庞磁电阻效应和强关联电子

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磁阻效应的名词解释

磁阻效应的名词解释

磁阻效应的名词解释磁阻效应,也称为磁阻纳米结构效应,是指在磁性材料中,当电流通过材料时,磁阻会发生改变的现象。

这种现象是由材料内部磁矩的旋转或磁矩方向的改变引起的。

磁阻效应最早由物理学家吴健雄在1988年发现,并因此获得了诺贝尔物理学奖。

吴健雄的实验以及随后的研究表明,当电流通过非磁性微细导线时,材料的电阻会因为磁场的存在而产生变化。

这种变化可以通过改变材料的磁场或者改变材料内磁矩的方向来实现。

磁阻效应的发现对磁存储技术和磁传感器领域产生了重大影响。

在磁存储领域,磁阻效应被广泛应用于硬盘驱动器的读取头,用于检测和读取硬盘上的磁道信息。

而在磁传感器领域,磁阻效应被用于测量和检测磁场。

为了更好地理解磁阻效应的原理,我们可以从材料的电子结构和自旋的角度来解释。

在普通的金属中,电子会根据泡利不相容原理填充不同的能级。

每个能级都有两个自旋态,上自旋态和下自旋态。

在没有磁场的情况下,这两个自旋态是等价的,电阻率是常数。

然而,当有磁场存在时,自旋角动量与磁场相互作用,导致自旋向磁场方向倾斜。

这将导致两个自旋态的能量差异,进而改变了电子的能带结构和电子在能带中的分布。

由于电子在材料中的散射过程和自由路径的变化,材料的电阻率也会受到影响。

这就是磁阻效应的基本原理。

在磁阻效应的应用中,最重要的是磁阻比的定义和计算。

磁阻比是指磁场引起的电阻变化与没有磁场时的电阻的比值。

磁阻比通常以百分数表示,可以通过下面的公式计算:磁阻比 = (Rm - R0) / R0 x 100%其中,Rm是在磁场作用下的电阻,R0是没有磁场时的电阻。

根据磁阻比的不同取值,磁阻效应可分为正磁阻效应和负磁阻效应。

正磁阻效应指的是磁场增强了材料的电阻,而负磁阻效应指的是磁场降低了材料的电阻。

在实际应用中,最常见的磁阻效应是巨磁阻效应(GMR)和隧道磁阻效应(TMR)。

巨磁阻效应是由金属和非磁性材料交替堆叠而成的薄膜结构产生的,可以用于制造高灵敏度的磁传感器和读取头。

磁控溅射法的工作原理

磁控溅射法的工作原理

(R, A)n1MnnO3n+1
二、锰氧化物的结构及其庞磁电阻效应
1.钙钛矿锰氧化物基本的晶格
一般泛指的锰氧化物(Manganites)是基于钙钛矿结构来说 的,它的通式可以写为:(R, A)n1MnnO3n+1(其中R 为稀土元素, A 为碱土元素) ,通常也称作Ruddlesden-Popper(RP)相。在 RP化合物中,“n”代表MnO6 八面体顺着晶体[001]方向堆 垛的层数。如图1所示,单层 n = 1 的(R,A)2 MnO4化合物具有 二维的K2NiF4 结构,由一层MnO6八面体层和一层(R/A,O)交替 堆垛组成。n =2的双层(R,A)3Mn2O7和n = 3的三层(R,A)4Mn3O10化合 物分别有两层MnO6 八面体和三层 MnO6八面体与一层 (R/A,O)交 替堆垛组成。n =∞的化合物 (R,A)MnO3 具有无穷层的三维钙钛 矿结构。其中结构为(R,A)Mn2O7和 (R,A)MnO3的部分化合物表现出 CMR效应。
极化度 、电场E、诱导偶极矩m三者之间的关系:
E
拉曼和红外是否活性判别规则: (1) 相互排斥规则: 凡具有对称中心的分子,具
有红外活性(跃迁是允许),则其拉曼是非活性(跃迁是 禁阻)的;反之,若该分子的振动对拉曼是活性的,则 其红外就是非活性的。
层状晶格图形如下
2. CMR效应 CMR效应存在于钙钦矿结构的掺杂锰氧化物中。不
同于GMR和TMR依赖于人工制备的纳米结构,钙钦矿锰 氧化物的CMR效应是大块材料的体效应。由于其磁电 阻值特别巨大,为了区别于金属多层膜中的GMR效应, 人们将这种钙钦矿结构中的磁电阻效应冠之以超大磁 电阻效应(eolossalMagnetoresistanee),简称CMR效 应。CMR的一个显著特征是在磁相变的同时伴随着金 属到绝缘态的转变,并且磁电阻的陡然变化通常发生 在居里点()附近,一旦温度偏离居里点,磁电阻迅速 下降。这种极大的磁电阻效应实际上暗示了锰氧化物 材料中自旋一电荷间存在着强烈的关联性。现在己经 确认,锰氧化物具有电子的强关联特性,其CMR机理, 与铜氧化物的高温超导电性是一样的,是多电子强关 联系统中十分有趣和困难的问题。

