富士通半导体推出新型1Mbit和2MbitFRAM产品
带有串行接口的FRAM RFID LSI
通过串行接口与微控制器（以下将“微控制器”简称为“MCU”）相连后，FRAM可以作为MCU的外部存储，并通过RF接口进入。因此，RFID阅读器就可以阅读MCU写过的存储数据，而对于MCU来说，就可以阅读参数数据，如通过RF接口编写的运行环境。
但是我们希望通过这一技术能发现RFID新的用途和应用，并能将该技术做进一步的测试，从而实现更多构想。
图1 FRAM RFID 应用实例
关于串行接口使用的探讨
从客户的反馈来看，我们认识到还需要对串行接口连接的使用问题进行进一步的探讨。其中的一个问题与电池有关，另一个就是通信距离。
带有串行接口的FRAM RFID LSI
铁电随机存储器FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。
概述
到目前为止，富士通半导体已经开发出了高频段（13.6MHz）和超高频段（860 MHz到960 MHz）RFID LSI产品。这些产品最重要的特点就是它们内嵌FRAM。由于擦写速度快、耐擦写次数高，它们已经作为数据载体型被动RFID LSI而被全世界广泛采用。
尽管在实际应用中有些问题还需要得到解决，我们还是希望客户通过样品对这一功能进行评估，从而发现新的可能性。在与客户进行评估和探讨的过程中，我们将改进LSI的规格的问题。此外，我们有许多MCU产品可以与RFID连接，客户也可以考虑采用这些产品。
富士通推出高清视频用1394 Automotive芯片
富士通推出高清视频用1394 Automotive芯片
佚名
【期刊名称】《电子元器件应用》
【年(卷),期】2009(11)6
【摘要】富士通微电子（上海）有限公司宣布推出业界首款用于高清视频的“1394 Automotive”（IDB-13941控制器芯片。
此款芯片MB88395基于IDB-1394车载多媒体网络协议，能够实现高清（HD）（1280点×720行）视频传输。
还能同时在汽车上传输多个流，例如从Blu—RayDVD传输高清视频、数字电视、音频和汽车导航图片。
【总页数】1页(P88)
【正文语种】中文
【相关文献】
1.富士通推出具有高画质、支持高清数字电视的单芯片电视处理芯片 [J],
2.富士通微电子推出两款新型全高清H．264／MPEG－2变码器芯片 [J],
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4.富士通微电子推出新型超低功耗全高清H．264 CODEC芯片 [J],
5.富士通微电子推出高清视频芯片 [J],
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富士通推出针对小型可摄像数码相机的全新图像处理芯片
、
一
寄存器 ） 系来说 ，这种技术无疑能够使之更为强大 。任何 体
种压缩体系都可以很方便地嵌人￣Ｅ ｃｕ ｔ ｅｔ ｒｈｔ ｔ ］ １ ｎｏｎｅ Ｔ ｓＡ ｃｉｃ． ｒ ｅ
中 去 ， 该产 品 曾获 得 ２ ０ ０ ５年 Ｔ ｓ ＆ Ｍｅｓｒｍｅ ｔ ｒ ｅｔ ａｕｅ ｎ Ｗｏｌ ｄ杂 志 评 选 来 的 最 佳 测 试 奖 。
经是第 次：在 此次论坛上 ，瑞 萨将向 Ｉ ＤＨ、客户 、合作 伙 伴和新 闻媒体介绍瑞 萨 ＭＣ Ｕ的技术 、产品最新发展状况
及其最新应 用 。相 比于 “ 瑞萨论坛 ２ ０ ” ０ ５ ，今年论坛在 介 绍瑞萨 ＭＣ Ｕ系列产品 的基础上 ，还将 着重介绍瑞 萨 ＭＣ Ｕ 在汽车电子和数码 Ａ Ｖ等领域的最新应用方 案 ，并通过现场 展示的方式 让所 有与会者亲 身体验到最新 的应用 成果： 瑞 萨 以应 用 为导 向 ，详 细 介 绍 了 针 对 中 国市 场 的
ＭＢ １ ８ 是 基 于 ＭＢ １ ８ ９６６ ９ ６ ３型号 开 发 而成 的 ，新 增 加
了录像 、重放和 Ｃ 音质的音频 处理功能 。 Ｄ
气 囊 、车载 Ｌ ＡＮ、车载 信息 系统 及汽 车音 响为例 ，为 参 会者生动地 讲解 、演示 了高性 能的车载单元半 导体解决方 案。作 为今年论坛 的特色单元 ，瑞萨 Ａ Ｖ用技 术和产 品的
介绍吸引 了更多关注者的 目光 。通过 对 Ａ Ｖ用 Ｌ Ｉ Ｓ 开发趋势 和新产品的 了解 ，更 多的受众 体会到 了 日常生 活与高科技 的关联 ，从 而能够推 动尖端科技应用在大众生活 中的延伸 。 之后 ，在技术人员的引导下 ，与会人员参观了瑞 萨最新技术 及 产品展示 ， 实实在在体验 到了半导体尖端技 术所带来的愉 悦 与震撼 。
