电子技术基础试题库
电子技术基础(模拟篇)
第一章 半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂
移电流。
A. 小于，大于
B. 大于，小于
C. 大于，大于
D. 小于，小于
3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）
A. U I e S
B. T
U U I e
S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I
4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z 且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子
B. 多子
C. 杂质离子
D. 空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴
B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子
D. 受主离子和空穴
10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
D 0.7V
11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不
同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同
B. 交流，相同，相同
C. 直流，不同，不同
D. 交流，不同，不同
12. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组
数据可能正确：（ ）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pA
B U th≈0.525V，I S≈0.2pA
C U th≈0.475V，I S≈0.05pA
D U th≈0.475V，I S≈0.2pA
二、判断题
1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。（）
3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。（）
4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。（）
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）
三、填空题
1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
四、计算分析题
1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)
(b)
(c)
2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)
(b)
3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导
通压降为0.7V 。
o
(c)(d)
o
4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。试求稳压管正
常工作时电阻R 的取值范围。
+－
O
5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R 的取值范围是多少？
+V DD R V
S
6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为
正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？
C
i D
8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。设二极管的导
通压降为0.7V 。
V
o
(a)V
(b)
o
9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u o
u I1u I2
+5V
（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3t
t
（b ）
10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：
（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？
U i R 2Ω
S
11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A
点的电位。设二极管的正向压降为0.7V 。
500Ω
2k V
12.电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。
R1
R2
I D
V
+10V
3kΩ
10kΩ
R3
2kΩ
第二章半导体三极管
一、单选题
1.（）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN管和PNP管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N沟道场效应管和P沟道场效应管
D. 三极管和二极管
2.放大电路如图所示，已知三极管的05
=
β，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
4.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0.3V，则此时三极管工作于（）状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
5.放大电路如图所示，已知硅三极管的50
=
β，则该电路中三极管的工作状态为（）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定
7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+
11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件
B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件
D 、电压控制电压源器件
二、判断题
1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。 9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
11. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。 12. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
三、填空题
1. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
2. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
3. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会
4. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04mA ，I C =2.04mA ，则电极 为基
极， 为集电极， 为发射极；为 型管；=β 。
5. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
6. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
7. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。当工作电压V 10CE =U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。
8. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。
9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。 10. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。
11. _______通路常用以确定静态工作点；
通路提供了信号传输的途径。
12.场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。
13.用于构成放大电路时，双极型三极管工作于区；场效应管工作于区。
14.当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。
15.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。
16.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。
17.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。
四、计算分析题
1.三极管电路如图所示，已知三极管的80
=
β，U BE（on）=0.7V，r bb′=200Ω，输入信号)
mV
(
sin
20
s t
uω
=,
电容C对交流的容抗近似为零。试：（1）计算电路的静态工作点参数I BQ、I CQ、U CEQ；（2）画出电路的微
变等效电路，求u BE、i B、i C和u CE。
2.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS
（off）
、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
3.三极管电路如图所示，已知β=100，U BE（on）=0.7V，试求电路中I C、U CE的值。
4.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
5.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off）
、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
6.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
7.场效应管电路如图所示，已知)
mV
(
sin
20
i t
uω
=，场效应管的mS
58
.0
m=
g试求该电路的交流输出电压u o的大小。
8.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off）
、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。
摸拟电子技术(第2版) 第三章选择 A
第三章 放大电路基础
一、单选题
1. 图示电路（ ）
A ．等效为PNP 管
B ．等效为NPN 管
C ．为复合管，其等效类型不能确定
D ．三极管连接错误，不能构成复合管
图号3401
2. 关于BJT 放大电路中的静态工作点（简称Q 点），下列说法中不正确的是（ ）。 A ． Q 点过高会产生饱和失真 B ．Q 点过低会产生截止失真 C ． 导致Q 点不稳定的主要原因是温度变化 D ．Q 点可采用微变等效电路法求得
3. 把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（ ） A ．增大差模输入电阻 B ．提高共模增益 C ．提高差模增益 D ．提高共模抑制比
4. 对恒流源而言，下列说法不正确的为（ ）。
A ．可以用作偏置电路
B ．可以用作有源负载
C ．交流电阻很大
D ．直流电阻很大
5. 图示电路中，为共发射极放大电路的是（ ）。
6. 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（ ）。
A ．不变
B ．提高一倍
C ．提高两倍
D ．减小为原来的一半
7. 图示电路（ ）
图号3204
图号3203
A.
B.
C.