庞磁电阻材料的研究

庞磁电阻材料的研究

庞磁电阻材料的研究摘要:近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩,但也有不足之处,即磁电阻效应不大。

钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率,在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应,即庞磁电阻效应(几特斯拉场强下可达108%)而引起了广泛的关注。

正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景,锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。

关键词:庞磁电阻材料,CMR,锰氧化物一、庞磁电阻效应的研究意义磁电阻效应是指材料在磁场作用下电阻发生变化的现象。

对于普通金属,电子的自旋是简并的,所以不存在净的磁矩,费米面自旋向上和自旋向下的电子态完全一样,因而输运过程中电子流是自旋非极化的,在磁场作用下金属电阻改变很小。

不过,对于铁磁过度金属来说,交换作用能与动能的平衡使系统不同自旋的子带发生交换劈裂,自旋向上的子带发生相对位移,引起自发磁化。

这样,电子具有电荷同时具有自旋磁矩。

近年来GMR和TMR在物理、材料和器件研究方面取得很大成绩,但也有不足之处,即磁电阻效应不大。

钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100%的自旋极化率,在铁磁居里温度附近表现出巨大磁电阻效应,即庞磁电阻效应(几特斯拉场强下可达108%)而引起了广泛的关注。

正是由于磁存储产业对更敏感和具有更快响应速度的磁探测器的需求和这一系统在其中的应用前景,锰氧化物及其CMR效应成了人们研究的焦点。

为了揭示产生CMR效应丰富的物理机制和内涵,为了大大地提高存储器的容量以满足人们日常生活中对存储器更高的要求,从而引起计算机存储器方面的革命,科技工作者从上个世纪90年代开始就对庞磁电阻、巨磁电阻效应展开了铺天盖地的研究,并取得一些成绩,但是在室温庞磁电阻效应研究方面进展并不大。

寻找低场室温的庞磁电阻材料体系又成了材料科技工作者新的研究热点。

在过去的20年中,随着金属多层膜和颗粒膜中巨磁电阻(GMR)及稀有氧化物中庞磁电阻(CMR)的发现和磁电阻材料制备技术的提高,以研究、利用和控制自旋极化的电子输运过程为核心的磁电子学得到很大发展。

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及应用实验报告

巨磁电阻效应及其应用2007年诺贝尔物理学奖授予了巨磁电阻( Giant magneto resistance,简称GMR)效应的发现者:法国物理学家阿尔贝·费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得·格伦贝格尔( Peter Grunberg )。

诺贝尔奖委员会说明:“这是一次好奇心导致的发现,但其随后的应用却是革命性的,因为它使计算机硬盘的容量从几百、几千兆,一跃而提高几百倍,达到几百G乃至上千G。

”凝聚态物理研究原子,分子在构成物质时的微观结构,它们之间的相互作用力,及其与宏观物理性质之间的联系。

人们早就知道过渡金属铁、钴、镍能够出现铁磁性有序状态。

量子力学出现后,德国科学家海森伯(W. Heisenberg,1932年诺贝尔奖得主)明确提出铁磁性有序状态源于铁磁性原子磁矩之间的量子力学交换作用,这个交换作用是短程的,称为直接交换作用。

