第二章 晶体生长热力学2
晶体生长科学与技术1(1-2)

功能晶体
功能晶体 在传感器、换能器、闪烁计数器等领域有广泛应用。
除了具有光学和半导体性质外,还具有其他特殊功能, 如压电、热释电、铁电、闪烁等。
应用特点:功能多样,可满足不同领域的需求。
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CATALOGUE
晶体生长的挑战与前景
晶体生长的挑战
晶体生长过程的控制
晶体生长过程中,需要精确控制温度、压力、浓度等参数,以确 保晶体质量、形态和尺寸的稳定性。
晶体性质
晶体具有各项异性、对称性、光 学特性、电学特性等,这些性质 决定了晶体在不同领域的应用价 值。
晶体生长的热力学与动力学
热力学条件
晶体生长的热力学条件包括温度、压 力、组分等,这些因素决定了晶体能 否自发形成以及形成的相态和稳定性 。
动力学过程
晶体生长的动力学过程涉及原子或分 子的迁移、扩散、碰撞和结晶等,这 些过程决定了晶体生长的速率和形态 。
晶体生长技术
气相法
物理气相沉积法
利用物理方法,如真空蒸发、溅射等,使原 料气体在冷却过程中凝结成晶体。
气相法生长晶体的优点
可生长大尺寸、高质量的单晶,且生长速率 较快。
化学气相沉积法
通过化学反应使原料气体在加热或光照条件 下转化为晶体。
气相法生长晶体的缺点
设备成本高,操作复杂,对原料气体的纯度 要求高。
晶体生长的基本过程
成核
形态控制Βιβλιοθήκη 在一定的条件下,原子或分子通过扩 散和聚集形成微小的晶核。
通过控制晶体生长的条件,可以调控 晶体的形态,从而获得具有特定结构 和性质的晶体。
生长
晶核在一定的热力学和动力学条件下 不断吸收周围的原子或分子,逐渐长 大成为具有一定形态和大小的晶体。
南京大学-晶体生长课件-Chapter 2-晶体生长方法简介

思考:为什么在杂质、容器壁上容易成核?
为什么人工合成晶体要放籽晶?
§2.2.3.
晶体生长过程简介
所谓生长,对于生物体而言,就是一个从小到大,从幼稚到成熟的过 程。生物体生长需要养料,需要空气、阳光等环境。同样,对于“晶体 的生长”,也是一个晶体从小到大的不断变化的过程,也需要养料(原 料)和合适的环境,如生长炉、合适的温度等。 不同的生物体的生存环境、生长发育各不相同,同样,对于晶体而 言,不同的晶体有不同的生长过程,需要不同的生长条件,有相应的不 同的晶体生长技术和方法,其晶体生长的过程和要求也有所不同。 下面,我们以提拉法晶体生长为例,介绍晶体生长的过程。
§2.2.2. 晶核的形成
晶体生长的三个阶段:首先是介质达到过饱和、过冷却 阶段;其次是成核阶段,即晶核形成阶段;最后是晶体的生 长阶段。 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶芽, 这一相变过程中体系自由能的变化为:
ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体系自由能的变化,且△Gv<0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能,且△GS>0。 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转变为 内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一方面又由于增 加了液-固界面而使体系自由能升高。
均匀成核是指在一个体系内,各处的成 核概率相等,这要克服相当大的表面能 势垒,即需要相当大的过冷度才能成核。
G
I G
* G N r* G N r
GI = + 4r2
where = interfacial free energy per unit surface area, and
G B
GB = - 4r3 Gv 3 Vm
第二章 晶体生长方法简介
2纯金属结晶

能加入原子的位置N之比);X=NA/N
K:波尔兹曼常数。
对不同α 值作△Gs / NkTm 与X 的关系曲线: α ≤2,粗糙(金属)界面。
X=0.5 处曲线有极小点,正好 被原子占据50% 自由能最低;
α ≥5,光滑(非金属)界面。
X=0,X=1 附近曲线有两个极 小点。界面只有几个原子或极 大部分原子位置被固相原子占 据,自由能最低;
:取决于晶体与液体的性质,结晶物质一定,为定值;
σ
LB:取决于杂质与液体的性质;
Lα
在σ
一定,要使cosθ 大,θ 小,主要使σ
α B小。
点阵匹配理论:杂质和晶体要结构相似(晶格类型相同、相 近),点阵常数相当(或原子间距成整数倍)。 符合这种匹配条件的固态粒子称为“活性粒子”。有促进形 核的作用。
