CVT介质损耗试验

CVT介损现场测试方法浅谈

摘要：介绍了CVT的基本原理，分析计算了自激法测量CVT介损和电容量时应注意的问题和δ点电位情况，并和实测结果进行比较，为现场试验提供参考。

关键词：CVT；中间变；补偿电抗器；自激法

1．CVT基本工作原理

电容式电压互感器主要是由电容分压器、中压变压器、补偿电抗器、阻尼器等部分组成，后三部分总称为电磁单元，对其工作原理简介如下。

图1 CVT结构原理图

1.1基本结构

结构及部件原理见图1。由电容分压器和电磁单元部分组成。C1与C2串联构成分压器，C2上的电压在(10～20)kV，通常称为中间电压。电磁单元部分由补偿电抗器L、中间变压器T、补偿电抗保护器F和阻尼器R

构成。T将中间电压降为和100 V，且它的短路阻抗起电感作用，同补偿电抗一起构成对电容电流完全补偿的电感支路。F是L上电压的保护器，通常将电压限制在3～5kV，从结构上分带间隙的电阻器和氧化锌避雷器两种。R用于阻尼CVT铁磁谐振，从结构上分为谐振型和速饱和型。

1.2铁磁谐振与阻尼装置

图2 CVT 等值电路

由图2的等值回路可见，电容式电压互感器的等值电路中含有电容和非线性电感，当二次侧空载时，中间变压器的励磁阻抗与等值电容C=C1+C2

相串联，其自然振荡频率0f =

（m L 为中间变压器激磁电感），0f 一般为额定频率N f 的十几分之一或更低。当互感器一次侧突然合闸或二次侧受到冲击时，暂态过程产生的过电压会使中间变压器铁芯出现磁饱和，励磁电感m L 急剧下降，从而使此时回路的自然谐振频率

0f 上升，0f 可达到额定频率N f 的1/2, 1/3, I/5等，最常见的是I/3次

谐波谐振。由于回路中本身电阻很小，不外加阻尼或阻尼参数不当，分数次铁磁谐振就会持续下去。这种谐振过电压的幅值可达到额定电压的2～3倍，长期过流可造成中间变压器和电抗器绕组过热和绝缘损坏。因此电容式电压互感器制造时必须设置阻尼器，在短时间内大量消耗谐振能量，以抑制其自身铁磁谐振。最常见的是谐振型阻尼装置，如图3所示。

I c ?

图3谐振型阻尼器结构示意图

在额定运行条件下，Z L 和Z C 调谐到工频时产生并联谐，电抗极大，对阻尼绕组等效为开路。当发生I/n 次谐波谐振时，并联谐振条件被破坏，并联电抗下降，有效接入阻尼电阻，消耗回路能量，抑制谐振。 1.3补偿电抗器及其限压器

如图2所示，当分压电容器不带电磁单元时，此时得到开路中间电压

11212C U

U U

C C K

==+ 当分压器带上电磁单元而不接补偿电抗器时，当接入二次感性负荷后，等值电容12C C +形成较大的内阻抗，出现所谓的容升现象，使C 2的电压大于实际电压，因此必须进行补偿。

为了抵偿 X C 的影响，必须在分压器回路中串联一只补偿电抗器X K ，并在额定频率下，满足/

12k c T T X X X X =--。这样等值电容的压降就被电

抗器X K 及变压器漏抗压降所补偿，等值电容压降将只受数值很小的电阻

R 和/2R 上压降的影响，互感器的二次电压与一次电压之间将获得正确的

相位关系。在一般设计时，常使整个等值回路的感抗值略大于容抗值，称为过补偿，以减少电阻对相位差(角差)的影响。

补偿电抗器两端的电压在正常运行时只有几百伏，当CVT 二次侧发

生短路和开断过程中，补偿电抗器两端电压将出现过电压，必须加以限制才能保证安全，限压元件除了降低电抗器两端电压(一般产品按补偿电抗器额定工况下电压4倍考虑)外，还能对阻尼铁磁谐振起良好的作用。常见的限压元件有间隙加电阻、氧化锌阀片加电阻或不加电阻、补偿电抗器设二次绕组并接人间隙和电阻等几种，大部分产品均将限压器安装在电磁单元油箱内，保护间隙常用绝缘管作外壳，内装电极和云母片。也有部分产品将限压器安装在油箱外的二次出线板上。 2、试验实例 2.1 试品参数

防污型电容式电压互感器下节为例进行说明：铭牌及计算参数：

C 总为10.05nF C 2为62.6nF

C 1为11.97nF 高压绕组额定电压10.2kV 高压绕组额定电流30mA a1-d1绕组额定容量150VA ，额定电压

额定电流2.60A an-dn 绕组额定容量150VA 额定电压100V 额定电流1.5A 备注：

厂家技术资料中说明低压绕组电流不宜超过5A

中间变额定电压：11210.2ZJB C U U kV C C ?

=?=

?+??

中间变高压侧对于a1-d1绕组的变比：K ＝10.2/0.1＝177 2.2 C 1实测及估算

测量C1的电路如图4所示,δ点的工频耐受电压一般为4kV1min 。

2N DQ A N DQ

Z Z U U Z Z Z δ

++,其中：

Z j C ω=

，DQ Z R =,1

N N

Z j C ω=

由于Z 2<

A N

U Z U Z δ≈= 图4测量C1等值电路即U δ≈A U ，就是说在测量C1时，中间电压和δ点电压基本一样，因此要控制δ点电压不超过4KV （泛华6000D 、E 型介损仪自激法测量高压输出上限），现场试验电压一般取2～3kV 。

单独利用a1-d1绕组进行测量。

表1 C 1实测及估算

中间变高压侧实测和计算电流基本一样。 2.3 C 2实测及估算

测量C2的电路如图5所示，

2DQ A DQ

Z U U Z Z δ

+，由于Z 2>>Z DQ ，因

此在测量C 2的时候，δ点接近零电位，不会有绝缘击穿的危险。测量C2的风险在于限流电抗器过压和中间变过流。

图5测量C2等值电路表2 C 2实测及估算

可见，测量回路发生了谐振，利用45Hz 测量时，计算中间变低压侧需加电压为11.3V ，实际为4V ，中间变高压侧电压为708V ，另外的1292V 电压加在了串联电抗器上，正常运行时串抗上的电压一般为几百伏，保护器绝缘水平一般为3kV ，因此，对串抗绝缘没有危害。 2.4 计算实例

