 ×103 ×3 ×10−3 )V =60V其次确定电源还是负载：1 从电压和电流的实际方向判定：电路元件3 80V元件30V元件电流I3从“+”端流出,故为电源;电流I2从“+”端流出，故为电源；电流I1从“+”端流出，故为负载。
2 从电压和电流的参考方向判别：电路元件3 U3和I3的参考方向相同P= U3I3 = 60 ×(−2) ×10−3W=−120 ×10−3W （负值），故为电源；80V元件U2和I2的参考方向相反P = U2I2 = 80 ×1 ×10−3W =80 ×10−3W （正值），故为电源；30V元件U1和I1参考方向相同P= U1I1 = 30 ×3 ×10−3 W = 90 ×10−3W （正值），故为负载。
两者结果一致。
最后校验功率平衡：电阻消耗功率:2 2= R1I1 = 10 ×3 mW = 90mWP R12 2= R2I2 = 20 ×1 mW = 20mWP R2电源发出功率:P E = U2I2 + U3I3 = (80 + 120)mW =200mW负载取用和电阻损耗功率:P = U1I1 + R1 I2 + R2I2 = (90 + 90 + 20)mW =200mW1 2两者平衡1.5.3有一直流电源，其额定功率PN= 200W ，额定电压U N= 50V 。
内阻R0 =0.5Ω，负载电阻R可以调节。
其电路如教材图1.5.1所示试求：1 额定工作状态下的电流及负载电阻；2 开路状态下的电源端电压；3 电源短路状态下的电流。
电工学(电子技术)课后答案秦曾煌
第14章晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。
2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 〔1〕晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。
晶体管的输入特性也存在一个死区电压。
当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。
〔2〕晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。
在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。
B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。
输出特性曲线近于水平部分为放大区。
〔3〕晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。
此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。
此时，B I =0，C I =CEO I 。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。
此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。
即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。
14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。
设二极管导通电压D U =0.7V 。
25610VD1(a)(b)(c)(d)例14.1图解：○1图〔a 〕电路中的二极管所加正偏压为2V ，大于DU =0.7V ，二极管处于导通状态，则输出电压0U =A U —D U =2V —0.7V=1.3V 。
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术 直流稳压电路
第十八章直流稳压电源第十八章直流稳压电源§18.1 整流电路§18.2 滤波器§18.3 直流稳压电源◆整流变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。
稳u1u2u3u4uo整流电路滤波电路压电路◆整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。
◆滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流电压u4。
◆稳压电路: 清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压u的稳定。
概述§18.1 整流电路整流电路任务：把交流电压转变为直流脉动电压。
常见的小功率整流电路有单相半波、全波、桥式和倍压整流等。
为分析方便起见，常将二极管作理想元件处理，即认为二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。
§18.1.1 单相半波整流电路u 2 >0 时，二极管导通。
i Lu 1u 2a TbDR L u o忽略二极管正向压降：u o =u 2u 1u 2aTDR Lu oi L =0u2<0时，二极管截止,输出电流为0。
u o =0u 1u 2aT bDR Lu oi L()⎰===ππωπ202245.02d 21U U t u U o o (4) 输出电压平均值U o ：(1) 输出电压波形：(2) 二极管上承受的最高电压：22U U RM=(3) 二极管上的平均电流：L D I I =tωu o(5) 整流二极管的选择平均电流I D 与最高反向电压U RM 是选择整流二极管的主要依据。
选管时应满足：I OM >I D ，U RWM >U RM优点：结构简单，使用的元件少。
缺点：仅利用了电源的半个周期，输出的直流成分比较低；输出波形的脉动大；变压器电流含有直流成分，容易饱和。
应用：只用在要求不高，输出电流较小的场合。