凝固结晶长大条件基本规律均匀形核非均匀形核热力学条件结构条件能量条件长大方式光滑界面粗糙界面连续垂直长大晶体缺陷台阶生长二维晶核凝固组织纯晶体凝固时的生长形态正温度梯度下负温度梯度下树枝状生长晶粒大小控制控制过冷度变质处理搅拌振动形核率线长大速度与过冷度
第二章 纯金属的结晶
液态金属变为固态金属的过程——结晶。
特征: (1)界面上原子排列成整齐的原子平面,即晶
体学的某一晶面;
(2)界面把液固截然分开,无过渡层。
Jackson用最近邻键模型讨论了液/固界面结构: 设原界面是平面,在平面上加入的原子随机排列,使 界面粗糙化,界面吉布斯自由能变化△GS:
α :Jackson因子,决定于材料种类和生长晶体结构 参数。 X:表面结点占据率(界面上固相原子数NA与界面上可
3、固态粒子表面形态对形核的影响
晶体生长过程中的热力学规律

晶体生长过程中的热力学规律晶体是一种固态物质,在自然界中广泛存在,对于人类生产和生活具有重要的意义。
晶体生长是晶体学研究中的重要问题,具有广泛的应用前景和研究价值。
在晶体生长过程中,热力学规律起着重要的作用。
本文将以晶体生长过程中的热力学规律为主题,从热力学基本概念、化学平衡、热力学驱动力、扩散速率和生长形态等多个方面进行探讨。
一、热力学基本概念热力学基本概念是理解晶体生长过程中热力学规律的基础,深刻理解热力学基本概念对于晶体生长的研究具有重要的意义,下面将介绍几个重要的概念。
熵:熵是描述热力学体系混乱程度的物理量。
在晶体生长过程中,熵的增加主要来自于无规则的热运动和无序的生长过程。
化学势:化学势是描述热力学体系中某一组分在单位温度下单位物质量的自由能变化量。
在晶体生长过程中,化学势差是生长的驱动力。
活度:活度是描述体系中某一组分的化学活跃性的物理量。
在晶体生长过程中,活度差是晶体在不同场合下生长的驱动力。
扩散系数:扩散系数是描述物质在单位时间内通过单位面积的浓度变化量。
扩散系数的大小对于晶体生长速率有着重要的影响。
二、化学平衡晶体生长过程中的化学平衡是热力学规律的重要体现,如何保持体系处于化学平衡状态是晶体生长的关键问题。
晶体生长过程中,体系中存在多种物质,这些物质之间的相互反应会导致化学平衡状态的变化,下面将介绍几种影响晶体生长过程中化学平衡的因素。
浓度梯度:当体系中存在浓度梯度时,物质会自发地从高浓度区向低浓度区扩散,当浓度梯度达到一定程度时,体系将达到化学平衡状态。
局部平衡:当体系中存在几个局部性质不同的区域时,这些区域之间的物质传输会导致局部化学平衡状态的破坏,导致整个体系处于不稳定状态。
表面电荷:表面电荷的变化会影响体系的电位,进而影响化学平衡状态的变化。
三、热力学驱动力热力学驱动力是晶体生长过程中的核心问题,热力学驱动力大小直接决定了晶体生长的速率和方向。
下面将介绍几种影响热力学驱动力的因素。
结晶学 第二章 晶体生长简介

第二章 晶体生长简介
一、成核
成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为: ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△Gv为新相形成时体自由能的变化,且△Gv< 0, △GS为新相形成时新相与旧相界面的表面能,且 △GS>0。 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相转 变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另一 方面又由于增加了液 - 固界面而使体系自由能升高。
层生长过程
但是,实际晶体生长不可能达到这么理想的情况,也可能 一层还没有完全长满,另一层又开始生长了,这叫阶梯状生长, 最后可在晶面上留下生长层纹或生长阶梯。 阶梯状生长是属于层生长理论范畴的。
总之,层生长理论的中心思想是:晶体生长过程是晶面层 层外推的过程。 但是,层生长理论有一个缺陷:当将这一界面上的所有 最佳生长位置都生长完后,如果晶体还要继续生长,就必须在 这一平坦面上先生长一个质点,由此来提供最佳生长位置。这 个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核,形成这个二 维核需要较大的过饱和度,但许多晶体在过饱和度很低的条件 下也能生长,为了解决这一理论模型与实验的差异,弗兰克 (Frank)于1949年提出了螺旋位错生长机制。
只有当ΔG <0时,成核过 程才能发生,因此,晶 核是否能形成,就在于 ΔGv与ΔGs的相对大小。 见图8-1: 体系自由能由升高到 降低的转变时所对应 的晶核半径值rc称为 临界半径。
思考:怎么理解在晶核很小时表面能大于体自由能, 而当晶核长大后表面能小于体自由能?
