高密度等离子体ICP-180刻蚀总结
等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究
等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究第38卷第5期2021年5月西安交通大学学报JOU RNAL OF XI c AN JIAOT ON G U N IVERSIT YVol. 38 l 5M ay 2021等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究陈晓南, 杨培林, 庞宣明, 袁丛清(西安交通大学机械工程学院, 710049, 西安)摘要:用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP) 的干法刻蚀过程中, 工艺参数对刻蚀速率的影响. 研究结果表明, 刻蚀速率随SF 6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大, 但当SF 6气体流量、自偏压达到一定值后, 刻蚀速率开始降低. 实验中对工艺参数进行了优化, 在射频功率为500W 、自偏压为150V 、流量为50cm 3/s, 以及SiO 2和Si 3N 4的选择比为15的条件下, 硅的刻蚀速率达到了0180L m/m in. 关键词:感应耦合等离子体; 干法刻蚀; 硅中图分类号:T P205 文献标识码:A 文章编号:0253-987X(2021) 05-0546-02Influence of Process Parameters on the Etching Rate in InductivelyCoupled Plasma EtcherChen Xiaonan , Yang Peilin, Pang X uanm ing , Yuan Congqing(School of M echanical Engi n eering, Xi c an Jiaotong Universi ty, Xi c an 710049, China)利用等离子体(IPC) 可对硅进行快速的刻蚀, 但是其工艺参数对刻蚀结果[1]的影响很大. 本文在国产ICP-2B 型刻蚀机上以SF 6作为刻蚀气体进行了单晶硅的刻蚀实验. 刻蚀机的主要性能参数:极限真空度为6Pa, 电极尺寸为实验主要研究了操作工艺参数射频功率P 、极板功率P j 、自偏压U z 和气体流量q 等对刻蚀速率S k 的影响. 实验样片为N 型7612m m 双面抛光的硅片(晶向31004) , 电阻率为10~208#cm . 实验是在反应室压力为110Pa 、室温为20e 的环境下进行的. 每次刻蚀的时间均为10m in . 刻蚀深度通过台阶仪测出, 平均刻蚀速率为刻蚀深度除以刻蚀时间. 操作的方式为:¹当P 为500W , SF 6的q 分别为15、30、50和80cm /s , 以及U z 分别为40、80、150和250V 时, 得到S k 与SF 6的q 和U z 的关系曲线; º在反应室压力、温度固定不变的情况下, 设SF 6的q 为50cm /s , U z 为150cm /s , P 分别为300、500和700W 时, 得到Sk 与P 的关系曲线.2 实验结果分析2. 1 U z 与P j 的关系U z 是刻蚀工艺参数综合作用的结果. 在一般情况下, 反应室气压、P 和P j 都会影响U z , 从而对刻蚀过程产生影响. 在P =500W , SF 6的q 分别为15、30、50和80cm3/s 时, U z 与P j 的关系如图1所示. 由图1可见, U z 与P j 成正比关系, 而q 对U z 的影响不大, 可以忽略. 由于U z 的产生原因是由等离子体中离子与电子的巨大速度差异所致, 而在P 和反应室压力不变的情况下, 等离子体中离子和电子的数量基本是不变的, 所以改变q 不会对U z 产生影响.2. 2 U z 对S k 的影响由于U z 与P j 具有线性关系, 因此P j 对S k 的影响与U z 对S k 的影响是相同的, 两者可任选其一, 这里选择后者作为讨论对象. 在上述工艺参数下, S k 与U z 的关系如图2所示. 由图2可见, 在不同的q收稿日期:2021-07-15. 作者简介:陈晓南(1955~) , 男, 副教授. 基金项目:陕西省自然科学研究基金资助项目(2002E 07).第5期陈晓南, 等:等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究547下, S k 开始是随着U z 的增大而增大, 但U z 达到一定值后, S k 不再增加反而有所下降, 其原因是U z 增大时, 离子获得了较大的加速度, 由于轰击能量的增加, 因此对硅片曲解离子轰击的S k 也就提高了. 显然, 总体S k 较高, U z 过大, 即P j 过大, 会导致等离子体中离子壳层的厚度增大, 进而影响离子入射到硅片方向上的一致性. 这种由离子入射角产生的分散性使S k 降低, 尽管离子的轰击能量还在增加, 但总体的S k却发生了下降. 2. 3 q 对S k 的影响在P 为500W 、U z 分别为40、80、150和250V 时, S k 与SF 6的q 的关系如图3所示. 