最大整流电流反向工作峰值电压§18.1.2 单相桥式整流电路桥式整流电路+-u 2正半周时电流通路u 1u 2TD 4D 2D 1D 3R L u o桥式整流电路-+u 0u 1u 2TD 4D 2D 1D 3R Lu 2负半周时电流通路u 2>0 时D 1,D 3导通D 2,D 4截止电流通路:A →D 1→R L →D 3→Bu 2<0 时D 2,D 4导通D 1,D 3截止电流通路:B →D 2→R L →D 4→A输出是脉动的直流电压！u 2tωtω桥式整流电路输出波形及二极管上电压波形u D 4,u D 2u D 3,u D 1tωu ou 2D 4D 2D 1D 3R Lu oAB(4) u o 平均值U o ：U o = 0.9U 2(1) 输出电压波形：(2) 二极管上承受的最高电压：22U U RM =t ωu o(3) 二极管上的平均电流：2/ L D I I =u 1u 2T D4D 2D 1D 3R Lu o输出直流电压高；脉动较小；二极管承受的最大反向电压较低； 电源变压器得到充分利用。
《电工学》秦曾煌第六版下册课后答案
14二极管和晶体管14.3二极管14.3.2在图1所示的各电路图中，E = 5V , U i = 10 sin ®tV ,二极管D的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压U o的波形。
［解］(町(b)图1:习题14.3.2图(a)U i为正半周时，U i > E，D导通；U i < E，D截止。
U i为负半周时，D截止。
D导通时，U o = E； D截止时，U o = U i。
(b)U i为正半周时；U i > E, D导通；U i < E, D截止。
U i为负半周时，D截止。
D导通时，U o = U i ； D截止时，U o = E。
U0的波形分别如图2(a)和(b)所示。
图2:习题14.3.2图14.3.5在图3中，试求下列几种情况下输出端电位V Y 及各元件中通过的电流。
(1)V A = +10V ，V B = 0V ； (2)V A = +6V ,V B = +5.8V ;(3)V A = V B = +5V .设二极管的正 向 电阻为零，反向电阻为无穷大。
［解］图3:习题14.3.5图(1) 二极管D A 优先导通，则D B 反向偏置，截止，I D B = 0⑵ 设D A 和D B 两管都导通，应用结点电压法计算V Y :11.8 X 9V = 5.59V < 5.8V19 可见D B 管也确能导通I D A= A = 0.41 X 10?3A = 0.41mADA1 X 1035.8 ?5.59八 cc, ,c?3I D B = T A = 0.21 X 10 A = 0.21mA B1 X 103叫 1 kQ y™ 斤t —J —1—V Y I D A10 9 X K = 9VI R =V Y~R 9 9 X 103X10?3 A = 1mAV Y = 1 1 1 1 + +5.59 ?3I R = 3A = 0.62 X 10'3A = 0.62mA9 X 103⑶ D A 和D B 两管都能导通5 5 + —V Y = [ 1 [ 1 [ V = 4.74V+ + - 1 1 9 I R = _ V Y - ■ - 4.74 八 A =0.53 X10?3A = 0.53mAI RD A I D BmA = 0.26mA2 214.4 稳压二极管 14.4.2有两个稳压二极管 是0.5V 。
电工学+全册+答案+第六版+秦曾煌第1章习题解答
R 2 5Ω
解得： 解得： VA ≈ −14.3V
−50V
制作群
主
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退
出
4 5 + +
U 1 I1 1
-
I3 3 U3
-
U2 2 I2
+
-
制作群
主
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退
出
+
解：（1） ） I4 + + I5 + （2） 1、2是电源 ） 、 是电源 U 1 I1 I3 3 U3 U2 2 I2 1 3、4、5是负载 、 、 是负载 （3）在关联参考方向下 ） P =U1I1 = −560W < 0 发出功率 1 P =U2I2 = −540W < 0 发出功率 2 P =U3I3 = 600W > 0 吸收功率 3 P =U4I1 =320W > 0 吸收功率 4 P =U5I2 =180W > 0 吸收功率 5 电源发出功率： E 1 2 电源发出功率：P = P + P =1100W 负载吸收功率： L 3 4 5 负载吸收功率：P = P + P + P =1100W 二者相等功率平衡
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退
出
P28页 求图示电路中A点电位 点电位V P28页1.7.4 求图示电路中 点电位 A。 解：
I1 = I2 + I3
+50V
R 1 10Ω I1
50−V = I1R =10I1 A 1 V −(−50) = I2R =5I2 A 2
VA = I3R = 20I3 3
秦曾煌《电工学
第23章模拟量和数字量的转换A选择题23.1.1 在图23-1所示倒T形电阻网络D/A转换器中，设U R＝－10V，R F＝R，则输出模拟电压U O的最小值为（），U O的最大值为（）。
图23-1U O的最小值：（1）1V（2）0.625V（3）－0.625VU O的最大值：（1）9.375V（2）10V（3）5V【答案】2；1【解析】图23-1所示倒T形电阻网络D/A转换器电路输出模拟电压U0为当R F＝R时，有则当时，将和分别代入上式，得23.1.2 在图23-1中，输出模拟电压的最小值为0.313V时，则当输入数字为1010时的输出模拟电压为（）。
（1）3.13V（2）－3.13V（3）4.7V【答案】1【解析】由题意知则当时，有23.1.3 在倒T形电阻网络D/A转换器中，当输入数字量为1时，输出模拟电压为4.885mV。
而最大输出电压为10V，试问该D/A转换器是（）的。
