场效应管的作用、规格及分类
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，主要用于放大和开关电路中。
根据FET的工作原理和结构不同，常用的场效应管主要有三种类型：结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）。
下面将详细介绍这三种常用的场效应管以及它们的识别方法。
1.结型场效应管（JFET）：结型场效应管是最早发展的一种场效应管，其结构简单，用途广泛。
根据导电型别的不同，可分为N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）两类。
结型场效应管的导通主要是通过沟道中的少数载流子进行的。
其主要特点包括输入电阻较高、噪声较低、电路稳定性好等。
JFET的识别方法：（1）引脚识别：JFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
可以使用万用表的电阻档位来测量两两引脚间的电阻大小，栅源电阻较大，约为数兆欧姆，漏源电阻较小，约为几千欧姆，可以根据这些特点来判断引脚的功能。
（2）标识识别：通常JFET上会有标志性的标识，例如“2N”或“BF”等，通过这些标识可以辨认出具体的型号和制造商。
（3）参数识别：可以通过查阅JFET的参数手册或型号手册，了解其具体的参数范围和特性，从而辨认出具体的JFET型号。
2.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：金属氧化物半导体场效应管是应用最为广泛的一种场效应管，也是目前集成电路中使用最多的晶体管。
根据栅极结构的不同，可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种。
增强型MOSFET的导通需要在栅极上施加正电压，而耗尽型MOSFET的导通则需要在栅极上施加负电压。
MOSFET的识别方法：（1）引脚识别：MOSFET有三个引脚，即源极（source）、栅极（gate）和漏极（drain）。
5000种场效应管参数
5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数：1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。
此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。
场效应管参数及应用
场效应管参数及应用场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种用来放大电信号或者作为开关的电子器件。
它是一种三端口的半导体器件，由栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）组成。
FET有多种类型，其中最常见的是金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），还有金属-半导体场效应管（MESFET）和绝缘体-半导体场效应管（JFET）。
场效应管具有以下几个重要参数：1.漏极-源极饱和电流（IDSS）：在栅极短路时，漏极-源极之间的电流。
它是FET的最大电流值，一旦超过该值，FET可能会损坏。
2. 开启电压（VGS(th)）：当栅极电压达到一定值时，FET开始导通。
这个值被称为开启电压，它决定了FET的灵敏度和工作状态。
3.增益（μ）：增益是指FET输出电流与输入电流之比。
它决定了FET的放大效果，即输入信号经过FET放大后的输出信号强度。
4.漏极电流（ID）：漏极电流是FET的输出电流，也是通过FET的电流。
它取决于栅极电压和源极电压。
5. 最大电源电压（VDSmax）：FET能够承受的最大漏极-源极电压。
一旦超过该值，FET可能会损坏。
6.漏极电导（gDS）：漏极电导是指当FET处于导通状态时，漏极电流随漏极电压的变化率。
它决定了FET的开关速度和功耗。
场效应管在电子设备中有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.放大器：FET作为放大器能够放大弱小的输入信号，并产生强大的输出信号。
它常用于音频放大器、射频电路和功率放大器等领域。
2.开关：由于FET具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，因此它可以作为开关用于控制电流流动。
它广泛应用于数字电路、模拟电路和功率开关等领域。
3.模拟开关：FET在模拟开关电路中起到将模拟信号发送到特定路径的作用。
它通常用于电路选择、模拟开关和模拟复用等应用。
4.振荡器：FET可以用作振荡器，产生连续振荡信号。
它通常用于无线电设备和通信系统中的频率合成器和本地振荡器。
场效应管的作用
场效应管的作用
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的
半导体器件，主要用于信号放大、开关和电流调节等电路中。
该器件具有高输入阻抗、低输出阻抗和高频率响应等优点，被广泛应用于各种电子设备和系统中。
作为信号放大器，场效应管能够将输入信号放大到较大的幅度，从而实现信号的增强。
其工作原理是通过控制栅极-源极电压
的变化来调节导通区的导电性，进而控制源-漏极电流的大小。
根据不同的工作模式，场效应管可以分为三种类型：增强型、耗尽型和共源型。
其中，增强型场效应管是最常用的一种，其栅极-源极电压增大时，源-漏极电流也随之增大。
在开关电路中，场效应管起到实现开关控制的作用。
当正向偏置电压施加在栅极上时，场效应管处于导通状态，电流可以从源极流向漏极；当负向偏置电压施加在栅极上时，场效应管处于截止状态，电流无法通过。
通过改变栅极-源极电压的大小，可以实现对开关状态的控制，从而实现对电路的开关操作。
此外，场效应管还可以用作电流调节器。
通过调节栅极-源极
电压的大小，可以改变场效应管的导通区大小，从而实现对电流的调节。
这在一些需要电流变化的电路中非常有用，如电源电流的稳定控制、LED亮度调节等。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中发挥着重要的作用。
它具有高频率响应、高输入阻抗和低输出阻
抗等优势，广泛应用于各种电子设备和系统中的信号放大、开关和电流调节等功能。
nce3095k场效应管参数
nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。
它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。
二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。
