微波混合集成电路 合成频率源-编制说明
一种基于直接合成法的S波段点频源设计
ｓ ）＝
３０ ＤＭＨｗ ， 频 器 产 生 的 信 号 包 括 ２ ３ 混 ． ＧＨｚ ６ 、 ２ ５ ． ２ＧＨｚ２ ６ 、． ８ＧＨｚ ２ ８ 、 ． ４ ＧＨｚ及其 他 组合 信 号 ， 通 过后 级 的开关 滤 波 器 组 滤 波 ， 过 选择 高抑 制 度 通
它 的相 位 噪声有 何 变 化 ， 这是 设 计 者之 间 ， ２ ５ｄ ｍ 在使用 该 分频 器 的时 候 ， 该 保证 分频 器 的输入 功 率 在 一 １ ～ ＋１ Ｂ 应 ２ ２ｄ ｍ 之 间 ； 过 ２２ ０ＭＨｚ 频滤 波 器输 出的信 号 经 过 经 ０ 选
般 都能达 到 ８ Ｂ 以 上 。这种 方 法 在 实现 多 点 源 、 ０ｄ 高相 位 噪声 系列 的频率源 时是 一种非 常好 的选 择 。
１ 实现 原理
Ｓ波 段 点 频 源 的 要 求 如 下 ： 出 频 率 ： 输
２ ３ ． ６ＧＨｚ ２ ５ 、． ２ＧＨｚ ２ ６ 、 ． ８ＧＨｚ ２ ８ 、 ． ４ＧＨｚ 谐 波／ ； 杂 散 ： 于 一 ６ ｄ ｃ 相 位 噪 声 ： 于 一 １ ｄ ｃ 优 ０Ｂ ； 优 ０ Ｂ ／ １ Ｈｚ Ｈｚ输 出功率 ： １ Ｂ ＠１ｋ ； ≥ ３ｄ ｍ。 其 实现 原理框 图如图 １所示 。
号 而饱 和 ， 能将 会变 坏 。 性
２ ３ 印 制 板 电路 设 计 ．
信号 的产 生 ， 择 晶 振 的 频 率 为 １ ０ ＭＨｚ 晶 振 输 选 ０ ， 出 的信号 通过 一 阻抗 匹配 网络 送 谐 波 发 生器 ， 波 谐 发生 器选 择成 都联 帮微 波 公 司 的 ＵＣ ＨＧ１ ０ ９ 经 ０ Ａ一 ， 过谐 波发 生器 输 出 的信 号 通 过 １个 功 率分 配器 ， 功 率 分 配器 采用 ＭＩ 公 司 的 ＴＣ 一— ５ 分 ２路 送 到 ＮＩ Ｐ ２２ ， ８ ００ＭＨｚ ２２００ＭＨｚ 频 电 路 ， 除 带 外 和 选 滤 １ ０ＭＨｚ的信 号 ， ２个 选频 滤 波 器 的带 外 抑 制度 ０ 这 要 求 很 高 ， 们 在 这 里 选 择 了 带外 １ ０ ＭＨｚ抑 制 我 ０ ８ Ｂ 的 滤波 器 ， 过 ８ ０ＭＨｚ滤 波 后 的信 号 ， ０ｄ 经 ０ 送 五 分 配 器进 行 分频 ， 分 频器 选 用 ＨＩ Ｔ１ Ｅ公 司 五 Ｔ Ｔ
实验6 集成电路构成的 调频调解_讨论
实验七集成电路（压控振荡器）构成的频率调制器一实验目的1．进一步了解压控振荡器和用它构成频率调制的原理2．掌握集成电路频率调制器的工作原理。
二预习要求1．查阅有关集成电路压控振荡器资料。
2．认真阅读指导书，了解 566 ( vco 的单片集成电路）的内部电路及原理。