（1）10位（2）11位（3）12位【答案】2【解析】由题意可知联立可得23.1.4 已知8位A/D转换器的参考电压U R＝－5V，输入模拟电压U I＝3.91V，则输出数字量为（）。
（1）11001000（2）11001001（3）01001000【答案】1【解析】逐次逼近型A/D转换器组成如图23-2所示。
图23-2 逐次逼近型A/D转换器的原理方框图转换时顺序脉冲发生器输出的顺序脉冲首先将逐次逼近寄存器的最高位置1。
经D/A 转换器转换为相应的模拟电压U O送入电压比较器与待转换的输入电压U I进行比较。
若U O ＞U I，说明数字量过大，将此最高位的1除去，并将次高位置1；若U O＜U I说明数字量还不够大，除应将此位的1保留外，还应再将下一次高位置1。
这样逐次置位，逐次比较，一直到最低位为止。
此时逐次逼近转换过程见表23-1。
表23-1 8位逐次逼近型ADC的转换过程来第5个脉冲后与输出数字量11001000对应的模拟电压与输入模拟电压最接近。
电工第六版课后答案第15章秦增煌
15.2.5晶体管放大电路图如图15.01（a）所示，已知Ucc=12V，Rc=3kΩ，RB=240kΩ,晶体管的β=40。
（1）试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;（2）如晶体管的输出特性如图15.01（b）所示，试用图解法作出放大电路的静态工作点;（3）在静态时（ui=0）在C1和C2上的电压各为多少？并标出极性。
解：（1）如图（a）所示的直流通路：C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
（2）由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知：Ic=0，UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过（0，12），（4，0）两点，于是可作如图(b)所示，即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时，Q点（2，6），即Ic=2mA，UCE=6v。
（3）静态时，Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图（a）中。
15.2.6在图中，U cc=10V，今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解：由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B，I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中，晶体管是PNP型锗管。
（1）Ucc和C1，C2的极性如何考虑？请在图上标出；（2）设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆，β=75，如果要将静态值Ic调到1.5毫安，问RB应调到多大？（3）在调整静态工作点时，如不慎将RB调到0，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？解答：（1）PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反，故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反，用-或者+标明在图15.25中。
（2）由于Ic=βIB，于是IB=Ic／β=1.5／75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) ／IB≈600千欧姆（3）若RB=0时，UBE=12V＞＞0.7V（硅管）或UBE=12V＞＞0.3（锗管），于是IB大大增加，使得PN结发热而损坏。
电工学-下册(电子技术)第六版-秦曾煌——期末考试试题
电工学期考试卷01-电子技术B一、填空题:（每空2分，共30分）1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。
2.放大电路中，若想要减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；若想要增加输出电阻，应引入 电流 负反馈。
3.理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断 和 虚短 两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压U =10V ，采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V 。
5.(57.5)10=( 111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8 个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括 高电平 、低电平和 高阻态 等三种工作状态。
二、选择题: （每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ，则该管工作在（ A ）状态。
A 、饱和 B 、截止 C 、放大 D 、损坏2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（ D ）失真。
A 、截止 B 、饱和C 、截止和饱和D 、交越3.电路如图1所示，引入的反馈为（ C ）负反馈。
A 、电压并联B 、电流并联C 、电压串联D 、电流串联4.下列电路中属于时序逻辑电路的是（ D ）电路。
A 、加法器B 、编码器C 、译码器D 、计数器5.构成一个十二进制的计数器，需要（ B ）个触发器。