2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。
β值越大，放大效果越好。
3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。
4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。
5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。
合理选择参数可降低功耗。
三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。
它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。
四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。
2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。
3.考虑电流放大系数，确保放大效果。
4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。
5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。
6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
场效应管参数用途大全
场效应管参数用途大全场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种主要用于放大、开关和调节信号的电子器件。
它是一种三端器件，由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。
场效应管具有很多参数，下面将详细介绍这些参数的用途。
1.漏极电流（ID）：漏极电流是指通过场效应管的漏极-源极电路的电流。
它可以用来测量和控制场效应管的放大增益和工作状态。
2.栅-源电压（VGS）：栅电压与源电压之间的差值，用于控制场效应管的导通与截止状态。
当VGS小于场效应管的阈值电压时，管子截止；当VGS大于阈值电压时，管子导通。
3.漏-源电压（VDS）：漏电压与源电压之间的差值，用于测量场效应管的电压增益和功耗。
它还用于确定场效应管的工作状态，如饱和区、线性区和截止区。
4. 率定电压（VGS-off）：当栅电压小于阈值电压时，场效应管处于关断状态。
率定电压是指栅电压，使得场效应管完全截止，漏极电流为零。
5.漏极电阻（RD）：漏极电阻是指场效应管的漏极电压和漏极电流之间的比率。
它用于测量和控制场效应管的输出阻抗和信号衰减。
6.栅-漏电流（IGS）：栅-漏电流是指栅极和源极之间的电流。
它表示在截止区域时，栅极上的电流，即零漏极电压条件下的漏极电流。
7.漏极电容（CDS）：漏极电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
8.栅电流（IG）：栅电流是指通过场效应管的栅极-源极电路的电流。
栅电流用于测量和控制场效应管的输入阻抗和信号增益。
9.输入电容（CGS）：输入电容是指场效应管的栅极电压和变化的栅极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
10.输出电容（CDS）：输出电容是指场效应管的漏极电压和变化的漏极电流之间的比率。
它与场效应管的频率响应和带宽有关。
11. 开关速度（Switching Speed）：开关速度是指场效应管在从截止状态到导通状态或从导通状态到截止状态的转换时间。
六种场效应管
六种场效应管一、结型场效应管结型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变二氧化硅（SiO2）层中电荷分布来实现对漏极电流的控制。
它的工作特点是在工作过程中不需要很大的功耗，并且具有良好的噪声特性。
在电子设备中，结型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
二、绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在二氧化硅（SiO2）绝缘层上覆盖金属薄膜来实现对源极和漏极之间的控制。
由于没有栅极氧化层与半导体之间的电容，因此其输入电阻非常高，并且具有低噪声特性。
在电子设备中，绝缘栅型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
三、MOS型场效应管MOS型场效应管是一种单极场效应管，其工作原理是通过在金属-氧化物-半导体（MOS）结构上施加电压来改变电荷分布实现对漏极电流的控制。
它的优点是输入电阻高、驱动电流小、功耗低、易于集成等。
在电子设备中，MOS型场效应管通常用于放大、振荡、开关等电路中。
四、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的单极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
五、高电子饱和迁移率型场效应管高电子饱和迁移率型场效应管是一种具有高电子饱和迁移率的双极场效应管。
它的工作原理是通过改变栅极电压来改变半导体内部的电子饱和迁移率实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
六、结型双极型场效应管结型双极型场效应管是一种双极场效应管，其工作原理是基于栅极电压改变半导体内部的电子和空穴浓度实现对漏极电流的控制。
它的优点是具有高速响应和低功耗特性，适用于高速数字电路和模拟电路中。
同时，它还具有较好的噪声特性和稳定性，适用于各种复杂的电子设备中。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，也是一种电控型的半导体器件。
它的工作原理是通过外加的电场来改变电流的流动，从而实现放大、开关等功能。
在电子电路中，场效应管被广泛应用于信号放大、开关控制、振荡电路等方面。
常用的场效应管型号有很多，下面我们来介绍几种常见的场效应管及其用途和参数：1.2N7000型场效应管：2N7000是一款N沟道增强型场效应管，主要用于低功率开关电路和电压放大电路。
其最大漏极电流为200mA，最大漏-源耐压为60V，开关速度较快，适用于一般的低功率开关应用。
2.IRF840型场效应管：IRF840是一款N沟道增强型场效应管，主要用于功率放大和开关电路。
其最大漏极电流为8A，最大漏-源耐压为500V，具有较低的漏-源电阻，适用于高功率开关电路和功率放大电路。