由图3可以看出, 在不同的U z 下, S k 开始随着SF 6的q 的增加而增大, 当达到最大值后, 却开始随着q 的增加而降低, 这是因为当q 刚开始增大时, 反应活性原子F 的自由基更新快, 且反应生成物SiF 4重新沉积的机会减少, 因此S k 会提高. 但是, 当q 过大时, 反应室中F 的自由基驻留时间短, 许多还没来得及参与反应就被真空泵抽走了, 因而导致了S k 的降低. 2. 4 P 对S k 的影响当U z 设定为150V 、SF 6的q 为50cm 3/s 时, S k 与P 的关系曲线如图4所示. 由图4可见, S k 随着P 的增大而增大, 这是因为P 越大, 产生的等离子体密度就越大, 那么会有更多的离子和F 的自由基用于刻蚀, 使S k 自然增大. 但是, 当P 增大时,图4 S k 与P 的关系图3 S k 与q 的关系曲线导致离子壳层的厚度增加, 使离子入射方向的一致性降低, 因此对S k 产生影响, 使S k 增大的趋势缓慢下来.2. 5 优化工艺参数由于检测手段的限制, 所以仅进行了简单的优化. 如果确定S k 为优化目标时, 其优化工艺参数为P =500V , U z =150V , q =50cm /s . 将SiO 2、Si 3N 4的选择比定为15, 则硅的S k 可达到0180L m/min.(1) 由以上讨论可知, 当反应室的压力、温度一定时, U z 、SF 6的q 和P 对S k 均有较大的影响. (2) 由于对硅的刻蚀是以SiO 2、Si 3N 4作掩蔽层, 因此在确定优化工艺参数时, 需要同时考虑对SiO 2、Si 3N 4的选择比. 又因为SiO 2、Si 3N 4的刻蚀主要是以离子轰击为主的刻蚀, 而硅主要是F 的化学图1 U z 与P j刻蚀, 因此在刻蚀工艺参数中, U z 不宜过大. 参考文献:[1] Chen K S, A y n Arturo A , Zhang X in, et al. Effect ofprocess par ameters o n the surface morphology and me -chanical perfo rmance of silicon structur es after deep reac -tive io n etching (DR IE)[J ].Jour nal of M icro -Elec -tromechanical Systems, 2002, 11(3) :264~274.。
ICP刻蚀简析解析
射频电源 真空室
插板阀 开关
电控柜
电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理
包括两套通过自动匹配网络控
制的13.56MHz射频电源 一套连接缠绕在腔室外的螺线 圈，使线圈产生感应耦合的电 场，在电场作用下，刻蚀气体 辉光放电产生高密度等离子体。 功率的大小直接影响等离子体 的电离率，从而影响等离子体 的密度。
4）、反应气体的选择和配比。
刻蚀注意事项
刻蚀前的准备要点 操作者必须仔细认真阅读操作说明，并明确每个部件在刻蚀 系统中的作用 检查水、电、气是否接好，并打开电源，冷却循环水，及压 缩空气
若工作室处于真空，须先放气然后再放入刻蚀样品。 进入真空室系统的样品，要求外部干净，尤其防止将水和液 体带入系统，放好样品后，即可开始抽真空。刻蚀过程中密 切关注系统运行状况，记录实验数据。
Anisotropic etch profile is possible Chemical consumption is small Disposal of reaction products less costly Suitable for automation, single wafer, cassette to cassette • Disadvantages: Complex equipment, RF, gas metering, vacuum, instrumentation Selectivity can be poor Residues left on wafer
之间刻蚀能力的参数。
U(%) = ( Emax – Emin ) / ( Emax+ Emin)
刻蚀剖面 被刻蚀图形的侧壁形状
各向异性：刻蚀只在垂直
于晶片表面的方向进行
高密度等离子体ICP-180刻蚀总结
1.16 Etch 54.2 68 BF AF Etch 47.8 68 BF AF Etch 43.3 43 BF AF Etch 40.4 43 BF AF Etch 39.9 46 BF AF Etch BF AF Etch 39.9 46 BF AF Etch 40.4 43 BF AF Etch 41.6 35 BF AF Etch 39.3 33 BF AF Etch 39.3 33 BF AF Etch 39.2 40 BF AF Etch 5117 4995 5072 5185 5018 508 1.87% 643 1556 358 1198 1972 845 1127 2652 1958 694 893 364 529 2803 1250 1553 659 1360 26 1334 1971 765 1206 2479 1938 541 833 493 340 2459 910 1549 632 1513 250 1263 1989 