材料常用制备方法
材料的制备方法课件
材料的制备方法
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电弧蒸发装置
工作原理：
在电弧蒸发壮装置中，使 用欲蒸发的材料制成放电 的电极。在薄膜沉积时， 依靠调节真空室内电极间 距的方法来点燃电弧，而 瞬间的高温电弧将使电极 端部产生蒸发从而实现物 质的沉积。控制电弧的点 燃次数或时间就可以沉积 出一定厚度的薄膜
材料的制备方法
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激光蒸发装置
无论在稀薄气体、金属蒸气或大气中，当电源功率较大，能提供足 够大的电流（几安到几十安），使气体击穿，发出强烈光辉，产生 高温（几千到上万度），这种气体自持放电的形式就是弧光放电。
通常产生弧光放电的方法是使两电极接触后随即分开，因短路发热， 使阴极表面温度陡增，产生热电子发射 。热电子发射使碰撞电离及 阴极的二次电子发射急剧增加，从而使两极间的气体具有良好的导 电性。弧光放电的特征是电压不高，电流增大的两极间电压反而下 降，有强烈光辉。
材料的制备方法
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射频溅射装置
特点： •交流电源的频率低于50kHz，通常使用频率区 间为5-30kHz •适用于各种金属和非金属材料的溅射
材料的制备方法
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磁控溅射装置
溅射法的缺点： •溅射方法沉积薄膜的沉积速率较低 •溅射所需要的工作气压较高，否则电子的平均 自由程太长，放电现象不易维持
磁控溅射的特点：
按照物质的结晶状态来划分：
• 单晶态 • 多晶态 • 非晶态
按照物质的尺寸来划分：
• 体材料 • 薄膜材料
材料的制备方法
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单晶材料的制备方法
• 直拉法 • 区熔法 • 布里奇曼法
材料的制备方法
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多晶材料的制备方法
熔炼（合金） 电弧，感应线圈，激光束
烧结（氧化物）
高分子材料制备方法
高分子材料制备方法
高分子材料制备方法有很多种，以下是常见的几种方法：
1. 添加聚合法：通过将单体加入反应体系中，在适当的温度和反应条件下进行聚合反应，来制备高分子材料。
常见的添加聚合法有自由基聚合法、阴离子聚合法、阳离子聚合法、共聚法等。
2. 缩聚法：通过合成可溶性低聚物和聚合物，然后通过化学反应或物理处理将其聚合成高分子材料。
常见的缩聚法有聚酯缩聚法、聚酰胺缩聚法、聚酰胺缩聚法等。
3. 乳液聚合法：将单体与表面活性剂、乳化剂等混合形成乳液，并通过反应引发剂或共聚催化剂进行聚合反应，得到乳液聚合物。
乳液聚合法具有操作简便、能够得到高纯度、高分子量聚合物等优点。
4. 溶液聚合法：将单体溶解在溶剂中，添加引发剂或催化剂，然后通过聚合反应得到高分子溶液。
常见的溶液聚合法有溶液聚合法、聚合溶胶-凝胶法等。
5. 辐射聚合法：通过辐射源（如光、电子束、离子束等）照射单体或预聚合体，使其发生聚合反应。
辐射聚合法具有反应速度快、操作简单等优点。
6. 其他方法：还有一些其他制备方法，如发泡法、交联法、剪切聚合法、纺丝
法等。
需要根据具体的高分子材料的性质和用途来选择适合的制备方法。
材料合成与制备方法
材料合成与制备方法材料合成是材料科学领域中的关键环节，合成方法的选择直接影响到材料的性能和应用。
本文将介绍几种常见的材料合成方法和制备技术，包括化学合成、物理合成和生物合成等。
一、化学合成化学合成是一种通过化学反应来制备新材料的方法。
通常需要原料物质在特定条件下进行反应，生成目标产物。
常见的化学合成方法包括溶液法、气相法和固相法等。
1. 溶液法溶液法是一种将原料物质溶解在适当的溶剂中，通过溶液中物质的扩散、固相沉淀和晶体生长等过程，制备出所需的材料的方法。