图号3205
R C
A．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1
B．等效为NPN管，电流放大倍数约为β2
C．连接错误，不能构成复合管
D．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1β2
2
2
图号3402
8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（）
A．输入电压信号过大B．三极管电流放大倍数太大
C．晶体管输入特性的非线性D．三极管电流放大倍数太小
9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。
A. 晶体管的非线性
B. 电阻阻值有误差
C. 晶体管参数受温度影响
D. 静态工作点设计不当
10.关于复合管，下述正确的是（）
A．复合管的管型取决于第一只三极管
B．复合管的输入电阻比单管的输入电阻大
C．只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管
D．复合管的管型取决于最后一只三极管
11.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
A. R B1开路
B. R B2开路
C. R C短路
D. C E短路
图号3201
12.选用差分放大电路的主要原因是（）。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．稳定放大倍数D．减小失真
13.放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电
压进行放大，在负载开路条件下测得A 的输出电压小，这说明A 的（ ）。
A. 输入电阻大
B. 输入电阻小
C. 输出电阻大
D.输出电阻小
14. 交越失真是（ ）
A ．饱和失真
B ．频率失真
C ．线性失真
D ．非线性失真
15. 复合管的优点之一是（ ）
A ．电流放大倍数大
B ．电压放大倍数大
C ．输出电阻增大
D ．输入电阻减小
16. 已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为A 1u 和A 2u ，若将它们接成两级放大电路，则其放大倍数绝对值（ ）。
A. A 1u A 2u
B. A 1u +A 2u
C. 大于A 1u A 2u
D. 小于A 1u A 2u
17. 设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（ ）。
A ．三极管的 增大
B ．三极管的I CBO 增大
C ． I CQ 增大
D ．U CQ 增大
18. 某放大器的中频电压增益为40dB ，则在上限频率f H 处的电压放大倍数约为（ ）倍。 A. 43 B. 100 C. 37 D. 70
19. 某放大器输入电压为10mv 时,输出电压为7V ；输入电压为15mv 时, 输出电压为6.5V ，则该放大器的电压放大倍数为（ ） 。
A. 100
B. 700
C. -100
D. 433
20. 某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这时由于（ ）。
A. Q 点上移
B. Q 点下移
C. 三极管交流负载电阻减小
D. 三极管输出电阻减小
二、判断题
图号3238
1. 放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。 （ ）
2. 乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。（ ）
3. 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作（ ）
4. 只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。（ ）
5. 功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。（ ）
6. 图示电路中be
L C be BQ L C BQ i o u r R R r I R R I u u A )
//()//(ββ-=?-==
。 （ ）
图号3201
7. 单端输出的电流源差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。（ ） 8. 多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。（ ） 9. 频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，因此是一种线性失真。（ ） 10. 结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。 （ ） 11. 差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。 （ ）
12. 将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源，就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。（ ）
13. 负载电阻所获得的能量取自于直流电源，而不是信号源或有源器件。（ ） 14. 放大电路的输出电阻等于负载电阻R L 。 （ ）
15. 直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。（ ）
16. 恒流源电路具有输出电流稳定，交流内阻非常大的特点，因此常用作偏置电路和有源负载。 （ ） 17. 输入电阻反映了放大电路带负载的能力。 （ ）
18. 三极管放大电路中，设u b 、u e 分别表示基极和发射极的信号电位，则u b =U BEQ +u e 。 （ ）
19. 差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。 （ ）
20. 乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。（ ）
21. 双极型三极管的小信号模型中，受控电流源流向不能任意假定，它由基极电流i b 的流向确定。（ ） 22. 产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。（ ） 23. 直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。（ ） 24. 乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。（ ） 25. 集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。（ ）
26.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）
27.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。（）
28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）
三、填空题
1.放大器的静态工作点过高可能引起______失真，过低则可能引起____ __失真。分压式偏置电路具有自动稳定____ __的优点。