《晶体生长理论》ppt课件

多次区熔的过程
○ 在凝固界面,对于k<1的杂质,由于分凝作用将部分被
排斥到熔区,并向后携带
○ 在熔化界面,锭料的熔化带入新的杂质,并从熔化界面向凝
固界面运动〔杂质倒流〕,其结果是使整个熔区杂质浓度添加
○ 随着区熔次数的添加,尾部杂质越来越多,浓度梯度越来越
陡,杂质倒流越严重
极限分布
○ 经过多次区熔提纯后,杂质分布形状到达一个
如Cu-Ni相图 :
相图分析:2个点、2条线、3个区。
测定方法:热分析法〔最常用〕。
③二元合金相图的建立——热分析法建立相图的过程
▲配制系列成分的铜镍合金
▲测出它们的冷却曲线,得到临
界点
▲把这些点标在T—成分坐标上
▲将具有一样意义的点衔接成线,
标明各区域内所存在的相, 即得到
Cu-Ni合金相图
2、分凝景象与分凝系数
④ l →大,Cs→小,提纯效果好⇒l越大越好
⑤ 极限分布时(K一定):
⑥ l →大,B →小, A →大,Cs(x)→大, 提纯效果差
⑦
⇒l越小越好
⑧ 运用:前几次用宽熔区,后几次用窄熔区。
②熔区的挪动速度
BPS公式:
Keff
K0
f
D
1K0e
K0
f越小,keff越接近k0,提纯效果好, 区熔次数少, 但是过低速
〔资料中的杂质量本来很少〕
由于存在分凝景象,正常凝固后锭条中的杂质分布不再是均匀的,
会出现三种情况:
K<1的杂质,杂质向尾部集中;
K>1的杂质,杂质向头部集中;
K≈1的杂质,根本上坚持原有的均匀分布的方式
正常凝固过程中,Cs沿锭长的分布
1
晶体生长中的热力学

晶体生长中的热力学晶体生长是指在合适的条件下,由溶液中的原子、分子或离子沉积在固体表面形成结晶体的过程。
在晶体生长中,热力学是一个非常重要的因素,它决定了晶体的生长速率、结晶度和晶体形态等方面的特征。
本文将探讨如何理解晶体生长中的热力学问题。
1. 温度对晶体生长的影响晶体生长是一个高度有序的过程,它需要克服表面能的阻力和增加晶体内部的势能,以形成晶体结构。
温度是晶体生长中最重要的参数之一,因为它可以影响晶体生长过程中的化学反应和扩散动力学。
在低温下,晶体生长速率通常较慢,因为在这些温度下,化学反应和扩散速率较低,形成晶体的速率也相应变慢。
在一定条件下,较低的温度可能会导致更好的晶体质量,因为较低的温度可以减少杂质的参与,从而产生更高纯度的晶体。
高温下晶体生长速度较快,但会面临更多的问题。
高温下后效资料可能会更容易被激活,导致杂质的加入;另一方面,高温下溶液的极性可能减少,导致方向性生长速率降低,从而形成多晶体系。
此外,在极端条件下,如高浓度的溶液和低温度的溶液中,晶体生长可能会面临其他问题,例如聚集和成核卡迪奥波特效应等。
总体而言,晶体生长的温度应该在一定范围内,以保证较高的生长速率和良好的晶体结构。
在这些温度范围内,热力学因素可以被优化,从而实现最佳生长条件。
2. 热力学的控制晶体生长的热力学可以通过溶液浓度、温度和pH等参数进行调节。
这些参数可以影响化学反应和扩散动力学,从而影响晶体生长过程。
溶液浓度对晶体生长有重要影响。
在某些情况下,较高的浓度可能会适当加速晶体生长,因为它有助于增加溶液之间的反应速率。
同样,较低的浓度可能会促进方向性生长,从而形成更规则的晶体结构。
pH值对晶体生长有很大的影响,主要是因为它可以影响晶体生长过程中的化学反应。
在一些条件下,例如金属腐蚀中,改变pH值可以使晶体中的氧化性离子或还原性离子被激活,并且促进晶体在水中的形成。
此外,酸碱度对化学反应的选择性也可能产生影响,从而形成不同的晶体形态或组分。
晶体生长中的热力学分析

晶体生长中的热力学分析晶体生长是一个具有很高科学研究价值和实际应用前景的研究领域。
在过去的几十年中,科学家和研究人员对晶体生长进行了大量的研究,建立了一套完整的理论和实验技术体系。