838 1151 2619 1991 628 897 442 455 2535 1027 1508 638 1499 261 1238 1989 837 1152 2634 1946 688 901 394 507 2733 1185 1548 PR 22187 22069 21242 21767 21542 20979 21106 20238 20689 20487 1208 2803 1250 1553 1049 274 775 1958 980 978 845 27 818 1126 326 800 963 2459 910 1549 1048 321 727 1938 954 984 765 18.7 746.3 1063 318 745 1004 2535 1027 1508 1059 306 753 1991 1044 947 838 95 743 1120 347 773 1078 2733 1185 1548 1050 293 757 1946 935 1011 837 55 782 1126 333 793 1055 2701 1167 1534 1051 276 775 2007 1010 997 859 72 787 1143 343 800 1564 3.52% 1551 4.84% 1967 3.25% 1.27 1515 3.17% SR= SiO2/SiNx 3077 1.46% 2.03 2123 ##### SR= SiO2/SiN 1.45 636 1591 382 1209 1986 859 1127 2692 2007 685 913 388 525 2701 1167 1534 3077 1.46% 942 ##### SR= SiO2/PR 1294 ##### 1.37 2305 3.43% SR= SiO2/SiNx 2497 5.45% 1.08 1540 2.10% SR= SiO2/SiNx
ICP刻蚀工艺要点讲解
ICP刻蚀工艺要点讲解ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀是一种常见的刻蚀技术，广泛应用于微电子器件制造中。
以下是对ICP刻蚀工艺要点的详细讲解，供参考。
1.ICP刻蚀原理：ICP刻蚀是利用高频激励电源产生电磁场，在反应室中形成等离子体，将基片表面产生化学反应的活性物质以离子的形式输送到基片表面，从而实现对基片表面进行刻蚀的过程。
ICP刻蚀的等离子体源通常采用偏压感应耦合状的圆锥状电极结构，通过加载高频电场，在反应室中形成高密度等离子体。
2.ICP刻蚀设备：ICP刻蚀设备由等离子体源、反应室和抽气系统等组成。
等离子体源通常采用二次加热结构，通过绕组在等离子体源周围产生交变磁场，从而使等离子体得以加热。
反应室主要是一个真空室，用于容纳等离子体和基片。
抽气系统则用于维持反应室的真空度。
3.ICP刻蚀气体选择：ICP刻蚀的气体选择是关键的一步。
常见的气体有氧气（O2）、氟化物（SF6、CF4等）和氯化物（Cl2等）。
不同气体具有不同的化学反应性质，可以实现对不同材料的刻蚀。
例如，氧气常用于氧化层的刻蚀，氟化物常用于硅基材料的刻蚀，而氯化物则常用于金属层的刻蚀。
4.ICP刻蚀参数调节：ICP刻蚀参数的调节对刻蚀结果具有重要影响。
主要参数包括功率、气体流量、工作压力和刻蚀时间等。
功率的大小决定了等离子体的密度，气体流量决定了刻蚀速率，工作压力则决定了气体的密度。
刻蚀时间取决于所需的刻蚀深度。
5.ICP刻蚀模板设计：6.ICP刻蚀优点：ICP刻蚀具有许多优点。
首先，ICP刻蚀具有较高的刻蚀速率，可用于制备较深的结构。
其次，ICP刻蚀能够实现较高的刻蚀选择比，能够实现高精度的刻蚀。
再次，ICP刻蚀对基片的损伤较小，能够保持较好的表面质量。
此外，ICP刻蚀工艺在刻蚀金属、绝缘体和半导体等材料时均具有良好的适应性。
7.ICP刻蚀应用：总结：ICP刻蚀是一种常见的微纳米加工技术，具有高刻蚀速率、高刻蚀选择比、低基片损伤等优点。
6H_SiC体材料ICP刻蚀技术
6H SiC体材料ICP刻蚀技术丁瑞雪,杨银堂,韩 茹(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071)摘要:采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。
分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。
结果表明,2 m以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。
刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10nm深度的部分。