这种方法操作简单，适用于多种材料的合成。
2. 气相法气相法是一种将原料物质气化或溶解在惰性气体中，通过气相反应生成目标产物的方法。
这种方法通常用于制备高纯度、高质量的材料，适用于一些高温、高真空条件下的合成。
3. 固相法固相法是一种将原料物质混合均匀后，在高温条件下进行反应生成目标产物的方法。
这种方法适用于高温烧结、固相反应等制备过程。
二、物理合成物理合成是一种利用物理方法实现材料合成的方式。
常见的物理合成方法包括熔融法、机械合成和溅射法等。
1. 熔融法熔融法是一种将原料物质加热至熔化状态后冷却凝固成材料的方法。
这种方法通常用于金属材料、陶瓷材料等的制备，具有制备工艺简单、成本低廉的优点。
2. 机械合成机械合成是一种通过机械力对原料物质进行机械混合、压缩、研磨等过程，实现材料合成的方法。
这种方法适用于一些不容易发生化学反应的材料，可以制备出高性能的复合材料。
3. 溅射法溅射法是一种利用高能粒子轰击靶材表面，使靶材表面原子或分子脱落并沉积在基底上形成薄膜的方法。
这种方法适用于制备薄膜、涂层等材料，广泛应用于电子、光电等领域。
三、生物合成生物合成是一种利用生物体或生物体系来合成材料的方法。
常见的生物合成方法包括生物体内合成、发酵法和生物模板法等。
1. 生物体内合成生物体内合成是一种利用生物体自身代谢过程中产生的物质合成材料的方法。
这种方法适用于生物体本身就能够合成目标产物的情况，具有环境友好、资源可再生的优点。
制备材料的方法有哪些
制备材料的方法有哪些制备材料的方法是指通过不同的工艺和技术手段来获得所需材料的过程。
下面将介绍几种常见的制备材料的方法。
1. 熔融法：将原料加热至熔点，使之熔化后，再通过冷却使其凝固形成所需材料。
这种方法适用于金属、陶瓷等高熔点物质的制备。
例如，熔化高纯度金属，将其倒入模具中进行冷却后，可以制备出金属块、片等。
2. 溶液法：将固体物质溶解于适当溶剂中，形成溶液，通过溶液的浓缩、结晶、沉淀等操作，使所需物质重新沉淀出来。
溶液法适用于很多无机物和有机物的制备。
例如，制备硫酸铜，将铜粉与硫酸反应，得到溶液后可以通过结晶使硫酸铜重新生成。
3. 气相沉积法：通过气体中的反应物质在合适的条件下发生化学反应，沉积在基底表面，形成所需材料。
气相沉积法常用于制备薄膜材料，例如化学气相沉积法可以制备出具有特殊性质的二氧化硅膜。
4. 沉淀法：通过在溶液中加入适当的试剂，使反应物质发生沉淀反应，从而得到所需材料。
沉淀法常用于制备金属氧化物、金属碳酸盐等材料。
例如，制备氢氧化铝，先将铝盐溶解在水中，然后加入氢氧化钠，铝阳离子于碱性条件下与氢氧化物离子发生沉淀反应，从而沉淀得到氢氧化铝。
5. 水热法：将反应物溶解于水或有机溶剂中，在高温高压条件下进行反应，然后快速降温使溶液冷却，形成所需材料。
水热法常用于制备金属氧化物、金属硫化物等材料。
例如，制备纳米颗粒，先将金属盐溶解在水中，然后在高温高压条件下进行反应，最后通过快速降温使溶液冷却，纳米颗粒便能沉淀出来。
6. 碳化法：将碳源与需要制备的元素放在一起，通过高温处理使其相互反应生成所需材料。
碳化法常用于制备陶瓷材料。
例如，制备碳化硅，将高纯度碳与二氧化硅混合，置于高温炉中加热，碳与硅发生反应形成碳化硅。
7. 导体法：通过在材料中加入一定比例的导体，通过电流通过导体来使材料自身发生反应或电解溶液，从而得到所需材料。
导体法常用于电解法制备金属材料。
例如，用氯化钠溶液电解可得到氯气和金属钠。
三元材料制备方法
三元材料制备方法引言：三元材料是指由三种不同的元素组成的材料，通常用于制造电池、光电器件以及催化剂等领域。
本文将介绍三种常用的制备三元材料的方法，分别是溶液法、固相法和气相法。
一、溶液法溶液法是一种常见且简单的制备三元材料的方法。
首先，将所需的三种原料溶解在适当的溶剂中，形成均匀的溶液。
然后，通过控制溶液的温度、pH值以及加入适量的还原剂或氧化剂等条件，使得三种原料在溶液中发生化学反应，生成所需的三元材料。
最后，将得到的产物进行过滤、洗涤和干燥等工序，得到纯净的三元材料。
二、固相法固相法是一种常用的高温合成三元材料的方法。