A 、2 B 、4 C 、6 D 、126.摩根定律的正确表达式是：（ B ）A 、B A B A +=⋅ B 、B A B A +=⋅C 、B A B A ⋅=⋅D 、B A B A ⋅=⋅三、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
（6分）=Y A B +A C D +C D +AB C +B C D 解：=Y )()(BD AD D C C A A B ++++=)()(B A D C C A B ++++=C A D C C B B A +++ =C A D C B A ++图1图2四、图2所示放大电路中，已知V CC =12V ，R B1=90k Ω，R B2=30k Ω，R C =2.5k Ω，R e =1.5k Ω，R L =10k Ω，β=80，V U BE 7.0=。
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电工学期考试卷01-电子技术B一、填空题:（每空2分，共30分）1.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向 偏置。
2.放大电路中，若想要减小输入电阻，应引入 并联 负反馈；若想要增加输出电阻，应引入 电流 负反馈。
3.理想运算放大电路工作在线性区时，有 虚断 和 虚短 两个重要概念。
4.已知变压器二次侧电压U =10V ，采用单相半波整流电路，二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V ；若采用单相桥式整流电路，则二极管承受的最高反向压降RM U ＝ 14.1 V 。
5.(57.5)10=( 111001.1 )2=( 39.8 )16。
6.三变量的逻辑函数共有 8 个最小项。
其全部最小项之和为 1 。
7.TTL 三态门的输出包括 高电平 、低电平和 高阻态 等三种工作状态。
二、选择题: （每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ，则该管工作在（ A ）状态。
A 、饱和B 、截止C 、放大D 、损坏2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路，通常提供一个偏置电路以克服（ D ）失真。
A 、截止B 、饱和C 、截止和饱和D 、交越3.电路如图1所示，引入的反馈为（ C ）负反馈。
A 、电压并联B 、电流并联C 、电压串联D 、电流串联 4.下列电路中属于时序逻辑电路的是（ D ）电路。
A 、加法器B 、编码器C 、译码器D 、计数器5.构成一个十二进制的计数器，需要（ B ）个触发器。
A 、2 B 、4 C 、6D 、12 6.摩根定律的正确表达式是：（ B ）A 、B A B A +=⋅B 、B A B A +=⋅C 、B A B A ⋅=⋅D 、B A B A ⋅=⋅三、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。
（6分）=Y A B +A C D +C D +AB C +B C D解：=Y)()(BD AD D C C A A B ++++=)()(B A D C C A B ++++ =C A D C C B B A +++ =C A D C B A ++图1图2图5 四、图2所示放大电路中，已知V CC =12V ，R B1=90kΩ，R B2=30kΩ，R C =2.5kΩ，R e =1.5kΩ，R L =10kΩ，β=80，V U BE 7.0=。
试求：（16分)⑴静态工作点I B ，I C 和U CE ；⑵画出微变等效电路；⑶电路的电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R O ； 解：⑴V U R R R U CC B B B B 3212=+= U EQ =U B －U BEQ =2.3VmA R U I I e E EQ CQ 53.1==≈ ⑵微变等效电路如下图所示：⑶2.95'-=-≈beL u r R A β 五、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出输出电压u o 的表达式。
（12分）解：V U U P N 0== 111f O i R U R U -= 六、已知逻辑电路如图4所示，试写出逻辑函数表达式，列出真值表，并分析其逻辑功能。
（12分）解：AB Y =1，12Y A Y ⋅=13Y B Y ⋅=，32Y Y Y ⋅= 真值表如右表所示。
该电路为异或门电路，当输入信号相异时，输出为1，反之为0。
七、分析如图5所示电路，写出电路激励方程，状态转移方程,画出在5个CP 脉冲作用下Q 0、Q 1和Z 的时序图。
（12分）解：根据电路图列出激励方程和状态转移方程：J 1=K 1=Q 0，J 0=K 0=1，n n n n n Q Q Q Q Q 010111+=+，n n Q Q 010=+， 输出方程：Z =Q 1n Q 0n 。
再列出状态转移表，根据状态表画出时序图。
状态转移表A B Y 0 00 0 11 1 01 1 1 0 Q 1n Q 0n Q 1n+1 Q 0n+1 图4 时序图：文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 该电路功能为同步两位二进制计数器，计数模M =4，在状态为Q 1Q 0=11时进位输出为1。
电工学期考试卷02-电子技术B一、填空题:（每空2分，共30分）1.晶体三极管的输出特性曲线可分为 饱和 区、 放大 区和 截止 区等三个工作区。
2.工作在乙类状态的功率放大电路，在理想工作状态下，其效率最高可达78.5%。
3.放大电路中，若想要增加输入电阻，应引入串联负反馈；若想要减小输出电阻，应引入电压负反馈。
4.理想运算放大电路的开环电压放大倍数V A ＝ ∞ ，输入电阻i r ＝ ∞ 。
5.已知变压器二次侧电压值为10V ，若采用单相半波整流电路，则输出电压平均值O U ＝ 4.5 V ；若采用单相桥式整流电路，则输出电压平均值O U ＝ 9 V 。