图 1 反铁磁有序后来发现很多的过渡金属和稀土金属的化合物具有反铁磁有序状态,即在有序排列的磁材料中,相邻原子因受负的交换作用,自旋为反平行排列,如错误!未找到引用源。

所示。

则磁矩虽处于有序状态,但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。

这种磁有序状态称为反铁磁性。

法国科学家奈尔(L.E. F. Neel)因为系统地研究反铁磁性而获1970年诺贝尔奖。

在解释反铁磁性时认为,化合物中的氧离子(或其他非金属离子)作为中介,将最近的磁性原子的磁矩耦合起来,这是间接交换作用。

另外,在稀土金属中也出现了磁有序,其中原子的固有磁矩来自4f电子壳层。

相邻稀土原子的距离远大于4f电子壳层直径,所以稀土金属中的传导电子担当了中介,将相邻的稀土原子磁矩耦合起来,这就是RKKY型间接交换作用。

直接交换作用的特征长度为0.1~0.3nm,间接交换作用可以长达1nm以上。

1nm已经是实验室中人工微结构材料可以实现的尺度。

1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念,所谓的超晶格就是指由两种(或两种以上)组分(或导电类型)不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。

自旋电子学与自旋电子器件简述

自旋电子学与自旋电子器件简述

自旋电子学与自旋电子器件简述陈闽江,邱彩玉,孙连峰(国家纳米科学中心 器件研究室 北京 )一、引言2007年10月,瑞典皇家科学院宣布,将该年度诺贝尔物理学奖授予在1988年分别独立发现纳米多层膜中巨磁电阻效应的法国Albert Fert 教授和德国Peter Grunberg 教授。

其随后的应用不啻为革命性的,因为它使得计算机硬盘的容量从几十兆、几百兆,一跃而提高了几百倍,达到几十G 乃至上百G 。

越来越多的人开始了解这个工作及其对我们生活的影响,并意识到这个工作方向的重要意义。

1988年在磁性多层膜中发现巨磁电阻效应(Giant Magnetoresistance ,GMR),1993年和1994年在钙钛矿锰氧化物中发现庞磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance ,CMR),特别是1995年在铁磁性隧道结材料中发现了室温高隧穿磁电阻效应(Tunneling Magnetoresistance ,TMR)以及后续形成的稀磁半导体等研究热潮,这些具有里程碑意义的人工合成磁性材料的成功制备和深入研究,不仅迅速推动了近20年凝聚态物理新兴学科——自旋电子学(spintronics)的形成与快速发展,也极大地促进了与自旋极化电子输运相关的磁电阻材料和新型自旋电子学器件的研制和应用。

中国科学院物理研究所朱涛研究员表示:“Albert Fert 和Peter Grunberg 种下了一粒种子,随着20世纪90年代应用的突破,这粒种子长成了一棵小苗——自旋电子学,这是一个成长很快、前景广阔的磁学分支。