以50H Z 为例，利用a1-d1绕组，限定低压电流5A 。

低压电流5A ，根据中间变变比关系，利用1122I N I N =,可以计算高压侧电流为28mA ，小于额定电流30mA ，则：δ点限制电压为

2810142431462.610

I U V C ω--?===?? 从图5可见，C 1和C N 串联，由于为50pF ，C 2为62600 pF ，容抗相差1259倍, C N 引起的电流增量可以忽略，计算时C 1可以不考虑（有的数字电桥是利用C1作为标准电容测量C2，）。 3．结论

1．利用自激法测量CVT C 1电容量及介损时，C 2首端、尾端电位基本一样，需要考虑的是δ点绝缘问题。

2．利用自激法测量CVT C2电容量及介损时，δ点接近零电位，需要考虑的是中间变过流和串联电抗器过压的问题。

光纤损耗测试方法及其注意事项(1)

光纤损耗测试方法及其注意事项1 引言由于应用和用户对带宽需求的进一步增加和光纤链路对满足高带宽方面的巨大优势，光纤的使用越来越多。无论是布线施工人员，还是网络维护人员，都有必要掌握光纤链路测试的技能。 2004年2月颁布的TIA/ TSB-140测试标准，旨在说明正确的光纤测试步骤。该标准建议了两级测试，分别为： Tier 1（一级），使用光缆损耗测试设备（OLTS）来测试光缆的损耗和长度，并依靠OLTS或者可视故障定位仪（VFL）验证极性； Tier 2（二级），包括一级的测试参数，还包括对已安装的光缆链路的OTDR追踪。? 根据TSB-140标准，对于一条光纤链路来说，一级测试主要包括两个参数：长度和损耗。事实上，早在标准ANSI/TIA/EIA-526-14A 和ANSI/TIA/EIA-526-7中，已经分别对多模和单模光纤链路的损耗测试，定义了三种测试方法（长度的测量，取决于仪表是否支持，如果仪表支持，在测试损耗的同时，长度同时也会测量）。为了方便，我们分别称为：方法A、方法B和方法C。TSB－140就是在这基础上发展而来，与此兼容。那么这三种方法各有什么特点，怎么操作，应该在什么场合下使用呢？这正是本文要阐述的问题。另外，光纤链路的测试，不同于双绞线链路的测试，又有什么地方需要注意或者有什么原则可以遵循呢？这也是本文想与读者分享的内容。 2 如何测试光纤链路损耗光纤链路损耗的测试，包含两大步骤：一是设置参考值（此时不接被测链路），二是实际测试（此时接被测链路）。下面我们具体介绍一下标准中定义的三种测试损耗的方法（以双向测试为例）。 2.1 测试方法A

介质损耗详解

1、介质损耗什么就是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导与介质极化得滞后效应,在其内部引起得能量损耗。也叫介质损失,简称介损。 2、介质损耗角δ 在交变电场作用下,电介质内流过得电流相量与电压相量之间得夹角(功率因数角Φ)得余角(δ)。简称介损角。 3、介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数,就是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数得定义如下: 如果取得试品得电流相量与电压相量,则可以得到如下相量图: 总电流可以分解为电容电流Ic与电阻电流IR合成,因此: 这正就是损失角δ=(90°-Φ)得正切值。因此现在得数字化仪器从本质上讲,就是通过测量δ或者Φ得到介损因数。测量介损对判断电气设备得绝缘状况就是一种传统得、十分有效得方法。绝缘能力得下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降得原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损得同时,也能得到试品得电容量。如果多个电容屏中得一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显得变化,因此电容量也就是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ 功率因数就是功率因数角Φ得余弦值,意义为被测试品得总视在功率S中有功功率P所占得比重。功率因数得定义如下: 有得介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不就是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ

(1) 容量与误差:实际电容量与标称电容量允许得最大偏差范围、一般使用得容量误差有:J级±5%,K 级±10%,M级±20%、精密电容器得允许误差较小,而电解电容器得误差较大,它们采用不同得误差等级、常用得电容器其精度等级与电阻器得表示方法相同、用字母表示:D级—±0、5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%、 (2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受得最大直流电压,又称耐压、对于结构、介质、容量相同得器件,耐压越高,体积越大、 (3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量得相对变化值、温度系数越小越好、 (4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小得、一般小容量得电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆、电解电容得绝缘电阻一般较小、相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小、 (5) 损耗:在电场得作用下,电容器在单位时间内发热而消耗得能量、这些损耗主要来自介质损耗与金属损耗、通常用损耗角正切值来表示、 (6) 频率特性:电容器得电参数随电场频率而变化得性质、在高频条件下工作得电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小、损耗也随频率得升高而增加、另外,在高频工作时,电容器得分布参数,如极片电阻、引线与极片间得电阻、极片得自身电感、引线电感等,都会影响电容器得性能、所有这些,使得电容器得使用频率受到限制、不同品种得电容器,最高使用频率不同、小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ、不同材质电容器,最高使用频率不同、COG(NPO)材质特性温度频率稳定性最好,X7R次之,Y5V(Z5U)最差、贴片电容得材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同得材质规格,不同得规格有不同得用途、下面我们仅就常用得NPO、X7R、Z5U与Y5V来介绍一下它们得性能与应用以及采购中应注意得订货事项以引起大家得注意、不同得公司对于上述不同性能得电容器可能有不同得命名方法,这里我们引用得就是敝司三巨电子公司得命名方法,其她公司得产品请参照该公司得产品手册、

电流互感器介质损耗试验作业指导书

电流互感器介质损耗试验作业指导书试验目的：能有效发现绝缘受潮、劣化以及套管绝缘损坏等缺陷；测量电容型电流互感器末屏对地的tanδ主要是检查电流互感器底部和电容芯子表面的绝缘状况。试验仪器：泛华AI-6000E 自动抗干扰精密介损测试仪试验接线：（1）一次绕组对末屏tanδ 1K1 N L1L2 HV Cx CT 介损仪1K22K12K23K13K2 4K14K2CT （2）末屏对地tanδ