3.2SK1058型场效应管：2SK1058是一款功率型场效应管，用于音频功率放大电路和开关控制电路。
其最大漏极电流为11A，最大漏-源耐压为200V，具有较低的漏-源电阻和较高的增益，适合于高保真音频放大器和功率放大器。
4.BS170型场效应管：BS170是一款低功耗型N沟道增强型场效应管，主要用于低压低功率开关电路和放大电路。
其最大漏极电流为0.5A，最大漏-源耐压为60V，具有低功耗和较小的体积，适合于便携式电子设备和低功率电路应用。
以上只是部分常见的场效应管型号和应用场景，不同场效应管的参数还包括漏-源电阻、温度特性、开关速度、最大功耗等。
在选择场效应管时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求来确定合适的型号和参数。
总结起来，场效应管是一种重要的电子器件，常用于信号放大、开关控制、功率放大等各种电路中。
不同型号的场效应管具有不同的参数，它们的应用范围和性能也有所差异，因此在使用场效应管时需要仔细选择合适的型号和参数，以满足具体的电路需求。
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场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
更正确地说，ID 流经通路极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS =0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极流动。
达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展向源极有电流ID的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，I饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着D过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生I的饱和现象。
其次，如图10.4.2(c)D所示，VGS 向负的方向变化，让VGS =VGS (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。
而且VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3.场效应管的分类和结构:场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
4、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J 代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
5、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：1.IDSS —饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2.UP —夹断电压。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3.UT —开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4.gM —跨导。
是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5.BUDS —漏源击穿电压。
是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6.PDSM —最大耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7.IDSM —最大漏源电流。
是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过IDSM6、场效应管的作用1.场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
7、常用场效用管1、MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。
它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。
通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。
耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。
源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。
图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。
当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。
随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。
它们的管脚排列（底视图）见图2。
MOS场效应管比较“娇气”。
这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。
管子不用时，全部引线也应短接。
在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
MOS场效应管的检测方法（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项。
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：1.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
3.焊接用的电烙铁必须良好接地。
4.在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
5.MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
7.MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
2、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。
它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。