氮掺杂手性碳纳米管的电子结构和输运特性的理论研究
氮掺杂对碳材料性能的影响研究进展

化工进展 2016年第35卷·830·由图7可以看出,剂油质量比对焦化蜡油脱氮效果影响显著,对精制油收率的影响不大。
当剂油质量比为1∶2时,脱氮率为64.46%。
当剂油质量比为1∶4时,脱氮率达到最大为88.04%。
剂油质量比增大,增加了吸附剂的量,也增加了吸附剂上磷钨酸活性位点,即增加了焦化蜡油中碱性氮化物与吸附剂酸活性位的接触机会,使脱除的碱性氮化物增多,脱氮率逐渐升高。
剂油比继续增大时,脱氮率逐渐下降,这可能是由于剂油比逐渐增大,增加了焦化蜡油中烃类与负载型磷钨酸活性位点接触机会,与吸附剂上碱性氮化物的吸附产生竞争吸附,使单位吸附剂上氮化物的吸附量相应减少,脱氮率下降。
因此,最佳脱氮率的剂油质量比为1∶4。
3 结论本研究进行了负载型杂多酸吸附剂脱除焦化蜡油中碱性氮化物的实验,得出如下结论。
(1)实验用硅胶负载杂多酸制备吸附剂,负载型磷钨酸吸附剂的红外光谱图表明,硅胶成功负载了Keggin型磷钨酸。
氮气吸附-脱附等温线表明,吸附剂有介孔材料的特征,都具有介孔孔道,表明负载型磷钨酸吸附剂是一种理想的脱氮吸附剂。
(2)实验用非加氢处理方法的吸附脱氮法脱除焦化蜡油中碱性氮化物,得到了焦化蜡油脱氮的最佳工艺条件。
以活化硅胶负载磷钨酸作为吸附剂、磷钨酸负载质量分数为40%、吸附温度为50℃、吸附时间为50min、剂油质量比为1∶4的条件下,焦化蜡油中的碱性氮化物的脱除率为89.07%,收率为95.54%。
吸附脱氮法操作简单,效果明显,吸附剂可有效脱除焦化蜡油中的碱性氮化物。
参考文献[1] 马丽娜,马守涛,刘丽莹,等. 焦化蜡油络合脱氮-催化裂化组合工艺研究[J]. 石油与天然气化工,2011,4(6):571-573. [2] 温世昌,周亚松,魏强. 焦化蜡油中含氮化合物的加氢反应性能[J]. 石油学报(石油加工),2008,24(5):496-502.[3] 陈文艺,栾锡林,关毅达. 我国焦化蜡油的组成和特性[J]. 石油化工,2000(8):607-612.[4] 袁起民,王屹亮,山红红,等. 焦化蜡油催化裂化产物氮分布的研究[J]. 燃料化学学报,2007,35(3):375-379.[5] 徐晓宇,孙悦,沈健,等. HY和USY分子筛对模拟油品中碱性氮化物的吸附行为[J]. 化工进展,2014,33(4):1035-1040. [6] SONG C S. An overview of new approaches to deep desulfurizationfor ultra-clean gasoline,diesel fuel and jet fuel[J]. Catalysts Today,2003,86 :211-263.[7] 张海燕,代跃利,蔡蕾. 杂多酸催化剂催化氧化脱硫研究进展[J].化工进展,2013,32(4):809-815.[8] 丁巍,王鼎聪,赵德智,等. 纳米自组装催化剂金属分散度对催化活性的影响[J]. 现代化工,2014,34(5):113-116.[9] 于光林,周亚松,魏强,等. 辽河焦化蜡油中碱性氮化物的脱除[J]. 化工进展,2011,30(s1):104-106.[10] BAUSERMAN J W,NGUYEN K M,MUSHRUSH G W. Nitrogencompound determination and distribution in three source fuels byGC/MS[J]. Petroleum Science and Technology,2004,22(11/12):1491-1505.[11] 廖爱玲. 2018年全国车用汽油全部达到国5标准[J]. 中国石油和化工标准与质量,2013(16):2.[12] 孙敬军,修彭浩,从日明,等. 焦化蜡油活化树脂吸附脱氮及反应性能的研究[J]. 石油与天然气化工,2014,43(3):234-240. [13] YADAY G D,MISTRY C K. Oxidation of benzyl alcohol under asynergism of phase transfer catalysis and heterpolyacids[J]. Journal ofMolecular Catalysis A:Chemical,2001,172(1/2):135-149. [14] WANG J,ZHU H O. Alkylation of l-dodecene with benzene overH3PW12O40 supported on mesoporous silica SBA-15[J]. CatalysisLetters,2004,93(3/4):209-212.[15] 张海燕,代跃利,蔡蕾. 杂多酸催化剂催化氧化脱硫研究进展[J].化工进展,2013,32(4):809-815.[16] 于海云. 负载型杂多酸催化剂的制备、表征及催化性能研究[D].通辽:内蒙古民族大学,2012:1-7.[17] STAITI P,FRENI S,HOCEV AR S,et al. Synthesis andcharacterization of proton-conducting materials containing dodecatungstophosphoric and dodecatungstosilic acid supported onsilica[J]. Journal of Power Sources,1999,79(2):250-255. [18] 陈霄榕,李永丹. SiO2与Keggin杂多酸相互作用的研究[J]. 分子催化,2002,16(1):60-64.[19] 冯锡兰,彭慧慧,柳云骐,等. 负载型杂多酸催化甲苯异丙基化反应[J]. 化工进展,2014,33(12):3263-3269.[20] 付辉,李会鹏,赵华,等. WO3-ZSM-5/MCM-41用于FCC汽油催化氧化脱硫工艺研究[J]. 精细石油化工,2013,30(6):19-22.2016年第35卷第3期CHEMICAL INDUSTRY AND ENGINEERING PROGRESS ·831·化工进展氮掺杂对碳材料性能的影响研究进展张德懿,雷龙艳,尚永花(兰州理工大学石油化工学院,甘肃兰州 730050)摘要:碳材料是目前研究和应用最为广泛的一类无机非金属材料。
氮掺杂的碳基纳米酶

