电子技术基础试题库
电子技术基础试题及答案10套
电子技术基础试题及答案10套(总30页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--电子技术基础试题(八)一、填空题(每题3分，共30分)1、PN结具有单向导电特性性能。
2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。
3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。
5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。
7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。
8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。
9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。
10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
二、选择题(每题3分，共30分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C )。
A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A )。
A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。
34．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A )。
A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C )。
A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B )。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
电子技术基础试题库(1~6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章）一、填空题：（每空1分）1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。
答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性，特性和特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答：0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性。
答：小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转换成信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即极、极和极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答：NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极管具有作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。
答：0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。
答：I C=βI B。
（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答：增加、小。
12、三极管的极限参数分别是，，和。
答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答：放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为，和。
答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答：使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
电子技术基础试题库及参考答案
电子技术基础试题库及参考答案试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)1、(本小题2分)由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“1”，断开为“0”，电灯亮为“1”，电灯暗为“0”，则该电路为 ( )。
(a)“与”门(b)“或”门(c) “非”门2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍(d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。
(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的为负反馈，RF2引入的为正反馈4、(本小题2分)振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在（）。
(a) O 点(b) A 点(c) B 点(d) C 点5、(本小题2分)电容三点式振荡电路如图所示，其振荡频率为（）。
(a)fL C C C Co ≈+121212π()(b) fLC CC Co≈+121212π()(c) fLC CC Co≈+11212()6、(本小题2分)整流电路如图所示，直流电压表V（内阻设为无穷大）的读数均为90 V，二极管承受的最高反向电压为141 V 的电路是下列图中（）。
7、(本小题2分)若晶闸管的控制电流由小变大，则正向转折电压（）。
(a) 由大变小 (b) 由小变大(c) 保持不变8、(本小题2分)某数/模转换器的输入为8 位二进制数字信号（D7 ~ D0），输出为 0~ 的模拟电压。
若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为( )。
(a) (b) (c)9、(本小题3分)电路如图所示，已知U CC＝12V，RC＝3k，β＝40且忽略U BE,若要使静态时U C E＝9V，则R B应取（）。
电子技术基础考试试题及参考答案
B电子技术基础考试试题及参考答案试题一、填空题 （每空 1 分，共 30 分）1. 硅二极管的死区电压为 V ，锗二极管的死区电压为V 。
2. 常用的滤波电路主要有 、 和 三种。
3. 晶体三极管的三个极限参数为 、 和 。
4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小 ，相位 的信号电压。
5. 互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为 电路，并有 通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为 电路，输出直接连接负载，而不 需 要 。
6.功率放大器主要用作 ，以供给负载 。
7. 集成稳压电源 W7905 的输出电压为 伏。
8. 异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为 0，另一个为 1 时，输出为 ；而两个输入端均为 0 或均为 1 时，输出为 。
9．(1111)2+(1001) 2=( ) 2 (35)10=( ) 2(1010) 2–(111)2=( ) 2 (11010)2=( ) 10(1110)2×(101) 2=( ) 2 10. 逻辑函数可以用 、 、 等形式来表示。
11. 组合逻辑电路包括 、 、 和加法器等。
二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“× 。
全打“√”或全打“×”不给分。
每小题 1 分，共 10 分） ” 1. 放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。
（ ） 2. 小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大 RI 减小， 从而使工作点下降到所需要的位置。
（ ）3. 对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。
（ ）4. 交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。
（ ）5. 同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。
（ ）6. 只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。
（ ）7. 多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。
（ ）8. TTL 集成电路的电源电压一般为 12 伏。
电子技术基础试题及答案
电子技术基础试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“与”门的输出为“1”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 至少有一个输入为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 所有输入都为“0”答案：A2. 下列哪个元件不是半导体器件？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 场效应管答案：C3. 在模拟电路中，放大器的增益通常指的是：A. 输入电压与输出电压之比B. 输入电流与输出电流之比C. 输入功率与输出功率之比D. 输出电压与输入电流之比答案：A4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D5. 在数字电路中，逻辑“或”门的输出为“0”的条件是：A. 所有输入都为“1”B. 所有输入都为“0”C. 至少有一个输入为“1”D. 至少有一个输入为“0”答案：B6. 以下哪种材料通常用于制作二极管的PN结？A. 硅B. 铜C. 铁D. 铝答案：A7. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的输入阻抗D. 无限的输出阻抗答案：C8. 在数字电路中，D触发器的输出状态取决于：A. 当前时钟脉冲B. 上一个时钟脉冲C. 初始状态D. 外部输入答案：B9. 以下哪种波形的频率是固定的？A. 正弦波B. 随机噪声C. 锯齿波D. 方波答案：A10. 在模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 抑制噪声C. 产生振荡D. 转换信号答案：B二、多项选择题（每题3分，共15分，每题至少有两个正确选项）1. 下列哪些元件可以用于整流电路？A. 二极管B. 三极管C. 电容D. 电感答案：A D2. 在数字电路中，下列哪些逻辑门可以实现逻辑“与”功能？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：A3. 以下哪些因素会影响二极管的正向导通电压？A. 材料B. 温度C. 电流D. 反向电压答案：A B C4. 在模拟电路中，以下哪些元件可以用于信号放大？A. 运算放大器B. 电阻C. 电容D. 二极管答案：A D5. 以下哪些波形属于非周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 随机噪声答案：D三、填空题（每题2分，共20分）1. 在数字电路中，逻辑“非”门的输出是输入的________。