关键词:碳化硅;感应耦合等离子体;刻蚀速率;XPS中图分类号:O484;T N305.7 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2008)增刊-0280-04 Inductively Coupled Plasma Etching of Single Crystal6H SiCDing Ruix ue,Yang Yintang,H an Ru(K ey L abor ator y of M inistr y of Education f or Wide Band Gap Semicond uctor M ater ials and D ev ices,X idian Univer sity,X i an710071,China)Abstract:Inductiv ely coupled plasma(ICP)etching of sing le cr ystal6H silicon carbide(SiC) w as investigated using ox ygen added sulfur hexafluo ride(SF6)plasmas.T he observed relatio ns betw een the etching rate and ICP co il pow er,differ ent bias vo ltag es w ere discussed.The inf luence o f above mentioned process conditio ns and photoresist patterning o n etching quality w ere also investig ated.Exper im ental results show that the results of photor esist patterning can signi ficantly affect the SiC etching shape.T he patter n g raph w hose etch width is m ore than2 m is clear.T he SiC etched depth is proportioned to the etching w idth,the narrow er the etching w idth,the deeper the etching depth.T he etching rate trends to increase w ith the increase of ICP coil pow er and bias voltage.T he XPS results indicate that the residue o f F ions after etching w ill rarely appear below etched surface10nm or deeper.Key words:SiC;etch rate;inductiv ely coupled plasma;XPSEEACC:2520M0 引 言SiC材料具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等优点,在制备高温、高频、大功率、抗辐射的半导体器件及紫外光电探测器等方面具有极其广泛的应用,被誉为前景十分广阔的第三代半导体材料[1]。
ICP刻蚀Si_PMMA选择比工艺研究
*I C P 刻蚀 S i / P MMA 选择比工艺研究虎 将，蔡长龙，刘卫国，巩燕龙( 西安工业大学光电微系统研究所，西安 710032)摘 要:为了将聚甲基丙烯酸甲酯( P MM A ) 上的图案等比例的转移到硅基材料上，对基于感应耦合等离子体技术( Inductivel y C oupled Plasma ，I C P ) 的 Si 和 P MM A 的刻蚀速率进行了研究。
结合 英国牛津仪器公司的 I C P 180 刻蚀系统，以 SF 6 和 O 2 混合气体为反应气体，研究了在其他参数相同的情况下，不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响，得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线，并得 出了对于 S i 和 P MM A 刻蚀速率相同时的气体比例。
实验发现，如果增加反应气体中 SF 6 的比重， 会加快 S i 的刻蚀速率而降低 P MM A 的刻蚀速率，反之，若降低 SF 6 的比重而增加 O 2 的比重，则会 相应降低 Si 的刻蚀速率而增加 P MM A 的刻蚀速率。
据此，通过调节反应气体的比例，实现对 Si 和 P MM A 的同速率去除。
关键词:等离子体刻蚀;S i / P MM A 选择比;图层转移 DOI 编码:10． 3969 / j ． issn ． 1002 － 2279． 2014． 01． 003中图分类号:O439;T N305． 7 文献标识码:A 文章编号:1002 － 2279(2014)01 － 0009 － 03Techn i c a l S tud y on S e l e c ti on Ｒa ti o o f S i / P MM A B ase d on IC P E t ch i ngHU Jiang ，C AI C hang － long ，L IU Wei － guo ，GONG Yan － long( M i cro － Op ti c － El ec t ro ni cs Sy s t e m s L a bor at or y ，Xi ’an T ec hn o l o gi c al U ni vers ity ，Xi ’an 710032，C hina )Ab st ract :In o rder t o trans f er the pattern f r o m P MM A t o silic o n － based m aterials w ith equal pr o p o rti o n ， the etchin g rate of S i and P M M A based o n inducti v el y c o upled plasm a (I C P ) is studie d ． Co m bined w ith the etchin g s y stem of B ritish O xfo rd instrum ents nam ed I C P 180，the m i x ed g as of S F 6 and O 2 ，as reacti o n g as ，areused t o research the etchin g rate e ff ects of the t w o m aterials b y di ff erent g as rati o under the sam eparam eters ．T he cur v e of etchin g rate chan g e ，w ith the rati o of g as ，and the g as rati o under the sam e etchin g rate are o btaine d ． T he e x perim ents sh ow that the etchin g rate of S i w ill increase ，i f the pr o p o rti o n of S F 6 is increased ， and the etchin g rate of P M M A w ill decrease ． A nd v ice v ersa ，i f the pr o p o rti o n of S F 6 is reduced and the pr o p o r ti o no f O 2 is increased ，the e tchin g r ate o f S i w ill be d ecreased a nd t he e tchin g r ate o f P MM A w ill be increase d ． A cc o rdin g l y ，the sam e etchin g rate of S i and P MM A is o btained b y adjustin g the reacti o n g as rati o ．K ey word s :Plasma etching ;S i / P MM A rati o ;Pattern trans f er一个非常有意义的课题。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺ICP刻蚀工艺是一种常用于半导体制造中的重要工艺，用于在硅片表面精确刻蚀出所需的结构和图案。
本文将介绍ICP刻蚀工艺的原理、特点以及应用。
一、ICP刻蚀工艺的原理ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀工艺是利用高频电场和磁场耦合的等离子体来进行刻蚀的一种方法。
其原理是通过在真空室中建立等离子体，使得气体分子被激发成等离子体，然后利用等离子体中的离子和中性粒子对硅片表面进行刻蚀。
ICP刻蚀工艺主要包括四个步骤：气体注入、等离子体激发、离子轰击和副产物排除。
首先，将所需的刻蚀气体注入真空室中，通常使用的刻蚀气体有氟化物和氯化物等；接着，通过高频电场和磁场的耦合作用，激发气体分子成为等离子体；然后，利用等离子体中的离子对硅片表面进行轰击，使其发生化学反应并刻蚀；最后，通过真空泵将副产物排除，保持真空室的清洁。
二、ICP刻蚀工艺的特点1. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺由于利用了高能离子轰击硅片表面，因此具有较高的刻蚀速率，可在短时间内完成较深的刻蚀。
2. 高刻蚀选择性：ICP刻蚀工艺可根据所使用的刻蚀气体的不同，实现对不同材料的选择性刻蚀。
这对于多层结构的刻蚀非常重要。
3. 高刻蚀均匀性：ICP刻蚀工艺利用等离子体对硅片表面进行刻蚀，其刻蚀均匀性较好，可以得到较为平坦的表面。
4. 低表面粗糙度：由于ICP刻蚀工艺对硅片表面的刻蚀是通过离子轰击实现的，因此其表面粗糙度较低。
5. 环境友好：ICP刻蚀工艺不需要使用有机溶剂等对环境有害的化学物质，对环境的影响较小。
三、ICP刻蚀工艺的应用ICP刻蚀工艺广泛应用于半导体制造中的多个领域，如集成电路、光学器件、微机电系统等。
在集成电路制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀金属线、多晶硅、氮化硅等材料，用于制作电路的导线、晶体管等结构。
在光学器件制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀光波导、光栅等结构，用于制作光通信器件、光传感器等。
在微机电系统制造中，ICP刻蚀工艺可用于刻蚀微结构、微通道等，用于制作微流体芯片、压力传感器等。
半导体刻蚀工艺技术——ICP.