3．搞清566外接元件的作用．三实验仪器设备1．双踪示波器 2．频率计3．万用表，4．电容表5．．CCTV —GPI 实验箱、板 1四实验电路说明 图11-1为566型单片集成V co 的框图及管脚排列图11-1中幅度鉴别器，其正向触发电平定义为V SP ，反向触发电平定义为V SM ，当电容C 充电使其电压V 7 (566管脚⑦对地的电压）上升至Vsp ，此时幅度鉴别器翻转，输出为高电平，从而使内部的控制电压形成电路的输出电压，该电压V 0为高电平：当电容C 放电时，其电压V 7下降，降至V SM 时幅度鉴别器再次翻转，输出为低电平从而使V 0也变为低电平，用V 0的高、低电平控制S l 和S 2两开关的闭合与断开。
V 0为低电平时S 1闭合，S 2断开，这时I 6=I 7 = 0 , I 0全部给电容C 充电，使 V 7上升，由于I 0为恒流源，V 7线性斜升，升至V SP 时V 0跳变为高电平，V 0高电平时控制S 2闭合，S 1断开，恒流源 I 0全部流入A 支路，即I 6 = I 0，由于电流转发器的特性，B 支路电流I 7应等于I 6，所以I 7 =I 0，该电流由C 放电电流提供，因此V 7线性斜降，V 7降至V 7时V SM 时跳变为低电平，如此周而复始循环下去，I 7及V 0波形如图9-2 。
566 输出的方波及三角波的载波频率（或称中心频率）可用外加电阻R 和外加电容C 来确定。
其中R 为时基电阻C 为时基电容V 8是566管脚⑧至地的电压V 5是566管脚⑤至地的电压五实验内容实验电路见图11-31． 观察R 、C 1对频率的影响（其中R = R 3 + R P1 )．按图接线，将C 1接入566管脚⑦， R p2及C 2接至566管脚⑤；接通电源（士5V ) .图11-1 566（VCO ）的框图及管脚排列 图11-2图11-3 566构成的调频器 图11-4 输入信号电路调R P2使V 5=3.5V ，将频率计接至566管脚③，改变R P1观察方波输出信号频率，记录当R 为最大和最小值时的输出频率．当R 分别为R max 和R min 及C l = 2200pf 时，计算这二种情况下的频率，并与实际测量值进行比较。
频率合成技术
频率合成技术一、频率合成技术简述频率合成技术起步于上世纪30年代，至今已有七十年的历史。
其原理是通过一个或多个参考信号源的线性运算，在某一频段内，产生多个离散频率点。
基于此原理制成的频率源称为频率合成器。
频率合成器是现代电子系统的重要组成部分，是决定整个电子系统系统性能的关键设备，不仅在通信、雷达、电子对抗等军事领域，更在广播电视、遥控遥测、仪器仪表等民用领域得到了广泛的应用。
随着电子技术在各领域内占有越来越重要的地位，现代雷达和精确制导等高精尖电子系统对频率合成器的各项指标提出了越来越高的要求，推动了频率合成技术的发展。
频率合成器的主要性能指标包括：(1).输出频率范围，是频率合成器输出的最低频率和最高频率之间的变化范围。
一般来说，输出的带宽越高越容易满足系统对于频率源的需求。
(2).频率分辨率，是输出频率两个相邻频率点之间的最小间隔。
作为标准信号源的频率合成器，频率分辨率越精细越好。
(3).频率切换时间，是输出频率由一个频率切换到另一个指定的频率的时间，电子对抗时的频率跳变对此有着极高的要求。
