高密度等离子体化学气相淀积工艺简介
CVD工艺介绍
-----CVD入门介绍
CISEMI 周华强 2012/07/25
目录
1: CVD概念和特点 2：几种CVD类型、原理及特性 3：薄膜CVD膜和扩散CVD膜的区别 4: 薄膜区其它工艺介绍 5：薄膜各种膜及各膜在IC的作用 6：薄膜常见异常
1： CVD的概念、特点
1.1 CVD的概念：
一般而言，淀积的二氧化硅同热生长二氧化硅相比，密度较低，硅与氧数量之比与热生 长SiO2也存在轻微的差别，因而薄膜的力学和电学特性也就有所不同．高温淀积或者在淀积 之后进行高温退火，都可以使CVD二氧化硅薄膜的特性接近于热生长SiO2的特性.
3.2 LPCVD和PECVD SiO2膜的区别
（1）APCVD(400℃，P=760Torr)：SiH4+O2 a. dep rate<2000A/min b. coverage:50-60%
段。
2.4 低压化学气相淀积系统
晶圆装载 门
压力计
晶圆
加热线圈
制程气体入口 温度
晶舟 中心区
均温区
至真空pump 石英管 距离
2.5 等离子增强型化学气相淀积(PECVD)
PECVD的特性：
• 相对低温，有高的淀积速率. • 较低的压力下离子有较长的平均自由路径，会提高淀积速
率
• Plasma的离子轰击能够去除表面杂质，增强黏附性 • 射频RF可以控制淀积薄膜的应力 • 反应室可用Plasma清洗.
上面讲了 PECVD和LPCVD的区别；
Any Questions
下面我进入薄膜区，来介绍 薄膜区其它工艺介绍
1：SACVD 2: SOG 3: CMP 4: WCVD
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等离子体化学气相沉积技术
等离子体化学气相沉积技术newmaker1．技术内容及技术关键等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。
它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。
由于粒子间的碰撞，产生剧烈的气体电离，使反应气体受到活化。
同时发生阴极溅射效应，为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。
因而整个沉积过程与仅有热激活的过程有显著不同。
这两方面的作用，在提高涂层结合力，降低沉积温度，加快反应速度诸方面都创造了有利条件。
等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。
随着频率的增加，等离子体强化CVD过程的作用越明显，形成化合物的温度越低。
PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。
气源需用气体净化器除去水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送入沉积室，在一定温度和等离子体激活等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。
所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。
PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。
微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。
宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输入功率、电流密度、离子温度等。
以上这些参数都是相互联系、相互影响的。
1.直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。
直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其形状、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极附近压降最大，电场强度最高，正因为有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。
等离子体增强化学气相沉积综述
等离子体增强化学气相沉积(P E C V D)综述(总8页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--等离子体增强化学气相沉积（PECVD）综述摘要：本文综述了现今利用等离子体技术增强化学气相沉积（CVD）制备薄膜的原理、工艺设备现状和发展。
关键词：等离子体；化学气相沉积；薄膜；一、等离子体概论——基本概念、性质和产生物质存在的状态都是与一定数值的结合能相对应。