富士通最新低功耗蓝牙模块及解决方案
二 薄型二氧化锰锂一次性电池 薄型二氧化锰锂一次性电池，就像纸一样又薄又轻，可做到不受电池 厚度限制的应用薄型设计。 三 Mesh-Beacon 模块/智能网络模块 Mesh Beacon，仅用 Beacon 就能够组建 Mesh 网络。利用富士通智能 网络所擅长的网络自动修复属性属性，可以自动修复因单个节点故障而导致 的通信中中断，自动重新构筑通信路径。
六 来自 Rubycon 的超级电容 与普通的品牌相比，日本红宝石 Rubycon 的电容具有更低的阻抗和更 高的纹波，同时使用寿命也较更长。具有上述特性的电气二重层电容（超级 电容）系列产品就非常实用于大输入输出、极速充放电、自然能源发电等应 用。 七
富士通最新低功耗蓝牙模块及解决方案
富士通利用 FRAM 的低功耗，高速写入，放射线耐性等特点研发的 独具特色的 FRAM RFID 的芯片，可广泛应用于面向 FA，生化，医疗电子 设备等领域提供创新的应用解决方案。 在 2018 第十届国际物联网博览会(春季展)的富士通展台上，您看到 的是 FRAM RFID 的无线无源应用—— 无源键盘（世界首创 UHF 无线无源键盘）无源电子纸遥控机SS Module 是富士通和 Ambiq 合作开发的小型低功耗全球导航卫 星系统模块。 五 来自 NDK 的晶体谐振器 / 晶体振荡器 日本电波工业株式会社（NDK）作为晶体元器件的专业生产厂家，现 在作为提供电子业必不可少的、在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以 及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家。
低功耗蓝牙模块及解决方案
最后呈上的是富士通的低功耗蓝牙模块及解决方案，可应用于移动打
印机和各种无线设备中，以提高用户的便利性。
篇幅有限，展台上的产品就不一一详细介绍了，欲了富士通产品的特
恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件
恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件佚名
【期刊名称】《半导体信息》
【年(卷),期】2008()12
【摘要】恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor以下简称LDMOS）晶体管．该晶体管在1．2GHz～14GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。
【总页数】1页(P55-55)
【正文语种】中文
【中图分类】TN957.529;TN722
【相关文献】
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5.针对L波段雷达应用的高速RF输出功率器件 [J],
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富士通铁电存储器选型指南
FRAM Technology
FRAM stores information using the polarization of ferroelectric material placed Electric between two electrodes in the Field form of a thin film. The FRAM cell structure, which is similar to the transistor and capacitor structure of a DRAM cell, does :Pb :Zr/Ti :O not require the same high programming voltages that Flash or EEPROM do to operate. As a result, FRAM offers non-volatile data storage, but is significantly more energy-efficient compared with other conventional non-volatile memories.