(4).频谱纯度，频谱的噪声包括杂散分量和相位噪声两方面，杂散又称为寄生信号，主要由频率合成过程中的非线性失真产生；相位噪声是衡量输出信号相位抖动大小的参数。
(5).频率稳定度，是指在规定的时间间隔内，频率合成器输出频率偏离指定值的数值，由作为参考信号源的时钟和各种随机噪声决定。
(6).调制性能，频率合成器是否具有调幅(AM)、调频(FM)和调相(PM)功能。
初期的频率合成技术采用一组晶体组成的晶体振荡器，输出频率点由晶体个数决定，频率准确度和稳定度由晶体性能决定，频率切换由人工手动完成。
随着时间的推移，频率合成技术理论的完善和微电子技术的发展，后来的科学家不断的提出了若干频率合成方法，现代的频率合成技术主要经历了三个阶段：直接模拟频率合成、间接频率合成和直接数字频率合成。
直接模拟频率合成(Direct Frequency Synthesis,DS)技术也是一种早期的频率合成技术，使用一个或几个晶体振荡器作为参考频率源，通过分频、混频和倍频的方法对参考源频率进行加减乘除的运算，然后用滤波器处理杂散频率得到需求的不同频率。
半导体集成电路 AC_DC测试方法-编制说明
国家标准《半导体混合集成电路 AC/DC测试方法》（征求意见稿）编制说明一、工作简况《半导体混合集成电路 AC/DC测试方法》项目编写工作的下达计划任务主管部门为工业和信息化部、归口单位为全国半导体器件-集成电路标准化分技术委员会（SAC/TC78/SC2）、项目计划号为20182282-T-339。
标准起草单位为中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所。
工作中电参数的测试方法主要以1997年四机部SJ20646-1997 《混合集成电路DC-DC变换器测试方法》标准，国外Synqor、Traco Power、Gaia等公司系列产品技术手册为参考，主要从直流、交流、瞬态、隔离保护、控制等五个方面对AC/DC的27项电参数的通用测试方法进行编写，并对各项参数测试方法进行实测验证。
主要起草人王福强、刘玢和韩新峰负责规范的编写、李雷和邓些鹏负责测试项的测试验证及技术实现。
二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题AC/DC是一种将频率和幅度可变的交流电压转换为稳定直流电压的混合集成电路，具有高效率、低功耗、宽范围等特点，大量应用于军工电源产品之中。
为确保整机产品的质量，需要对AC/DC产品进行精确、全面、高效、安全的检测。
由于国内对于AC/DC电源的测试方法和线路没有独立的通用标准，生产厂家和检验机构对于该类器件测试多采用企业标准，造成不同厂家之间测试结果存在一定偏差。
为使得AC/DC在测试线路和方法上有章可循、有据可依，需制定AC/DC 模块电源的通用测试标准，作为生产厂家和检验机构测试该类器件的理论依据和方法指导。
为确保标准具有通用性，我们对国内外主要AC/DC器件的电参数进行分析归纳，选定27项电参数纳入本标准编写，这些参数涵盖直流、交流、瞬态、隔离保护和控制等五个方面，确保参数的覆盖性。