首先，将三种原料以适当的摩尔比例混合均匀，并进行研磨，以提高反应速率和反应效果。
然后，将混合物放入高温炉中，在一定的温度和时间条件下进行热处理。
在高温下，原料中的元素会发生扩散和反应，形成所需的三元材料。
最后，将反应产物进行冷却、研磨和筛分等处理，得到粒度均匀的三元材料。
三、气相法气相法是一种适用于制备纳米级三元材料的方法。
首先，将所需的三种原料以适当的比例混合，并将其蒸发或气化，得到气态的原料。
然后，将气态原料输送至反应室中，在高温和低压的条件下进行反应。
在反应室中，原料会发生气相反应，生成所需的三元材料。
最后，将反应产物进行冷却、收集和纯化等处理，得到纳米级的三元材料。
总结：制备三元材料的方法有很多种，本文主要介绍了溶液法、固相法和气相法这三种常用的制备方法。
溶液法适用于制备大尺寸、高纯度的三元材料；固相法适用于制备高温下的三元材料；气相法适用于制备纳米级的三元材料。
根据具体的需求和实际情况，选择合适的制备方法可以有效地获得所需的三元材料。
通过不断改进和创新，相信制备三元材料的方法将会越来越多样化，为各个领域的科学研究和工程应用提供更多的可能性。
现代金属材料的制备与成型技术
现代金属材料的制备与成型技术一、金属材料的制备技术：1.熔炼法：熔炼法是制备金属材料最常用的方法之一、它通过将金属原料加热至熔化状态，然后通过冷却凝固形成所需形状的材料。
熔炼法可分为电熔法、真空熔炼法、坩埚熔炼法等。
2.粉末冶金法：粉末冶金是一种将金属粉末通过成形与烧结来制备金属材料的方法。
该方法不需要熔化金属，可直接使用金属粉末，在高压下成型成所需形状，然后通过烧结得到金属材料。
3.化学法：化学法是一种利用化学反应来制备金属材料的方法。
常见的化学法包括电解法、沉积法和溶液法等。
这些方法通过将溶解金属离子的溶液与适当的反应剂反应，使金属离子还原成金属固体。
4.气相沉积法：气相沉积法是一种利用高温高压条件下，使金属原料气化后沉积在衬底上的方法。
这种方法可以制备薄膜、纤维等金属材料。
二、金属材料的成型技术：1.锻造成型：锻造是一种将金属材料加热至一定温度后施以一定的力使金属发生塑性变形，从而得到所需形状的方法。
锻造可分为自由锻造、模锻造和挤压锻造等。
2.压力成型：压力成型是一种利用压力来使金属材料发生塑性变形，从而得到所需形状的方法。
常见的压力成型包括挤压、拉伸、连续模锻等。
3.粉末冶金成型：粉末冶金成型技术是指利用金属粉末进行成型的方法。
通过将金属粉末与适当的粘结剂混合，然后在高压下成形。
最后通过烧结将金属粉末与粘结剂固化在一起，得到所需形状的金属成品。
4.焊接与连接：焊接是一种将两个或多个金属材料通过加热、溶解或者高压连接在一起的方法。
常见的焊接方法有电弧焊接、气焊、激光焊接等。
除了焊接外，还有螺纹连接、铆接和胶粘连接等方法。
三、现代金属材料的设备与工具：1.熔炉：熔炉是用于将金属原料熔化的设备，它可以提供高温条件，使金属原料达到熔点，进行熔炼制备。
2.成型机床：成型机床是用于金属材料成型的机床设备，如锻压机、冲床、拉伸机等。
它们通过施加力或者压力，使金属发生塑性变形，得到所需形状。
3.烧结炉：烧结炉是用于粉末冶金制备的设备，它可以将金属粉末在高温条件下烧结成一体。
金属材料制备工艺
金属材料制备工艺一、引言金属材料是工业生产中应用广泛的材料之一，其制备工艺对材料的性能和质量具有重要影响。
本文将介绍金属材料制备的一般工艺流程及常见的制备方法。
二、金属材料制备工艺流程金属材料的制备工艺一般包括原料准备、熔炼、铸造、加热处理和成形等环节。
1. 原料准备金属材料的原料通常是金属矿石或金属化合物。
在原料准备环节，需要对原料进行选矿、破碎、粉碎等处理，以获得具备一定纯度和颗粒度的原料。
2. 熔炼熔炼是将金属原料加热至熔点并使其熔化的过程。
常用的熔炼方法包括电弧炉熔炼、电感炉熔炼、氩弧熔炼等。
通过熔炼，可以得到液态金属。
3. 铸造铸造是将熔融金属倒入预先准备好的铸型中，并使其冷却凝固，获得所需形状的金属制品。
铸造方法主要包括砂型铸造、金属型铸造、压铸等。
铸造工艺的选择与所需制品的形状、尺寸和性能要求密切相关。
