电子技术习题集-答案
第2章 习题
2.1.1 如右下图所示电路中，E 12V =， D 为硅二极管，R 10K =Ω，则二极管D 和和电阻R 上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？
解： 二极管正偏导通:D U 0.7V ≈; R U 120.711.3V =-=
D R 11.3
I I 1.13mA 10
==
=
2.1.2 在下图中的各电路图中，i u 12sin t ω=V ，二极管D 的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压o u 的波形。
（a ） （b ） （c ）
解：
2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a ）和（b ）中的二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压
AB U 。设二极管是理想的。
(a) (b)
解：(a) D 导通，AB U 6V =-； （b ）D1导通，D2截止；AB U 0V =；
2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压Z U 6V =，输入电压i u 12sin t ω=V ，画出输出
电压o u 波形图。
解：
2.2.2在下图所示的(a)和（b ）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。 解：（a ）由于稳压管的击穿电压各不相同，击穿电压低的管子工作，而另一个不工作。
(b)可以串联连接，输出电压为两个稳压管稳压电压之和。
2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U 14V =，波动范围10%±；稳压管的稳定电压Z U 6V =，稳定电流Z I 5mA =，最大耗散功率ZM P 180mW =；限流电阻R 200Ω=；输出电流o I 20mA =。（1）求
I U 变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？
解：输入电压波动范围：Imin I U 0.9U (0.914)V 12.6V ==?=
Imax I U 1.1U (1.114)V 15.4V ==?=
I U 波动时流过限流电阻R 的电流变化范围为：Imin Z R min U U 12.66
I 0.033(A)33mA R 200
--=
===
Imax Z R max U U 15.46
I 0.047(A)47mA R 200
--=
===
稳压管最大稳定电流ZM ZM Z P 180
I 30mA U 6
=
== （1）Z D min R min o I I I 332013mA =-=-=
Z D max R max o I I I 472027mA =-=-=
（2）如果负载电阻开路，即o I 0mA =，则稳压管中电流为限流电阻上的电流。由于其大于ZM I （30mA ），稳压管会因电流过大而损坏。
2.3.1 有一电压为110V ，电阻为75Ω的直流负载，如果采用单相桥式整流电路（不带滤波器）供电，试确定整流二极管参数。
解：采用单相桥式整流电路，变压器二次侧电压有效值：o U 110U 122.2V 0.90.9
===
二极管最大反向电压：RM U 122.2173V ===
负载电流o 110
I 1.5A 75
=
≈ 二极管电流为负载电流一半：D o 1
I I 0.75A 2
=
= 选取RM U 173V >，D I 0.75A >的整流二极管可满足要求。如1N4003(200V,1A)、2CZ55E(300V,1A)等。
2.3.2 带电容滤波的桥式整流电路如图所示，已知变压器二次侧电压为20V ，滤波电容C 足够大，电网波动范围10%±，输出电压O Z U U 12V ==，负载电流O I 变化范围5～15mA ，稳压管中电流允许变化范围为5～30mA 。（1）选取限流电阻R ；（2）确定整流二极管的参数。
解：（1）限流电阻R 选择：
稳压电路输入电压I C U U 1.2U 1.22024V ===?=
考虑电网波动：Imax U 1.12426.4V =?=；Imin U 0.92421.6V =?=
则限流电阻：Imin Z max Zmin Omax U U 21.612
R 0.48(K )I I 515
--=
==Ω++
Imax Z min Zmax Omin U U 26.412R 0.41(K )I I 305
--=
==Ω++
选用标称值430Ω电阻的限流电阻（即R 430=Ω）。 （2）流过限流电阻R 的最大电流Imax Z max U U 26.412
I 0.033A 33mA R 430