1、直流参数共选定直流参数13项：交流输入电压范围、交流输入频率范围、输出电压精度、电压调整率、电流调整率、效率、输出纹波电压、空负载输入电流、满负载输入电流、关断态输入电流、交叉调整率、输出电压调整范围、输出电压温度系数。
浅谈混合微波集成电路的制作技术
胶 及美 国ＥＯ Ｅ ２Ｅ Ｐ裙 Ｋ Ｈ０ 环氧 导 电胶 。经 筛选 ，确 定采 用Ｈ０ 胶 。 ２Ｅ
３电路 基板与 盒一 ｔ体 的焊接 用 陶 瓷基板 制作 的厚 、 薄膜微 带 电路一 般用 螺钉 安装 在封 装外 壳里 ．
１无 曩 电路基 板■ 作 无 源 电路基 板采 用薄 膜 或厚膜 工 艺制 作 。薄膜 工艺 具有 图形 精度 高 的 特 点 ，尤其 适合 高频 电路 （ 可达 １Ｇ ｚ ８ Ｈ ），厚 膜 电路 图形精 度虽稍 低 ，但适 合 大批 量生 产且 成本低 廉 ，被广 泛用 于微 波低 端 （ 般在 ４Ｈ 左右 ） 。 一 Ｇｚ １ １薄膜 电路 基板 制作 ． 薄膜 工 艺是 采用 光刻 、蒸 发和 溅射 等 工艺 将薄膜 电感 、电容 、 电阻 、 空 气桥 和传 输线 等制 作 在介 质基 板上 。选 用 高纯 Ａ２３ 为介质 基 板 ，铬 ／ １ 作 ０ 金 作为 薄膜 导 带材 料 ，钽 系 电阻作 为 薄膜 电 阻材料 。薄膜 电容 制 作 的关键
为保 证 电路与 外壳 的 连接 阻抗 尽可 能 小 ，螺钉 应尽 量拧 紧 。 由于陶 瓷材料 的脆 性 ，安装 过程 中 易造 成碎 裂使 电路报废 。为此 先将 陶 瓷基板 焊 在一 块 金 属 载 体 上 ，安 装 时 用 螺钉 将 金 属 载体 连 同陶 瓷 基板 一 同安装 在 外 壳 之
由于 微 波 电路 工作 频 率 高 （ 常在 ｌ０ Ｍｚ 通 Ｏ０ｎ 以上 ） ，寄生 参 数对 电路
微 波 芯 片等 元器 件 的粘 接 工 艺必 须满 足肼 舡ｃ 的散热 和环 境 要 求 。主
性能 影响大 ，ＭＭ Ｃ Ｈ Ｔ本身 体积 小 、组装 密度 高 ，因此对 电路基板 的 图形 、元 器件 贴装 和 丝焊 互连 等都 有很 高 的精 度 要求和 一 致性 要 求 ，在设 计和 制造 工艺 中要专 门加 以考 虑 。在ＭＭ Ｃ Ｈ Ｉ 制造 过程 中 ，将 无源 电路 制作 在介 质基板
微波集成电路学习资料3：微波混合集成电路
3.1概述
3.1概述
混合集成电路应用:
毫米波T/R组件
低噪放 混频器
倍频器
3.1概述
本章将从工程设计角度出发，主要介绍 如下内容： • 1．微带电路设计的相关问题。 • 2．基本微带元件。 • 3．部分重要的固态电路。
3.2微带集成电路中的不连续性
3.2.1 概述
当微带电路产生不连续性时，将带来如下影响： ➢第一，不连续性区域将发生能量的存储； ➢第二，产生反射波； ➢第三，场通过连续性区域后重新沿均匀线传输 时，与进入不连续性区域之前有所不同，时延 效应将产生相位上的变化，而不连续处存在的 损耗将产生信号幅度上的变化。