2.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为输入。
3.放大电路中采用有源负载可以电压放大倍数。
4.场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
5.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共__ 极电路，若希望带负载能力强，宜选用共极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共极电路。
6.若信号带宽大于放大电路的通频带，则会产生失真
7.电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响；电阻反映了放大电路带负载的能力。
8.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共极电路，输出电压与输入电压同相的有共极电路、共极电路。
9.某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为±24V，负载为8Ω，则选择管子时，要求U（BR）
大于，I CM大于，P CM大于。
CEO
10.已知某放大电路的∣Au∣=100，∣Ai∣=100，则电压增益为dB，电流增益为dB，功率增益为dB。
11.测量三级晶体管放大电路，得其第一级电路放大倍数为－30，第二级电路放大倍数为30，第三级电路放大倍数为0.99，输出电阻为60Ω，则可判断三级电路的组态分别是、、。
12.在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压u i1=u i2，则输出电压u O = 。若u i1=+50mV，u i2=+10mV，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id = ，因此分在两输入端的一对差模输入信号为u id1= ，u id2= 。
13.某两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V，输出电压和输入电压反相，输出电阻为30Ω，则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是和。
14.理想集成运放中存在虚断是因为差模输入电阻为，流进集成运放的电流近似为；集成运放工作在线性区时存在有虚短，是指和电位几乎相等。
15.理想集成运放差模输入电阻为，开环差模电压放大倍数为，输出电阻为。
16.单级双极型三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是共极电路，只能放大电压不能放大电流的是共极电路，只能放大电流不能放大电压的是共______极电路。
17.NPN管和PNP管构成放大电路时，所需的工作电压极性相，但这两种管子的微变等效电路。
18.乙类互补对称功率放大电路的效率比甲类功率放大电路的，理想情况下其数值可达。
19.当输入信号为零时，输出信号不为零且产生缓慢波动变化的现象称为。差分放大电路对之具有很强的作用。
20.差分电路的两个输入端电压分别为u i1=2.00V，u i2=1.98V，则该电路的差模输入电压u id为V，共模输入电压u ic为V。
21.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
22.一个两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V，则该电路的放大倍数为。其中，第一级电路的放大倍数为，第二级电路的放大倍数为。23.放大电路中，当放大倍数下降到中频放大倍数的0.7倍时所对应的低端频率和高端频率，分别称为放大电路的频率和频率，这两个频率之间的频率范围称为放大电路的。
24.差分放大电路抑制零漂是靠电路结构和两管公共发射极电阻的很强的作用。
25.差分放大电路中，若u i1= +40mV，u i2= +20mV，A ud= -100，A uc= -0.5，，则可知该差动放大电路的共模输入信号u ic= ; 差模输入电压u id= ，输出电压为u o= 。
26.乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为。
27.差动放大电路具有电路结构___ _的特点，因此具有很强的__ 零点漂移的能力。它能放大__ _模信号，而抑制___ __模信号。
28.功率放大电路采用甲乙类工作状态是为了克服，并有较高的。
29.当放大电路要求恒压输入时，其输入电阻应远于信号源内阻；要求恒流输入时，输入电阻应远于信号源内阻
30.三种基本组态双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是共极电路，输入电阻最小的是共极电路，输出电阻最小的是共极电路。
三、计算分析题
1.放大电路如图所示，已知电容量足够大，Vcc=12V，R B1=15kΩ，R B2=5kΩ，R E=
2.3kΩ，R C =5.1kΩ，R L=5.1kΩ，三极管的β=100，Ω
r，U BEQ=0.7V。试：
=200
'
bb
（1）计算静态工作点（I BQ、I CQ、U CEQ）；
（2）画出放大电路的小信号等效电路；
（3）计算电压放大倍数A u、输入电阻R i.和输出电阻R o。
（4）若断开C E，则对静态工作点、放大倍数、输入电阻的大小各有何影响？
2.场效应管放大电路如图所示，已知gm=2mS，R G3=5.1M?，R D=20 k?，R L=10k? ，各电容对交流的容抗近似为零。试：（1）说明图中场效应管的类型；（2）画出放大电路的交流通路和小信号等效电路；（3）求A u、R i、R o。
3.差分放大电路如图所示，已知场效应管g m=2mS，I0为场效应管构成的恒流源，V1、V2管的静态栅源偏压合理，即满足U GS（off）＜U GSQ＜0。试：（1）求V1、V2管静态工作点I DQ及U DQ；（2）画出该电路的差模交流通路；（3）求A ud 、R id 、R o 。
4.如图所示OTL电路中，已知V CC＝16V，R L＝4Ω，V1和V2管的死区电压和饱和管压降均可忽略不计，输入电压足够大。试求最大不失真输出时的输出功率P o m、效率ηm。
图号3404
5.放大电路如图所示，已知电容量足够大，V cc=12V，R B=300kΩ，R E2=1.8kΩ，R E1=200Ω，R C =2kΩ，R L=2kΩ，R S=1kΩ，三极管的β=50，
Ω
=200
'
bb
r
，U BEQ=0.7V。试：（1）计算静态工作点（I BQ、
I CQ、U CEQ）；（2）计算电压放大倍数A u、源电压放大倍数A us、输入电阻R i和输出电阻R o ；（3）若u o正半周出现图中所示失真，问该非线性失真类型是什么？如何调整R B值以改善失真？
u o
6.差分放大电路如图所示，已知V CC=V EE =15V，R C=10kΩ，R L=30kΩ，I0= 2mA，三极管的β=100，r bb′=200Ω，U BEQ=0.7V，试：（1）求I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2 ；（2）画出该电路差模交流通路；（3）若)
(
sin
20mV
t
u
i
ω
=，求u o表达式。
7.差分放大电路如图所示，已知R C = R E =10kΩ，三极管的β=100，r bb′=200Ω，U BEQ=0.7V，试求：（1）
I CQ1、U CQ1和I CQ2、U CQ2 ；（2）差模电压放大倍数A ud=u od/u id；（3）差模输入电阻R id和输出电阻R o。