通常把固态称为第一态，当分子的平均动能超过分子在晶体中的结合能时，晶体结构就被破坏而转化成液体(第二态)或直接转化为气体(第三态)；当液体中分子平均动能超过范德华力键结合能时，第二态就转化为第三态；气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种集合体形态，从而形成了物质第四态——等离子体。
只要绝对温度不为零，任何气体中总存在有少量的分子和原子电离，并非任何的电离气体都是等离子体。
严格地说，只有当带电粒子密度足够大，能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时，带电粒子才会对体系性质产生显著的影响，换言之，这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。
此外，等离子体的存在还有空间和时间限度，如果电离气体的空间尺度L下限不满足等离子体存在的L>>l D（德拜长度l D）的条件，或者电离气体的存在的时间下限不满足t>>t p （等离子体的振荡周期t p）条件，这样的电离气体都不能算作等离子体。
在组成上等离子体是带电粒子和中性粒子（原子、分子、微粒等）的集合体，是一种导电流体，等离子体的运动会受到电磁场的影响和支配。
其性质宏观上呈现准中性（quasineutrality ），即其正负粒子数目基本相当，系统宏观呈中性，但是在小尺度上则体现电磁性；其次，具有集体效应，即等离子体中的带电粒子之间存在库仑力。
体内运动的粒子产生磁场，会对系统内的其他粒子产生影响。
高密度等离子体化学气相淀积工艺简介
高密度等离子体化学气相淀积工艺简介随着半导体技术的飞速发展，半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离（STI)，金属前绝缘层（PMD），金属层间绝缘层（IMD）等等。
本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力，稳定的淀积质量，可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。
图1所示即为在超大规模集成电路中HDP CVD工艺的典型应用。
HDP CVD的工艺原理在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。
这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，用单步PE CVD工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断(pinch-off)和空洞(图2)。
为了解决这一难题，淀积-刻蚀-淀积工艺被用以填充0.5微米至0.8微米的间隙,也就是说，在初始淀积完成部分填孔尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙入口，之后再次淀积以完成对整个间隙的填充（图3）。
显而易见，为了填充越小的间隙,越来越多的工艺循环需要被执行,在不断降低产量的同时也显著增加了芯片成本，而且由于本身工艺的局限性，即便采用循环工艺，PE CVD对于小于0.5微米的间隙还是无能为力.其他一些传统CVD 工艺,如常压CVD(APCVD)和亚常压CVD(SACVD)虽然可以提供对小至0.25微米的间隙的无孔填充,但这些缺乏等离子体辅助淀积产生的膜会依赖下层表面而显示出不同的淀积特性，另外还有低密度和吸潮性等缺点，需要PE CVD增加上保护层和下保护层，或者进行后淀积处理(如退火回流等)。
pcvd微波等离子体化学气相沉积法光纤工艺
pcvd微波等离子体化学气相沉积法光纤工艺光纤作为一种基础光学元件，在通信、传感和高功率激光等领域具有广泛的应用。
而pcvd微波等离子体化学气相沉积法则是一种常用的制备光纤的工艺方法。
本文将详细介绍该工艺的原理、步骤和应用。
pcvd微波等离子体化学气相沉积法是利用微波等离子体化学技术在光纤预制体的表面上沉积纤维材料。
通过微波激发和化学反应，使气态的前驱体将所需的材料沉积在光纤预制体上形成光纤。
（1）预处理：将光纤预制体进行清洗和表面处理，以保证沉积物与预制体的结合力和质量。
（2）制备反应气体：准备所需的前驱体和气体混合物，控制其流量和浓度。
（3）沉积过程：将预制体放置于沉积室中，在微波等离子体的作用下，前驱体与气体混合物在预制体表面反应沉积，形成光纤。
（4）后处理：对制备好的光纤进行切割、抛磨和焊接等加工处理，以得到符合要求的光纤。
pcvd微波等离子体化学气相沉积法制备的光纤具有优良的性能，广泛应用于光通信、光传感、激光器和光纤传输等领域。
其特点包括低损耗、高强度、宽带宽、低色散等，能够满足不同领域的需求。
总结起来，pcvd微波等离子体化学气相沉积法是一种重要的光纤制备工艺，通过微波激发和化学反应，可以在光纤预制体上沉积所需的光纤材料。
其步骤包括预处理、制备反应气体、沉积过程和后处理。