”二、电子自旋与自旋电子学要阐明自旋电子学,就不得不先简述一下电子自旋这一概念。

电子自旋不是电子的机械自转,电子自旋及磁矩是电子本身的内禀属性,所以也被称为内禀角动量和内禀磁矩。

它们的存在标志电子还有一个新的内禀自由度。

所以电子状态的完全描述不但包括空间三个自由度的坐标(r ),还必须考虑其自旋状态。

超导材料的强关联与超导机制

超导材料的强关联与超导机制

超导材料的强关联与超导机制超导现象是一种令科学界着迷的奇特物理现象。

它指的是某些物质在低温下具有完全零电阻和完全排斥磁场的性质。

人们对超导现象的研究已经进行了数十年,但至今仍存在很多未解之谜。

近年来,研究人员发现,超导材料的强关联效应在超导机制中发挥着重要作用。

强关联是指电子之间的相互作用非常强烈,以至于传统的简单能带理论无法准确描述材料的行为。

在强关联体系中,电子的行为不再是相互独立的,而是集体地协同作用。

非常著名的强关联效应是高温超导现象的发现。

高温超导,即在相对较高的温度下出现超导现象,远远超过了传统的低温超导现象。

最早于1986年由材料科学家Bednorz和Müller在铜氧化物中发现,这一突破引起了科学界的极大关注。

但是,很长时间内无人能够解释高温超导现象的机制,直到近年来强关联效应的重要性逐渐得到认可。

在强关联体系中,电子之间的相互作用可以产生独特的电子态。

例如,在铜氧化物中,电子倾向于形成所谓的“奇偶配对”状态。

这种状态可以让电子在没有散射的情况下流动,从而导致了超导现象的出现。

这一发现揭示了超导机制的新方向,也为寻找更高温度下的超导材料提供了新的思路。

除了高温超导,强关联也在其他超导材料中起着重要作用。

例如,铁基超导体是另一类引人关注的材料。

铁基超导材料中的铁原子形成了特定的排列模式,导致电子之间的相互作用非常强烈。

这种强关联效应不仅影响了超导性质,还能够导致其他奇特的行为,如磁性、自旋电荷分离等。

因此,深入理解铁基超导体中的强关联效应对于揭示超导机制具有重要意义。

理论上,超导机制还包括了说典型的BCS机制和传导对数机制,它们分别适用于低温和高温超导材料。

BCS机制是指在弱关联体系中,由于库珀对的形成而导致的超导现象。

这种机制已经成功解释了一系列低温超导材料的行为。

传导对数机制则是一种将强关联与超导结合的模型,可以解释一些高温超导现象中的行为。

总而言之,超导材料的强关联效应在超导机制中起着重要作用。

磁阻效应原理

磁阻效应原理

磁阻效应原理磁阻效应是一种重要的磁性效应,它在磁传感器和磁阻存储器等领域有着广泛的应用。

磁阻效应是指当磁场作用于磁性材料时,材料的电阻发生变化的现象。

磁阻效应的原理是基于磁性材料在外加磁场下磁矩方向发生变化,从而影响了电子在材料中的运动,导致了电阻的变化。

磁阻效应的原理可以通过以下几个方面来解释:1. 磁性材料的磁矩方向变化,磁性材料内部的原子、分子或电子具有磁矩,当外加磁场作用于磁性材料时,磁矩会发生重新排列,从而改变了材料的磁性质。