8. 放大电路如图所示，已知电容量足够大，Vcc=18V ，R B1=75k Ω，R B2=20k Ω，R E2=1.8k Ω，R E1=200Ω，
R C =8.2k Ω，R L =6.2k Ω，R S =600Ω，三极管的β=100，Ω=200'bb r ，U BEQ =0.7V 。试：（1）计算静态工作点（I BQ 、I CQ 、U CEQ ）；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）计算电压放大倍数A u 、输入电阻R i .和输出电阻R o 。
（4）若)mV ( sin 15t u s ω=，求u o 的表达式。
9. 差分放大电路如图所示，已知V CC =V EE =12V ，R C =5.1k Ω，R B =1k Ω，I 0= 2mA ，三极管的β=100，r bb ′=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2 ；（2）若)( sin 2V t u o ω=，求u i 的表达式。
10. 差分放大电路如图所示，已知V CC = V EE =12V ，R C = R E =10k Ω，三极管的β=100，r bb ′=200Ω，U BEQ =0.7V ，试求：（1）V 1、V 2的静态工作点I CQ1、U CEQ1和I CQ2、U CEQ2 ；（2）差模电压放大倍数A ud =u od /u id ；（3）差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。
电子技术基础考试试题及参考答案
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=
习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区
习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==
电子技术基础与技能题库
第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）
西北工业大学-数字电子技术基础-实验报告-实验2
数字电子技术基础第二次实验报告 一、题目代码以及波形分析 1. 设计一款可综合的2选1多路选择器 ①编写模块源码 module multiplexer(x1,x2,s,f); input x1,x2,s; output f; assign f=(~s&x1)|(s&x2); endmodule ②测试模块 `timescale 1ns/1ps module tb_multiplexer; reg x1_test; reg x2_test; reg s_test; wire f_test; initial s_test=0;
always #80 s_test=~s_test; initial begin x1_test=0; x2_test=0; #20 x1_test=1; x2_test=0; #20 x1_test=0; x2_test=1; #20 x1_test=1; x2_test=1; #20 x1_test=0; x2_test=0;
#20 x1_test=1; x2_test=0; #20 x1_test=0; x2_test=1; #20 x1_test=1; x2_test=1; end multiplexer UUT_multiplexer(.x1(x1_test),.x2(x2_test),.s(s_test),.f(f_test)); endmodule ③仿真后的波形截图
④对波形的分析 本例目的是令s为控制信号，实现二选一多路选择器。分析波形图可以知道，s为0时，f 输出x1信号；s为1时，f输出x2信号。所以实现了目标功能。 2. 设计一款可综合的2-4译码器 ①编写模块源码 module dec2to4(W,En,Y); input [1:0]W; input En; output reg [0:3]Y; always@(W,En) case({En,W}) 3'b100:Y=4'b1000; 3'b101:Y=4'b0100; 3'b110:Y=4'b0010;
电子技术基础期末考试考试题及答案
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
数字电子技术基础实验
《数字电子技术基础实验》 实验报告 学院： 学号： 姓名： 专业： 实验时间： 实验地点： 2016年12月
Figure 5.51n位移位寄存器 一、实验目的及要求 编写testbench 验证Figure 5.51源代码功能，实现n位移位寄存器。 了解并熟悉移位寄存器的工作原理功能； 熟悉n位移位寄存器的逻辑功能。 所需功能：实现所需功能需要R，Clock，L，w，Q，5个变量，其中参数n 设为缺省值16，以定义触发器的个数。 当时钟信号Clock从0变为1时刻，正边沿触发器做出响应： 当L=0时，对输出结果Q进行向右移位，将w的值赋给Q的 最高位，实现移位； 当L=1时，将输入R的值寄存在Q中； 所需EDA工具及要求： Modelsim： 1、在Modelsim中建立工程，编写Figure 5.51模块的源码； 2、编写Figure 5.51的测试模块源码，对Figure 5.51进行仿真、测 试，观察仿真波形图并进行分析等； Synplify Pro： 1、使用Synplify Pro对Figure 5.51进行综合，得到RTL View、 Technology View、综合报表等，进行观察、分析等； 二、实验内容与步骤 1、在Modelsim中建立工程，编写Figure 5.51模块的源码； 本题实现的是一个n位移位寄存器，触发器对时钟信号Clock敏感，为正边沿敏感型。L实现对Q的控制，若L=1，则将R寄存到Q中；若L=0，则对Q向右移位。 如下图是一个4位移位寄存器 图表说明了该四位移位寄存器的移位过程
module shiftn (R, L, w, Clock, Q); parameter n = 16; input [n-1:0] R; input L, w, Clock; output reg [n-1:0] Q; integer k; always @(posedge Clock) if (L) Q <= R; else begin for (k = 0; k < n-1; k = k+1) Q[k] <= Q[k+1]; Q[n-1] <= w; end endmodule 这是可用于表示任意位宽的移位寄存器的代码，其中参数n设为缺省值16，以定义触发器的个数。R和Q的位宽用n定义，描述移位操作的else 分支语句用for循环语句实现，可适用于由任意多个触发器组成的移位操作。 2、编写Figure 5.51的测试模块源码，对Figure 5.51进行仿真、测试，观察仿真波形图并进行分析等； `timescale 1ns/1ns module shiftn_tb;
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
《电子技术基础》练习题库
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
电子技术基础复习题与答案
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
数字电子技术实验报告