--====
整流二极管电流D 1
I 3317mA 2
=
?≈
最大反向电压RM U 1.12031V ==≈
整流二极管应满足：最大整流电流17mA >;最大反向峰值电压>31V;可选用1N4001（50V ，1A ）。
2.3.3 如图所示为CW117构成的输出电压可调的稳压电源。已知CW117的输出电压REF U 1.25V =，输出电流3I 允许范围为10mA ～1.5A ，23U 允许范围为3～40V 。试计算：（1）1R 的最大值；（2）O U 的最小值；（3）1R 100Ω=时，P R 需调节为多大可以使输出O U 30V =； 解：（1）负载断开时，CW117电流最小，为10mA ； 因此：REF 1max 3min U 1.25
R 0.125(K )125I 10
Ω≤
==Ω= （2）输出电压最小值Omin REF U U 1.25V == （3）REF
O 1P 1
U U (R R )R =
+ O 1P 1REF U R 30100
R R 1002300 2.3K U 1.25
ΩΩ?=
-=-==
第3章习题
3.1.1测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
3.2.1试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
3.3.2某固定偏置放大电路，已知U CC =12V ，U BE =0.7V ，U CE =5V ，I C =2 mA ，采用β=50的3DG6晶体管，要求：(1) 画出固定偏置放大电路; (2) 计算R B 和R C 的阻值; (3) 若换用β=70的同型号晶体管，其他参数不变, 试问I C 和U CE 等于多少？
3.3.3电路如图所示，已知R B k =400 Ω，R C k =1 Ω，
U BE .V =06 ，要求:
(1) 今测得U CE V =15，试求发射极电流I E 以及晶体管的β; (2)欲将晶体管的集射极电压U CE 减小到8V ， 试求R B 应如何调整？并求出其值。 (3) 画出微变等效电路。
3.4.2 放大电路如图所示, 晶体管的电流放大系数β=50，07BE U .V =，R B1=110 k Ω，R B2= 10 k Ω，
R C =6k Ω，R E =400Ω，R L ＝6k Ω，要求：(1) 计算静态工作点；(2) 画出微变等效电路；(3) 计算电压放大
倍数。
3.4.3 某放大电路如图所示。已知图中CC S B1B2U =15V,R =500Ω,R =40K Ω,R =20K Ω
,
，
，
，
，
，
，
。
晶体管T 的be BE β=50,r =1k Ω,U 0.7V ≈。试求： （1）电路的静态工作点CQ I 和CEQ V ； （2）画出微变等效电路
(3) 输入电阻i R 及输出电阻o R ； （4）电压放大倍数o
u i
U A U =
及o us s U A U =
3.4.4 电路如图所示，已知晶体管的r be =2k Ω，β=75，输入信号u t S sin mV =5ω
，R S k =6Ω，R B1k =270 Ω，R B2k =100 Ω，R C .k =51 Ω，R E1=150 Ω，R E2k =1 Ω。要求：(1) 画出微变等效
电路; (2)求电路的输出电压U o ; (3) 若调节电路参数，使基极电流I B A =16μ，试分析说明当u t S mV
=50sin ω时，电路输出电压会不会出现截止失真，为什么?
V
3.6.1电路如图所示。晶体管T
为3DG4A 型硅管，其20024be ββ,r .k Ω===。电路中的U CC =24V ，R B = 96k Ω，R C =R E =2.4k Ω，电容器C 1、C 2、C 3 的电容量均足够大，正弦波输入信号的电压有效值U i =1V 。试求： (1) 输出电压U o1、U o2的有效值；
(2) 用内阻为10k Ω的交流电压表分别测量u o1、u o2时，交流电压表的读数各为多少？
3.6.2 电路如图（a ）、(b)所示，已知U CC =+12V ，β=70，r be =1.4k Ω，当信号源电压均为u tm S V =5sin ω时，计算出各自的输出电压u o ，并比较计算结果，说明图(b)电路中射极跟随器所起的作用。
3.7.1 放大电路如图所示，各管的β= 100，r be = 1 k Ω，试计算放大电路的静态值，电压放大倍数A u ，输入电阻r i 和输出电阻r o 。
u o +-
3.7.2 放大电路如图所示，已知晶体管T 1，T 2的电流放大系数ββ1250==，U BE 1=U BE 2=06. V ，
