最新求放大电路的输入电阻和输出电阻
三极管放大电路设计参数计算及静态工作点设置方法
三极管放大电路设计参数计算及静态工作点设置方法设计参数计算主要包括放大器的放大倍数、输入电阻、输出电阻和频率响应等参数的计算。
静态工作点设置指的是设置三极管的工作点电流和直流偏置电压，保证放大器在工作状态下的正常工作。
1.放大倍数的计算放大倍数是用来衡量放大器的信号放大情况的参数。
放大倍数的计算可以通过三极管的直流电流放大倍数和交流电流放大倍数的乘积来得到。
直流电流放大倍数可以通过三极管的参数手册查找得到，交流电流放大倍数与输入电阻和输出电阻相关，可以通过小信号模型计算得到。
2.输入电阻的计算输入电阻是指输入信号与输入端电阻之间的电阻值。
输入电阻可以通过分压器电阻和输入电容等组成，具体计算可以通过电路的电流和电压关系计算得到。
3.输出电阻的计算输出电阻是指输出信号与输出端电阻之间的电阻值。
输出电阻可以通过输出电流和输出电压关系计算得到。
4.频率响应的计算频率响应是指放大器对不同频率的输入信号的响应情况。
频率响应可以通过三极管的参数和电容等元件的组成计算得到，可以使用电路分析软件进行模拟计算。
静态工作点设置是为了保证放大器在工作状态下的正常工作，通过设置三极管的工作点电流和直流偏置电压来实现。
1.工作点电流的设置工作点电流是指三极管的静态电流，可以通过电路组成元件的参数计算得到，通过电阻和电压的关系来计算。
2.直流偏置电压的设置直流偏置电压是指三极管的偏置电压，可以通过分压电阻和二极管的压降计算得到，通过电路的分析可以得到具体的计算方法。
总结：三极管放大电路的设计参数计算和静态工作点设置是设计一个合理的放大器电路的重要步骤。
通过计算和设置合适的参数和工作点，可以实现放大器的正常工作。
为此，需要了解三极管的参数和工作原理，以及电路计算和分析的方法，同时还需要使用相关的电路分析软件进行模拟计算和仿真。
三极管放大电路_输入电阻_输出电阻_解释说明
三极管放大电路输入电阻输出电阻解释说明1. 引言1.1 概述三极管放大电路是一种常见的电子电路，它在电子设备中起着重要的作用。
通过对输入信号进行放大，三极管放大电路可以将弱信号增加到足够大小以驱动其他元件或者传递给下一个级联的放大器。
为了深入理解三极管放大电路的工作原理和特性，我们需要探讨其输入电阻和输出电阻。
1.2 文章结构本文主要分为五个部分进行说明。
首先，在引言部分将对文章内容进行概述并介绍目的；然后，我们将详细讨论三极管放大电路的基本原理及其输入电阻和输出电阻；接着，我们将对输入电阻进行定义与计算方法、影响因素分析以及应用实例介绍；随后，我们将对输出电阻进行类似地解释说明；最后，我们会总结本文，并展望未来关于三极管放大电路的研究方向。
1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解三极管放大器中输入电阻和输出电阻的概念、特性和应用，并具体解释其计算方法、影响因素以及相关实例。
通过本文的阅读，读者将能够更全面地了解三极管放大电路，并为相关电子设备的设计和应用提供参考。
2. 三极管放大电路2.1 基本原理三极管放大电路是一种常见的电子放大器。
它由一个三极管、若干个电阻和电容等基本元件组成。
通过合理的接线和参数设置，可以实现信号的放大和处理。
在三极管放大电路中，信号源连接到输入端，输出端连接到负载。
当输入信号进入电路时，它会经过放大器和其他元件的作用发生变化，并在输出端产生放大后的信号。
2.2 输入电阻输入电阻是指三极管放大电路对外部信号源的输入阻力。
简而言之，它代表了电路对外部信号源提供了多少“阻止力”。
在三极管放大电路中，输入信号经过耦合元件（如电容）后进入基极，在基极处又由于二极管内部结构所决定存在着一个共射效应或共基效应。
这些效应导致了输入电阻的形成。
输入电阻可以通过以下公式计算：输入电阻（Rin）= ΔVbe / ΔIb其中，ΔVbe表示基极-发射区间的压降变化量，ΔIb表示基极输入直流偏置变化量。
输入电阻和输出电阻
输入电阻是用来衡量放大器对信号源的影响的一个性能指标。
输入电阻越大，表明放大器从信号源取的电流越小，放大器输入端得到的信号电压也越大，即信号源电压衰减的少。
因此作为测量信号电压的示波器、电压表等仪器的放大电路应当具有较大的输入电阻。
如果想从信号源取得较大的电流，则应该使放大器具有较小的输入电阻。
关键点是输入电阻是和信号源电阻是并联的关系，给信号源并联上一个非常大的电阻，假设信号源电压不变，则通过输入电阻的电流非常小，即上面所说的从信号源取得的电流非常小，与信号源并联上此输入电阻后，二者差的越大，则二者的等效并联电阻值越接近信号源电阻，从而信号源上的电压虽然有所降低，但越接近最初的值，假设输入电阻无穷大，即断路，则相当于没有给信号源并联电阻，电压就是初值，不会衰减，这就是上面所说的信号源电压衰减的少。
输出电阻用来衡量放大器带负载能力的强弱。
当放大器将放大了的信号输出给负载电阻RL时，对负载RL来说，放大器可以等效为具有内阻Ro的信号源，由这个信号源向RL提供输出信号电压和输出信号电流。
