计算机内存发展史
计算机发展史
计算机发展史计算机的发展主要经历了四个阶段。
I第:代（1963—1970年）是集成电路计算机，磁芯存储器进一步发展，并开始采用性能更好点的半导体存储器，运算速度提高到每秒几十万次基本运兑.体积缩小，价格降低，功能增强，可靠性大大提高。
第一代（19461957年）是电子计算机,它的基本电子元件是电子管，内存储器采用水银延迟线，外存储器主要采用磁鼓、纸带、卡片、磁带等。
由于当时电子技术的限制，运第速度只能每秒几千次到几万次基本运算.，内存容量仅几千个字。
第四代（1971年一目前）是大规模和超大规模集成电路计算机。
运算速度可达每秒几百万次，甚至上亿次基本运算。
另外，网络操作系统、数据库管理系统得到广泛应用。
微处理器和微型计算机也在这一阶段诞生并获得飞速发展。
第二代（1958—1970年）是晶体管计算机。
与第一代电子管计算机相比，品体管计算机体积小，耗电少，成本低，逻辑功能强，使用方便，可靠性高。
I 一。
简述内存发展历史
简述内存发展历史内存发展历史可以追溯到计算机发明的早期阶段。
以下是内存发展历史的主要里程碑：1. 真空管内存（1940年代）：最早的计算机中使用了真空管作为存储器件，真空管内存具有很小的存储容量，价格昂贵且需要频繁维护。
2. 磁鼓存储器（1950年代）：使用旋转磁鼓储存数据，磁鼓存储器能够容纳更多数据，但读写速度较慢。
3. 磁芯存储器（1960年代）：磁芯存储器使用了磁性材料制成的小环，可以保存二进制数据。
磁芯存储器相对较小、昂贵，但速度更快和更可靠。
4. 动态随机存储器（DRAM）（1970年代）：DRAM是第一种现代内存技术，它使用电容器来存储数据，以及由于电容器需要不断刷新而被称为“动态”的特征。
DRAM具有更高的容量和较低的成本，成为主流内存技术。
5. 静态随机存储器（SRAM）（1980年代）：SRAM是另一种常见的内存技术，它使用了触发器来存储数据，相对于DRAM更快速和更稳定，但价格也更高。
6. 扩展内存技术（1990年代）：随着个人计算机的普及，内存需求不断增加。
因此，一些技术被开发用于扩展内存，如虚拟内存和缓存。
7. 变址RAM（2000年代）：变址RAM（e.g. DDR SDRAM）是现代计算机中常用的内存类型，具有更高的速度和较大的容量。
8. 非易失性内存（NVM）（近年来）：非易失性内存是一种新兴的内存技术，能够保持数据即使在断电的情况下。
NVM比传统的存储器技术具有更快的读写速度和更高的可靠性。
总的来说，内存的发展历史可以总结为不断追求更大、更快、更稳定的内存技术，以满足计算机性能和存储需求的不断提升。
内存条发展史
作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。
从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。
内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。
不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。
那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC 坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1），内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条” 的来源。
图1，内存条与内存槽的出现小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。
我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。
由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。
DRAM的发展
DRAM的发展一、简介动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存技术，用于存储和读取数据。
自从20世纪70年代问世以来，DRAM经历了多次技术革新和发展，不断提高存储容量、速度和能效。
二、历史发展1. 早期DRAM早期的DRAM采用了基于电容的存储单元，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成。
数据的存储和读取是通过对电容充放电来实现的。
这种DRAM具有较低的存储密度和较慢的访问速度。
2. SDRAM的浮现随着计算机技术的发展，需要更高的存储容量和更快的访问速度。
同步动态随机存取存储器（SDRAM）在20世纪90年代问世，引入了同步时钟来提高数据传输速度。
SDRAM具有更高的存储密度和更快的访问速度，成为主流的内存技术。
3. DDR和DDR2在SDRAM的基础上，双倍数据率（DDR）和DDR2技术相继问世。
DDR技术通过在时钟的上升沿和下降沿都传输数据，使得数据传输速度翻倍。
DDR2技术进一步提高了传输速度和存储密度，成为更高性能的内存选择。
4. DDR3和DDR4DDR3和DDR4技术是目前最常用的DRAM技术。
DDR3技术在传输速度和能效方面有所提升，同时支持更大的存储容量。
DDR4技术进一步提高了传输速度和能效，同时引入了更高的频率和更低的电压。
三、技术进步1. 存储容量的提升随着技术的进步，DRAM的存储容量不断提高。
从最早的几KB到现在的几十GB，DRAM的存储容量呈指数级增长。
这使得计算机可以处理更大规模的数据和更复杂的任务。
2. 传输速度的提高DRAM的传输速度也在不断提高。
从最早的几百KB/s到现在的几十GB/s，DRAM的传输速度大幅度增加。
这使得计算机可以更快地读取和写入数据，提高了系统的响应速度和计算能力。
3. 能效的改进随着节能环保意识的增强，DRAM的能效也得到了改进。
新一代的DRAM技术采用了更低的电压和更高的能效设计，减少了能源消耗和热量排放。
这有助于降低计算机系统的能耗和散热需求。
计算机存储器的发展历史
计算机存储器的发展历史1. 早期计算机存储器的发展早期计算机存储器的发展可以追溯到二十世纪四十年代末和五十年代初。
当时的计算机存储器主要采用了一种叫做“延迟线存储器”的技术。
延迟线存储器是一种利用声波在长绳上传播的原理来存储和读取数据的技术。
这种存储器虽然容量较小且读取速度较慢，但是在当时来说已经是一项重要的技术突破。
2. 磁芯存储器的出现到了五十年代中期，磁芯存储器开始出现并逐渐取代了延迟线存储器。