PZT Cell structure (/Pb(Zr,Ti)O3)
Standalone FRAM
Standalone FRAM can be integrated into any system that requires high-speed, non-volatile memory. FRAM does not require a battery to back up its data. This saves significant cost and board space. FRAM can be used for storing settings, configuration and device status information. This information can be used later for activities such as resetting the devices, analyzing the status and activating recovery actions. Byte-wise random access makes memory management more efficient. This high-speed, non-volatile memory runs like a RAM. This gives programmers the flexibility to assign ROM and RAM memory mapping, depending on their needs. End users can program FRAM at the ground level, to customize to their individual preferences. Standalone FRAM allows designers the freedom to explore and employ FRAM in a wide range of designs.
搭载I2C汇流排的16K位元通用FRAM记忆体
Vol.28 No.47到目前為止，富士通半導體提供的通用FRAM記憶體產品支援3種介面（並列通訊、串列通訊SPI和串列通訊I²C匯流排），這些產品具有寫入速度快、耗電低、耐擦拭次數多等特點。
為了對節能及節省資源做出貢獻，推廣綠色產品，此次，富士通半導體在通用FRAM的產品陣容中新增了內建串列I²C匯流排16K位元的FRAM系列產品“MB85RC16”，擴充了支援I²C的產品系列。
該產品與一般的E²PROM接腳相容，因此可作為內建I²C匯流排的外接記憶體與其置換。
與E²PROM相比，FRAM耐擦拭次數多，可延長元器件使用壽命，更可為節省資源和成本做出貢獻。
此外，由於寫入速度快，該產品還可用於瞬間斷電時的資料備份，主要應用於要求高速資料寫入及大量擦拭的裝置，如汽車導航儀、影印機、控制裝置等的記錄管理與資料備份。
富士通半導體的串列FRAM系列產品可進行100億次寫入，最適合於要求需要連續記錄狀態變化以及頻繁進行資料寫入的儀錶等裝置。
FRAM是兼備ROM/RAM優點的 非揮發性記憶體內建串列通訊介面的FRAM系列產品可進行即時讀寫（I²C通訊速率1MHz以內）。
FRAM的寫入次數可達1010次，與E²PROM的106次相比，高出1萬倍以上。
在電源關掉和瞬間斷電時，FRAM還能保持資料，具有非揮發性記憶體的優點。
不出現Write busy狀態的 高速擦拭FRAM可進行資料覆蓋和高速寫入，不會像E²P R O M和快閃記憶體那樣發生Write busy，幾乎在確認字元（ACK）應答完成的同時，資料寫入也隨之完成。
與E²PROM相比，可將讀寫時的錯誤發生率控制到最小限度。
可直接替換E 2PROM該產品系列內建串列通訊介面I²C 匯流排，接腳（封裝：SOP-8，尺寸：寬×長＝3.9mm×5.05mm）及命令都與E²PROM相容，因此可直接替換使用。
富士通半导体推出电源管理芯片MB39C326
富士通半导体推出电源管理芯片MB39C326
佚名
【期刊名称】《《现代制造》》
【年(卷),期】2012(000)034
【摘要】富士通半导体（上海）有限公司宣布推出面向便携设备的DC—DC转换器MB39C326，可通过自动切换降压／升压工作模式来扩大工作电压范围。
MB39C326通过内置开关FET和采用215mmX194mm的小型封装构成贴装面积小且物料清单成本低的电源系统，还可通过DAC信号动态控制输出电压，支持APT和ET功能。
目前，MB39C326已进入量产阶段。
【总页数】1页(P38-38)
【正文语种】中文
【中图分类】TN86