Ro称为放大器的输出电阻，它是从放大器输出端向放大器本身看入的交流等效电阻。
如果输出电阻Ro很小，满足R0<<RL条件，则当RL 在较大范围内变化时，就可基本维持输出信号电压的恒定。
反之，如果输出电阻Ro很大，满足Ro>>RL条件，则当RL在较大范围内变化时，就可维持输出信号电流的恒定。
放大器在不同负载条件瞎维持输出信号电压（或电流）恒定的能力称为带负载能力。
而输出电阻Ro就是表征这种能力的一个性能指标。
关键点是把放大器等效为了具有内阻的信号源，而将负载并联到了信号源内阻上，这样分析同输入电阻方法相同。
共集电极放大器又称为射极跟随器，具有很大的输入电阻和较小的输出电阻（一般为几欧或几百欧）。
为了降低输出电阻值，可选用B值大的管子，较小的输出电阻，说明具有很强的带负载能力，负载在较大范围内变化时，基本可以维持输出信号电压的恒定。
求放大电路的输入电阻和输出电阻
放大
截止
饱和
1.根据PN结 UBE ＞0 偏置电压 (正偏)
UBE ≤0 (反偏)
UBE ＞0 (正偏)
UB C ＜0 (反偏)
UB C ＜0 (反偏)
UB C ≥0 (正偏)
2.根据 IB 0＜ IB ＜IBS
≈0
IB IC IE IC ＝ IB
≈0
IE ＝ IB ＋ IC
≈0
≥ IBS ＜ IB ＜ (1+) IB
当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时， 三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、 基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM
PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大， 温升过高会烧坏三极管。
PC PCM =IC UCE
硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。
60A 流特性。
40A
在放大区，发射结处
20A 于正向偏置、集电结处 IB=0 于反向偏置，晶体管工 12 UCE(V) 作于放大状态。
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反
向偏置，晶体管工作于截止状态。
IC(mA )
饱4 和 区3
2
100A
80A 60A 40A
（3）饱和区 当UCE UBE时，晶
体管工作于饱和状态。
在饱和区，IB IC， 发射结处于正向偏置，
集电结也处于正偏。
1 O3
20A IB=0
6 9 12 UCE(V)
截止区
深度饱和时，
硅管UCES 0.3V， 锗管UCES 0.1V。
工作状态（晶体管工作状态的判定）
电子技术学习指导与习题解答：第3章 多级放大电路
第3章 多级放大电路3.1 如图 3.7所示为两级阻容耦合放大电路，已知12CC =U V ，20B1B1='=R R k Ω，10B2B2='=R R k Ω，2C2C1==R R k Ω，2E2E1==R R k Ω，2L =R k Ω，5021==ββ，6.0BE2BE1==U U V 。
（1）求前、后级放大电路的静态值。
（2）画出微变等效电路。
（3）求各级电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
u s+u o -CC图3.7 习题3.1的图分析 两级放大电路都是共发射极的分压式偏置放大电路，各级电路的静态值可分别计算，动态分析时需注意第一级的负载电阻就是第二级的输入电阻，即i2L1r R =。
解 （1）各级电路静态值的计算采用估算法。
第一级：412102010CC B2B1B2B1=⨯+=+=U R R R U （V ）7.126.04E1BE1B1E1C1=-=-=≈R U U I I （mA ）0.034507.11C1B1===βI I （mA ）2.5)22(7.112)(E1C1C1CC CE1=+⨯-=+-=R R I U U （V ） 第二级：412102010CC B2B1B2B2=⨯+='+''=U R R R U （V ）7.126.04E2BE2B2E2C2=-=-=≈R U U I I （mA ）电子技术学习指导与习题解答46 0.034507.12C2B2===βI I （mA ） 2.5)22(7.112)(E2C2C2CC CE2=+⨯-=+-=R R I U U （V ）（2）微变等效电路如图3.8所示。
R U +-图3.8 习题3.1解答用图（3）求各级电路的电压放大倍数u1A 、u2A 和总电压放大倍数u A 。