r be 1.k =165 Ω，r be 2.k =057 Ω，要求：(1) 用估算法求各级静态工作点I B1，I C1，U CE1，I B2，I C2，U CE2；(2) 画出微变等效电路；(3) 计算各级放大电路的输入电阻r i 和输出电阻r o ；(4) 计算各级放大电路的电压放大倍数A u 1和A u 2，以及总电压放大倍数A u ；(5) 去掉第二级，将2k Ω负载电阻作为第一级的负载，
再求第一级的电压放大倍数；(6) 从(4)，(5)项的计算结果中，能说明什么问题？
V
3.8.1在图所示的差分放大电路中，β=50，U BE =0.7V ，输入电压u i1=10mV,u i2=2mV 。(1)计算放大电路的静态值I B ，
I C 及各电极的电位V E ，V C 和V B ；（2）把输入电压u i1，u i2分解为共模分量u ic1，u ic2和差模分量u id1，u id2；(3)求单端共模输出u oc1和u oc2；(4)求单端差模输出u od1和u od2；(5)求单端总输出u o1和u o2；（6）求双端共模输出u oc 、双端差模输出u od 和双端总输出u o 。
第4章 习题
4.1 场效应晶体管与双极型晶体管比较有何特点？
4.2 典型的共漏电路——源极输出器如图所示，试求其电压增益Vm A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
4.3 如图所示，耗尽型N 沟道MOS 管，R G = 1 M Ω，R S = 2 k Ω，R D = 12 k Ω ，V DD = 20 V 。I DSS = 4 mA ，
U GS(off) = – 4 V ，求 i D 和 u O 。
U DD
4.4 如图所示，已知
U GS(off )= - 0.8 V ，I DSS = 0.18 mA ，求“Q ”。
4.5 已知某放大电路中的一个N 沟道增强型场效应管工作在恒流区，测量其三支管脚电位分别为5V 、10V 、15V ，请说明三支管脚的对应栅极、源极、漏极。如果此放大电路中的管子是一个P 沟道增强型场效应管，它的三支管脚名称又如何对应。
4.6 如图所示，已知V DD =5V ，R d =500Ω，此MOS 管的输出特性如图中（b ）所，试分析当v i =1V 、2V 、3V 、5V 的各种情况下，MOS 管的工作状态。
第5章 习题
5.1.1已知F007运算放大器的开环电压放大倍数A u0=100 dB ，差模输入电阻r id =2 M Ω，最大输出电压U OM =±13 V 。为了保证工作在线性区，试求：（1）u +和u -的最大允许差值；（2）输入端电流的最大允许值。
5.1.2 F007运算放大器的正、负电源电压为V 15±，开环电压放大倍数5uo 102?=A ，输出最大电压（即
）（sat o U ±）为V 13±。如果在如图中分别加下列输入电压，求输出电压及其极性：（1）μV 15=+u ，
μV 10-=-u ；（2）μV 5-=+u ，μV 10=-u ；（3）μV 0=+u ，mV 5=-u ；（4）mV 5=+u ，0V =-u 。
5.2.1 电路如图所示，试分别计算开关S 断开和闭合时的电压放大倍数uf A 。
5.2.2电路如图所示，求u o 。
5.2.3在如图所示电路中，输入电压id1ic1i1u u u +=，id2ic2i2u u u +=，其中ic 2ic 1u u =是共模分量，
id2id1u u -=是差模分量。如果321R R R ==，试问F R 多大时输出电压o u 不含共模分量？
5.2.4试求如图所示电路o u 与i u 的关系式。
5.3.1在如图所示的滞回比较器中，已知集成运算放大器的输出饱和电压U OM =9 V ，I 8sin V u t ω=，U R =3 V ，R 2=1 k Ω，R F =5 k Ω。求该电路的上、下限触发电压和滞回宽度，并画出u O 的波形。
5.3.2 在图（a ）中，运算放大器的最大输出电压U OM =±12 V，参考电压U R =3 V ，输入电压u I 为三角波电压，如图（b ）所示，试画出输出电压u 0的波形。
第6章习题
6.1.1用瞬时极性法判别如图所示各电路的反馈的极性，指出是交流反馈还是直流反馈。
（a）负反馈，直流反馈
（b）负反馈，交直流反馈
（c）负反馈，直流反馈
(d) 正反馈，交直流反馈
6.1.2判定如图所示各电路中的反馈组态类型。
（a）电流并联负反馈（b）电压并联负反馈（c）电流并联负反馈（d）电压串联负反馈
6.2.1在如图所示电路中，J，K，M，N四点中哪两点连接起来形成的反馈，可以满足下列要求：（1）提高输入电阻，稳定输出电压；
（2）减小输入电阻，增大输出电阻；
(1）K-N
(2)J-M
6.2.2已知某负反馈放大电路的开环放大倍数A 1000=，反馈系数F 为0.049，试问：（1）闭环放大倍数
f A 是多少？（2）如果A 发生10%±的变化，则闭环放大倍数f A 的相对变化为多少？
解：（1）f A 1000
A 201AF 110000.049
=
==++?