其中,热力学是晶体生长中不可或缺的一部分,既可以用来解释晶体生长中的各种现象,也可以指导晶体生长的实验过程。
晶体生长中的热力学分析主要涉及晶体生长物质的化学势、热力学参数和晶体生长过程中的热力学平衡等方面。
下面我们将从这三个方面入手进行讲述。
一、晶体生长物质的化学势晶体生长物质的化学势是指晶体生长中各组分在溶液中的活度和相平衡条件下的摩尔自由能。
在晶体生长过程中,物质的化学势决定了晶体生长的驱动力和动力学控制因素。
因此,对于晶体生长的研究和控制来说,深入了解和正确预测晶体生长物质的化学势是非常重要的。
晶体生长物质的化学势主要受到晶体生长条件、物质组成、物质状态和溶液中其他离子的影响。
在晶体生长过程中,物质从溶液中向晶体表面扩散,使晶体表面饱和度降低,从而导致晶体生长。
因此,晶体生长物质的化学势直接影响晶体生长速率和形态。
在晶体生长实验中,通过调整晶体生长条件、控制物质组成和物质状态,可以有效地改善晶体生长物质的化学势,提高晶体生长的质量和效率。
二、热力学参数热力学参数是指晶体生长物质在热力学平衡状态下的参数,包括物质的热力学势、热力学活度、热力学平衡常数、反应热等。
在晶体生长中,这些热力学参数对晶体生长的控制和调节起到了至关重要的作用。
晶体生长物质的热力学势是晶体生长过程中的驱动力和动力学控制因素。
在晶体生长过程中,必须满足晶体生长物质的化学势大于等于晶体表面的化学势,并且晶体生长过程中的热力学参数必须满足平衡条件。
只有在这种情况下,晶体生长才能持续进行,形成高质量的晶体。
晶体生长物质的热力学平衡常数是另一个重要的热力学参数。
在晶体生长过程中,晶体表面和溶液中的化学势之间需要满足一定的平衡条件。
晶体生长物质的热力学平衡常数可以用来描述溶质在晶体和溶液之间的平衡状态,有效地预测晶体生长过程中的平衡状态和反应动力学。
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晶体小时应考虑其表面能。设晶体为半径为R的球,体化学势为μs,比表面能 为γ,介质化学势为μm。若体系有δ N由介质转化为晶体,
m ( P0 , T )N s ( P0 , T )N dA N V s 2V sN dA d (4R ) 8R 2 4R R 2V s m ( P0 , T ) s ( P0 , T )
得到单形出现顺序:{111}, {100}, {110},„„
2. 东内-哈克(Donmy-Harker)定律(例外情况)
黄铁矿FeS2的空间群为Pa3,按布-弗定律,立方简单格子构造的 晶体外形应当显示{100},{110}等单形的晶面,但实际上,晶体最发达
的单形是111},{100},{210},很少出现{110}
推论:面间距dhkl较大的点阵平面在晶体凸多面外形上占有较大比例,面网密度较 大的面易留下。 注意:若晶体的单胞带心(体心、面心、底心,侧心)某些点阵面间距地有效 面间距比相应的点阵周期要减半。 对各种布拉维格子,满足面间距减半的条件如下: 格子类型
dhkl减半条件
I-格子
h+k+l=奇数
F-格子
h,k,l三者奇偶混杂
自由生长系统中,各晶面的生长速率不同,各向异性,
其结果生长形态的差异 晶面淘汰率:晶面互相竞争,快面隐没,慢面显露 线性生长速率R:单位时间里晶面(hkl)沿法线方向平 行推移的距离 晶体生长形态的变化各晶面生长相对比值的改变 以二维晶体生长为例:
以二维模式晶体生长为例:
R01 l01 l l 2 11 , 01 2 R11 R01 2 2 2
基本思路:
结构→周期键链→主要晶面附着能→晶体生长形态 附着能的计算是关键
2. 周期键链的概念
结构基元在三维空间点阵规律排 列,基元质点之间有相互键和作用,
键能大小与质点间距离有关,两点间