1K1 N L1L2 HV Cx CT 介损仪1K22K12K23K13K2 4K14K2CT 屏蔽线试验步骤： 1) 办理工作许可手续； 2) 向工作人员交代工作内容、人员分工、带电部位，进行危险点告知，并履行确认手续后开工； 3) 准备试验用的仪器、仪表、工具，所用仪器、仪表、工具应良好并在合格周期内； 4) 在试验现场周围装设围栏，打开高压警示灯，摆放温湿度计，必要时派专人看守； 5) 抄录被试电流互感器的铭牌参数； 6) 检查被试电流互感器的外观是否完好，必要时对套管进行擦拭和烘干处理； 7) 两人对电源盘进行验电，同时检测电源盘的漏电保护装置是否可靠动作；

8)将介损测试仪水平放稳； 9)按试验接线图进行接线； 10)确认接线正确后，试验人员撤到绝缘垫上，相关人员远离被试品； 11)大声呼唱，确认相关人员都在安全距离外，接通电源，打开仪器开关； 12)正确设置仪器的参数，一次绕组对末屏采用正接线，试验电压10kV，末屏对地采用反接线，试验电压2kV； 13)得到工作负责人许可后，按下“启动”按钮开始测量，测量完毕后记录测量数据； 14)关闭仪器开关，断开电源； 15)用放电棒对电流互感器充分放电； 16)拆除试验接线（先拆测量线，再拆接地线，拆接地线时先拆设备端，再拆接地端）； 17)整理仪器，记录温度和湿度，把仪器放回原位； 18)测量数值与标准或历史数据比较，判断是否合格，撰写试验报告。试验标准：交接标准： 1)互感器的绕组tanδ测量电压应为10 kV，末屏tanδ测量电压为2 kV；

光纤传输损耗测试-实验报告

华侨大学工学院实验报告课程名称：光通信技术实验实验项目名称：实验1 光纤传输损耗测试学院：工学院专业班级：13光电姓名：林洋学号：1395121026 指导教师：王达成

2016 年05 月日预习报告一、实验目的 1）了解光纤损耗的定义 2）了解截断法、插入法测量光纤的传输损耗二、实验仪器 20MHz双踪示波器万用表光功率计电话机光纤跳线一组光无源器件一套（连接器，光耦合器，光隔离器，波分复用器，光衰减器）三、实验原理 αλ，其含义为单位长度光纤引起的光纤在波长λ处的衰减系数为()

光功率衰减，单位是dB/km 。当长度为L 时， 10()()lg (/)(0) P L dB km L P αλ=- （公式1.1） ITU-T G.650、G.651规定截断法为基准测量方法，背向散射法（OTDR 法）和插入法为替代测量方法。本实验采用插入法测量光纤的损耗。（1）截断法：（破坏性测量方法）截断法是一个直接利用衰减系数定义的测量方法。在不改变注入条件下，分别测出长光纤的输出功率2()P λ和剪断后约2m 长度短光纤的输出功率1()P λ，按定义计算出()αλ。该方法测试精度最高。偏置电路注入系统光源滤模器包层模剥除器被测光纤检测器放大器电平测量图1.1 截断法定波长衰减测试系统装置（2）插入法插入法原理上类似于截断法，只不过用带活接头的连接软线代替短纤进行参考测量，计算在预先相互连接的注入系统和接受系统之间（参考条件）由于插入被测光纤引起的功率损耗。显然，功率 1 P 、 2 P 的测量没有截断法直接，而且由于连接的损耗会给测量带来误差，精度比截断法差一些。所以该方法不适用于光纤光缆制造长度衰减的测量。但由于它具有非破坏性不需剪断和操作简便的优点，用该方法做成的便携式仪表，非常适用于中继段长总衰减的测量。图1.2示出了两种参考条件下的测试原理框图。

关于介质损耗的一些基本概念

关于介质损耗的一些基本概念（泛华电子） 1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。 2、介质损耗角δ 在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。简称介损角。 3、介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下: 如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ 功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下: 有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ

介质损耗因数(tanδ)试验

align="center"> 图5-2 绝缘介质的等效电路表5-2 绝缘电阻测量结果绝缘电阻/MΩ(每隔60s测一次)

tanδ与施加电压的关系决定于绝缘介质的性能、绝缘介质工艺处理的好坏和产品结构。当绝缘介质工艺处理良好时，外施电压与tanδ之间的关系近似一水平直线，且施加电压上升和下降时测得的tanδ值是基本重合的。当施加电压达到某一极限值时，tanδ曲线开始向上弯曲，见图5-8曲线1。如果绝缘介质工艺处理得不好或绝缘介质中残留气泡等，则绝缘介质的tanδ比良好绝缘时要大。另外，由于工艺处理不好的绝缘介质在极低电压下就会发生局部放电，所以，tanδ曲线就会较早地向上弯曲，且电压上升和下降时测得的tanδ值是不相重合的，见图5-8曲线2。当绝缘老化时，绝缘介质的tanδ反而比良好绝缘时要小，但tanδ开始增长的电压较低，即tanδ曲线在较低电压下即向上弯曲，见图5-8曲线3。另外，老化的绝缘比较容易吸潮，一旦吸潮，tanδ就会随着电压的上升迅速增大，且电压上升和下降时测得的tanδ 值不相重合，见图5-8曲线4。 2.2 温度特性图5-6 绝缘介质等值电流相量图 I C—吸收电流的无功分量I R—吸收电流的有功分量 —功率因数角δ—介质损失角

图5-7 绝缘介质简化等效电路和等值电流相量图 (a)等效电路(b)等值电流相量图 C x—绝缘介质的总电容R x—绝缘介质的总泄漏电阻I Cx—绝缘介质的总电容电流I Rx—绝缘介质的总泄漏电流图5-8 绝缘介质tanδ的电压特性 tanδ随温度的上升而增加，其与温度之间的关系与绝缘材料的种类、性能和产品的绝缘结构等有关，在同样材料、同样绝缘结构的情况下与绝缘介质的工艺干燥、吸潮和老化程度有关。对于油浸式变压器，在10℃～40℃范围内，干燥产品的tanδ增长较慢;温度高于40℃，则tanδ的增长加快，温度特性曲线向上逐渐弯曲。为了比较产品不同温度下的tanδ，GB/T6451—1999国家标准规定了不同温度t下测量的tanδ的换算公式。 tanδ2＝tanδ1·1.3(t1-t2)/10 (5-2) 式中tanδ2——油温为t2时的tgδ值，%; tanδ1——油温为t1时的tgδ值，%。 3 tanδ测量方法 3.1 测量仪器及测量电压