（2）A 发生+10%的变化：A 1000 1.11100=?=；f A 1100
A 20.041AF 111000.049
=
==++?；
f f A 20.0420
0.0020.2%A 20
?-=== A 发生-10%的变化：A 10000.9900=?=；f A 900
A 19.961AF 19000.049
=
==++?；
f f A 19.9620
0.0020.2%A 20
?-==-=-； A 发生10%±的变化时，闭环放大倍数f A 的相对变化为0.2%±
6.3.1正弦振荡电路和放大电路中都引入了反馈，其作用和目的各有什么不同？
6.3.2用相位和幅度的条件判别图中的电路能否产生自激振荡。
(a)不能，电路的放大环节相移为
A 180φ=，RC 串并联网络移相范围－90～
+90度，不能满足相位条件。
(b) 不能，振荡的幅度和相位条件均不满足。
(c)可以，正反馈。
(d)不能，反馈信号交流接地。
6.3.3 RC 正弦波振荡电路如图所示，R 20K Ω=,1R 3K Ω=,2R 为热敏电阻。试回答： （1）对热敏电阻2R 有何要求？
（2）当双联可调电容变化由3000pF 到6000pF 时，输出信号的振荡频率范围是多少？
解：（1）起振阶段AF 1>，而1F 3=，则211
R R 2
<； 稳幅振荡时AF 1=，则211
R R 1.5K 2
Ω=
=； 电路刚开始工作时，温度较低，2R 较小（2R 1.5K Ω<），增幅振荡状态；接近稳定时电路温度较高，2R 增大并稳定为
1.5k Ω。因此热敏电阻2R 要求具有正温度系数。
（2）当电容3000pF 时：1
f 2654Hz 2RC
π=
=； 当电容6000pF 时：1
f 1327Hz 2RC
π=
=；输出信号的振荡频率范围1327Hz ～2654Hz
第7章 习 题
7.2.1将十进制数13，43，121转换为二进制数；将二进制数10101，11111，000011转换为十进制数。
7.2.2 试说明1+1=2，1+1=10，1+1=1各式的含义。
7.3.1 将8421BCD 码10101，10011，100011转换为十进制数；将十进制数6875，51，324转换为8421BCD 码。
7.4.1试用反演定理求下列逻辑函数的Y ： （1）B A B A AB Y ++=
（2）C B A C AB BC A ABC Y +++= （3）C B A Y ++=
（4）))((D B A D C A B A B A Y ++++= （5）D C B A ABC Y +?++=
7.4.2试用对偶定理求下列逻辑函数的Y '： （1）B A B A AB Y ++=
（2）C B A C AB BC A ABC Y +++= （3）C B A Y ++=
（4）))((D B A D C A B A B A Y ++++= （5）D C B A ABC Y +?++=
7.5.1应用逻辑代数运算法则化简：
（1）B C A C AB Y +++= （2）CD D AC ABC C A Y +++= （3）()
AB B A Y ++=
（4）))((D B A D B A B A B A AB Y +++++= （5）D C B BC C A B A C B D C B A Y ++++++=)(
7.5.2 应用逻辑代数运算法则推证下列各式：
（1）1=+++C B A ABC （2）C AB C B C A AB +=++ （3）B A B A B A AB +=+ （4）B B C B B B A A =++++)()(
（5）1))(()()(=++++B A B A B A B A
7.5.3应用卡诺图化简下列各式： （1）C AB C B AC Y ++=
（2）D C B A BCD A D C B A D C B A Y +++= （3）()()∑=7,3,2,0,,,m D C B A Y
（4）()()∑=
14,13,12,10,6,4,2,1,,,m D C B A Y
（5）D C B A D B ABC D B A C B A Y ++++=
电子技术习题集-答案
第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中，E12V =， D为硅二极管，R10K =Ω，则二极管D和和电阻R上的电压各为多少？流过二极管的电流多大？ 解：二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中， i u12sin tω =V，二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 （a）（b）（c） 解： 2.1.3二极管电路如图所示，试分别判断图（a）和（b）中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解：(a) D导通， AB U6V =-； （b）D1导通，D2截止； AB U0V =；
2.2.1在下图中，所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =，输入电压 i u12sin tω =V，画出输出 电压 o u波形图。 解： 2.2.2在下图所示的(a)和（b）分别为稳压管的并联和串联连接，哪种稳压管的用法不合理？试说明理由。解：（a）由于稳压管的击穿电压各不相 同，击穿电压低的管子工作，而另一个 不工作。 (b)可以串联连接，输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =，波动范围10% ±；稳压管的稳定电压 Z U6V =，稳 定电流 Z I5mA =，最大耗散功率 ZM P180mW =；限流电阻R200Ω =；输出电流 o I20mA =。（1）求I U变化时稳压管的电流变化范围；（2）如果负载电阻开路，会发生什么现象？ 解：输入电压波动范围： Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=
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专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。
1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少
模拟电子技术课后习题及答案
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时， 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。
A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。
电工与电子技术a习题答案
第一章半导体器件与放大电路习题 一、填空题 1. PN结的特性是单向导电性。 2.射极输出器具有：①输入电阻高，②输出电阻低，③放大倍数为1的特点。 3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态，主要是为了克服交越失真。 4.稳压二极管工作在反向击穿区，当外加电压撤除后，管子还是正常的，这种性能称为可逆性击穿。 二、选择题 1．电路如图1-1所示，所有二极管均为理想元件，则二极管D1、D2的工作状态为（Ｃ）。 、D2均截止 B. D1、D2均导通 C. D1导通，D2截止 D. D1截止，D2导通 图1-1 图1-2 为（ A ）。 2．电路如图1-2所示，二极管为理想元件，则电压U AB A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定 3.某晶体管工作在放大状态，测得三极电位分别是①～，②～1V，③～，则对三个电极的判定，( B )是正确的。 A.①～E，②～B，③～C B.①～B，②～E，③～C C.①～C，②～B，③～E D.①～B，②～C，③～E 4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为 ( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大，反向电阻小 C.反向电阻很大，正向电阻很小 D.正、反向电阻都等于无穷大 5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 ( A )。 6.当温度升高时，晶体管的穿透电流I CEO
