微电子器件期末复习题 含答案

【习题压得准五杀跑不了】微电子器件（陈星弼·第三版）电子工业出版社◎前言◎根据统计，课堂测验、课后作业中的题目提纲中无相似题型，请复习提纲的同时在做一次作业以及课堂测验。

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计算题部分，实在无能为力，后期会继续上传计算题集锦，敬请期待。

另，由于本人微电子班，无光源班群，请有心人士转载至光源班群，共同通过1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（316105.1-⨯=cm N A ）和（314105.1-⨯=cm N A ）。

2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。

内建电场的方向是从（N ）区指向（P ）区。

[发生漂移运动，空穴向P 区，电子向N 区]3、当采用耗尽近似时，N 。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。

4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大），内建电势V bi 就越（大），反向饱和电流I 0就越（小）[P20]，势垒电容C T 就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。

5、硅突变结内建电势V bi ）[P9]在室温下的典型值为（0.8V ）6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。

7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。

8、在P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为P18。

若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯，外加电压V = 0.52V ，则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为（3251035.7-⨯cm ）。

9、当对PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。

10、PN 结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。

11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN 结的反向电流12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（1e）。

13、PN。

这个表达式在正向电，在反向电压下可简化为（JJ d-=）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高时，以（扩散）电流为主。

15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。

在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性分布）。

16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。

17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。

18、势垒电容反映的是PN结的（微分）电荷随外加电压的变化率。

PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。

19、扩散电容反映的是PN结的（非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。

正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。

【P51】20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。

引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡载流子）电荷。

这个电荷的消失途径有两条，即（反向电流的抽取）和（少子自身的复合）。

21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（降低少子寿命）和（加快反向复合）。

（减薄轻掺杂区的厚度）22、PN结的击穿有三种机理，它们分别是（雪崩击穿）、（齐纳击穿）和（热击穿）。

23、PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（小）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（小）。

24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（10→⎰dx i rd α）和（。

[P41] 25、晶体管的基区输运系数是指（基区中到达集电结的少子）电流与（从发射结刚注入基区的少子）电流之比。

[P67]由于少子在渡越基区的过程中会发生（复合），从而使基区输运系数（小于1）。

为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（远小于）基区少子扩散长度。

26、晶体管中的少子在渡越（基区）的过程中会发生（复合），从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子（小）。

27、晶体管的注入效率是指（从发射区注入基区的少子）电流与（总的发射极）电流之比。

[P69]为了提高注入效率，应当使（发射）区掺杂浓度远大于（基）区掺杂浓度。

28、晶体管的共基极直流短路电流放大系数α是指发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电极）电流与（发射极）电流之比。

29、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指（发射）结正偏、（集电）结零偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。

30、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（减小）基区宽度，（降低）基区掺杂浓度。

31、某长方形薄层材料的方块电阻为100Ω，长度和宽度分别为300μm 和60μm ，则其长度方向和宽度方向上的电阻分别为（Ω500）和（Ω20）。

若要获得1K Ω的电阻，则该材料的长度应改变为（m μ600）。

32、在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（内建电场），它对少子在基区中的运动起到（加速）的作用，使少子的基区渡越时间（减小）。

33、小电流时α会（减小）。

这是由于小电流时，发射极电流中（势垒区复合电流）的比例增大，使注入效率下降。

34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率），反而会使其（下降）。

造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇复合增强）。

[P76]35、在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（大）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（注入效率）大于同质结双极晶体管的。

[P79]36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（不变）。

但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（增加），这称为（基区宽度调变）效应。

[P83]37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（变宽），使基区宽度（变窄），从而使集电极电流（增大），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。

[P83]38、I ES 是指（集电结）短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。

39、I CS 是指（发射结）短路、（集电结）反偏时的（集电）极电流。

41、I CBO 是指（发射）极开路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。

41、I CEO 是指（基）极开路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。

42、I EBO 是指（集电极）极开路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。

43、BV CBO 是指（发射）极开路、（集电）结反偏，当（CBO I ）∞→时的V CB 。

44、BV CEO 是指（基）极开路、（集电）结反偏，当（CEO I ）∞→时的V CE 。

45、BV EBO 是指（集电）极开路、（发射）结反偏，当（EBO I ）∞→时的V EB 。

46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（基区）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。

防止基区穿通的措施是（增加）基区宽度、（提高）基区掺杂浓度。

[P90]47、比较各击穿电压的大小时可知，BV CBO （大于）BV CEO ，BV CBO （远大于）BV EBO 。

48、要降低基极电阻bb r '，应当（提高）基区掺杂浓度，（提高）基区宽度。

50、发射极增量电阻r e 的表达式。

室温下当发射极电流为1mA 时，r e =（Ω26）。

51、随着信号频率的提高，晶体管的ωα、ωβ的幅度会（下降），相角会（滞后）。

52、在高频下，基区渡越时间b τ对晶体管有三个作用，它们是：（复合损失使小于 1β0* 小于 1）、（时间延迟使相位滞后）和（渡越时间的分散使|βω*|减小）。

53、基区渡越时间b τ是指（从发射结渡越到集电结所需要的平均时间）。

当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（2）倍。

54、晶体管的共基极电流放大系数ωα随频率的（增加）而下降。

当晶体管的ωα下α的截止频率，记为（αf ）。

55、晶体管的共发射极电流放大系数ωβ随频率的（增加）而下降。

当晶体管的ωβ下降到021β时的频率，称为β的（截止频率），记为（βf ）。

56、当βf f >>时，频率每加倍，晶体管的ωβ降到原来的（½）；最大功率增益pmax K 降到原来的（¼）。

57、当（电流放大系数ωβ）降到1时的频率称为特征频率T f 。

当（晶体管最大功率max p ）降到1时的频率称为最高振荡频率M f 。

58、当ωβ降到（1）时的频率称为特征频率T f 。

当pmax K 降到（1）时的频率称为最高振荡频率M f 。

59、晶体管的高频优值M 是（功率增益）与（带宽）的乘积。

60、晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（集电结势垒电容）、（发射结势垒电容）和（发射结扩散电容）。

61、对于频率不是特别高的一般高频管，ec τ中以（b I ）为主，这时提高特征频率T f 的主要措施是（减小基区宽度）。

62、为了提高晶体管的最高振荡频率M f ，应当使特征频率T f （增大），基极电阻bb r '（降低），集电结势垒电容TC C （降低）。

63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（尺寸小）、（结深浅）、（线条细）和（非工作基区重掺杂）。

64、N 沟道MOSFET 的衬底是（P ）型半导体，源区和漏区是（N ）型半导体，沟道中的载流子是（电子）。

65、P 沟道MOSFET 的衬底是（N ）型半导体，源区和漏区是（P ）型半导体，沟道中的载流子是（空穴）。

66、当GS T V V =时，栅下的硅表面发生（强反型），形成连通（源）区和（漏）区的导电沟道，在DS V 的作用下产生漏极电流。

67、N 沟道MOSFET 中，GS V 越大，则沟道中的电子就越（多），沟道电阻就越（小），漏极电流就越（大）。

68、在N 沟道MOSFET 中，T 0V >的称为增强型，当GS 0V =时MOSFET 处于（截止）状态；T 0V <的称为耗尽型，当GS 0V =时MOSFET 处于（导通）状态。

69、由于栅氧化层中通常带（正）电荷，所以（P ）型区比（N ）型区更容易发生反型。