半导体专业术语
半导体行业内相关名词
半导体行业内相关名词
1. 微处理器（Microprocessor）: 是一种集成电路，用于执行计算机的指令和操作。
2. 芯片（Chip）: 是半导体材料上制造的集成电路，可以执行特定的功能。
3. 功率半导体（Power semiconductor）: 用于控制和调节电流和电压的半导体器件，常用于电力电子系统和功率放大器等应用。
4. 二极管（Diode）: 是一个具有两个电极的电子器件，主要用于限制电流的方向。
5. 晶体管（Transistor）: 是一种用于放大和开关电路的半导体器件，常用于电子设备中。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）: 是一种常用的功率半导体器件，被广泛应用于电子电路中。
7. LED（Light-emitting diode）: 是一种能将电能转化为光能的半导体器件，常用于照明、显示和指示等应用。
8. MEMS（Microelectromechanical systems）: 是一种微型机械器件，由微芯片上的微电子器件和微机械系统组成。
9. IC（Integrated circuit）: 是一种通过集成电路制造技术将多个电子器件集成在一起制成的器件。
10. Wafer（晶圆）：也称为半导体晶圆，是用来制造集成电路和微电子器件的基础材料之一。
以上只是半导体行业内的一些常见名词，还有许多其他名词和专业术语与该行业相关。
dummy半导体术语
dummy半导体术语
以下是与半导体相关的一些术语：
1. 半导体（Semiconductor）：一种介于导体和绝缘体之间的材料，具有在特定条件下能够导电的特性。
2. 掺杂（Doping）：向半导体材料中引入掺杂剂，以改变其导电性能的过程。
3. 电子（Electron）：带有负电荷的基本粒子，当它在半导体中移动时，产生电流。
4. 空穴（Hole）：带有正电荷的缺失电子，能够在半导体中移动，参与导电过程。
5. PN结（PN Junction）：由一个P型半导体和一个N型半导体结合而成的界面，是常见的半导体器件结构。
6. 二极管（Diode）：由PN结组成的电子器件，能够只允许电流单向通过。
7. 晶体管（Transistor）：一种能够放大或开关电流的三层或更多层半导体器件。
8. 集成电路（Integrated Circuit）：在一个小芯片上集成了数十亿个晶体管和其他电子组件的电路。
9. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：一种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管，是现代计算机芯片中最重要的基本元件之一。
10. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）：一种集成电路技术，采用MOSFET构成的电路，具有低功耗、高集成度等优点。
这里仅列举了一些常见的术语，实际上半导体领域还有更多术语和专业名词。
常用半导体功能术语
常用半导体功能术语半导体是一种具有特殊电导性能的材料，广泛应用于电子和光电技术领域。
以下是一些常用的半导体功能术语：1. 传导带（Conduction Band）：带电的价电子从价带跃迁到传导带上，形成了电子-空穴对。
2. 价带（Valence Band）：在半导体材料中，价电子占据的能级带。
3. 杂质（Impurity）：被有意地或无意地引入到半导体中的不纯物质，可以影响其电导性。
4. 被激激发（Excitation）：原子或分子吸收外部能量后，其电子从较低能态跃迁到较高激发能态。
5. 能隙（Band Gap）：价带和传导带之间的能量差，决定了半导体的电导性质。
能隙越小，半导体的导电性越好。
6. 上升沿和下降沿（Rising and Falling Edge）：指信号电压在从低电平到高电平或从高电平到低电平的瞬间变化。
7. 倒障层（Barrier）：引入两种不同材料接触处的能级，阻碍电子或空穴跨越此界面。
8. PN结（PN Junction）：由N型半导体和P型半导体通过硅键连接形成的结构。
9. 正偏压（Forward Bias）：PN结中P区的端口连向正电压，N区的端口连向负电压，电子从N区向P区移动。
10. 反偏压（Reverse Bias）：PN结中P区的端口连向负电压，N区的端口连向正电压，电子从P区移动到N区。
11. 势垒（Barrier Potential）：PN结两侧的电场形成的势能差。
12. 整流（Rectification）：将交流信号转化为直流信号的过程。
13. 放大器（Amplifier）：接收弱信号并使其输出为强信号的电路或设备。
14. 栅极（Gate）：场效应晶体管中控制电流的电极。
15. 集电极（Collector）：双极晶体管中接收和输出电流的电极。
16. 基极（Base）：双极晶体管中控制和调制电流的电极。
17. 激活（Activate）：将物质暴露在高温环境下，使其具有半导体特性。
半导体专业词汇汇总
半导体专业词汇汇总
1. “晶圆”呀，这就像是半导体世界里的小舞台，所有的精彩都在这上面展开！比如，我们手机里的芯片就是在晶圆上制造出来的哦。
2. “晶体管”，那可是半导体的大功臣啊！就好像是电路里的小开关，控制着电流的通断呢。
你看电脑的运行不就靠它嘛！
3. “集成电路”简直太厉害啦！这不就是把好多好多的晶体管啥的都集成在一起嘛，就像一个超级团队一样！像我们家里的各种电器都有它的功劳呀。
4. “半导体材料”，这可是基础呀！没有它哪来的半导体器件呢？好比盖房子的砖头，没有砖头怎么能有坚固的房子呢？这半导体材料就类似于这样重要的存在啊。
5. “封装”，把芯片保护起来的重要一步呀！就如同给宝贝穿一件坚固的外衣，让它能更好地工作和发挥作用呢。
像我们平常看到的那些芯片，都是经过封装的哟。
6. “光刻”，哇，这可是个精细活呢！它就像是在晶圆上画画，得超级仔细才行。
这个步骤要是没做好，那后面可就都乱啦！
7. “掺杂”，这可是改变半导体性能的关键呀！就好像给它加点特别的调料，让它变得更独特和好用。
很多半导体器件的特性可都是靠掺杂来实现的呢！
8. “蚀刻”，把不需要的部分去掉，这就像是给半导体做一次精准的修剪。
有了它，才能让半导体呈现出我们想要的形状和功能呀！
总之，这些半导体专业词汇可都太重要啦，它们共同构建了半导体这个神奇的领域！。
半导体专业用语
半导体专业用语一、半导体专业用语之基础概念半导体呢，就是那种导电性介于导体和绝缘体之间的材料啦。
比如说硅（Si）和锗（Ge），这俩可都是半导体界的大明星哦。
硅在现代半导体产业里那可是挑大梁的存在，很多芯片都是用硅做的基础材料。
在半导体里，有个很重要的概念叫“掺杂”。
这就好比在一锅白米饭里加点儿菜啊肉啊的，让它变得更有味道。
通过掺杂不同的元素，就能改变半导体的电学性质呢。
像往硅里掺磷（P），就会让它多出一些电子，这种半导体就叫n型半导体；要是掺硼（B），就会产生一些空穴，就成了p型半导体啦。
二、半导体的器件相关用语1. 二极管二极管就像是一个小小的单向阀门。
它只允许电流从一个方向通过，反过来就不行啦。
就像我们走单行道一样，只能朝着一个方向走。
二极管在电路里可有用了，比如说把交流电变成直流电的整流电路里，二极管就是主力军。
它的正向导通电压也是个有趣的东西哦，不同材料的二极管这个电压还不太一样呢。
硅二极管的正向导通电压大概是0.7V，锗二极管的正向导通电压大概是0.3V。
2. 晶体管晶体管可是半导体器件里的大功臣。
它可以用来放大信号或者做开关用。