【相关文献】
1.美国国家半导体推出两款采用动态电压调节技术的高集成度电源管理芯片 [J],
2.Dialog半导体面向ARM四核应用处理器推出电源管理芯片 [J],
3.富士通半导体推出6MHz升降压DCDC转换器MB39C326 [J],
4.意法半导体推出全新车用电源管理芯片 [J],
5.美国国家半导体推出的7款显示、音频及电源管理芯片 [J],
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富士通推出宽电压双Flash MCU MB95650系列
富士通推出宽电压双Flash MCU MB95650 系列富士通半导体(上海)有限公司日前宣布推出采用新工艺的宽工作电压、12bit 高精度ADC、且带主从I2C 控制器的高性价比双FLASH 通用8 位微控制器MB95560 系列。
该系列产品包括采用SOP24、TSSOP24、QFN32 三种封装形式的24 款产品。
2012 年6 月下旬开始提供样片，2012 年9 月开始批量供货。
MB95650 系列以8 位微控制器F2MC-New8FX 家族为基础，采用宽工作电压设计，能在1.8V~5.5V 的应用环境中工作。
该系列产品集成了主从I2C 控制器和12bit 高精度AD 转换器，并采用双通道FLASH 技术，使得程序在FLASH 上运行的同时可以对另一通道FLASH 进行读写，从而保护客户所需的重要数据。
该系列产品还集成了多通道通用性高的各种定时器、片内振荡电路、低电压检测电路、LIN-UART 电路，大大减少客户的系统构成零部件数量，从而降低客户产品的成本。
MBB95650 系列采用180 纳米(nm)的工艺，设计能效高。
先进的工艺使元件达到了更高的集成度和精确度，例如：片上集成了16.25MHz ±2% 的振荡器，集成了支持后台运行可擦写100,000 次的数据闪存，内部的A/D 转换器和低电压检测电路也实现了高精确度。
MB95650 采用F2MC-New8FX 家族通用开发工具和软件开发环境，该系列产品均采用单线式片上调试功能，客户开发时只需占用最少引脚数即可进行调试。
MB95650 系列可广泛应用到小家电、数码电子产品、数码外设、充电器、PC 产品、电动工具、遥控控制、通信产品之中。
样片价格和交货时间。
富士通移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A可提高手机性能概要
富士通移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A可提高手机性能富士通移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A可提高手机性能类别：存储器富士通微电子(上海)有限公司近日推出全新256Mbit移动快速循环随机存储器(FCRAMTM)MB82DDS08314A。
该产品是一种伪静态随机存储器(PSRAM)，在富士通快速循环随机存储器的核心技术的基础上带有一个静态存储器接口，可以实现高速运算和低电耗，非常适用于手机等各种移动应用。
该新款移动快速循环随机存储器MB82DDS08314A采用双倍数据速率(DDR)突发模式，完全符合移动随机存储器(COSMORAM) Revision 4的通用规格要求。
该产品器件有以下特点：双倍数据速率(DDR)同步突发模式多重地址/数据接口高速数据传输速度，最高可达1GByte/s 短延迟模式，初始接入时间短“无庸质疑，在未来移动电话市场上，像这样的信息密度高，运算速度快，耗电少的移动快速循环随机存储器(Mobile FCRAM)产品将成为必不可少的元件。
” 富士通微ic37总监庄健伟先生表示，“目前，高端的移动电话需要各种功能，如数码照相、数码摄像和地面数字广播流。
富士通的快速循环随机存储器产品系列可以在现有的伪静态随机存储器(PSRAM)平台上实现高速的数据速率，从而提高手机性能。
另外，MB82DDS08314A通过多重地址和数据总线能够把器件针数减到最低，从而可以免去客户方对线路板进行复杂设计。
” 富士通是最早在移动电话市场上推出伪静态存储器的公司之一，一直以来为该市场的建立和发展做出了巨大的贡献。
之前，为了满足市场对高速存储器的需求，富士通就推出了突发模式移动快速循环随机存储器产品系列：2003年5月推出32Mbit/ 64Mbit的器件，2003年8月推出了128Mbit的器件。
除了新的双数据速率移动快速循环随机存储器(Mobile FCRAM)，富士通还提供符合传统COSMORAM Rev.3规格的256Mbit单倍数据速率(SDR)移动快速循环随机存储器。