磁芯存储器利用小巧而坚固的磁铁环来表示二进制数据，这些环可以通过电流来改变其磁性状态，从而实现数据的读写操作。
相比于延迟线存储器，磁芯存储器容量更大、速度更快，并且更加可靠。
3. 位片式DRAM随着计算机技术不断发展，DRAM（动态随机访问内部）逐渐取代了磁芯存储器成为主流存储器技术。
位片式DRAM是DRAM的一种重要形式，它的出现使得存储器的容量得以大幅提升。
位片式DRAM是一种基于半导体技术的存储器，它将大量的存储单元集成在一片芯片上，使得容量可以达到几百兆字节甚至几十吉字节。
4. SRAM和DRAM的竞争在位片式DRAM流行之后，静态随机访问内存（SRAM）也开始逐渐发展起来。
SRAM和DRAM之间存在着一些差异。
首先，SRAM不需要刷新操作，因此读写速度更快；其次，SRAM相对于DRAM来说更加稳定可靠；最后，SRAM相对于DRAM来说也更加昂贵。
这些差异使得SRAM和DRAM在不同应用场景中各有优势。
5. 闪存技术的兴起随着计算机应用场景不断扩大以及移动计算设备日益普及，闪存技术开始逐渐兴起并成为主流存储器技术之一。
闪存是一种基于非易失性内部（NAND）原理的半导体内部，在断电情况下也能够保持数据。
闪存具有容量大、体积小、耐用性强等优点，因此被广泛应用于移动设备、存储卡等领域。
6. 存储器技术的未来发展在当前的技术发展趋势下，存储器技术也在不断演进。
一方面，DRAM 和闪存等传统存储器技术仍在不断优化和升级，以满足更高容量和更快速度的需求。
内存发展历史及未来趋势
内存发展历史及未来趋势1. 内存发展历史内存（Memory）是计算机中的重要组成部分，用于存储数据和指令。
下面将介绍内存发展的历史。
1.1 早期内存早期计算机并没有像现在这样的内存设备。
最早的计算机使用的是机械装置，如穿孔卡片或磁带，用于存储和读取数据。
这种存储方式非常慢且容量有限。
1.2 早期半导体内存20世纪50年代末和60年代初，半导体技术的发展带来了早期的半导体内存。
最早的半导体内存是使用磁芯存储单元构建的，每个存储单元只能存储一个位（0或1）。
这种内存速度较快，但容量仍然有限。
1.3 动态随机存取内存（DRAM）20世纪70年代，动态随机存取内存（DRAM）的出现改变了内存的发展。
DRAM使用电容来存储数据，每个存储单元可以存储一个位。
DRAM的容量远远超过了之前的内存技术，而且成本更低。
然而，DRAM需要定期刷新以保持数据的稳定性，这导致了一些性能问题。
1.4 静态随机存取内存（SRAM）为了解决DRAM的刷新问题，静态随机存取内存（SRAM）被开发出来。
SRAM使用触发器来存储数据，每个存储单元需要更多的晶体管来实现，因此成本更高。
然而，SRAM的读写速度比DRAM更快，而且不需要定期刷新。
1.5 其他内存技术随着技术的发展，还出现了其他内存技术，如闪存存储器、磁盘存储等。
这些内存技术在不同的应用场景中发挥着重要的作用。
2. 内存未来趋势随着计算机应用的不断发展，内存技术也在不断演进。
下面将介绍内存未来的趋势。
2.1 容量增加随着计算机应用对内存容量的需求不断增加，未来内存的主要趋势之一是容量的增加。
现代计算机已经开始使用大容量内存模块，而且随着技术的进步，内存的容量将进一步提高。
2.2 速度提升除了容量增加，内存的速度也是未来的发展方向。
随着处理器和其他硬件组件的速度提升，内存的速度也需要跟上。
新的内存技术和架构将被开发，以实现更快的读写速度。
2.3 能耗降低能耗是计算机系统中的一个重要问题。
计算机内存发展史
现代的DRAM
1980年代
现代的DRAM出现，容量大幅增加，速度也有所提升。
1990年代至今
随着技术的不断进步，DRAM的容量和速度持续提升，同时成本也在逐渐降低。
DDR内存
1990年代
DDR内存出现，它是一种同步内存，具 有更高的运行速度和更低的功耗。
VS
2000年代至今
DDR内存逐渐成为计算机内存的主流选择 ，其技术不断升级，容量和速度持续提升 。
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THANKS
），它们分别存储最近使用过的数据和指令，并按照访问速度和容量
逐渐增加。
03
CPU高速缓存的作用
CPU高速缓存能够提高CPU的执行效率，因为它可以减少CPU访问主
内存的次数，避免因为访问主内存而造成的延迟。
主存高速缓存
什么是主存高速缓存
主存高速缓存是位于主内存和硬盘之间的存储器，它能够暂时存储最近使用的数据和指令 ，以减少主内存访问硬盘的次数，提高内存的访问速度。
03
高速缓存（Cache）的引 入
CPU高速缓存
01
什么是CPU高速缓存
CPU高速缓存（Cache）是位于CPU和主内存之间的存储器，它能够
暂时存储最近使用的数据和指令，以减少CPU访问主内存的次数，提
高内存的访问速度。
02
CPU高速缓存的种类
CPU高速缓存分为一级缓存（L1）、二级缓存（L2）和三级缓存（L3
主存高速缓存的种类
主存高速缓存分为RAMDisk和RAMSan，它们分别使用部分RAM来模拟硬盘，以提供比 硬盘更高的访问速度。
主存高速缓存的作用
主存高速缓存能够提高系统的整体性能，因为它可以减少主内存访问硬盘的次数，避免因 为访问硬盘而造成的延迟。同时，它也可以作为系统的一部分，用于存储经常使用的数据 和程序，提高系统的响应速度。
DRAM的发展
DRAM的发展概述：动态随机存取存储器（DRAM）是一种常见的计算机内存类型，被广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算设备中。
本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。
一、DRAM的历史发展：1. 早期DRAM的诞生：20世纪60年代末，美国IBM公司的研究人员发明了第一款DRAM芯片，其存储容量为1K位。
这标志着DRAM技术的诞生，为计算机存储领域带来了革命性的变革。
2. 发展阶段：1970年代，DRAM技术经历了多个发展阶段。
首先是DRAM存储容量的不断增加，从最初的几千位增加到了几十万位。
其次是DRAM存取时间的缩短，使得数据读写速度得到了显著提升。
此外，DRAM芯片的集成度也不断提高，从单片集成到多片集成，进一步提高了存储容量和性能。
3. 现代DRAM的发展：进入21世纪，DRAM技术继续取得了巨大的突破。
首先是DRAM存储容量的大幅增加，从几百兆字节增加到了数十兆字节。
其次是DRAM的能耗和成本的不断降低，使得DRAM成为了主流的计算机内存选择。
此外，DRAM的数据传输速率也得到了显著提升，满足了日益增长的计算需求。
二、DRAM的技术特点：1. 存储原理：DRAM采用电容存储原理，每一个存储单元由一个电容和一个开关构成，电容的充电状态表示存储的数据。