想象一下，晶体管就像是一个小小的水龙头开关。
你轻轻拧一下，就能控制水流的大小，晶体管也是这样控制电流的大小的。
有双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两种主要类型呢。
BJT是通过电流来控制电流的，而FET是通过电压来控制电流的，是不是很神奇呀？三、半导体制造中的用语1. 光刻光刻就像是在半导体材料上画画的过程。
不过这个画画的工具可高级啦，是用紫外线或者更短波长的光。
就像我们在木板上刻字一样，光刻就是把设计好的电路图案刻到半导体晶圆上。
这个过程要求特别高，一点点灰尘或者偏差都可能导致整个芯片报废。
光刻的分辨率也很重要，分辨率越高，能刻出的电路图案就越精细，芯片的性能也就越高啦。
2. 蚀刻蚀刻是把不需要的部分去掉的过程。
就好比我们做雕塑，把多余的石头凿掉，露出我们想要的形状一样。
半导体专业术语
专业术语1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSI STOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MO S制造过程中ACTI VE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTI VE AREA会受到鸟嘴（BIRD’SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BI RD’SBEAK 存在，也就是说AC TIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查1.定义：AfterDevelo pingInspec tion之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即Af ter Etchin g Inspec tion，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
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1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2.acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.Acid：酸4.Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）5.Align mark(key)：对位标记6.Alloy：合金7.Aluminum：铝8.Ammonia：氨水9.Ammonium fluoride：NH4F10.Ammonium hydroxide：NH4OH11.Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模拟的13.Angstrom：A（1E-10m）埃14.Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）15.AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）16.ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）17.Argon(Ar)氩18.Arsenic(As)砷19.Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去胶机22.Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）24.Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）25.Baseline：标准流程26.Benchmark：基准27.Bipolar：双极28.Boat：扩散用（石英）舟29.CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
30.Character window：特征窗口。
用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
31.Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
32.Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。
一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
33.Chip：碎片或芯片。
34.CIM：computer-integrated manufacturing的缩写。
用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
35.Circuit design ：电路设计。
一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
pensation doping：补偿掺杂。
向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
38.CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。
一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
puter-aided design（CAD）：计算机辅助设计。
40.Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。
在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
41.Contact：孔。
在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
42.Control chart：控制图。
一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
43.Correlation：相关性。
44.Cp：工艺能力，详见process capability。
45.Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。
46.Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
47.Damage：损伤。
对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
48.Defect density：缺陷密度。
单位面积内的缺陷数。
49.Depletion implant：耗尽注入。
一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
）50.Depletion layer：耗尽层。
可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
51.Depletion width：耗尽宽度。
53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