4. 加热处理加热处理是指对铸件或其他金属制品进行加热和冷却处理，以改变其组织结构和性能。
常用的加热处理方法有退火、淬火、正火等。
加热处理可以提高金属制品的硬度、强度、耐磨性等性能。
5. 成形成形是通过机械加工或其他方法将金属材料加工成所需形状和尺寸的工艺。
常见的成形方法有锻造、轧制、拉伸、冲压等。
成形工艺可以进一步改善金属材料的性能，并满足不同应用的需求。
三、常见的金属材料制备方法除了一般的工艺流程外，金属材料的制备还有一些特殊的方法和技术。
1. 粉末冶金粉末冶金是指利用金属粉末作为原料，通过混合、压制和烧结等工艺制备金属制品的方法。
粉末冶金可以制备出具有特殊形状和复杂结构的金属制品，并具有较高的密度和机械性能。
2. 电化学方法电化学方法是利用电解池中的电流和电解质溶液对金属进行电解、沉积或溶解的方法。
通过电化学方法可以制备出具有高纯度、均匀性好的金属材料。
3. 薄膜制备薄膜制备是一种制备薄膜材料的方法，常用于制备金属薄膜、合金薄膜等。
常见的薄膜制备方法有物理气相沉积、化学气相沉积、溅射沉积等。
材料制备方法范文
材料制备方法范文一、溶剂热法溶剂热法是指将反应物溶解在合适的溶剂中，在一定的温度和压力下进行反应，形成所需的材料。
该方法适用于制备纳米颗粒、纳米薄膜等材料。
以制备纳米颗粒为例，具体操作步骤如下：1.准备所需的反应物和溶剂。
将反应物和溶剂称量并放入反应容器中。
2.加热反应容器。
将反应容器放入加热装置中，升高温度至反应温度。
3.反应。
在一定时间内保持反应温度，使反应进行。
可以通过搅拌或超声辅助反应。
4.冷却。
待反应完成后，将反应容器取出，并在室温下冷却至制备物形成。
5.分离和洗涤。
将制备物分离出来，并用适当的溶剂进行洗涤，去除残余物。
6.干燥。
将洗涤后的制备物进行干燥，得到所需的纳米颗粒。
二、气相沉积法气相沉积法是指通过蒸发或气化的方式将反应物输送至反应区域，然后在一定的温度和气氛下进行反应，最终得到所需的材料。
该方法适用于制备薄膜、纳米线等材料。
以制备薄膜为例，具体操作步骤如下：1.准备反应器。
选择适当的反应器，并预先清洗，确保无杂质。
2.装入反应物。
将反应物放入反应器的蒸发源中。
3.创建气流。
通过控制压力和气体流量，使反应物气化形成气流，经过反应室。
4.反应。
在特定的温度和气氛下，使气流中的反应物在基片上沉积形成薄膜。
5.冷却。
待反应完成后，停止反应，使反应室冷却至室温。
6.取出制备物。
将基片从反应器中取出，得到所需的材料薄膜。
三、溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是指通过先将反应物溶解在适当的溶剂中形成溶胶，然后通过固化凝胶来制备材料。
该方法适用于制备陶瓷材料、复合材料等。
以制备陶瓷材料为例，具体操作步骤如下：1.准备溶解液。
将所需的反应物溶解在适当的溶剂中，形成溶解液。
2.调整溶解液pH值。
根据所需的陶瓷材料类型，调整溶解液的pH值。
3.沉淀形成凝胶。
通过加入适当的沉淀剂或调整温度等方式，使溶解液中的反应物发生沉淀反应，形成凝胶。
4.干燥和固化。
将得到的凝胶进行干燥，去除溶剂，并在适当的温度下进行固化，得到固体材料。
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材料常用制备方法
材料常用制备方法
一．晶体生长技术
1．熔体生长法【melt growth method】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶）
1.1 提拉法
特点：a. 可以在短时间内生长大而无错位晶体
b.生长速度快，单晶质量好
c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产
1.2 坩埚下降法
特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔
融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结
晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿
坩埚平移，至熔体全部结晶。
1.3 区熔法
特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔
体，该熔体在加热器移开后因温度下
降而形成单晶
c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。
2. 溶液生长法【solution growth method】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)
2.1 水溶液法
原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶
2.2 水热法【Hydrothermal Method】
特点：a. 在高压釜中，通过对反应体系加
热加压（或自生蒸汽压），创造一个
相对高温高压的反应环境，使通常难
溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、
进而析出晶体
b. 利用水热法在较低的温度下实现
单晶的生长，从而避免了晶体相变引
起的物理缺陷
2.3 高温溶液生长法（熔盐法）
特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂
b.常用溶剂：
液态金属
液态Ga（溶解As）
Pb、Sn或Zn（溶解S、Ge、GaAs）
KF（溶解BaTiO3）
Na2B4O7（溶解Fe2O3）
c.典型温度在1000 C左右
d.利用这些无机溶剂有效地降低溶
质的熔点，能生长其他方法不易制备
的高熔点化合物，如钛酸钡BaTiO3二．气相沉积法
1. 物理气相沉积法(PVD)【Physical Vapor Deposition】
1.1 真空蒸镀【Evaporation Deposition】
特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面；
b.常用镀膜技术之一；
c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜；
d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜
分类：电阻加热法、电子轰击法
1.2 阴极溅射法（溅镀）【Sputtering Deposition】
原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），
使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。
分类：二极直流溅射【Bipolar Sputtering】高频溅镀【RF Sputtering】
磁控溅镀【magnetron sputtering】1.3 离子镀【ion plating】
特点：a.附着力好（溅镀的特点）
b.高沉积速率（蒸镀的特点）
c.绕射性
d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性
2. 化学气相沉积法（CVD）【Chemical Vapor Deposition】
按反应能源：
2.1 Thermal CVD
特点：a.利用热能引发化学反应
b.反应温度通常高达800~2000℃
c.加热方式
电阻加热器
高频感应
热辐射
热板加热器
2.2 Plasma-Enhanced CVD (PECVD)
优点：a.工件的温度较低，可消除应力；
b.同时其反应速率较高。
缺点：a.无法沉积高纯度的材料；
b.反应产生的气体不易脱附；
c.等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。
2.3 Photo CVD
特点：a.利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应，沉积出特定薄膜。
b.缺点是沉积速率慢，因而其应用受到限制