这种磁矩方向的变化会影响了材料的电子运动轨迹,导致电阻的变化。

2. 磁阻效应与磁场强度的关系,磁阻效应的大小与外加磁场的强度有关,一般来说,外加磁场越强,磁性材料的磁矩方向发生的变化也就越大,从而导致了电阻的变化也越大。

3. 磁阻效应与磁性材料的特性有关,不同的磁性材料具有不同的磁阻效应特性,一些磁性材料在外加磁场下会出现较大的磁阻效应,而另一些磁性材料则会出现较小的磁阻效应。

磁阻效应的原理不仅在理论上有着重要的意义,而且在实际应用中也有着广泛的应用。

磁阻传感器就是利用磁阻效应来测量磁场强度的一种传感器,它具有灵敏度高、响应速度快、体积小等优点,被广泛应用于汽车、航空航天、电子设备等领域。

另外,磁阻存储器也是利用磁阻效应来实现信息的存储和读取,它具有存储密度高、功耗低等优点,是一种重要的存储器件。

总之,磁阻效应原理是一种重要的磁性效应,它在磁传感器、磁阻存储器等领域有着广泛的应用。

磁阻效应的原理是基于磁性材料在外加磁场下磁矩方向发生变化,从而影响了电子在材料中的运动,导致了电阻的变化。

磁阻效应的原理不仅在理论上有着重要的意义,而且在实际应用中也有着广泛的应用,对于推动磁性材料和磁性器件的发展具有重要的意义。

庞磁电阻效应和强关联电子

庞磁电阻效应和强关联电子
庞磁电阻效应和强关 联电子
目 录
• 庞磁电阻效应概述 • 强关联电子系统 • 庞磁电阻效应和强关联电子的关联 • 实验方法和研究技术 • 研究挑战和未来方向
01
庞磁电阻效应概述
定义和特性
定义
庞磁电阻效应是指当磁场垂直于电流 方向施加于金属或半导体材料时,电 阻值会随着磁场强度的增加而增大, 反之减小。
定义和特性
定义
强关联电子系统是指电子之间相互作 用非常强烈的材料系统,导致电子行 为受关联效应主导。
特性
表现出显著的非费米液体行为,如元 激发、量子相变等现象。
物理现象和特性
01
庞磁电阻பைடு நூலகம்应
在强关联电子系统中,当磁场垂 直于电流方向时,电阻会急剧增 加,表现出显著的磁电阻效应。
02
03
金属-绝缘体相变
铁磁金属
铁磁金属如铁、钴、镍等是常见 的庞磁电阻材料,其电阻值随磁 场强度的变化较大。
半金属材料
半金属材料如半金属化合物、稀 磁半导体等也具有较好的庞磁电 阻效应,其电阻值变化范围较广。
氧化物材料
一些氧化物材料如锰氧化物、铬 氧化物等也表现出一定的庞磁电 阻效应,但其应用价值相对较低。
02
强关联电子系统
描述强关联电子系统中的电子行为和相 互作用的模型,如Hubbard模型、t-J模 型等。
VS
理论预测
基于理论和模型,预测庞磁电阻效应在强 关联电子系统中的表现和变化规律。
研究现状和展望
研究现状
目前对庞磁电阻效应和强关联电子的研究已取得一定进展,但仍面临许多挑战,如实验验证、理论模 型的完善等。
未来展望
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(计算另讲)
Mn3+和Mn4+ 1,电荷棋盘 2,自旋zigzag 3,轨道转向,
38
电荷、自旋、轨道有序(6)
小结:形成电荷、自旋和轨道有序的原因? 1,电荷有序: 势能大于动能 U 》t , 例如,一个格点只能有一个 eg 电子。 2,轨道有序:畸变能大于动能 g 》t。 例如,eg、 t2g 电子的轨道要对于 J-T 晶格畸变 方向取向。 3,自旋有序 (接下一页)
2
对CMR的兴趣何在?
强关联电子理论 超越“传统的能带理论” 课题:Mott绝缘体、 Wigner 电子晶体、高温超导、庞磁电阻、 重费米子、巡游电子等 注意,各种磁电阻(MR)现象受到关注,但物理机制不同: AMR,GMR,TMR ---能带论框架内“自旋极化电子散射过程” CMR ---非能带理论的“强关联电子跃迁过程”
为甚麽同时有序?
超交换作用: 轨道排布不同 , → 波函数重叠不同 → 自旋排列也不同
34
*电荷、自旋、轨道有序(2)
LaMnO3 的反铁磁?
Mn3+离子自旋排列为AFM。 原因:同一格座上 eg与t2g的洪德FM耦合。 相邻格座超交换AFM作用