三极管V 1的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E11be1=⨯++=++=I r β(Ω) 三极管V 2的动态输入电阻为：10807.126)501(30026)1(300E22be2=⨯++=++=I r β(Ω) 第二级输入电阻为：93.008.1//10//20////be2B2B1i2==''=r R R r （k Ω） 第一级等效负载电阻为：63.093.0//2//i2C1L1==='r R R （k Ω） 第二级等效负载电阻为：12//2//L C2L2==='R R R （k Ω） 第一级电压放大倍数为：3008.163.050be1L11u1-=⨯-='-=r R A β 第二级电压放大倍数为：5008.1150be2L22u2-=⨯-='-=r R A β 两级总电压放大倍数为：1500)50()30(u2u1u =-⨯-==A A A3.2 在 如图 3.9所示的两级阻容耦合放大电路中，已知12CC =U V ，30B1=R k Ω，20B2=R k Ω，4E1C1==R R k Ω，130B3=R k Ω，3E2=R k Ω，5.1L =R k Ω，5021==ββ，8.0BE2BE1==U U V 。
共射极放大电路输入电阻小,输出电阻大
共射极放大电路输入电阻小,输出电阻大1.引言1.1 概述概述部分的内容可以包括以下信息：共射极放大电路是一种常见的电子电路结构，其具有输入电阻小、输出电阻大的特点。
该电路由三个主要元件组成：晶体管、负载电阻和输入信号源。
它是一种常见的放大电路，被广泛应用于各种电子设备和通信系统中。
在共射极放大电路中，输入电阻小是指电路对输入信号的阻抗较低，能够有效地接收和放大输入信号。
这种特性使得电路对外部信号源具有较高的灵敏度，能够以较低的电压或电流驱动电路。
因此，共射极放大电路在信号放大和传输中具有重要的作用。
而输出电阻大是指电路对外部负载的阻抗较高，能够有效地驱动负载并提供稳定的输出信号。
这种特点使得电路能够为外部设备提供较大的输出功率，同时保持较低的失真和波形变形。
因此，共射极放大电路在功率放大和信号传输中有着其他电路结构无法替代的优势。
通过分析共射极放大电路的输入电阻小和输出电阻大的原因，可以更好地理解这种电路结构的特性和应用。
本文将详细介绍共射极放大电路的工作原理、输入电阻小的原因以及输出电阻大的原因，以期对读者对该电路的理解和应用有所帮助。
文章结构部分的内容可以如下编写：1.2 文章结构本篇文章将围绕共射极放大电路的特性展开讨论，主要着重于分析该电路的输入电阻小和输出电阻大这一特点。
文章将分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，我们将对共射极放大电路进行概述，介绍其基本原理和使用场景。
同时，我们还会阐述本文的目的，即解析共射极放大电路的输入电阻小和输出电阻大的原因。
这将为读者打下坚实的理论基础，使其对文章的内容有一个整体的把握。
在正文部分，我们将先详细介绍共射极放大电路的结构和工作原理。
接着，我们会深入探讨为何该电路具有输入电阻小的特点。
通过分析电路中的元件和信号传输过程，我们将揭示输入电阻小的原因，并举例说明此特性对电路性能的影响。
随后，我们将继续探讨共射极放大电路为何具有输出电阻大的特性。
我们将分析电路中各个元件的作用和相互影响，解释输出电阻大的原因。
共源放大电路的输出电阻
共源放大电路的输出电阻1. 前言共源放大电路是一种常见的模拟电路，它能够将输入信号放大成为输出信号。
然而，在实际应用中，我们经常需要知道共源放大电路的输出电阻，以便我们更好地设计和优化电路。
本文将介绍什么是共源放大电路的输出电阻、如何计算它以及它的应用。
2. 什么是共源放大电路共源放大电路是一种简单的三级晶体管电路，它由一个n沟道MOSFET管、一个耦合电容和一个负载电阻组成。
输入信号通过耦合电容进入到管子的栅极，经过放大后，输出信号从负载电阻流出。
当然，共源放大电路还包括其他的结构，比如源极偏置电路、负载电容等。
3. 什么是输出电阻输出电阻是指电路中一个电源提供给电路输入一个信号时，电路输出相应信号的稳定性。
当负载电流变化时，输出电压会随之变化，这种变化的趋势可以用一个电阻来描述。
输出电阻可以用来评估电路的输出能力以及信号传输的稳定性。
在共源放大电路中，输出电阻可以表示为输出电压发生改变时，负载电流的变化量与电路输出电压的比值。
4. 如何计算共源放大电路的输出电阻在计算共源放大电路的输出电阻时，我们需要对电路进行简单的分析。
假设共源放大电路的电压增益为u，输入电阻为Rin，输出电阻为Rout，输出电流为Iout，负载电阻为RL。
现在我们需要计算输出电阻。
假设我们从负载电阻上下来的电流为ΔI，输出电压发生变化为ΔV。
我们可以得到下面的公式：Rout = ΔV/ΔI = uRL从公式中可以看到，共源放大电路的输出电阻与其负载电阻和电压增益有关。
当电压增益越大，输出电阻也就越小。
当负载电阻越大，输出电阻也就越大。
因此，输出电阻的大小是有很大差异的。
5. 共源放大电路的应用共源放大电路的输出电阻不仅在理论计算中有很大的应用，而且在实际应用中也有很大的作用。
它可以帮助我们评估电路的输出能力和传输稳定性。
如果输出电阻太大，那么电路的输出信号就会出现明显的失真，导致信号传输的不稳定。