2. 数据刷新：由于电容会逐渐漏电，因此DRAM需要定期进行数据刷新，以保持数据的正确性。
数据刷新会带来额外的延迟，影响DRAM的访问速度。
3. 存取时间：DRAM的存取时间通常比静态随机存取存储器（SRAM）要长，这是由于DRAM需要经过一系列的行选通、列选通等操作才干读取或者写入数据。
4. 容量和集成度：DRAM的存储容量和集成度不断增加，目前已经发展到了数十兆字节的级别。
高集成度的DRAM芯片可以在较小的空间内实现更大的存储容量。
5. 数据传输速率：现代DRAM的数据传输速率已经达到了几千兆字节每秒的级别，可以满足高性能计算和大数据处理的需求。
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计算机内存发展史在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（BIT)的存储器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一间的机房只能装下不超过百k字节左右的容量。
后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。
那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit，虽然如此，但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰有余了。
内存条的诞生内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。
有鉴于此，内存条便应运而生了。
将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。
这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。
在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。
不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。
自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了，72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。
72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。
EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO DRAM同FPM DRAM（Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器）极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。
工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns 以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。
在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO DRAM有72 pin 和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。
EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。
由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO DRAM与FPM DRAM都必须成对使用。
SDRAM时代自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。
第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。
由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。
在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU 超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。
与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手锏，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM 曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
DDR时代DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。
DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。
至于定址与控制信号则与传统SDRAM 相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR内存是在SDRAM內存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V 电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。
第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
DDR2时代随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。
不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。
它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据预读取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。
从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。
高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。