半导体刻蚀工艺技术——ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductively coupled plasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。
阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。
由于ICP技术在加工过程中可控性高，具有越来越重要的地位。
以在硅基MEMS器件的ICP刻蚀为例，详细的介绍了在硅基MEMS制作过程中ICP刻蚀的反应过程，说明了在ICP刻蚀过程中如何实现控制加工深度和角度。
据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ一V族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。
关键词：ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体Process technology of semiconductor etching——ICPLIU Zhi Wei（Xi'an Electronic and Science University, School of Microelectronics.1411122908）Abstract：ICP technology is one of the commonly used in micro nano processing technology，This paper simply introduces ICP etching technology (inductively coupled plasma) structure and the basic principles of etching equipment,To do a brief analysis on the ICP process involved in chemical, physical process.Describes the effects of ICP etching parameters on the etching results and the resultant dry etching. Because the ICP technology in the process of processing high controllability, plays a more and more important role. Using ICP etching in silicon MEMS device as an example, describes in detail in the reaction process of silicon based MEMS in the production process of ICP etching, explains how to realize the control of machining depth and angle in the ICP etching process. According to the development status and development trend at home and abroad in recent years of ICP technology, its application in optoelectronic devices and semiconductor oxide, III a group V compound as well as some brief introduction.Key words：ICP、etching, parameter, model, plasma1引言刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分,微电子学的快速发展推动其不断向前。
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APC DC Bias (deg) 40.8 (V) 56 BF AF Etch BF AF Etch 42.2 53 BF AF Etch 43.1 57 BF AF Etch 41.1 56 BF AF Etch 42.2 33 BF AF Etch 41.1 33 BF AF Etch 31 74 BF AF Etch 29.5 70 BF AF Etch 40.4 4.6 BF AF Etch 40.4 4.6 BF AF Etch 41 5 BF AF Etch 39.6 5 BF AF Etch 30.9 57 BF 9993 4025 1098 2927 1067 243 823.6 4030 1600 2430 1063 408 655 4014 1215 2799 1069 219 850 4027 3298 729.4 1061 484.3 576.6 3298 2839 458.3 484.3 209.3 275 1342 T 7046 2796 4250
Etch Depth / (A) C 6895 2450 4445 B 6814 2524 4290 L 7000 2720 4280 R 6965 2689 4277
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2500
50
0.5
10
4.5
9-Jul-13
17-2
▓
▓
4
1
15
2500
50
0.5
10
4.5
3-Sep-13
22
▓
▓
4
5
50
2500
50
0.5
1
100
2500
50
0.5
10
4.3
4-Sep-13
25-2
▓
▓
4
1
100
2500
50
0.5
10
4.6
bare SiN same with run25