实验一组合逻辑电路设计与分析 1.实验目的 （1）学会组合逻辑电路的特点； （2）利用逻辑转换仪对组合逻辑电路进行分析与设计。 2.实验原理 组合逻辑电路是一种重要的数字逻辑电路：特点是任何时刻的输出仅仅取决于同一时刻输入信号的取值组合。根据电路确定功能，是分析组合逻辑电路的过程，一般按图1-1所示步骤进行分析。 图1-1 组合逻辑电路的分析步骤 根据要求求解电路，是设计组合逻辑电路的过程，一般按图1-2所示步骤进 行设计。 图1-2 组合逻辑电路的设计步骤 3.实验电路及步骤 （1）利用逻辑转换仪对已知逻辑电路进行分析。 a.按图1-3所示连接电路。 b.在逻辑转换仪面板上单击由逻辑电路转换为真值表的按钮和由真值表导出 简化表达式后，得到如图1-4所示结果。观察真值表，我们发现：当四个输入变量A,B,C,D中1的个数为奇数时，输出为0，而当四个输入变量A,B,C,D 中1的个数为偶数时，输出为1。因此这是一个四位输入信号的奇偶校验电路。
（2）根据要求利用逻辑转换仪进行逻辑电路的设计。 a.问题提出：有一火灾报警系统，设有烟感、温感和紫外线三种类型不同的火 灾探测器。为了防止误报警，只有当其中有两种或两种以上的探测器发出火灾探测信号时，报警系统才产生报警控制信号，试设计报警控制信号的电路。 b.在逻辑转换仪面板上根据下列分析出真值表如图1-5所示：由于探测器发出 的火灾探测信号也只有两种可能，一种是高电平（1），表示有火灾报警；一种是低电平（0），表示正常无火灾报警。因此，令A、B、C分别表示烟感、温感、紫外线三种探测器的探测输出信号，为报警控制电路的输入、令F 为报警控制电路的输出。 图1-4 经分析得到的真值表和表达式
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
电工电子技术基础试题库(附有答案)
一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。 12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60o。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o，电阻消耗的功率P= 4840 W。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；
若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。 24．表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 角频率ω ；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的 初相 。 25．在RLC 串联电路中，已知电流为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为 50Ω ，该电路为 容 性电路。电路中吸收的有功功率为 750W ，吸收的无功功率为 1000var 。
“模拟电子技术基础”课程教学大纲
“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。
（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。
中职 电子技术基础考试题
电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间：90分钟 满分：100分 一、 选择题 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ） （A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 5．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变 6．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 7．晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ） A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8．稳压二极管正常工作时应工作在（ ）区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i o F X X A 为（ ）。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10．图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（ ）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题： 1．N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2．PN 结具有_________特性。 3．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 4．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于______。 X o
电子技术基础习题库
《电子技术基础》习题库 第一章 一、填空（1分共28分） 1、PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时则相反。 2、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。 3、二极管P区引出端叫____极或____极，N区的引出端叫____极或____极。 4、二极管的正向接法是__________接电源的正极，__________接电源的负极。反向接法则相反。 5、硅二极管导通时的正向管压降约为____V，锗二极管导通时的管压降约为____V。 6、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________和________________。 7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的极. 8检测二极管极性时，与黑表棒相接触的电极是二极管的极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已 经。
9、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常____于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较____。 10、发光二极管将____信号转换成____信号；光电二极管将____信号转换成____信号。 二、判断题（1分共9分） 1、半导体随温度的升高，电阻会增大。（） 2、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（） 3、二极管是线性元件。（） 4、不论哪种类型的二极管，其正向电压都为0.3V左右。（） 5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（） 6、二极管加正向电压就一定导通。（） 7、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档 位。（） 8、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击 穿。（） 9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（） 三、选择（2分共12分） 1、PN结最大的特点是具有（） A、导电性； B、绝缘性； C、超导性； D、单向导电性。