固体绝缘材料介电常数、介质损耗试验方法

固体绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波长在内）下相对介电常数和介质损耗因数的试验方法本标准等效采用国际标准 IEC 250（1969）《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波长在内）下相对介电常数和介质损耗因数的推荐方法》，只是去掉其中液体试样及其试验部分。 1主题内容与适用范围本标准规定了固体绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波长在内）下相对介电常数和介质损耗因数的试验方法。本标准适用于 15 HZ～300 MHZ频率范围内测量固体绝缘材料的相对介电常数、介质损耗因数，并由此计算某些数值，如损耗指数。测量所得的数值与一些物理条件，例如频率、温度、湿度有关，在特殊情况下也与场强有关。 2定义 2.1相对介电常数绝缘材料的相对介电常数。r是电极间及其周围的空间全部充以绝缘材料时，其电容 Cx与同样构型的真空电容器的电容C0之比： Er=CX／C0………………………………………（ 1）在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对介电常数等于 1． 000 53。因此，用这种电极构型在空气中的电容C。来代替C。测量相对介电常数时，有足够的精确度。在一个给定的测量系统中，绝缘材料的介电常数是该系统中绝缘材料的相对介电常数。与真空介电常数的乘积。真空介电常数： E0=8.854×10-12F/m≈1×10-9F/36πm………………………（ 2）在本标准中用PF／cm来计算，真空介电常数为： E0=0.08854pF/cm 2. 2介质损耗角 6 绝缘材料的介质损耗角a，是由该绝缘材料作为介质的电容器上所施加的电压与流过该电容器的电流之间的相位差的余角。 2．3介质损耗因数tanδ 绝缘材料的介质损耗因数是介质损耗角E的正切tanE。 2.4损耗指数E n 绝缘材料的损耗指数E n，等于该材料的介质损耗因数不清tanE与相对介质常数e的乘积。 2.5相对复介电常数E 绝缘材料的相对复介电常数是由相对介电常数和损耗指数结俣而得出的。 Er=Er-JEr Er=Er 式中：Er是2.1条中所定义的相对介电常数。 E=Etane 有介质损耗的电容量，在任何经定的频率下既可用电容Cs和电阻Rs的串联回路来表示：

介质损耗

电介质在交变电场作用下，所积累的电荷有两种分量：(1)有功功率。一种为所消耗发热的功率，又称同相分量；(2)无功功率，又称异相分量。异相分量与同相分量的比值即称为介质损耗。通常用正切tanδ表示。tanδ=1/WCR(式中W为交变电场的角频率；C为介质电容；R为损耗电阻)。介电损耗角正切值是无量纲的物理量。可用介质损耗仪、电桥、Q表等测量。对一般陶瓷材料，介质损耗角正切值越小越好，尤其是电容器陶瓷。仅仅只有衰减陶瓷是例外，要求具有较大的介质损耗角正切值。橡胶的介电损耗主要来自橡胶分子偶极化。在橡胶作介电材料时，介电损耗是不利的；在橡胶高频硫化时，介电损耗又是必要的，介质损耗与材料的化学组成、显微结构、工作频率、环境温度和湿度、负荷大小和作用时间等许多因素有关。电介质损耗（dielectric losses ）：电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。这些热会使电介质升温并可能引起热击穿，因此，在电绝缘技术中，特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合，应尽量采用介质损耗因数（即电介质损耗角正切tgδ，它是电介质损耗与该电介质无功功率之比）较低的材料。但是，电介质损耗也可用作一种电加热手段，即利用高频电场（一般为0.3～300 兆赫）对电介质损耗大的材料（如木材、纸、陶瓷等）进行加热。这种加热由于热量产生在介质内部，比外部加热的加热速度快、热效率高，且加热均匀。频率高于300兆赫时，达到微波波段，即为微波加热（家用微波炉即据此原理）。电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。对于弛豫损耗，当交变电场的频率ω＝1／τ时，介质损耗达到极大值，τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。对于共振损耗，当电场频率等于电介质振子固有频率（共振）时，损失能量最大。电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起，属焦耳损耗，与电场频率无关。电容介质损耗和电流电压相位角之间的关系又称介电相位角。反映电介质在交变电场作用下，电位移与电场强度的位相差。在交变电场作用下，根据电场频率、介质种类的不同，其介电行为可能产生两种情况。对于理想介质电位移与电场强度在时间上没有相位差，此时极化强度与交变电场同相位，交流电流刚好超前电压π/2。对于实际介质而言，电位移与电场强度存在位相差。此时介质电容器交流电流超前电压的相角小于π/2。由此，介质损耗角等于π/2与介质电容器交流电流超差电压的相角之差。介质损耗角是在交变电场下，电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角（即功率向量角ф）的余角δ，简称介损角。介质损耗角（介损角）是一项反映高压电气设备绝缘性能的重要指标。介损角的变化可反映受潮、劣化变质或绝缘中气体放电等绝缘缺陷，因此测量介损角是研究绝缘老化特征及在线监测绝缘状况的一项重要内容。介质损耗检测的意义及其注意问题（1）在绝缘设计时，必须注意绝缘材料的tanδ 值。若tanδ 值过大则会引起严重发热，使绝缘加速老化，甚至可能导致热击穿。而在直流电压下，tanδ 较小而可用于制造直流或脉冲电容器。

介质损耗试验

电容和介质损耗测量一试验目的测量介质损耗的目的是判断电气设备的绝缘状况。测量介质损耗因数在预防性试验中是不可缺少的项目。因为电气设备介质损耗因数太大，会使设备绝缘在交流电压作用下，许多能量以热的形式损耗，产生的热量将升高电气设备绝缘的温度，使绝缘老化，甚至造成绝缘热击穿。绝缘能力的下降直接反映为介质损耗因数的增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。所以，在出厂试验时要进行介质损耗的试验，运行中的电气设备亦要进行此种试验。测量介质损耗的同时，也能得到试品的电容量。电容量的明显变化，反映了多个电容中的一个或几个发生短路、断路。二概念及原理介质损耗是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交流电压作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角为功率因数角(Φ)，而余角(δ)简称介损角。介质损耗正切值δ tg又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数（δ tg）的测量在电气设备制造、绝缘材料电气性能的鉴定、绝缘的试验等都是不可缺少的。因为测量绝缘介质的δ tg值是判断绝缘情况的一个较灵敏的试验方法。在交流电压作用下，绝缘介质不仅有电导的损耗，还有极化损耗。介质损耗因数的定义如下:

如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：合成，因此：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流I R 这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cos Φ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ

光纤损耗测试方法及其注意事项

《中国有线电视》2009(10) C H I N A D I G I T A L C A B L ET V·经验点滴·中图分类号:T N943.6 文献标识码:B 文章编号:1007-7022(2009)10-1094-01 光纤损耗测试方法及其注意事项 ◆管　辉(吉林省广播电影电视局三三一台,吉林永吉132200) 由于应用和用户对带宽需求的进一步增加和光纤链路在满足高带宽方面的巨大优势,光纤的使用越来越多,无论是布线施工人员还是网络维护人员都有必要掌握光纤链路测试的技能。 2004年2月颁布的T I A/T S B-140测试标准,旨在说明正确的光纤测试步骤,该标准建议了两级测试,分别为:T i e r1(一级),使用光缆损耗测试设备(O L T S)来测试光缆的损耗和长度,并依靠O L T S或者可视故障定位仪(V F L)来验证极性;T i e r2(二级),包括一级的测试参数,还包括对已经安装的光缆链路的O T D R 追踪。根据T S B-140标准,对于一条光纤链路来说,一级测试主要包括两个参数:长度和损耗。事实上,早在标准A N S I/T I A/E I A-526-14A和A N S I/T I A/E I A-526-7中,已经分别对多模和单模光纤链路的损耗测试定义了3种测试方法(长度的测量,取决于仪表是否支持,如果仪表支持,在测试损耗的同时,长度同时也会测量)。 1　如何测试光纤链路损耗光纤链路损耗的测试包含两大步骤:一是设置参考值(此时不接被测链路),二是实际测试(此时接被测链路),下面具体介绍标准中定义的3种测试损耗的方法(以双向测试为例)。测试方法A:方法A设置参考值时,采用两条光纤跳线和一个连接器(考虑一个方向,见图1上半部分),设置参考值后,将被测链路接进来(见图1 下半部分),进行测试。我们不难发现,每个方向的测试结果中包括光纤和一端的连接器的损耗,因此方法A是用来测试这种光缆链路:光纤链路一端有连接器,另一端没有。图1　测试方法A 测试方法B:方法B设置参考值时,只使用一条光纤跳线(考虑一个方向,见图2上半部分),设置参考值后,将被测链路接进来(见图2下半部分),进行测试。这种方法的测试结果中,包括光纤链路和两端连接的损耗,因此方法B是用来测试这种光缆链路:链路两端都有连接器,其连接器的损耗是整个损耗的重要部分,这就是室内光缆的常见例子。从技术角度讲,测试结果还包括额外的光纤跳线(3～4)的损耗,但是其长度较短,损耗可以忽略不计。对室内光缆网络,这种方法提供了精确的光缆链路测试,因为它包括了光图2　测试方法B 缆本身以及电缆两端的连接器。

光纤传输损耗测试实验报告报告

华侨大学工学院实验报告课程名称：光通信技术实验实验项目名称：实验1 光纤传输损耗测试学院：工学院专业班级：13光电姓名：林洋学号：1395121026 指导教师：王达成 2016 年05 月日

预习报告一、实验目的 1）了解光纤损耗的定义 2）了解截断法、插入法测量光纤的传输损耗二、实验仪器 20MHz 双踪示波器万用表光功率计电话机光纤跳线一组光无源器件一套（连接器，光耦合器，光隔离器，波分复用器，光衰减器）三、实验原理光纤在波长λ处的衰减系数为()αλ，其含义为单位长度光纤引起的光功率衰减，单位是dB/km 。当长度为L 时， 10()()l g (/)(0) P L dB km L P αλ=- （公式1.1） ITU-T G .650、G .651规定截断法为基准测量方法，背向散射法（OTDR 法）和插入法为替代测量方法。本实验采用插入法测量光纤的损耗。（1）截断法：（破坏性测量方法）截断法是一个直接利用衰减系数定义的测量方法。在不改变注入条件下，分别测出长光纤的输出功率2()P λ和剪断后约2m 长度短光纤的输出功率1()P λ，按定义计算出()αλ。该方法测试精度最高。

图1.1 截断法定波长衰减测试系统装置（2）插入法插入法原理上类似于截断法，只不过用带活接头的连接软线代替短纤进行参考测量，计算在预先相互连接的注入系统和接受系统之间（参考条件）由于插入被测光纤引起的功率损耗。显然，功率1P、2P的测量没有截断法直接，而且由于连接的损耗会给测量带来误差，精度比截断法差一些。所以该方法不适用于光纤光缆制造长度衰减的测量。但由于它具有非破坏性不需剪断和操作简便的优点，用该方法做成的便携式仪表，非常适用于中继段长总衰减的测量。图1.2示出了两种参考条件下的测试原理框图。（a）（b）图1.2 典型的插入损耗法测试装置

G652D光纤宏弯损耗测试方法(精)

G652D光纤宏弯损耗测试方法摘要：实现了一种全集成可变带宽中频宽带低通滤波器，讨论分析了跨导放大器-电容(OTA—C)连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现，使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制，并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明，该滤波器带宽的可调范围为1～26 MHz，阻带抑制率大于35 dB，带内波纹小于0．5 dB，采用1．8 V电源，TSMC 0．18μm CMOS工艺库仿真，功耗小于21 mW，频响曲线接近理想状态。关键词：Butte 光纤宏弯损耗测试，在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为：光纤以30mm半径松绕100圈，在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代替100圈光纤进行试验，在此情况下，绕的圈数环的半径和最大允许的弯曲损耗都应该与30mm半径100圈试验的损耗值相适应。大多光纤厂家都提供Φ60mm*100圈的判断标准，然而，在日常的测试工作中，若要采用方便快捷的实验方法，则倾向于按照注2中的建议去进行一些常规判断。因此，掌握Φ32mm*1圈与Φ60mm*100圈的数据差异就十分有必要。 Φ32mm*1宏弯测试更为简便两种宏弯损耗测试方法示意图如图1所示。用上述方法对10盘正常生产条件下的光纤样品进行对比测试。分别在1310nm、1550nm、1625nm三种波长下，对10盘光纤样品的宏弯平均值、标准偏差进行统计，最后将全部数据汇总，得到图2。从整体数据汇总图可看出，Φ32mm*1宏弯测试方法所得数据的平均值和标准偏差都比Φ60mm*100的要小，且数据相对稳定，重复性好。当然所抽样品也不是完全都遵循此规律，10个样品中有3个样品在1625nm窗口下Φ32mm*1 所得数据的平均值大于Φ60mm*100所测得的;还有1个样品在1550nm、1625nm窗口下所得数据的标准偏差大于Φ60mm*100的。 10个样品用两种测试方法所得数据的平均值和标准偏差相差不大，处于一个数据等级内。Φ32mm*1的判断标准应考虑的与60mm*100比较接近。