4-Sep-13
26
▓
▓
4 run25 higher RF
1
150
2500
50
0.5
10
4.1
4-Sep-13
26-2
▓
▓
4
1
150
2500
50
0.5
2872
2.26% 1.32
PR 26263 26035 25538 25903 26321 22965 22944 22444 22675 22713 3298 3091 3094 3228 3608 2176 SiO2/Si 9526 4030 1043 2987 1063 248 815 4065 1642 2423 1058 422 636 4003 1033 2970 1075 225 850 3910 3226 684 1069 529.7 539.5 3226 2942 284.4 529.7 478.9 50.8 1496 10020 4110 1113 2997 1071 256 815.3 4107 1698 2409 1069 424 645 4043 1163 2880 1079 237 842 3844 3159 685.2 1082 520.5 561 3159 2763 396.5 520.5 325.5 195 1482 9992 4080 1084 2996 1079 249 829.9 4070 1620 2450 1076 413 663 4026 1155 2871 1086 227 859 3978 3268 709.3 1075 492.9 582.2 3268 2823 445.3 492.9 294.7 198.2 1390 9885 4092 1153 2939 1074 250 823.7 4088 1663 2425 1073 420 653 4045 1235 2810 1079 236 843 3984 3287 696.9 1073 513.7 559.6 3287 2861 426.4 513.7 340 173.7 1390 357 ##### SR= SiO2/SiNx 804 ##### 2.25 1128 3.79% SR= SiO2/SiNx 1402 3.24% 1.24 0.4 N 1698 1.00% SR= SiO2/SiNx 0.4 N 1911 2.98% 1.13 0.5 N 1301 2.08% SR= SiO2/SiNx 0.5 N 1618 0.84% 1.24 0.5 N 1643 0.91% SR= SiO2/SiNx 0.5 N 1979 1.19% 1.20 0.5 N 988 2.50% 2.91 0.4 N
6-Sep-13
31
▓
▓
4
1
50
2500
50
0.5
10
4.3
pattern wafer same with run24
4-Sep-13
24-2
▓
▓
4
1
50
2500
50
0.5
10
4.3
bare SiN same with run24
6-Sep-13
32
▓
▓
4 run30 higher RF
1
40
2500
1.16 Etch 54.2 68 BF AF Etch 47.8 68 BF AF Etch 43.3 43 BF AF Etch 40.4 43 BF AF Etch 39.9 46 BF AF Etch BF AF Etch 39.9 46 BF AF Etch 40.4 43 BF AF Etch 41.6 35 BF AF Etch 39.3 33 BF AF Etch 39.3 33 BF AF Etch 39.2 40 BF AF Etch 5117 4995 5072 5185 5018 508 1.87% 643 1556 358 1198 1972 845 1127 2652 1958 694 893 364 529 2803 1250 1553 659 1360 26 1334 1971 765 1206 2479 1938 541 833 493 340 2459 910 1549 632 1513 250 1263 1989 838 1151 2619 1991 628 897 442 455 2535 1027 1508 638 1499 261 1238 1989 837 1152 2634 1946 688 901 394 507 2733 1185 1548 PR 22187 22069 21242 21767 21542 20979 21106 20238 20689 20487 1208 2803 1250 1553 1049 274 775 1958 980 978 845 27 818 1126 326 800 963 2459 910 1549 1048 321 727 1938 954 984 765 18.7 746.3 1063 318 745 1004 2535 1027 1508 1059 306 753 1991 1044 947 838 95 743 1120 347 773 1078 2733 1185 1548 1050 293 757 1946 935 1011 837 55 782 1126 333 793 1055 2701 1167 1534 1051 276 775 2007 1010 997 859 72 787 1143 343 800 1564 3.52% 1551 4.84% 1967 3.25% 1.27 1515 3.17% SR= SiO2/SiNx 3077 1.46% 2.03 2123 ##### SR= SiO2/SiN 1.45 636 1591 382 1209 1986 859 1127 2692 2007 685 913 388 525 2701 1167 1534 3077 1.46% 942 ##### SR= SiO2/PR 1294 ##### 1.37 2305 3.43% SR= SiO2/SiNx 2497 5.45% 1.08 1540 2.10% SR= SiO2/SiNx