6.(61.25)10=( 111101.01 )2=( 3D.4 )16。
7.D 触发器的特性方程为D Q n =+1。
8.一个半加器有 2 个输入端和 2 个输出端。
二、选择题: （每题2分，共12分）1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和3.4V ，则该管工作在（ A ）状态。
A 、饱和B 、截止C 、放大D 、损坏2.放大电路的静态是指电路工作在（ C ）时的状态。
A 、输入幅值不变的交流信号B 、输入频率不变的交流信号C 、输入幅值为0的交流信号D 、电路的电源电压Vcc 为03.图1所示电路引入的级间反馈为（ C ）负反馈。
A 、电压并联B 、电流并联C 、电压串联D 、电流串联 4.下列电路中属于组合逻辑电路的是（ C ）电路。
A 、触发器B 、寄存器C 、译码器D 、计数器5.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ B ）。
A 、没有触发器B 、没有统一的时钟脉冲C 、没有稳定状态D 、输出与电路原来的状态有关 6.已知逻辑函数 ，其反函数 （ B ）。
三、在如图2放大电路中，已知V CC =12V ，β=50，R b1=60K Ω，R b2=20K Ω，R C =4K Ω，R e1=100Ω，R e2=2.2K Ω，R L =4K Ω，试估算：(16分)⑴静态工作点I B ，I C ，U CE 。
⑵画出微变等效电路。
⑶试求电压放大倍数Au 、R i 和R O 。
0 00 11 01 1 0/0 1/0 1/0 0/0 1/0 1/0 0/1 0/1 图1图2图3 图4 图5解：解：⑴V B =V CC ．R b2/（R b1+R b2）=3VV E =V B -U BE =2.3VI C ≈I E =V E /(R e1+R e2)= 1mA I B = I C /β=20μAU CE =V CC -I C ．(R C +R e1+R e2)=5.7Vr be =200+（1+β）26/I E =1526Ω⑵微变等效电路如下图所示：⑶A u =-βR C //R L /（r be +（1+β）R e1）＝-15 R i =R b1//R b2//（r be +（1+β）R e1）≈6.626 K Ω R O ＝R C ＝4K Ω 四、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出u o 与u i1、u i2的运算关系式。
（12分） 五、用卡诺图法化简如下逻辑函数为最简与或式。
（6分）Y (A,B,C,D)=m ∑(0,1,2,8,9,10) 解：Y =B C +B D 六、写出图4所示电路Y 的逻辑函数式，化简为最简与或式。
列出真值表，分析电路的逻辑功能。
（12分） 解：ABC Y =1，12Y A Y ⋅=13Y B Y ⋅=，14Y C Y ⋅= )(C B A ABC ++= 真值表如右表所示。
该电路为判不一致电路，当输入信号相同时，输出为0，反之为1。
七、分析如图5所示电路，设各触发器的初态均为0态。
(12分） 1.写出电路驱动方程，状态方程和状态转换表，并画出状态图。
2.分析电路的逻辑功能。
解：1.驱动方程：J 1=Q 0n ，n Q J 10=，K 1=K 0=1。
状态方程：n n n Q Q Q 0111=+，n n n Q Q Q 0110=+。
再列出状态转移表如下表所示： 状态图如下图所示：2.电路实现三进制加法计数器。
电工学下册复习题第14章 半导体器件一、填空题： A B CY 0 0 00 0 0 1 10 1 0 10 1 1 11 0 0 11 0 1 11 1 0 11 1 1 0 Q 1n Q 0n Q 1n+1Q 0n+1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 o2ou N1＝u P1 u i 1－u N1＝u N1－u o1 u i 2－u P1＝u P1－u o2 u o1/（R 1+R L ）＝u o /R L得出：u o ＝－（u i 1－u i 2）R L /R 11. PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。
2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。
3. 晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。
晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
5. 物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P 型半导体，其多子为空穴。
7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP 型三极管。
8. 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。
二、选择题：1. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（B ）。
A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏；C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。
2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3. 稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4. 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（ B ）。
A、PNP管，CBE；B、NPN管，ECB；C、NPN管，CBE；D、PNP管，EBC。