A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 7. 对于三极管放大作用的实质，下列说法正确的是（ D ）。 A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流 8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.为零 9.电路如图1-3所示，设D Z1的稳定电压为6V ，D Z2的稳定电压为12V ，设稳压管的正向压降为，则输出电压U o 等于（ B ）。 图1- 3 三、计算题 1.在图1-4所示电路中，已知E=5V ，u i =10sin ωtV ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。 (a) (b) 图1-4 解：（ａ）u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u 0 = E ＝５Ｖ；u i < E 时，D 截止，u o = u i 。 (b ) u i > E ＝５Ｖ时，D 导通，u o = u i ；u i < E 时，D 截止，u 0 = E ＝５Ｖ。 u 0的波形分别如下图所示。 2.在图1-5所示稳压管电路中，已知稳压管的稳压值是6V ，稳定电流是10mA ，额定功耗为200mW ，限流电阻R=500Ω，试求： (1)当U i =18V ，R L =1KΩ时，U o=? I Z =? (2)当U i =18V ，R L =100Ω时，U o=? I Z =? 图1-5 解：(1)6Z U V =，18612R i Z U U U V =-=-=，126 24,60.51 R Z L L U U I mA I mA R R = =====，18Z L I I I mA =-=
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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++＝
模拟电子技术教程习题答案
第6章习题答案 1. 概念题： （1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。 （2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。 （3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方 （4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。 （5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会） （6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。 （7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一
定） （8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。 （9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。 （10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。 （11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。 （12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。 （13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。 （14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源，
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U
电工电子技术课后答案
《电工电子技术》（第二版）节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答： 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换；电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂，电路元件是理想的，电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向，但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说，某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出，因此在求解电路列写方程式时，各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向，方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时，参考方向下某电量前面取正号，即假定该电量的实际方向与参考方向一致，若参考方向下某电量前面取负号，则假定该电量的实际方向与参考方向相反；求解结果某电量为正值，说明该电量的实际方向与参考方向相同，求解结果某电量得负值，说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在，参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为：在图1-5中，五个二端元 件分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的参考方向已标出，在参考方向下通过测量得到：I 1＝－2A ，I 2＝6A ，I 3＝4A ，U 1＝80V ，U 2＝－120V ，U 3＝30V 。试判断哪些元 件是电源？哪些是负载？ 解析：I 1与U 1为非关联参考方向，因此P 1=－I 1×U 1=－（－2）×80=160W ，元件1获得正功率，说明元件1是负载；I 2与U 2为关联参考方向，因此P 2=I 2×U 2=6×（－120）=－720W ，元件2获得负功率，说明元件2是电源；I 3与U 3为关联参考方向，因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ，元件3获得正功率，说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知，元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压，因此可得：U 4=40V ，左高右低；U 5=90V ，左低右高。则元件4上电压电流非关联，P 4=－40×（－2）=80W ，元件4是负载；元件5上电压电流关联，P 5=90×4=360W ，元件5是负载。 验证：P ＋= P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P －= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率，符合功率平衡。 第16页检验题解答： 图1-5检验题4电路图 U 3
电子技术复习题及答案
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
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第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3．将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=
(2) )( AB Y D C B C ABD +++＝ D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4．根据下列各逻辑式， 画出逻辑图。 ①Y=（A+B ）C ； ②Y=AB+BC ； ③Y=（A+B ）（A+C ）； 5．试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。
6.如果“与”门的两个输入端中， A为信号输入端， B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时，输入信号端A的波形如图所示，试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端，则输出端Y的波形又如何？总结上述四种门电路的控制作用。
第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式，列出真值表，然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=： ①列出逻辑真值表，说明其逻辑功能； ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图； ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图； ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图； ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器
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【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
模拟电子技术习题集(二)