在遇到这种情况时，我们可以通过增加电压增益和减少负载电阻等方式来优化电路，以使输出电阻更小。
放大器输入、输出电阻和频响特性的测量
实验二 放大器输入、输出电阻和频响特性的测量一、实验目的掌握放大器输入电阻、输出电阻和频率特性的测量原理和方法。
二、实验原理1.放大器输入电阻R i 的测试最简单的测试方法是“串联电阻法”。
其原理如图2-1所示，在被测放大器与信号源之间串入一个已知标准电阻R i ，只要分别测出放大器的输入电压U i 和输入电流I i ，就可以求出： R i =V i /I i =n R i R U U /=R i U U •Rn但是，要直接用交流毫伏表或示波器测试Rn 两端的电压U R 是有困难的，因U R 两端不接地。
使得测试仪器和放大器没有公共地线，干扰太大，不能准确测试。
为此，通常是直接测出U S 和U i 来计算R i ，由图不难求出：R i =i S iU U U -• RnSU i U信号源放大器iR n R注：测R i 时输出端应该接上R L ，并监视输出波形，保证在波形不失真的条件下进行上述测量。
图2-1放大电路输入端模型2.放大器输出电阻R o 的测试放大器输出端可以等效成一个理想电压源U o 和R o 相串联，如图2-3所示。
在放大器输入端加入U S 电压，分别测出未接和接入R L 时放大器的输出电压U o 和U L 值，则 L L R U U R )1(00-=注意：要求在接入负载R L （或R W ）的前后，放大器的输出波形都无失真。
3．放大器幅频特性的测试对阻容耦合放大器，由于耦合电容及射极电容的存在，使A V 随信号频率的降低而降低；又因分布电容的存在及受晶体管截止频率的限制，使A V 随信号频率的升高而降低。
仅中频段，这些电容的影响才可忽略。
描述A V 与f 关系的曲线称为RC 耦合放大器的幅频特性曲线，如图2-4所示。
图中，A V =0.707 A V 时所对应的f H 和f L 分别称为上限频率和下限频率，B 称为放大器的通频带，其值为B=f H-f L。
Av0.707AvBf Hz0L f H f()图2-4幅频特性曲线。
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NPN VB>VE VC>VB
发射结正偏 集电结反偏
PNP
VB<VE VC<VB
N
B
P
RC
N RB
E EB
EC
______________________________ ____________________
2. 各电极电流关系及电流放大作用
IB(mA) 0 0.02 IC(mA) <0.001 0.70 IE(mA) <0.001 0.72
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
结论:
1）三电极电流关系 IE = IB + IC
2） IC IB ， IC IE
3） IC IB
β= IC / IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
E
输
输
入
出
B 共基极
C
B
输
输
入
出
E 共发射极
CB
输 入
E
输 出
C 共集电极
______________________________ ____________________
2.1. 2 电流分配和放大原理
1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：
C
发射结正偏 集电结反偏
N
进入PHale Waihona Puke 区的电 子少部分与基区EB
E IE
的空穴复合，形
成电流IBE ，多
数扩散到集电结。
从基区扩散来的 电子作为集电结 的少子，漂移进 入集电结而被收
集，形成ICE。
EC
发射结正偏， 发射区电子不断 向基区扩散，形
成发射极电流IE。
______________________________ ____________________
3. 三极管内部载流子的运动规律
IC = ICE+ICBO ICE
C IC
IB = IBE- ICBO IBE
ICE 与 IBE 之比称为共
发射极直流电流放大倍数
IB ICBO ICE
N
P EC
B
ICE IC ICBO IC
IBE IB ICBO IB
RB IBE N
EB
E IE
IC IB (1 )ICBO IB ICEO
本章主要讨论电压放大电路。
______________________________ ____________________
2.1 半导体三极管
2.1.1 基本结构
NPN型
PNP型
集电极
发射极 集电极
发射极
C NP N E
PN P
C
E
基极
基极
B
B
符号：
NPN型三极管
PNP型三极管
C IC B
C IC B
输出特性曲线通常分三个工作区：
IC(mA ) 4 3
2 放大区
1 O3 6 9
(1) 放大区
100A 80A
