辐射杂散调试总结

3排除结构件的影响
• <1>将所有结构件（外壳、支架）去掉，只使用光 板（必要时可加LCD以方便拨号查看），与CMU通 话测量，如果有明显改善，则为结构件的影响 • <2>在结构件上加喷涂材料，通话测量，推断通上 •
4排除电源的影响
• <1>更改电池连接器处、PA供电的去耦/滤波电容（将 22pF换成更小容值的电容,根据超标杂散频点的不同选 择不同谐振频率的电容），通话测量 • <2>更换不同型号、同一型号不同批次的电池进行测 量，看看是否有改善 • <3>将电池甚至电池连接器用铜皮包住（为了防止短 路，包铜皮之前先用透明胶将主板包住）进行测量， 看看是否有改善 • <4>检查VBAT走线是否过长、线宽是否足够粗－－》 过长的走线容易引入干扰（可以适当加GND过孔保 护），过细的线宽其阻抗较大容易导致压降加大从而 引起给芯片实际供电电压的不足
什么是辐射杂散？ 辐射杂散（简称RSE）是指当移动台与非辐射性纯阻负载 相连接或者在接收机状态时，由移动台产生或放大的通 过移动台机壳、电源、控制设备、音频各电缆辐射的工 作频率外上的发射。在目前的国际标准中“辐射杂散”基本 都将其划分在了射频项目（RF）里面，而国内标准（以 YD1032为典型）则将其划分在电磁兼容（EMC）的测试 内容内 相信接触过无线发射产品认证的朋友都对辐射杂散比较 了解，也许还会带点感情色彩认为这个项目比较讨厌， 因为无论是在做国内或国际认证中，任何的无线发射产 品都逃不掉此项测试要求。从设计及整改角度来讲，对 工程人员来说辐射杂散的整改也是其最为头痛的工作内 容之一，尤其针对高功率发射产品，如2G，3G设备跟是 如此。
。
辐射杂散的指标：
根据不同的产品所对应的标准，辐射杂散的相关指 标要求也有所差别，但大体可归纳如下：
那么当我们遇到类似的问题应该如何排查 1 排除天线的影响
• <1>在测试点后接50ohm电阻到地，直接与CMU通话（一 般会较难连上CMU，可以将手机靠近接收天线，待连接上 后放回转台开始测量），或者软件使用AM-AM模式强制发 射，观察谐波是否有改善，如果有明显改善，则是天线的 原因，如果没有改善，则是主板的原因 • <2>使用任意一个天线（只要能装上），跟CMU通话后测 量谐波，推断同<1>; • <3>在天线馈点焊接cable并与小的全向天线连接，将天线 放到转台底部，手机放转台上，与CMU通话并测量，推断 同<1>; • ---接上天线后，可能导致PA工作状态改变，甚至由线性区 进入非线性区，从而产生杂波 •
2排除屏蔽架/屏蔽盖的影响
• <1>将屏蔽架开孔处，用吸波材料包住（目前RD只有两种 吸波材料，对于DCS使用较厚的吸波材料效果较好）并将 屏蔽架和屏蔽盖用焊锡焊好，确保接地良好，通话测量谐 波，如果有1个dB以上的改善，可以断定杂波可能是从屏 蔽盖内辐射出来的，如果没有改善，则在别的地方寻找辐 射源； • <2>将屏蔽架开孔处，用铜皮包住（由于开孔处的PCB板上 有绿油，可用小刀刮开绿油露出地来，并将铜皮与屏蔽盖 以及地焊好），通话测量，推断同上； •
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
6寻找辐射源
• 手机在无线方式下与CMU通话，使用小环型天线 在手机周围搜索，并在频谱仪上观察，是否有能 量突然变大的地方，如果有则在该地方加吸波材 料或者加强屏蔽
7地噪声的影响
• 由于基带和射频都在一个屏蔽盖内，且地 是共通的，很可能基带的能量通过地耦合 到射频并辐射出去（不过因为有屏蔽盖， 如果屏蔽良好应该不会辐射出去）---如果真 是这样的情况，RF基本上没招，只能改 layout •
5排除PA的影响
• <1>使用软件人为将发射功率提高到最大值，看功率 是否能上去，如果上不去，则说明PA已经进入饱和区， 必然会导致杂波产生 • ； • <2>使用软件将PA功率降低1～2dB，通话测量，看谐 波是否有相应降低（约1~2dB，两者没有线性关系）， 如果有则说明杂波是在PA出来的，如果没有则在别的 地方查找辐射源； • ----按照目前的匹配，传导有10dB的余量，说明PA工作 状态已经很好，否则的话传导余量绝对会变差，甚至 超标
8排除其他RF支路的影响
• 将其他的RF支路的并地电容（电感）去掉，进 行测量看看是否有改善－－》有时候如果布线 不好，可能其他RF支路的能量会通过 • 并地的器件将干扰能量耦合到受影响支路，从 而导致该支路杂散超标；如果确定是其他支路 的的影响，则layout时必须将这些支路远离敏 感支路，并尽可能加上GND过孔隔离 • • 当然找到超标的频点 需要软件配合查找对应 的时钟源 关闭相应的时钟也是一种思路