由于其优良的性能，pcvd微波等离子体化学气相沉积法制备的光纤在通信、传感和激光等领域有着广泛的应用前景。
等离子增强化学气相沉积法
等离子增强化学气相沉积法引言等离子增强化学气相沉积法（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD）是一种常用的薄膜制备技术，通过在气相中引入等离子体来增强沉积过程，以提高薄膜的质量和性能。
本文将对PECVD的原理、应用和发展进行全面详细的介绍。
1. 原理PECVD是一种在低压下进行的化学气相沉积技术，其基本原理是利用等离子体对气相中的前驱物进行激活，使其发生化学反应，并在基底表面形成薄膜。
PECVD过程中，气体在电场作用下形成等离子体，激发气体中的原子和分子，使其具有较高的能量，使其更容易反应。
PECVD的原理可以通过以下步骤进行描述：1.前驱物供应：将适当的前驱物气体引入反应室中。
2.等离子体激发：通过加入电场或射频电源，在反应室中形成等离子体。
3.化学反应：等离子体中的高能粒子与前驱物发生碰撞，激活并分解前驱物，使其发生化学反应。
4.沉积薄膜：反应生成的物种在基底表面沉积形成薄膜。
2. 应用PECVD广泛应用于半导体、光电子器件和薄膜涂层等领域。
以下是PECVD在不同领域的应用示例：2.1 半导体制备PECVD可以用于制备半导体薄膜，如多晶硅、非晶硅和氮化硅等。
这些薄膜广泛应用于太阳能电池、平板显示器和集成电路等器件中。
2.2 光学涂层PECVD可以用于制备光学涂层，如抗反射膜、光学滤波器和光学增透膜等。
这些涂层可以提高光学器件的性能和稳定性。
2.3 保护涂层PECVD可以用于制备保护涂层，如氮化硅和二氧化硅等。
这些涂层可以提高器件的耐热性、耐腐蚀性和机械强度。
2.4 生物医学应用PECVD可以用于制备生物医学材料，如生物陶瓷和生物可降解聚合物等。
这些材料可以用于人工骨骼、人工关节和组织工程等领域。
3. 发展趋势随着科学技术的不断发展，PECVD技术也在不断改进和创新。
以下是PECVD的发展趋势：3.1 高效能源材料随着能源需求的增加，对高效能源材料的需求也越来越大。
8-等离子体化学气相沉积
当前对金刚石膜的研究方向：
➢ 生长机制问题； ➢ 成核控制、掺杂和缺陷的控制； ➢ 应用方面：
• 提高生长速率 • 增强膜与基片间的附着力 • 开发更低温度下的合成法
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金刚石薄膜产品
山东科技大学
小结
PCVD的技术特点？ PCVD装置的主要构成 PCVD膜的技术评价有哪些？ 分析PCVD膜的主要工业应用及应用前景。
TiN薄膜
金刚石薄膜微观形貌
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5.2 非晶硅及太阳能电池
非晶硅作为光电转换材料的优点：
➢ 光能隙接近于获得最大理论转换效率的数值； ➢ 光吸收系数比单晶硅约大3~6倍； ➢ 光谱灵敏度与太阳光匹配良好。
PCVD工艺条件：
➢ 反应气体SiH4，气体流量20-30ml/min，气压10-100Pa，衬底 温度200-300 ℃，放电功率4W（电极直径150mm）。
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5.3 PCVD低压合成金刚石
金刚石：
➢ 特点：硬度大，热导率特别高，常温下为铜热导率 的5倍以上，热膨胀系数特别小，不到铜的1/7，电阻 率高，绝缘性好。
➢ 应用：轴承、切削刀具、磨料磨具、录像磁盘用针、 立体声唱针、集成电路宝石衬底、半导体激光元件 散热器、半导体材料等。
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➢ 设备为多室闸锁式装置，通过变换通入反应器的气体种类，就 能连续获得非晶硅太阳能电池的p i n多层结构。
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非晶硅薄膜太阳能电池板
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商品：
➢ 计算器、收音机、公园路灯、公共场所显示牌、海 岛灯、航标、边远地区电视机电源等。
发展：
➢ 工厂、学校、住宅电力供应——大规模发电用太阳 能电池阵列（太阳能发电站）。
化学汽相淀积
SiH4 (1%浓度)
反应室 Si
废气排出
2H2
加热
如果反应是在硅片上方的气体中发生的，称为 同质反应。 如果反应是在硅片表面处发生的，则称为 异质反应。在上图的 系统中，硅烷（SiH4）先通过同质反应产生气态的亚甲硅基 （ SiH2 ），然后亚甲硅基吸附在硅片表面通过异质反应生成
固体硅。一般不希望由同质反应直接生成固体硅。