实际的轨道波函数的情况稍微复杂, Jahn-Teller 效应(电声子作用)
La1 x Srx MnO3
当x=0 和1, 为 反铁磁性、绝缘体 当0。2 < x < 0。4, 为 铁磁性、金属
8
三种反铁磁氧化物的“掺杂”
原型化合物电价和轨道L源自2CuO4Cu2+, 3d9
LaMnO3
Mn3+, 3d4
LaTiO3
Ti3+,3d1
“单”电子态 1个空穴
磁性 掺杂化合物 磁性 电性 电子有序 AFM High Tc 非磁 超导 电子条纹相
半d能级1个空穴
AFM CMR 铁磁 金属 电荷、轨道、自旋序
1个电子
AFM 重电子 非磁 重电子金属 电荷序
9
Ti、Mn、Cu电子态DOS示意图
10
本讲以下的议题
1,为什么 LaMnO3 是反铁磁Mott绝缘体? 回忆Wigner的讨论:动能与位能的比较(电荷关联) 2,为什么掺杂反铁磁体 La1 x Srx MnO3 是金属?
24
双交换模型(4)
物理意义 1,相邻局域自旋如果平行排列(铁磁性), 有利于eg电子的巡游(金属性) 2,eg电子的巡游(金属性)通过洪德耦合,会导致 所经过的Mn离子局域自旋平行排列(铁磁性) (当然,要超过“超交换”) 金属性、铁磁性都来源于“双交换机制”
25
*基于双交换模型解释实验(1) 磁场效应 条件:掺杂造成 4价Mn离子的出现 从而导致 绝缘→金属转变(Mott转变) 外磁场使相邻格点局域自旋间夹角减小, 增加跃迁概率,从而增加电导(减小电阻) 这就是MR效应
1
背景:能带论框架下的困惑
物理学重大事件--高温超导发现20周年 1986年,对反铁磁绝缘体掺杂后,得到高温超导体。 1987年1月,Anderson重提Mott强关联效应。 1987年, 获奖。 1987年- 强关联效应的广泛深入研究。 能带论框架下的困惑早(1936-)已存在 1995年-,重提CMR(另一个例子)。 强关联效应研究的一个切入点?
17
CMR的再发现 (2)
CMR= 99.99 % Mott转变转变
18
CMR的再发现 (3)
压力效应(上图) 类似 磁场效应(下图): 提高Tc
降低电阻率。
19
掺杂材料
La1 x Ax MnO3 的电子结构(1)
掺杂后:形成 Mn3+/ Mn4+ 混合价状态 电荷掺杂成为导体(Jonker & Van Santen 1950)
t2g电子的 能量较低
14
为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(4)
Mn3+的自旋状态 4个d-电子自旋平行, 电子强关联
1×巡游电子, S=1/2 3×局域电子, S=3/2
15
为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(5)
一,自旋位形? 每个Mn格点上,4个d电子自旋平行 相邻Mn格点间,氧的超交换作用,自旋相互反平行
3
第一部分 较早的工作
1,能带论的成功
1920年代,量子力学成功应用于固体――能带论 (Bethe 1928;Sommerfeld 1928;Bloch 1929)
量子力学怎样解释金属性和绝缘性? 位阱中的电子气模型→能带中的Bloch函数。 ( 电子间相互作用的平均场处理)
能带论成功范例:半导体 1930年代 半导体能带论(Wilson 1931;Fowler 1933) 1947年 发明晶体管(W.Shockley,W.Brattain,J.Bardeen ) 1959年 固体电路、集成电路 1962年 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
掺杂过程:一个La3+被A2+替代, 为了达到电荷平衡,就要求有一个Mn3+丢失eg电子变为一个Mn4+。 即,(2+)(4+)=(-2)×3
Mn3+本来有3个t2g和1个eg共4个电子。去掉1个eg电子成为Mn4+。 Mn4+就有三个t2g电子,以及一个eg“空穴”! Mn3+格点上的eg电子, 跳跃前、后,体系的状态能量简并。即跃迁并不耗能。 这就是导体。
39
电荷、自旋、轨道有序(7)