或并联谐振回路。
3.2.8微带线实现集总元件
L C
L C
3.2.8微带线实现集总元件
➢如果是一个串联谐振和一个接地的并联 谐振相互级联，其响应又如何？
d
CL LR
. . . CR
LL. . .
3.2.8微带线实现集总元件
直接的直角拐角会产生较大反射。为了减小反射，把拐角 的外部切成 斜角，利用两次反射的相互抵销达到匹配。斜 角边长是使两次反射 “抵消”的关键。
微带匹配拐角（a）50欧姆；（b）任意宽度
3.2.5微带线拐角
3.2.5微带线拐角
3.2.6微带线T接头
• 微带T 型接头在微带电路中应用广泛，如分支 线电桥等。
求偶模电容Ce
3.2.4微带间隙
二、两条微带反对称馈电，这时候，C12等于两 个串联，中心点等效为接地。
求奇模电容Co
C1
1 2
Ce
11 C12 2 Co 4 Ce
3.2.5微带线拐角
在拐角地区如同有一个并联电容，路径的 加长如同是两段短传输线或是两个电感。
和混合高频集成电路
《高频电子线路》
8
第9章 高频电路的集成化与EDA
源极 栅极 n-A lx Gal－xAs 不掺杂GaAs 半绝缘GaAs衬底
漏极 n-GaAs 二次电 子气层
图9-2 耗尽型的HEMT场效应管结构
9
《高频电子线路》
第9章 高频电路的集成化与EDA
另一种 GaAs 异质结器件 GaAsHBT 也越来越受关 注,它属于改进型的双极晶体管,其发射极和基极被制作 在不同材料的禁带中,如图9-3所示。
YPS1 FLTR IOUT QOUT YPS2 DMIP IFOP COM2 GAIN/RSSI IFLO
图9-5 AD607的引脚图 《高频电子线路》
22
第9章 高频电路的集成化与EDA
AD607 的内部功能框图如图 9-6 所示。它包含了一 个可变增益UHF混频器和线性四级IF放大器,可提供的 电压控制增益范围大于90dB。混频级后是双解调器,各 包含一个乘法器 ,后接一个双极点 2MHz的低通滤波器 , 由一锁相环路驱动,该锁相环路同时提供同相和正交时 钟。
晶体管的“平面工艺”,利用半导体平面工艺在硅片内制 作元器件,并按电路要求在硅片表面制作互连导体 ,从而制
成高密度平面化的集成电路 ,完善了集成电路的生产工艺。
《高频电子线路》
4
第9章 高频电路的集成化与EDA
2．砷化钾（GaAs）
以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用 在微波电路中。砷化钾集成电路自 1974年由HP公司首创 以来,也都一直用在微波系统中。作为无线通信用高频模 拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。
《高频电子线路》
10
第9章 高频电路的集成化与EDA
C
微波频率源的研究
微波频率源的研究作者：宁云炜来源：《科技资讯》 2012年第35期宁云炜（电子科技大学电子工程学院四川成都 611731）摘要：随着社会的发展，人们的生活水平越来越高，几乎已经从古老的纸制通信时代完全过渡到了现在的电子通信时代。
在现在这个电子通信时代，微波频率源是必不可少的，他是各种通信和电子系统的核心部件，在很多领域中都有应用，特别是近几年，微波频率源又有了很大的发展。
本文就针对微波频率源进行研究，让大家更加详细的了解微波频率源。
关键字：微波频率源分类工作原理形式研究中图分类号:TN74 文献标识码：A 文章编号：1672-3791(2012)12(b)-0012-01微波频率源在雷达、通信、空间电子设备、导航、仪器和仪表等各种微波系统中占据着重要的位置，频率源的好与不好直接影响着雷达、通信、空间电子设备、导航、仪器和仪表等的性能指标。
几年来，随着各种各样的微波器件和集成电路的发展，微波频率源也得到了很大的发展。
在这个电子通信的时代，微波频率源的应用越来越受到关注。
1 微波频率源的概述1.1 微波频率源的概念微波频率源就是通过使用非线性的有源器件和无源电路，把直流功率转换成稳定的RF正弦信号的部件。
1.2 微波频率源的主要指标微波频率源的主要指标包括：微波频率源的工作频率、微波频率源的输出功率，微波频率源的调谐范围以及微波频率源的谐杂波抑制度等。
微波频率源的谐杂波抑制度的衡量单位是dB；调谐范围使用调谐灵敏度来衡量的，单位是MHz/V；输出功率主要有带内功率平坦度和输出功率电平；微波频率源的工作频率主要包括频率稳定度、负载牵引和相位噪声，频率稳定度的单位是ppm/℃，负载牵引是指当振荡器和负载紧紧耦合时，震荡的频率会受负载的影响。