在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒
60A 流特性。
40A
在放大区，发射结处
20A 于正向偏置、集电结处 IB=0 于反向偏置，晶体管工 12 UCE(V) 作于放大状态。
______________________________ ____________________
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
______________________________ ____________________
3.三极管内部载流子的运动规律
集电结反偏，
C
有少子形成的
反向电流ICBO。
ICBO ICE
N
基区空穴
B
向发射区的
P
扩散可忽略。
RB IBE
1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的 电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
______________________________ ____________________
测量晶体管特性的实验线路
IC
mA
IB
+
A
RB
+
V UBE + 输– 入回–路
V UCE
+ EC
输出回路 –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
______________________________ ____________________
1. 输入特性 IB f (U ) BE UCE常数
特点:非线性
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V
第2章 半导体三极管和交流电压放大电路
1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流分 配和放大原理。
2. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、 共集电极放大电路的性能特点。
3. 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变 等效电路分析法。
4. 了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概 念，了解放大电路的频率特性。
若IB =0, 则 IC ICE0集－射极穿透电流, 温度ICEO
忽略ICEO ，有 IC IB (常用公式)
______________________________ ____________________
2.1.3 特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子 内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能， 是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线：
IB E
IE
IB E
IE
______________________________
____________________
结构特点：
集电区： 面积最大
集电结 基极 B
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低
发射结
E 发射极
发射区：掺 杂浓度最高
______________________________ ____________________
______________________________ ____________________
• 放大的概念: 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。
放大的实质: 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放 大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。
对放大电路的基本要求 ： 1. 要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。 2. 尽可能小的波形失真。 另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术 指标。
正常工作时发射结电压： NPN型硅管
UBE 0.6~0.7V PNP型锗管
UBE 0.2 ~ 0.3V
0.8 UBE(V)
死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。
______________________________ ____________________
2. 输出特性 IC f (UCE ) IB 常数