介质损耗角

介质损耗角是在交变电场下，电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角（即功率向量角ф）的余角δ，简称介损角。介质损耗角（介损角）是一项反映高压电气设备绝缘性能的重要指标。介损角的变化可反映受潮、劣化变质或绝缘中气体放电等绝缘缺陷，因此测量介损角是研究绝缘老化特征及在线监测绝缘状况的一项重要内容。介质损耗检测的意义及其注意问题（1）在绝缘设计时，必须注意绝缘材料的tanδ 值。若tanδ 值过大则会引起严重发热，使绝缘加速老化，甚至可能导致热击穿。而在直流电压下，tanδ 较小而可用于制造直流或脉冲电容器。（2）值反映了绝缘的状况，可通过测量tanδ=f(ф)的关系曲线来判断从良状态向劣化状态转化的进程，故tanδ的测量是电气设备绝缘试验中的一个基本项目。（3）通过研究温度对tanδ值的影响，力求在工作温度下的tanδ值为最小值而避开最大值。（4）极化损耗随频率升高而增大，尤其电容器采用极性电介质时，其极化损耗随频率升高增加很快，当电源中出现高次（如3次、5次）谐波时，就很容易造成电容器绝缘材料因过热而击穿。（5）用于冲击测量的连接电缆，其绝缘的tanδ必须很小，否则所测冲击电压通过电缆后将发生严重的波形畸变，影响到测量的准确性。数字化测量介质损耗角的方法新闻出处：谢家琪发布时间： 2007年03月12日摘要：总结了介损模拟测量方法存在的不足。对当前几种典型的介质损耗数字化测量方法进行了介绍，讨论了每种方法的优缺点和实际应用中出现的一些问题，并对介损数字化测量的发展前景进行了展望。关键词：介质损耗数字化测量 1 引言高压电气设备中，对绝缘介质损耗的测试具有很重要的意义。在高压预防性试验中，介质损耗因素的测量属于高准确度测量，通常是在被测试品两端加以工频50Hz的高电压（10kV），使被测试品流过一个极其微小的电流，利用电压与电流之间夹角的余角δ的正切值来反映被测试品的介质损耗大小。这种高电压、微电流、小角度的精密测量要求测量系统应具有很高的灵敏度和准确性，在现场条件下还需要具有较强的抗干扰能力。过去介质损耗角的测量采用模拟测量方法，主要有谐振法、瓦特表法和电桥法，谐振法只适用于低压高频状态下的测量。瓦特表法是由介质损失的功率和经过的电流计算求得，瓦特表法由于测量准确度低，现已基本淘汰。电桥法是采用交流电桥差值比较原理，准确度相对较高，其典型代表是西林电桥，见图1所示。由电桥平衡条件可得出被试品的电容值Cx及tanδ: CX=(R4/R3)CN tanδ=ωC4R4

光纤损耗测试方法及其注意事项

光纤损耗测试方法及其注意事项 1 引言随着应用和用户对带宽需求的进一步增加，光纤链路对满足高带宽方面的巨大优势逐步体现，光纤的使用越来越多。在施工中，无论是布线施工人员，还是网络维护人员，都有必要掌握光纤链路测试的技能。 2004年2月颁布的TIA/ TSB-140测试标准，旨在说明正确的光纤测试步骤。该标准建议了两级测试，分别为： Tier 1（一级），使用光缆损耗测试设备（OLTS）来测试光缆的损耗和长度，并依靠OLTS或者可视故障定位仪（VFL）验证极性； Tier 2（二级），包括一级的测试参数，还包括对已安装的光缆链路的OTDR追踪。根据TSB-140标准，对于一条光纤链路来说，一级测试主要包括两个参数：长度和损耗。事实上，早在标准ANSI/TIA/EIA-526-14A 和ANSI/TIA/EIA-526-7中，已经分别对多模和单模光纤链路的损耗测试，定义了三种测试方法（长度的测量，取决于仪表是否支持，如果仪表支持，在测试损耗的同时，长度同时也会测量）。为了方便，本文中分别称为：方法A、方法B和方法C。TSB－140就是在这基础上发展而来，与此兼容。本文主要就这三种方法各自的特点、操作方法、应该使用的场合进行分析和阐述。另外，对光纤链路的测试中需要注意的问题进行分析。 2 如何测试光纤链路损耗光纤链路损耗的测试，包含两大步骤：一是设置参考值（此时不接被测链路），二是实际测试（此时接被测链路）。标准中定义了三种测试损耗的方法（以双向测试为例）： 2.1 测试方法A 方法A设置参考值时，采用两条光纤跳线和一个连接器（考虑一个方向，如图1）。设置参考值后，将被测链路接进来（如图2），进行测试。图1 图2 每个方向的测试结果中包括光纤和一端的连接器的损耗。因此，方法 A 是用来测试这种光缆链路：光纤链路一端有连接器，另一端没有。 2.2 测试方法B 方法B设置参考值时，只使用了一条光纤跳线（考虑一个方向，如图3）。设置参考值后，将被测链路接进来（如图4），进行测试。图3 图4 这种方法的测试结果中，包括光纤链路和两端连接的损耗。因此，方法B是用来测试这种光缆链路：链路两端都有连接器，其连接器的损耗是整个损耗的重要部分。这就是室内光缆的常见例子。从技术角度讲，测试结果中还包括了额外的光纤跳线（3－4）的损耗，但是其长度较短，损耗可以忽略不计。对室内光缆网络，这种方法提供了精确的光缆链路测试，因为它包括了光缆本身以及电缆两端的连接器。 2.3 测试方法C 方法C设置参考值时，使用三条光纤和两个连接器（单方向，见图5），其中两个连接