1.3 微波频率源的应用微波频率源主要应用于微波系统中，包括雷达、数字通信、空间电子设备、导航、仪器和仪表等。
2 微波频率源的几种形式微波频率源设备已经遍布了我们的生活，很多电子设备中都应用了微波频率源。
国产电子元器件型号标识
2.1 型号标识
厚膜、薄膜集成电路的型号由四个部分组成，其四个组成部分的符号及意义如下：
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用两个汉语拼音字母表示
符号
意义
电路类型， 用两位阿拉伯 数字表示
电路品种， 用两位(或三位)阿 拉伯数字表示
封装形式 用一个汉语拼音字母表示
符号
意义
2
BM 薄膜集成电路 HM 厚膜集成电路 BG 薄膜、半导体集成电路
× 工作温度范围 C 0～70℃ E -40～85℃ R -55～85℃
× 器件封装符号 W 陶瓷扁平 B 塑料扁平 F 全密封扁平
C CMOS
M -55～125℃ D 陶瓷双列直插
F 线性放大器 D 音响、电视电路
P 塑料双列直插 J 黑陶瓷双列直插
W 稳压器 J 接口电路 B 非线性电路
K 金属菱形 T 金属圆形
表示变型管的字母 (I、O、S、F、Z、C 除外)
轴、图腾柱和分布放大等振荡与
FT
放大用发射管)
1.3 调制管
连续
T
脉冲 1.4 阻尼管
TM
表示同类产品序
EN
号的数字
－
表示变型管的字母 (I、O除外)
1.5 稳流管 稳压管
1.6 整流管 高压整流
高压脉冲整流
WL WY
表示结构形式 的字母
－
以分数形式表示：分
国产电子元器件型号标识
1 半导体集成电路 （GB/T3430-1989《半导体集成电路型号命名方法》）
1.1 型号标识
半导体集成电路的型号由五个部分组成，其五个组成部分的符号及意义如下：
第0部分
第一部分
微波混频器的工作原理
或写为 I g V 导纳矩阵与三端口等效电路如图3-4所示。 结论 ①在感兴趣的频率上 等效为 [g] Rj i ②镜频 端口负载对混频器性能有影响，典型负 载为短路、开路、匹配 Cj ③等效条件:①小信号②忽略
微波混频器的工作原理
IS
Vs
I0
g
Ii
Vi
V0
图3-4（a）导纳矩阵电路等效
微波混频器的工作原理
的特性，在小信号成分 u中，还应该考虑镜频和中频电压 的作用，即： u VS sin S t V0 sin 0t Vi sin it
i0 i0 f V0 VL cos Lt u
i f V0 VL cos Lt u
微波混频器的工作原理
以上众多频率成分中，中频是有用成分。越大越好，镜频 和和频有利用可能。其他均为无用的寄生频率，必须滤 除掉。 2、实际混频器的物理过程 以上只考虑一次混频，说明基本原理。实际中，必须考虑： 1、 不可能完全滤掉寄生频率。 2、 镜频、中频等再次参与混频 3、 非线性电容 C也有混频作用。 j 4、 L 和S的初始相位。 实际情况比上述复杂得多，因此要精确分析，必须构造 更复杂的模型。
g2Vi sin 2L i t g2Vi sin 2L i t
其中： S有关的项 g0VS sin S t 与 0有关的项 g0V0 sin 0t 与 g0Vi sin it 与 有关的项 i
g0V0 sin L 0 t
g1V0 sin L 0 t g2VS sin 2L S t
aISa e aV0 J 0 aVL
1 g1 2
2
0
aI Sa e
a V0 VL cos L t
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国家标准《微波混合集成电路合成频率源》(征求意见稿)编制说明
1工作简况
1.1任务来源
本项目是国家质量基础（NQI）项目中的一项。
本国家标准的制定任务已列入2018年国家标准制修订项目，项目名称为《微波混合集成电路合成频率源》，项目编号为：20192058-T-339。
本标准由中国电子科技集团公司第十三研究所负责组织制定，标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会（TC78/SC2）。
1.2主要工作过程
接到编制任务，项目牵头单位中国电子科技集团公司第十三研究所成立了标准编制组。
中国电子技术标准化研究院等相关单位参与标准编制工作。
编制组落实了各单位职责，并制定编制计划。
编制组查找了国际、国内集成电路相关标准，认真研究了现行混合集成电路标准体系和相关标准技术内容，在此基础上形成了标准征求意见稿。
2标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题
2.1本标准制定原则