电子技术基础考试必备十套试题,有答案
电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体
二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的
《模拟电子技术基础》教学大纲
《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：
放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。
电子技术基础试题
。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________与__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0、7、0、3 4、使用二极管时,应考虑的主要参数就是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱与电流常__________于锗二极管的反向饱与电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________与__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 １、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N ２、二极管就是线性元件。()N ３、不论就是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为０、３Ｖ左右。()N ４、二极管具有单向导电性。()Y ５、二极管的反向饱与电流越大,二极管的质量越好。()N ６、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管就是线性元件。 ( )N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。( )Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点就是具有()C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时,硅二极管()C Ａ、立即导通Ｂ、到０、３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子就是( )。C A、电子 B、空穴 C、电子与空穴 5、P型半导体就是( )B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术基础期末考试试题及答案
座号 XXX2012—2013学年度第二学期期末考试试卷 职高二 《电子技术基础与技能》 题 号 一 二 三 四 总 分 得 分 （本试卷满分100分，考试用时120分钟） 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的表格内错选、多选或未选均无分。 1.触发器与组合逻辑电路比较（ ） A.两者都有记忆能力 B.只有组合逻辑电流有记忆能力 C.只有触发器有记忆能力 D.两者都没有记忆能力 2.与非门构成的基本RS 触发器，输入信号S =0,R =1，其输出状态是（ ） A.置1 B.置0 C.不定 D.保持 3.RS 触发器不具备 功能（ ） A.置 1 B.置0 C. 保 持 D.翻转 4.某计数器逻辑功能每5个时钟脉冲循环一次，且在每次循环过程中每来一个脉冲计数器新态加1，则该计数器是（ ） A.二进制加法器 B.五进制加法器 C.十进制加法器 D.五进制减法器 5.8421BCD 码是常见的二—十进制码，下列 是8421BCD 码禁用码（ ） A.1001 B.0111 C.1010 D.0101 6.下列说法正确的是（ ） A.Q=0称触发器处于0态 B. Q=0称触发器处于1态 C.Q =0称触发器处于0态 D.Q =1称触发器处于1态 7. JK 触发器在时钟脉冲作用下，触发器置1，其输入信号为（ ） A.J=1，K=1 B. J=0，K=0 C. J=1，K=0 D. J=0，K=1 8. D 触发器在CP 脉冲作用下，1 n Q =（ ） A.1 B.D C.0 D.n Q 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是（ ） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则n+1=1Q 的是（ ） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是（ ） A.31 B.32 C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为 的计数器（ ） A.n???????? ? B.2n C.n 2??? ???? ???D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为（ ） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为（ ） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为（ ） A.50V B.60V C.72V D.27V 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分）（对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴 （ ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显着下降 （ ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开 （ ） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域 （ ） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 （ ） 注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK 触发器可避免RS 触发器 状态出现。与RS 触发器比较，JK 触发器增加了 功能； 22.寄存器存放数码的方式有 和 两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线； 24.常见的滤波器有 、 和 ； 25.现有稳压值为5V 的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V 0= 。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 ----------------------------------------------密-----封-----线-----内-----不-----准-----答-----题---------------------------------------------------------------------------------