52.Deposition：淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
53.Depth of focus（DOF）：焦深。
54.design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
55.develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）56.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液57.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
58.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
59.diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
60.drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
61.dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
62.effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
63.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
64.epitaxial layer：外延层。
半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
65.equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
66.etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
67.exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
68.fab：常指半导体生产的制造工厂。
69.feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
70.field-effect transistor（FET）：场效应管。
包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
71.film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
72.flat：平边73.flow velocity：流速计74.flow volume：流量计75.flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数76.forbidden energy gap：禁带77.four-point probe：四点探针台78.functional area：功能区79.gate oxide：栅氧80.glass transition temperature：玻璃态转换温度81.gowning：净化服82.gray area：灰区83.grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪84.hard bake：后烘85.heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法86.high-current implanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产87.hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒88.host：主机89.hot carriers：热载流子90.hydrophilic：亲水性91.hydrophobic：疏水性92.impurity：杂质93.inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体94.inert gas：惰性气体95.initial oxide：一氧96.insulator：绝缘97.isolated line：隔离线98.implant : 注入99.impurity n : 掺杂100.j unction : 结101.junction spiking n :铝穿刺102.k erf :划片槽103.l anding pad n :PAD104.l ithography n 制版105.m aintainability, equipment : 设备产能106.m aintenance n :保养107.m ajority carrier n :多数载流子108.m asks, device series of n : 一成套光刻版109.m aterial n :原料110.matrix n 1 :矩阵111.mean n : 平均值112.measured leak rate n :测得漏率113.median n :中间值114.memory n : 记忆体115.metal n :金属116.nanometer (nm) n ：纳米117.nanosecond (ns) n ：纳秒118.nitride etch n ：氮化物刻蚀119.nitrogen (N2 ) n：氮气，一种双原子气体120.n-type adj ：n型121.ohms per square n：欧姆每平方: 方块电阻122.o rientation n：晶向，一组晶列所指的方向123.o verlap n ：交迭区124.o xidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应125.p hosphorus (P) n ：磷，一种有毒的非金属元素126.p hotomask n ：光刻版，用于光刻的版127.p hotomask, negative n：反刻128.i mages：去掉图形区域的版129.p hotomask, positive n：正刻130.p ilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子131.plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体132.p lasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺133.p lasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺134.p n junction n：pn结135.p ocked bead n：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠136.p olarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语137.p olycide n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构138.p olycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。