CVD 过程中与淀积速率有关的两个主要步骤是 1、反应气体以扩散方式穿过滞流层到达硅片表面，并被 吸附于衬底表面。这称为质量输运过程。扩散流密度为
(Cg Cs ) dC J1 Dg Dg hg (Cg Cs ) dy Dg 式中， hg T a 称为 气相质量转移系数，a = 1.75 ~ 2。
射频源
阴极
阳极 工作气体
加热器
PECVD 的 优点 1、淀积温度低，通常为 300 ~ 350 oC ，特别适宜于在浅结 器件上和在金属布线上作钝化层之用； 2、所淀积的薄膜易于进行等离子体刻蚀； 3、所淀积的薄膜的针孔密度小，台阶覆盖性更好；
4、通过改变气流可以使薄膜组分由氧化物连续地变化到氮
化物，使技术上实现层叠及缓变薄膜成为可能。
于化学反应的薄膜淀积方法。以气体形式提供的反应物质， 在
热能、等离子体、紫外光等的作用下，在衬底表面经化学反应
（分解或合成）形成固体物质的淀积。
CVD 工艺的特点
1、CVD工艺的温度低，可减轻硅片的热形变，抑制缺陷 的生成，减轻杂质的再分布，适于制造浅结器件及 VLSI ；
2、薄膜的成分精确可控、配比范围大，重复性好；
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高密度等离子体化学气相淀积工艺简介
随着半导体技术的飞速发展，半导体器件特征尺寸的显著减小，相应地也对芯 片制造工艺提出了更高的要求，其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各 个薄膜层之间均匀无孔的填充以提供充分有效的隔离保护，包括浅槽隔离
（STI ），金属前绝缘层（PMD ，金属层间绝缘层（IMD ）等等。
本文所介绍的 高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD 工艺自20世纪90年代中期开始被先 进的芯片工厂采用以来，以其卓越的填孔能力，稳定的淀积质量，可靠的电学 特性等诸多优点而迅速成为 0.25微米以下先进工艺的主流。
图1所示即为在 超大规模集成电路中HDP CVDL 艺的典型应用。
PASSIVATION PECVD SIN
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Hi D 呻 Rot* 吒G 、 HDP-PSC^?S 4BCFC 刖一^ Th^nnoJ Ox-匚扌 CUP // 图1 HDP GVD 工艺在趙大規摟集成电路中的典型应用
HDP CVD 勺工艺原理
在HDP CVDE 艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相 沉积（PE CVD ）进行绝缘介质的填充。
这种工艺对于大于 0.8微米的间隙具有良 好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，用单步PE CVDT 艺填充具有高 的深宽比（定义为间隙的深度和宽度的比值）的间隙时会在其中部产生夹断 （pinch-off ） 和空洞（图 2）。
/ HDP USG Z CMP
f?]2PECVD工艺填孑l中产生的夹斯和空洞
为了解决这一难题，淀积-刻蚀-淀积工艺被用以填充0.5微
米至0.8微米的间隙，也就是说，在初始淀积完成部分填孔尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙入口，之后再次淀积以完成对整个间隙的填充（图 3 ）。
显而易见，为了填充越小的间隙，越来越多的工艺循环需要被执行，在不断降低产量的同时也显著增加了芯片成本，而且由于本身工艺的局限性，即便采用循环工艺，PE CVD寸于小于0.5微米的间隙还是无能为力.其他一些传统CVD 工艺，如常压CVD（APCVD）亚常压CVD（SACVD虽然可以提供对小至0.25微米的间隙的无孔填充，但这些缺乏等离子体辅助淀积产生的膜会依赖下层表面而显示出不同的淀积特性，另外还有低密度和吸潮性等缺点，需要PE CVD增加上保
护层和下保护层，或者进行后淀积处理（如退火回流等）。
这些工序的加入同样提高了生产成本，增加了整个工艺流程的步骤和复杂性。
HDPCVDX艺正是在探索如何同时满足对高深宽比间隙的填充和控制生产成本的过程中诞生的，它的突破创新之处就在于在同一个反应腔中同步地进行淀积和刻蚀的工艺（图4）。
具体来说，在常见的HDP CV制程中，淀积工艺通常是由SiH4和02的反应来实现，而蚀刻工艺通常是由Ar和Q的溅射来完成。
Deposition Sputtering HDP-CVD
图4HDPCVD工艺是淀积和刻蚀工艺的统休
HDP CVD勺反应腔及主要反应过程
图5是HDP CV反应腔的示意图.等离子体在低压下以高密度混合气体的形式直接接触到反应腔中硅片的表面。
为了形成高密度等离子体，需要有激发混合气体的RF源，并直接使高密度等离子体到达硅片表面.在HDP CV反应腔中, 主要是由电感耦合等离子体反应器（ICP）来产生并维持高密度的等离子体。