光纤损耗测试方法及其注意事项

1引言由于应用和用户对带宽需求的进一步增加和光纤链路对满足高带宽方面的巨大优势，光纤的使用越来越多。无论是布线施工人员，还是网络维护人员，都有必要掌握光纤链路测试的技能。 2004年2月颁布的TIA/TSB-140测试标准，旨在说明正确的光纤测试步骤。该标准建议了两级测试，分别为： Tier1（一级），使用光缆损耗测试设备（OLTS）来测试光缆的损耗和长度，并依靠OLTS或者可视故障定位仪（VFL）验证极性； Tier2（二级），包括一级的测试参数，还包括对已安装的光缆链路的OTDR追踪。? 根据TSB-140标准，对于一条光纤链路来说，一级测试主要包括两个参数：长度和损耗。事实上，早在标准ANSI/TIA/EIA-526-14A和ANSI/TIA/EIA-526-7中，已经分别对多模和单模光纤链路的损耗测试，定义了三种测试方法（长度的测量，取决于仪表是否支持，如果仪表支持，在测试损耗的同时，长度同时也会测量）。为了方便，我们分别称为：方法A、方法B和方法C。TSB－140就是在这基础上发展而来，与此兼容。那么这三种方法各有什么特点，怎么操作，应该在什么场合下使用呢？这正是本文要阐述的问题。另外，光纤链路的测试，不同于双绞线链路的测试，又有什么地方需要注意或者有什么原则可以遵循呢？这也是本文想与读者分享的内容。 2如何测试光纤链路损耗光纤链路损耗的测试，包含两大步骤：一是设置参考值（此时不接被测链路），二是实际测试（此时接被测链路）。下面我们具体介绍一下标准中定义的三种测试损耗的方法（以双向测试为例）。 2.1测试方法A 方法A设置参考值时，采用两条光纤跳线和一个连接器（考虑一个方向，如下图上半部分）。设置参考值后，将被测链路接进来（如下图下半部分），进行测试。

浅淡介质损耗测量的意义和方法

一．测量介质损耗角正切值tg 有何意义？介质损耗角正切值又称介质损耗因数或简称介损。测量介质损耗因数是一项灵敏度很高的试验项目，它可以发现电力设备绝缘整体受潮、劣化变质以及小体积被试设备贯通和未贯通的局部缺陷。例如：某台变压器的套管，正常tg 值为0.5％，而当受潮后tg 值为3.5％，两个数据相差7倍；而用测量绝缘电阻检测，受潮前后的数值相差不大。由于测量介质损耗因数对反映上述缺陷具有较高的灵敏度，所以在电工制造及电力设备交接和预防性试验中都得到了广泛的应用。变压器、发电机、断路器等电气设备的介损测试《规程》都作了规定。二．当前国内抗干扰介损测试仪的现状及技术难点？抗干扰介损测试仪的技术发展很快，以前在电力系统广泛使用的QS1西林电桥正被智能型的抗干扰介损测试仪取代，新一代的抗干扰介损测试仪均内置升压设备和标准电容，并且具有操作简单、数据准确、试验结果读取方便等特征。虽然目前抗干扰介损测试仪发展很快，但与国际水平相比，在很多方面仍有很大差距，差距主要表现在以下几个方面：（1）抗干扰能力由于介质损耗测试是一个灵敏度很高的项目，因此测试数据也极易受到外界电场的干扰，目前抗干扰介损测试仪采取的抗干扰方法主要有：倒相法、移相法、异频法等。虽然这些方法能在一定程度下解决干扰的问题，但当外界干扰很强的情况下，仍会产生较大的偏差。（2）反接法的测试精度问题现场很多电力设备均已接地，因此必须使用反接法进行检测，但反接时，影响测试数据的因素较多，往往数据会有很大偏差，特别是当被试品容量较小（如套管），高压导线拖地测试时（有些介损测试仪所配高压导线虽能拖地使用，但对地泄漏电流较大），会严重影响测试的准确度。三．什么是“全自动反干扰源”，与其它几种抗干扰方法相比有何特点？所谓“全自动反干扰源”，即抗干扰介损测试仪内部有一套检测装置，能检测到外界干扰信号的幅值和相位，将相关信息传送给CPU，CPU输出指令给“反干扰源控制装置”，该装置会在抗干扰介损测试仪内部产生一个和干扰信号幅值相同但相位相反的“反干扰信号”，与“干扰信号”叠加抵消，以达到抗干扰的目的。由于在整个测试过程，“反干扰源”自动产生，用户无需干预，我们称之为“全自动反干扰源”。四．传统的抗干扰方法主要有倒相法、移相法、异频法等，其工作原理如何？ 1、倒相法将抗干扰介损测试仪工作电源正、反两次倒相测试，将两次测试结果进行分析处理，达到抗干扰目的，该方法在外界干扰很弱的情况下有一定的效果。 2、移相法思路缘于“倒相法”，只是将工作电源倒相改为移相至干扰信号相位相同而达到减弱干扰影响的目的，实践表明，在干扰强烈的情况下，数据仍然偏差较大。 3、异频法

绝缘油介质损耗因数测定作业指导书

绝缘油介质损耗因数测定作业指导书 1.范围本指导书适用于绝缘油（包括新油和运行油）介质损耗因数测定，规定了试验引用标准、仪器设备要求、作业程序、试验结果判断方法和试验注意事项等。制定本指导书的目的是规范操作、保证试验结果的准确性，为设备运行、监督、检修提供依据。除介质损耗因数测定的绝缘油其它相关试验不在本作业指导书范围内，参阅相应作业指导书。 2.规范性引用文件下列文件中的条款通过本作业指导书的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单或修订版均不适用于本作业指导书，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本作业指导书。 GB5654 液体绝缘材料工频相对介电常数介质损耗因数和体积电阻率的试验方法 3.工作程序 3.1试验设备绝缘油自动介质损耗测量仪。 3.2作业程序 3.2.1清洗油杯试验前（必要时：当试验结果发现异常时，如数据分散性大或不合格）将油杯先用石油醚或清洗剂清洗干净，并在烘干箱烘干，温度设为105℃—110℃，时间为2h。 3.2.2空杯试验将空杯升温至90℃，介质损耗角正切值应小于0.0001，即确认干净。 3.2.3装取油样空杯先用被试油样冲洗两次以上，再装油样，静置10min。 3.2.4介质损耗角正切值测量对被试油样升温至90℃，进行介质损耗角正切值测量。 3.2.5废油处理 1

