TEG设备及量测项目介绍

G M1
+
-------------------VG<0
C=C(GIN)
ET item-组件特性
Vth: threshold voltage, 以I(6)与I(8)之斜率对I(7)做切 线, 与 Id =0之切点电压值（VD=10V）。
UL0.5, US10: VD =0.5V(线性区)与10V(饱和区)时的 electron mobility。
I(8), I(21): VG =8V与21V, VD =10V时的Id值。 R_TFT : VD =0.5V, VG=8V时TFT的channel阻值。 I(-2), I(-6), I(-10), I(-15), I(-25): VG 为负值, VD =10V
时的Id值。
UL0.5, US10
经转可得G layer 厚度
结构特性-阻抗量测
• R=ρ(L/W)(1/t), • ρ=四点探针量得电阻系数 • L=片电阻长度 • W=片电阻宽度 • t=片电阻厚度(膜厚)
, • 设计值W/L=1000
L
W t
• ρ=2π(V/I)/[1/S1-1/(S1+S2)-1/(S2+S3)+1/S3]
• V=探针量得电压 • I=探针给定电流
I out Vout V in I in
• S1,S2,S3=探针间距
S
S
S
• S1=S2=S3=S, ρ=2πS(V/I)
1
2
3
R_M1, R_M2
DEVICE
Layer
R_M1 M1
DEVICE
Layer
R_M2
M2
量测值异常对应结构可能缺陷
1.M1薄膜异常->沉积, check R_M1_ITO 黄光,蚀刻->看线宽是否
❖ What is TEG?
❖ • T : Test (试验) ❖ • E : Element (元素) ❖ • G : Group (群组)
Test Element Group。
Voltage Current Resistance Capacitance
Array简介
从TFT面板的正上方看下去，我们可以看到数百万个排界整齐的小元件TFT device以及控制液晶的ITO区域（InTi Oxcide，此材料为透明导电金属，如下 图中大圆圈内每个长方形区域其TFT device
相关站点
3200, 3300,3400 1400
R_ITO
DEVICE
R_ITO
Layer
量测值异常对应结构可能缺陷
相关站点
1.ITO薄膜异常->沉积, check R_M2_PRO 黄光,蚀刻->看线宽是否异
5200, 5300,5400,
ITO
常, check M2 PRO profile 2.回火制程异常
阻值。 R_M2_PRO: ITO 爬过 M2 阻值。 R_SI: VG =3V时的TFT channel阻值。 C(-20) or D_SI: frequency 100kHz, bias = -20 V所得之
电容值, 经转换可得GIN layer 厚度。 C(+20): frequency 100kHz, bias = 20 V所得之电容值,
a
a
a
R_M2_ITO
DEVICE R_M2_ITO
Layer
M Pass 2 hole
量测值异常对应结构可能缺陷
1.M2阻值异常-> 薄膜品质, check R_M2
黄光,蚀刻->看线宽是否异
常, check R_M2
2.ITO阻值异常-> 薄膜品质, check R_ITO
ITO
黄光,蚀刻->看线宽是否异
TESTER机柜
TEG workstage
Y轴线性马达
Z轴线性马达
X轴线性马达 气盘
玻璃载台
测试头Probe 空气避震器
TEG workstage
Probe card
Stage
支撐pin
TEG probe card
封闭环境，避免光 子能量影响测试
吹去空气中的水气等影响。 量测电容、电阻、IV curve
1. M1 pattern过小->黄光, 蚀刻 2. M2 pattern不佳->黄光, 蚀刻 3. GI层厚度异常->薄膜 4.N+层的参杂深度与范围定义->薄膜, 黄 光, 蚀刻 5.I1层致密度
相关站点
1200, 1300,1400 2200,2300,2400
3200, 3300,3400,3
量测
Route
规划
• Test Route : 整批生产测试。
• Recipe Route : 编辑测试计划和查看测试计划内容。
• Debug Route : 测试条件验证和测量结果调试。
• Algo Route : 测量演算法开发。
Test Route
资料存取
Recipe 编辑
全自动探针台
(CTC TFT)
常, check R_ITO
回火制程异常, check
R_ITO
3.VIA hole profile不佳->check PAD pattern
相关站点
3200,3300, 3400
5200,5300, 5400, 5880
2200,4200, 4300, 4400
a
a
a
a
R_M2_PRO
DEVICE
sat (
ID (7) ID (6) 76 2
ID (8) ID (7)
87
)2 /( CIW )
2L
LIN
(
ID (7) ID (6) 76
2
ID (8) ID (7) 8 7 ) /(CIWVD ) L
UL0.5
DEVIC E
Layer
UL0.5 GIN M2
量测值异常对应结构可能缺陷
5880 3400
• 利用ITO覆盖M2层， 用来评断M2的蚀 刻后profile是否过 陡而导致阶梯效应， 而使ITO断线。
R_Si
DEVICE
Layer
R_SI
GIN M2
量测值异常对应结构可能缺陷
相关站点
1.M2阻值异常->薄膜品质, check R_M2
2.GIN沉积异常, check C(+/- 20) 3.GIN profile不佳->check C(+/- 20)
Loader
Cassette holder
方法说明
位置和测量点数量：5个TEG结构（黄色），测试顺序为左上，中，右下，
。 左 下，右参见右侧12芯 片设备的示例
Probe card
Measurement Position
Testkey position
Measurement position
8
28
pattern
3200,3300,3400 2200 2400
• 将TFT组件视为开关，则期望VG电 压小于VTH时组件的呈现高阻抗。本 项可检测IN层沉积时是否有杂质混 入而导致阻抗降低。
C(±20)
DEVICE
Layer
C(± 20) M1 GIN M2
量测值异常对应结构可能缺陷
相关站点
1.M2阻值异常->薄膜品质, check R_M2 3200,3300,3400
SMU (6430/2400/2450)
SWM (707B)
LC方式在没有仪器存在的情况下进行测试。 Online : 启动连接中的仪器，幷开始量测。 Prober_Mode :以模拟的方式将Tester设置为连线模式，将Prober设置为离 Quit : 返回上一个视窗。
氮氣頭 Probe card
Probe card Stage
9pin
1pin
Hardware Introduction
Prober and Loader 侧视图
Signal cable
Arm C
Arm A
Card2 Card1
Arm B
Card4 Card3
Stage
Cassette2 Cassette1
1200,1300,1400
Pass hole
ITO
R_ITO 异常,
黄光,蚀刻->看线宽是否
5200,5300,5400, 5880
check R_ITO 回火制程异常, check
4200,4300,4400
R_ITO
3.VIA hole profile不佳->check PAD
pattern
a
3.check PAD接点, 可能因为M2剖面Profil不
佳导致ITO断线
5880 3400
R_M1_ITO
DEVICE R_M1_ITO
Layer
量测值异常对应结构可能缺陷
相关站点
M1
G-layer hole
1.M1阻值异常->薄膜品质, check R_M1
黄光,蚀刻->看线宽是否
异常,
check R_M1 2.ITO阻值异常->薄膜品质, check
VM1_pad
Rcable I≈0
+
-
VSense
Rcable
Isink_pad
I≈0
消除测量中的电缆电阻
11 ~ 8
7~4
图示Testkey量测位置
图示线路接线方式
ET item-结构特性
R_M1, R_M2, R_ITO: Metal1, Metal2与ITO阻值。 R_M1_ITO, R_M2_ITO: Metal1, Metal2与ITO contact