第三章 多级放大电路 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。 （1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。( ) （2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。( ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。( ) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( ) 解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√ 二、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 （1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。 （5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000i o ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。 解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B 三、选择合适答案填入空内。
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第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）
湖南大学电子技术 数字部分 习题答案
第一章 数字逻辑习题 1．1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算： （1）周期；（2）频率；（3）占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 （ms ） 解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 4 2?（2）127 （4）2.718 解：（2） （127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B =（177）O=（7F ）H 7 2（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD 码： （1）43 （3）254.25 解：（43）D=（01000011）BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASC Ⅱ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）you (4)43 解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASC Ⅱ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。 （1）“+”的ASC Ⅱ码为0101011，则（00101011）B=（2B ）H （2）@的ASC Ⅱ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的ASC Ⅱ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASC Ⅱ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A ，B`的波形，画出各门电路输出L 的波形。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
模拟电子技术习题10套与答案
《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型
图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： （1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空 1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。 2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。 3.在电路 管 、 Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。 4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。 5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。 6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。 7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。 8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。 ９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。 10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。 11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 12.半导体PN结具有单相导电性特性。 13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V， 14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。 15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。 16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。 17.设某开环放大电路中，在输入信号电压为1mv时，输出电压为1v；当引入负反馈后达到同样的输出电压时，需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为10，反馈系数为0.009。 18.直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成。 19、BJT属于电流控制电流型器件，对应的FET是属于电压控制电流型器件。 20、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的__ 差__；共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值。 选择 1.半导体中的少数载流子产生的原因是[ C ] A.外电场 B.内电场 C.热激发 D.掺杂 2．PN结加正向电压时，耗尽层[ B ] A．变宽 B．变窄 C. 不变 D．以上三种情况均有可能 3．温度升高后，二极管的反向电流将[ B ]
模拟电子技术习题集(四)
第九章 功率放大 电路 自 测 题 一、选择合适的答案，填入空。只需填入A 、B 或C 。 （1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。 A ．交流功率 B ．直流功率 C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。 A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。 A ．1W B ．0.5W C ．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。 A ．β B ．I C M C ．I C B O D ．B U C E O E ．P C M F ．f T （5）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。 A ． L 2 CES CC 2)(R U V - B ． L 2CES CC )21 (R U V - C ．L 2 CES CC 2)2 1 (R U V -
图 T9.1 解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C 二、电路如图T9.2所示，已知T 1和T 2的饱和管压降│U C E S │＝2V ，直流功耗可忽略不计。 图T9.2 回答下列问题： （1）R 3、R 4和T 3的作用是什么？ （2）负载上可能获得的最大输出功率P o m 和电路的转换效率η各为多少？ （3）设最大输入电压的有效值为1V 。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ，电阻R 6至少应取多少千欧？ 解：（1）消除交越失真。 （2）最大输出功率和效率分别为 %8.694πW 162)(CC CES CC L 2 CES CC om ≈-?= =-= V U V R U V P η （3）电压放大倍数为