本标准遵循“科学性、实用性、统一性、规范性”的原则进行编制，依据GB/T 1.1-2009规则起草，确立了标准范围、规范性引用文件、术语和定义、分类、技术要求、电特性测试方法、检验规则、标志、定货信息、交货准备等一系列合成频率源的技术指标。
2.2标准的主要内容与依据
2.2.1本标准的定位
目前我国混合集成电路相关标准主要有GB/T 8976-1996《膜集成电路和混合膜集成电路总规范》、GB/T 11498-2018 《半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）》、GB/T 13062-2018 《半导体器件集成电路第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）》等。
从目前微波混合集成电路合成频率源的技术发展来看，还未有相关合成源的相关规范，只有相关测试要求，如：GB/T 35002-2018《微波电路频率源测试方法》。
本标准给出了合成频率源的指标体系，并规定产品分类、检验规则、参数测试方法、标志、包装、贮存、运输等要求，可作为合成频率源一类产品的空白详细规范使用。
下面对标准技术内容详细说明。
2.2.2术语和定义
常规术语引用GB/T 9178《集成电路术语》确立的定义。
2.2.3分类
合成频率源根据合成技术的不同主要分为三种：直接合成频率源、锁相式频率源、直接数字频率合成频率源。
2.2.4技术要求
对合成频率源的电特性、封装特性、其他特性指标进行了详细规定，其中电特性包括静态特性、动态特性、功能特性；封装特性包括外形图、热阻、耐焊接热、回流焊曲线等；其他特性包括工作温度范围、贮存温度范围、输入或输出电路功能框图、ESD、绝对最大额定值和推荐工作条件，用于指导编制详细规范。
2.2.5电特性测试方法
关于测试方法，目前主要依据GB/T 35002-2018 《微波电路频率源测试方法》。
2.2.6检验规则
检验规则按照GB/T 11498-2018 《半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）》的鉴定批准和质量一致性检验进行。
2.2.7交货准备
规定了包装、运输、装卸和贮存的要求。
3主要试验（或验证）情况分析
无。
4知识产权说明
无。
5采用国际标准和国外先进标准情况
编制组查找了相关国际标准，我国集成电路、半导体器件的标准体系是按照IEC TC47（半导体器件）、SC47A（集成电路）建立的，分为总规范、分规范、空白详细规范三个层次：
IEC748-20/QC763000(1988) 膜集成电路和混合膜集成电路总规范(idt GB/T 8976-1996 ) IEC 60748-21-1:1997半导体器件集成电路第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）(idt GB/T 13062-2018)
IEC 60748-21:1997半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）(idt GB/T 11498-2018)
上述3项标准都在上世纪90年代初制定，至今已有近30年的时间，IEC TC47和SC47A已经多次确认上述的标准的适用性，不少国家已表示不再使用该系列标准。
目前我国仍使用上述三项标准，但技术内容已陈旧落后需要更新技术内容。
本标准在制定过程中参考了上述三项标准的部分技术内容，并进行了部分技术内容的更新。
6与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性
本标准不违反现行的法律、法规和规章。
与GB/T 8976-1996 《膜集成电路和混合膜集成电路总规范》、GB/T 13062-2018 《半导体器件集成电路第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范（采用鉴定批准程序）》、GB/T 11498-2018《半导体器件集成电路第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范（采用鉴定批准程序）》协调一致，本标准可以作为目前国家标准体系的补充，健全现有的标准体系。
7重大分歧意见的处理经过和依据
无。
8标准性质的建议
本国家标准属于基础性标准，建议本标准草案通过审查后作为推荐性国家标准发布。
9贯彻标准的要求和措施建议
无。
10替代或废止现行相关标准的建议
无。
11其他应予说明的事项
无。