当射频电流通过线圈（coil）时会产生一个交流磁场，这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间变化的电场，如图6所示。
电感耦合型电场能加速电子并且能形成离子化碰撞。
由于感应电场的方向时回旋型的，因此电子也就往回旋方向加速，使得电子因回旋而能够运动很长的距离而不会碰到反应腔内壁或电极，这样就
能在低压状态（几个mT）下制造出高密度的等离子体。
Inductive C OUD II EI£：
096电感礪合尊离子反应ffi(ICP)X柞原理示竄闍
为了给反应腔中的高能离子定方向，淀积过程中RF偏压被施加于硅片上，推动高能离
子脱离等离子体而直接接触到硅片表面，同时偏压也用来控制离子的轰击能量。
在HDP CVD反应腔中，等离子体离子密度可达1011~1012/cm3(2~10mT)。
由于如此高的等离子体密
度加上硅片偏压产生的方向性，使HDP CVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙。
在HDP CVD反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度，然而HDP CVD工艺的重要应用之一-金属层间绝缘层(IMD)必须在400C低温下进行以避免损伤金属铝(铝的熔点是660C),另外，高的热负荷会引起硅片的热应力•对硅片温度的限制要求对硅
片进行降温，在HDP CVD反应腔中是由背面氦气冷却系统和静电卡盘共同在硅片和卡盘之间形成一个热传导通路，从而来降低硅片和卡盘的温度。
HDP CVD的反应包含两种或多种气体参与的化学反应•根据淀积的绝缘介质掺杂与否
及掺杂的种类，常见的有以下几种：
•USG (Un-doped Silicate Glass)SiH 4+o2+Ar 宀USG + volatiles
•FSG (Fluorosilicate Glass)SiH 4+SiF4+O2+Ar FSG+volatiles
•PSG (Phosphosilicate Glass)SiH 4+PH3+O2+Ar 宀PSG+volatiles
HDP CVD工艺的重要指标-淀积刻蚀比
如前所述，HDP CVD工艺最主要的应用也是其最显著的优势就是间隙填充，如何选择合适的工艺参数来实现可靠无孔的间隙填充就成为至关重要的因素•在半导体业界，淀积刻
蚀比(DS ratio)被普遍采用作为衡量HDP CVD工艺填孔能力的指标•淀积蚀刻比的定义是：淀积刻蚀比=总淀积速率/刻蚀速率=(净淀积速率+刻蚀速率”刻蚀速率
这里的总淀积速率指的是在假定没有刻蚀的条件下的淀积速率，而净淀积速率则是在同步淀积和刻蚀过程中的淀积速率。
实现对间隙的无孔填充的理想条件是在整个淀积过程中始终保持间隙的顶部开放以使反应物能进入间隙从底部开始填充，也就是说，我们希望在间隙的拐角处淀积刻蚀比为1,即净淀积速率为零•对于给定的间隙来说，由于HDP CVD 工艺通常以SiH 4作为绝缘介质中Si的来源，而SiH4解离产生的等离子体对硅片表面具有很强的化学吸附性，导致总淀积速率在间隙的各个部位各向异性，在间隙拐角处的总淀积
速率总是大于在间隙底部和顶部的总淀积速率；另一方面，刻蚀速率随着溅射离子对于间
隙表面入射角的不同而改变，最大的刻蚀速率产生于45°到70°之间，正好也是处于间隙拐
角处
.如果间隙拐角处的淀积刻蚀比远大于1,间隙的顶部会由于缺乏足够的刻蚀而迅速关闭，在
间隙内就会形成空洞，反之，如果间隙拐角处的淀积刻蚀比小于1,在间隙拐角处的过度刻
蚀会产生剪断”效应破坏绝缘介质下的金属层或抗反射涂层，严重者会导致漏电流和器件的
失效。
图7即是HDP CVD工艺在上述三种典型淀积刻蚀比下对间隙填充情况的示意图。
间陳拐角处淀积剽蚀比对金凤和抗
—I 1 r—切间陳拐角处淀积刻性I比A1.刻恤不足以会导礬夹断和空洞
二间除拐甬处淀积刻蚀比填孔能
I 力最大化
图？三种典型淀积刻恤比下简臧充示竄團
由于淀积刻蚀比是HDP CVD工艺填孔能力的重要指标，凡是能显著影响淀积速率或刻蚀速率的工艺参数都会直接决定绝缘介质的填充质量，其中最主要的影响因素包括反应气体流量，射频（包括电感耦合和偏压）的功率，硅片温度, 反应腔压力等等。
总结
HDPCVDX艺凭借其独特的在高密度等离子体反应腔中同步淀积和刻蚀绝缘介质的反应过程实现了在较低温度下对高深宽比间隙的优良填充，其所淀积的绝缘介质膜具有高密度，低杂质缺陷等优点，同时对硅片有优良的粘附能力。
随着半导体特征尺寸向65纳米乃至更精细的结构发展，对绝缘介质的填充，特别是对浅槽隔离（STI）提出了更高的要求，个别器件的浅槽结构的深宽比达到了6:1甚至更高，这无疑对HDPCVDX艺是个巨大的挑战。
不过人们在现有HDP CVDX艺的基础上，通过选择合适的工艺参数，引入新的反应气体（如氦气、氢气等）以及新的填充流程（采用不同淀积刻蚀比分步填充）等多种手段依然能很好地满足填孔的要求。