的键能用穿过它们的直线上的线段表 示,并使线段长度正比于键能。晶体 中所用的键可分为若干组,每组都用 相同长度的线段表示,它们沿一定结 晶学方向配置成链。由长度和方向都 一定的线段组成,周期性配置在晶体 结构中的键即周期键链。 图4. 简单立方格子(100)面内的周期键 链线段:长度正比于键能,方向代表键 和方向,AB,AC,AD表示三个不同键链
2
吉布斯-汤 姆逊方程
R
可见,表面能使晶体的化学势变化,影响相平衡。晶体越大,影响越小。
2V s ( P0 , T ) ( P0 , T ) 为新的平衡条件 R
m s
2 实际为表面能对球晶体的附加压强ΔP, R
相当于 m ( P , T ) s ( P P, T ) 0 0 要达到新平衡,介质环境相变压力不变为P0时的化学势 hm,hs分别是介质相 hm 为 m ( P0 , T ) m ( P0 , T0 ) (T T0 ) 和晶体相的克分子 T 焓。Δhms= hm-hs s h 相变潜热 而 s ( P0 , T ) s ( P0 , T0 ) (T T0 ) T hm hs 2v s m s 平衡时: ( P0 , T0 ) (T T 0) ( P0 , T0 ) (T T 0) T T R 2v s h m h s h ms (T T 0) T R T T0 ΔT即为表面能引起的相变点的升高。 ΔT一般为负值
31,32,62,64螺旋轴—————β=1/3,
41,43螺旋轴—————————β=1/4, 61,65螺旋轴—————————β=1/6。 考虑到黄铁矿FeS2存在螺旋轴21的事实,并将其相应面间距减半,则 其面间距有高到低的顺序是{111},{100},{210},{211},{220},这与实 际观察情况相符。
吴尔夫定律的意义:构成晶体平衡外形的晶面到晶体中心的距离与该面 的比表面能成正比。
4. 表面能极图
取一点o作原点,向所有可能的晶 面做法线,自o点起在每根法线上截 一线段,使其长度正比于该表面的 比表面能,线段末端的集合称为晶 体的表面能极图。 曲面上每一点作垂直于该点矢径 的平面,这些平面所包围的最小体 积就相似于晶体的平衡形态。 晶体的平衡形态在几何上相似于
图1. 立方晶体的表面能级图
比表面能曲面上出现的尖点称为奇异点,
表面能极图中体积最小的内接多面
体。 反映了γ与结晶学取向的关系。
它对应的面称为奇异面(通常是面网密度较大
的低指数面)。与奇异面邻近的晶面称为邻位 面,其他面称为非奇异面。
二、表面能对相平衡的影响。
晶体无限大时,相平衡
s P0,T0 m P0 ,T0
du =δQ + δW =TdS
∂ u γ =( ∂ ) S ,V A
∂ H ∂ F ∂ G 而γ =( ∂ ) S , P =( ∂ )T ,V =( ∂ )T , P A A A
表面积为A的液体,表面能为
=γA
2.固体的表面能
1.各向同性 : =γA 2.各向异性 : =∫∫ γ (n) dA
二
晶体的结构与生长形态的经验定律
晶体的点阵结构与其外部形态有一定的联系,特别是在驱动力场均匀的
自由生长系统(气相生长,溶液生长)中培养晶体,这种联系表现的更为明显。 1. 布拉维-弗瑞德尔定律(Bravais-Friedel):
布-弗定律:晶体外形中,单形{hkl}的发达程度随其面间距dhkl的减少而降低。
平衡形态----理想: 单形、聚形
生长形态----实际 强迫生长系统:提拉法、区熔法、坩埚下降法、焰熔法 等(单向凝固系统) 自由生长系统:气相法(升华)、溶液法(水热、助溶
剂),均匀驱动力场,不同晶面按各自动力学规律生长,
速度取决于生长机制和动力学
一、晶体生长形态与晶体生长速率之间的联系
R11 2 R01
l11 l11 , 2 R01 R11 2 2
R 2 11 1 R l01 01 l11 R 2 11 R 01