按气体压力：
2.1 常压化学气相沉积法（APCVD）【Atmospheric Pressure CVD】
特点：a.常压下进行沉积
b.扩散控制
c.沉淀速度快
d.易产生微粒
e.设备简单
2.2 低压化学气相沉积法（LPCVD）【Low
Pressure CVD】
特点：a.沉积压力低于100torr
b.表面反应控制
c.可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜
d.沉淀速度较慢
e.需低压设备
三．溶胶-凝胶法【Sol-Gel Process】（通过凝胶前驱体的水解缩合制备金属氧化物材料的湿化学方法）
优点：a.易获得分子水平的均匀性；
b.容易实现分子水平上的均匀掺杂；
c.制备温度较低；
d.选择合适的条件可以制备各种新型材料。
缺点：a.原料价格比较昂贵；
b.通常整个溶胶－凝胶过程所需时间较长，常需要几天或儿几周。
c.凝胶中存在大量微孔，在干燥过程
中又将会逸出许多气体及有机物，并
产生收缩
四．液相沉淀法【liquid-phase precipitation】
（在原料溶液中添加适当的沉淀剂，从而形成沉淀物）
1. 直接沉淀法【Direct precipitation】
特点：a.操作简单易行，对设备技术要求不
高，不易引入杂质，产品纯度很高，
有良好的化学计量性，成本较低。
b.洗涤原溶液中的阴离子较难，得到的粒子粒径分布较宽，分散性较差
2. 共沉淀法【Coprecipitation】
特点：a.可避免引入对材料性能不利的有害杂质；
b.生成的粉末具有较高的化学均匀
性，粒度较细，颗粒尺寸分布较窄且
具有一定形貌；
c.设备简单，便于工业化生产
3. 均匀沉淀法【Homogeneous precipitation】
特点：a.沉淀剂由化学反应缓慢地生成
b.避免沉淀剂浓度不均匀
c.可获得粒子均匀、夹带少、纯度高的超细粒子
d.沉淀剂：
尿素——合成氧化物、碳酸盐
硫代乙酰胺——合成硫化物
硫代硫酸盐——合成硫化物五．固相反应【Solid phase reaction】分类：按反应物质状态分类:
a.纯固相反应
b.有气体参与的反应（气固相反应）
c.有液相参与的反应（液固相反应）
d.有气体和液体参与的三相反应（气液固相反应）
按反应机理分类:
a.扩散控制过程
b.化学反应速度控制过程
c.晶核成核速率控制过程
d.升华控制过程等等。
按反应性质分类:
a.氧化反应
b.还原反应
c.加成反应
d.置换反应
e.分解反应
特点：a.固态直接参与化学反应。
b.固态反应一般包括相界面上的反
应和物质迁移两个过程，反应物浓度
对反应的影响很小，均相反应动力学
不适用。
c.反应开始温度常远低于反应物的熔
点或系统低共熔温度。
这一温度与反
应物内部开始呈现明显扩散作用的
温度相一致，常称为泰曼温度或烧结
开始温度。
六．插层法和反插层法【Intercalation and deintercalation】
1.插层法（或植入法）——把一些新原子导入晶体材料的空位
2.反插层法（或提取法）——有选择性地从晶体材料中移去某些原子
特点：a.起始相与产物的三维结构具有高度相似性
b.产物相对于起始相其性质往往发生显著变化
七．自蔓延高温合成法（SHS）【Self-Propagating High-Temperature Synthesis】（利用反应
物之间的化学反应热的自加热和自传导作
用来合成材料的一种技术）
特点：a.生产工艺简单，反应迅速，生产过程时间短；
b.最大限度利用材料人工合成中的化学能，节约能源；
c.合成反应温度高，可以使大多数杂质挥发而得到高纯产品；
d.合成过程经历了极大的温度梯度，
生成物中可能出现缺陷集中和非平
衡相,使产品活性高,可获得复杂相和
亚稳相；
e.集材料合成和烧结于一体，可广泛应用于合成金属、陶瓷和复合材料。
八．非晶材料的制备【Preparation of Amorphous materials】
技术要点：必须形成原子或分子混乱排列的状态；
必须将这种热力学上的亚稳态
在一定的温度范围内保存下来，
使之不向晶态转变。
方法：液相骤冷法。