试验完毕后，妥善处理好废油。应有专门容器存放废油，并定期进行集中处理，避免环境污染。 3.3试验结果判断依据试验结果应满足表1要求。表1 绝缘油介质损耗值 3.4 注意事项 a)测量仪器放置地点应无强大电磁干扰和机械震动并有可靠接地。 b)油杯要干燥和清洁，试样要有代表性，装入油时不能有气泡和杂质。 c)绝缘油自动介质损耗测量仪应定期校验。 4.原始记录与正式报告的要求 a)原始记录的填写要字迹清晰、完整、准确，不得随意涂改，不得留有空白，并在原始记录上注明使用的仪器设备名称及编号。 b)当记录表格出现某些“表格”确无数据记录时，可用“/”表示此格无数据。 c)若确属笔误，出现记录错误时，允许用“单线划改”，并要求更改者在更改旁边签名。 d)原始记录应由纪录人员和审核人员二级审核签字；试验报告应由拟稿人员、审核人员、批准人员三级审核签字。 e)原始记录的记录人与审核人不得是同一人，正式报告的拟稿人与审核/批准人不得是同一人。 f)原始记录及试验报告应按规定存档。 2

光缆接续损耗及互联网测试计算方法

工信部颁YDJ44-89《电信网光纤数字传输系统施工及验收暂行规定》简称《暂规》，对光纤接续损耗的测量方法做了规定，但没有规定明确的标准。原信产部郑州设计院在中国电信南九试验段以后的工程中提出了中继段单纤平均接续损耗0.08dB/个的设计标准，以后的干线工程均沿用。 1、光纤衰减：1310nm波长，0.35dB/km；1490nm波长，0.22dB/km。 2、光活动连接器插入衰减：0.5dB/个（尾纤连接）。 3、光纤熔接接头衰减：束状光缆0.1dB/每个接头，带状光缆0.2db/每个接头。 4、冷接子双向平均值为0.15dB/每个接头。互联网(Dedicated Internet Access)测试计算方法：在计算机网络、IDC机房中，其宽带速率的单位用bps(或b/s)表示；换算关系为：1Byte=8bit 1B=8b----------1B/s=8b/s(或1Bps=8bps) 1KB=1024B----------1KB/s=1024B/s 1MB=1024KB----------1MB/s=1024KB/s 在实际上网应用中，下载软件时常常看到诸如下载速度显示为128KB（KB/s），103KB/s等等宽带速率大小字样，因为ISP提供的线路带宽使用的单位是比特，而一般下载软件显示的是字节（1字节＝8比特），所以要通过换算，才能得实际值。然而我们可以按照换算公式换算一下： 128KB/s=128×8(Kb/s)=1024Kb/s=1Mb/s即：128KB/s=1Mb/s 理论上：2M（即2Mb/s）宽带理论速率是：256KB/s（即2048Kb/s），实际速率大约为80--200kB/s；(其原因是受用户计算机性能、网络设备质量、资源使用情况、网络高峰期、网站服务能力、线路衰耗，信号衰减等多因素的影响而造成的)。

介质损耗角正切值的测量

介质损耗角正切值的测量一．实验目的：学习使用QS1型西林电桥测量介质损耗正切值的方法。二．实验项目： 1．正接线测试 2．反接线测试三．实验说明：绝缘介质中的介质损耗（P=ωC u2 tgδ）以介质损耗角δ的正切值(tgδ)来表征, 介质损耗角正切值等于介质有功电流和电容电流之比。用测量tgδ值来评价绝缘的好坏的方法是很有效的，因而被广泛采用，它能发现下述的一些绝缘缺陷：绝缘介质的整体受潮；绝缘介质中含有气体等杂质；浸渍物及油等的不均匀或脏污。测量介质损耗正切值的方法较多，主要有平衡电桥法（QS1），不平衡电桥法及瓦特表法。目前，我国多采用平衡电桥法，特别是工业现场广泛采用QS1 型西林电桥。这种电桥工作电压为10Kv，电桥面板如图2-1 所示，其工作原理及操作方法简介如下： ⑴．检流计调谐钮⑵．检流计调零钮 ⑶．C4电容箱（tgδ）⑷．R3电阻箱 ⑸．微调电阻ρ（R3桥臂）⑹．灵敏度调节钮 ⑺．检流计电源开关⑻．检流计标尺框 ⑼．+tgδ/-tgδ及接通Ⅰ/断开/接通Ⅱ切换钮

⑽．检流计电源插座 ⑾．接地 ⑿．低压电容测量 ⒀．分流器选择钮 ⒁．桥体引出线图2-1 QS1西林电桥面板图 1．工作原理：原理接线图如图2-2所示，桥臂BC 接入标准电容C N （一般C N =50pf ），桥臂BD 由固定的无感电阻R 4和可调电容C 4并联组成，桥臂AD 接入可调电阻R 3，对角线AB 上接入检流计G ，剩下一个桥臂AC 就接被试品C X 。高压试验电压加在CD 之间，测量时只要调节R 3和C 4就可使G 中的电流为零，此时电桥达到平衡。由电桥平衡原理有：图2-1 QS1西林电桥面板图 BD CB AD CA U U U U = 即： BD CB AD CA Z Z Z Z = （式2-1）各桥臂阻抗分别为： X X X X CA R C j R Z Z ?+= =?1 44441R C j R Z Z BD ?+= =? 33R Z Z AD == N N CB C j Z Z ?1 = = 将各桥臂阻抗代入式2-？，并使等式两边的实部和虚部分别相等，可得： 3 4 R R C C N X ? = 44R C tg ??=?δ （式2-2）在电桥中，R 4的数值取为=10000/π=3184（Ω），电源频率ω=100π，因此： tg δ= C 4（μf ）（式2-3）即在C 4电容箱的刻度盘上完全可以将C 4的电容值直接刻度成tg δ值（实际上是刻度成tg δ（%）值），便于直读。