讨论:1)R11/R01≥ 2 ,二维模式{01}单形 2)R11/R01≤ 2 / 2 ,二维模式{11}单形 3) 2 / 2 < R11/R01 < 2 ,{01} 和{11}单形
3. 东内-哈克定律推广:
NaCl晶体空间群Fm3m,按以上定律应表现出{111}单形的八面体外形
实际上是立方体。
东内-哈克认为:这是由于晶体存在伪单胞,并称为形态伪单胞。 其周期等于结构周期的一半,且为简单立方格子,{100}单形的立方体 应当最发达 以上经验规律利用几何参数将 晶体的外部形态和内部构造联系起
式中,R1和R2是所研究点附近表面的主曲率半径,μm,μs是指不考虑 界面能影响,体积足够大的介质与晶体的化学势。 对各向异性的情况,晶体表面上某点附近的相平衡条件为:
vs 2 vs 2 m s ( 2 ) ( 2 ) R1 1 R2 2
R1,R2是给定点处的主曲率半径 此式称为赫林格公式,表面上每一点的取向由角
(3) 附着能较大的晶面在晶体生长过程中容易尖灭,附着能较小的晶 面易在晶体外形上显露,计算出各个晶面的附着能大小,也就提 出了各晶面的发达顺序,晶体的生长外形亦即随之确定。
(4) 附着能的大小于晶体结构决定的周期键链(PBC)密切相关。 可以根据PBC在晶体内的配置确定为数不多的附着能大小,因而 有可能在生长外形上显露的晶面,而不考虑大量的其它晶面。
例:设大晶体与其熔体保持平衡,并设Vs=20cm3/mol,γ=102erg/cm2, Δh0ls = 1011+erg/mol,T0 = 1000K,若晶体变小至103Å,则算得ΔT=-4K。 对非球界面的一般情况,界面上给定点处的相平衡条件是:
m s v s (
1 1 ) R1 R2
1和 2决定
三 晶体的平衡外形
根据Wulff Law作图------难点 是γ i难以确定。 实际晶体生长过程是非平衡过程
无外界驱动力时,晶体的外形为
表面能最小的晶体外形,比表面 能γ
i
的各向异性发挥调节作用。
适用范围与晶体尺寸有关,尺寸 越小,表现越显著。
§4.晶体的结构与生长形态
例1:用助溶剂法生长的钇铝石榴石(Y3AL5O12 YAG),其空间群是
Ia3d,通常表现为{110}单形的菱形十二面体
例2:从气相中生长的有机晶体六甲撑四胺(乌洛托品),空间群是 I43m, 也是菱形十二面体{110}
例3
对面心立方晶格晶体,面间距dhkl 当h,k,l全为奇数或全为偶数时,
面生长速率——晶体生长形态联系起来的所谓”周期性键链理论“。 1. 理论要点:
(1) 提出了可计算的“附着能” (attachment energy)概念以代替无法
测定和计算的比表面能γ。 定义:一个结构基元附着在晶体表面上时所释放出来的键能为该 晶面的附着能。 (2) 基本假设:晶体生长过程中形成一个键所需要的时间随附着能的 增大而减少,因此,晶面的法向生长速率随其附着能的减少而减少, 晶面的附着能即为该晶面生长速率的量度(F面,正比例)。
来,可根据晶体结构给出晶体的大
致外形态,但这些定律只是定性分 析,忽略了结构基元之间的能量关 系,结果不一定正确。 图3.NaCl的结构单胞和形态伪单胞
三. 周期键链理论(Period Bond Chain)
哈特曼(P.Hartman)与珀多克(W.G.Perdok)分析了经验定律的不足和
吴尔夫定律的局限性,提出将晶体结构——基元之间的能量关系——晶
周期键链的概念
如:晶胞参数为a的简单立方点阵中 第一近邻质点形成三个PBC,平行于<001>,质点间距为a; 第二近邻质点形成六个PBC,平行于<110>,质点间距为 2a; 第三近邻质点形成四个PBC,平行于<111>,质点间距为 3a。 规定: ①在PBC中,两相邻等价结构基元之间的距离称为该PBC周期; ②复杂结构中,一个周期内可含有几个质点,相邻质点之间的距离和方向