3,自旋有序: 离子内,Hund 耦合大于动能 JH 》t , 例如,离子内部eg 自旋要平行於t2g自旋。
相邻离子间,超交换作用。
本质上都是库仑作用 Pauli 原理保证轨道有序与自旋有序的协调 总之,库仑作用的强关联效应。
40
8,相分离
本讲开始部分提出问题: (一块)材料是金属还是绝缘体?
Mn3+ 与 Mn4+交换 双交换:两次跃迁过程 两个状态相同(简并) eg电子→氧离子 氧离子电子→ Mn4+
用简并微扰论计算
22
**双交换模型(2)从Mn3+“跃迁”到Mn4+
1,Mn4+ 无eg 电子,eg电子间库仑能不会变化,但是 2,eg电子与局域t2g自旋间的洪德耦合会改变 解释:Mn3+ 和Mn4+之间,自旋夹角为 θ。 eg在局部自旋平行态(Mn3+),能量=-JH eg到了局部自旋平行态(Mn4+),能量=-JH cosθ 导致洪德能量的增量为 = JH(1-cosθ) 平行,无增量。有利于跃迁。 反平行增量最大
结果:自旋序和轨道序关联(看下图)
35
*电荷、自旋、轨道有序(3)
LaMnO3
自旋用箭头表示 轨道为eg电子波函数
3x 2 r 2 , 3 y 2 r 2
看前面的简易图7-(1) (含有氧原子)
36
*电荷、自旋、轨道有序(4) 掺杂情况
下图中, 圆圈 Mn4+ 波瓣 Mn3+
37
*
La0.5 Sr0.5 MnO3 电荷、自旋、轨道有序(5)
办法:寻找减小迁移率 的机制 (右图)
途径之一:Jahn-Teller 效应
29
6, Jahn-Teller 效应(1)
Mn3+离子 简并 两个eg轨道只有一个电子 晶格将发生一小的畸变量ξ,
两个后果: ➟ 1,简并的电子能级将分裂, 电子占低能级, 能量降低 -aξ ➟ 2,晶格畸变导致
弹性能增加bξ2
Zener的双交换模型(电荷、自旋关联)
3,关联和有序(电荷、自旋、轨道)
11
为什么 LaMnO3
是反铁磁性绝缘体? (1)
Mn原子的 5个状态
Ar3d 5 4s 2
两类轨道状态
12
为什么 LaMnO3 是反铁磁性绝缘体?(2)
13
为什么
LaMnO 3
是反铁磁性绝缘体?(3)
eg 电子的 能量较高
tij t cos(ij / 2)
加压增大t ,
加磁场减小θij 共同结果:增大动能tij 提高Tc,扩大铁磁相区域,和降低电阻率。
28
基于双交换模型解释实验(4) 定量的偏差(双交换模型的局限)
1,计算电阻率 远低于实验值 2,计算居里点 远高于实验值 原因:Zener模型中的 载流子过于自由
目录 第一部分 较早的工作 1,能带论的成功;金属性和绝缘性的解释 2,能带论的困难;Mott绝缘体,Wigner 电子晶体 3,重新研究反铁磁性 4,庞磁电阻(CMR)的发现 5,双交换模型 6,Jahn-Teller效应
第二部分 近年的进展 7,电荷、自旋和轨道有序 8,相分离 9,电场效应;低维性质
电子带着畸变一起运动 比较“不自由” 结果:电子有效质量增大 与晶格的“散射” 增加 导致电阻增加
V
V
32
观察 Polaron
Nature 440(7087) p1025Apr.20,2006
33
第二部分 近年进展 7,关联和有序
电荷、自旋、轨道有序(1) 前面,已经讨论过了电 荷有序--Wigner电 子晶体
这是,反铁磁性排列
二, 电荷分布? 每个Mn格点上一个eg电子有可能巡游。但是, 跃迁能量 t << 库仑能量 U,无法“跳跃”“巡游”
这是,绝缘体 电子之间的库仑作用是关键!
16
4,CMR效应
CMR的再发现(1) 1990s
La0.8 Sr0.2 MnO3
大磁电阻
相变: 铁磁、金属― 顺磁、绝缘体
20
掺杂材料 La1 x Ax MnO3 电子结构(2)
极限情形:掺杂到x=1,在AMnO3中, Mn离子全部是Mn4+ , 形成离子自旋为S=3/2的局域自旋的晶格, 还是反铁磁绝缘体。
结论:反铁磁绝缘体(X=0) → 铁磁导体(0。2 < X < 0。4) →反铁磁绝缘体(X=1)
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