电子技术基础测试题(含答案)
电子技术基础测试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真A、交越B、截止。
C、饱和。
正确答案：C2、与门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、部分高为高。
C、全低为高。
正确答案：A3、射极跟随器的特点是。
A、输入电阻大，输出电阻小。
B、输入电阻小，输出电阻大。
C、输入电阻大，输出电阻大。
正确答案：A4、JK触发器具有（）种逻辑功能。
A、4B、2C、3正确答案：A5、三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。
A、多数载流子B、少数载流子。
C、多数载流子和少数载流直。
正确答案：B6、稳压电源是一种将交流电转化成稳定直流电的电路。
A、✔B、×正确答案：A7、多谐振荡器是一种无稳态触发器。
A、×B、✔8、为使电路输入电阻高，输出电阻低，应引入（）A、电流并联负反馈。
B、电流串联负反馈。
C、电压串联负反馈。
正确答案：C9、TTL器件输入脚悬空相当于输入（）电平A、负B、高C、低正确答案：B10、将二进制数1111011写成八进制数应是（）A、173B、1323C、177正确答案：A11、组合逻辑电路的输出与电路的原状态（）A、有关B、无关C、不一定正确答案：A12、PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）A、既有多数载流子又有少数载流子。
B、少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案：C13、逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、有的相同，有的不相同。
B、不想同C、相同正确答案：A14、集成运放在开环情况下，一定工作在非线性区。
A、×B、✔15、数字电路比模拟电路抗干扰能力（）A、强B、相同C、差正确答案：A16、同步二进制计数器一般由t触发器组成。
A、×B、✔正确答案：B17、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
（）A、电压比较器。
B、差值放大器。
C、反相放大器。
正确答案：A18、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真A、截止。
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电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移B. 右移，上移C. 左移，上移D. 右移，下移2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。
A. 小于，大于B. 大于，小于C. 大于，大于D. 小于，小于3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1VB 0.2VC 0.5VD 0.7V11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。
A. 直流，相同，相同B. 交流，相同，相同C. 直流，不同，不同D. 交流，不同，不同12. 在25ºC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ ）。
A U th≈0.525V，I S≈0.05pAB U th≈0.525V，I S≈0.2pAC U th≈0.475V，I S≈0.05pAD U th≈0.475V，I S≈0.2pA二、判断题1. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）2.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（）3.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。
（）4.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。
（）5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
（）三、填空题1.当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5. PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12. PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
四、计算分析题1. 电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝4V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
(a)(b)(c)2. 已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝3mA ，最大值I ZM ＝20mA ，试问下面电路中的稳压管能否正常稳压工作，U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)3. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
o(c)(d)o4. 已知稳压管的稳定电压U Z = 6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。
试求稳压管正常工作时电阻R 的取值范围。
+－O5. 如图所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1V ，正常工作时要求正向电流为5～15mA 。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R 的取值范围是多少？+V DD R VS6. 二极管双向限幅电路如图所示，设tV u i ωsin 10=，二极管为理想器件，试画出输出u i 和u o 的波形。
7. 电路如图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV ，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？Ci D8. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压U o 。
设二极管的导通压降为0.7V 。
Vo(a)V(b)o9. 电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
V 2u ou I1u I2+5V（a ）u I1/V u I2/V 50.350.3tt（b ）10. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V ，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：（1）当开关S 闭合时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？ （2）当开关S 断开时，电压表V 和电流表A1、A2的读数分别为多少？U i R 2ΩS11. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
500Ω2k V12. 电路如图所示，试估算流过二极管的电流和A 点的电位。
设二极管的正向压降为0.7V 。
R 1R 2I DV +10V 3k Ω10k ΩR 32k Ω第二章 半导体三极管一、单选题1. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管D. 三极管和二极管2. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定3. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOSB. 增强型NMOSC. 耗尽型PMOSD. 耗尽型NMOS4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和B. 截止C. 放大D. 无法确定5. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定 6. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定7. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I UB. mA 40,V 2C CE ==I UC. mA 20,V 6C CE ==I UD. mA 2,V 20C CE ==I U8. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOSB. 耗尽型NMOSC. 增强型PMOSD. 增强型NMOS9. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>10. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=B. B C I I β≈C. CEO CBO I I )1(β+=D. βααβ=+11. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号B. 低频大信号C. 低频小信号D. 高频小信号12. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件B 、电流控制电压源器件C 、电压控制电流源器件D 、电压控制电压源器件二、判断题1. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
2. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
3. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
9. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。