氮掺杂的碳基纳米酶
氮掺杂的碳基纳米酶是一种具有催化活性的纳米材料,其结构主要由碳原子和氮原子构成。
它们被设计用作生物催化剂,模仿天然酶的功能,具有高效催化活性和良好的稳定性。
氮掺杂的碳基纳米酶通常是通过合成方法来制备的,其中常用的方法包括碳化剂热解法、化学气相沉积法和水热法等。
在制备过程中,氮源被引入到碳材料中,与碳原子形成氮掺杂位点,从而赋予纳米酶催化活性。
这些氮掺杂的碳基纳米酶在生物催化反应中展现出许多优点。
首先,它们具有较高的表面积和可调控的孔隙结构,提供了更多的催化活性位点和较大的反应表面积。
其次,氮掺杂可以调整纳米酶的电子结构,增强其对底物的吸附和电子转移能力,从而提高催化效率。
此外,氮掺杂还可以增强纳米酶的化学稳定性和抗氧化性能。
氮掺杂的碳基纳米酶被广泛应用于许多生物催化反应中,如氧还原反应、电解水制氢、有机物催化转化等。
它们显示出与天然酶类似甚至更好的催化性能,为开发高效、环保的催化系统提供了新的可能性。
此外,由于其良好的生物相容性,氮掺杂的碳基纳米酶还具有潜在的生物医学应用,如药物传递、癌症治疗等领域。
氮掺杂的碳基纳米酶仍然是一个活跃的研究领域,尚需进一步的研究和探索,以实现其在实际应用中的广泛应用。
关于碳纳米管的研究报告进展综述

关于碳纳米管的研究进展1、前言1985年9月,Curl、Smally和Kroto发现了一个由个60个碳原子组成的完美对称的足球状分子,称作为富勒烯。
这个新分子是碳家族除石墨和金刚石外的新成员,它的发现刷新了人们对这一最熟悉元素的认识,并宣告一种新的化学和全新的“大碳结构”概念诞生了。
之后,人们相继发现并分离出C70、C76、C78、C84等。
1991年日本的Iijima教授用真空电弧蒸发石墨电极时,首次在高分辨透射电子显微镜下发现了具有纳米尺寸的碳的多层管状物—碳纳米管。
年,日本公司的科学家和匆通过改进电弧放电方法,成功的制备了克量级的碳纳米管。
1993年,通过在电弧放电中加入过渡金属催化剂,NEC和IBM研究小组同时成功地合成了单壁碳纳米管;同年,Yacaman等以乙炔为碳源,用铁作催化剂首次针对性的由化学气相沉积法成功地合成了多壁碳纳米管。
1996年,我国科学家实现了碳纳米管的大面积定向生长。
1998年,科研人员利用碳纳米管作电子管阴极同年,科学家使用碳纳米管制作室温工作的场效应晶体管;中国科学院金属研究所成会明研究小组采用催化热解碳氢化合物的方法得到了较高产率的单壁碳纳米管和由多根单壁碳纳米管形成的阵列以及由该阵列形成的数厘米长的条带。
1999年,国的一个研究小组制成了碳纳米管阴极彩色显示器样管。
2000年,日本科学家制成了高亮度的碳纳米管场发射显示器样管。
2001年,Schlitter等用热解有纳米图形的前驱体,通过自组装合成了单壁碳纳米管单晶,表明已经可以在微米级制得整体材料的单壁碳纳米管,并为宏量制备指出了方向。
2、碳纳米管的制备方法获得大批量、管径均匀和高纯度的碳纳米管,是研究其性能及应用的基础。
而大批量、低成本的合成工艺是碳纳米管实现工业化应用的保证。
因此对碳纳米管制备工艺的研究具有重要的意义。
目前,常用的制备碳纳米管的方法包括石墨电弧法、化学气相沉积法和激光蒸发法。
一般来说,石墨电弧法和激光蒸发法制备的碳纳米管纯度和晶化程度都较高,但产量较低。
碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化

碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化近年来,随着纳米科技的快速发展,碳纳米管场效应晶体管(CNT-FET)作为一种具有巨大潜力的纳米电子器件引起了广泛关注。
CNT-FET以其优异的电学性能和独特的结构特点,被认为是下一代高性能晶体管的有力竞争者。
本文将探讨碳纳米管场效应晶体管的特性研究与优化。
首先,碳纳米管的材料特性使其成为理想的电子输运通道。
碳纳米管具有优异的载流子迁移率和高电导率,这使得CNT-FET在高频电子器件中具有巨大的应用潜力。
研究人员通过调控碳纳米管的直径、手性和结构等参数,可以实现对CNT-FET电学性能的精确调控。
例如,通过控制碳纳米管的直径,可以实现对CNT-FET的载流子迁移率和开关速度的调节,从而优化其性能。
其次,碳纳米管场效应晶体管的结构特点也为其性能的优化提供了可能。
CNT-FET的结构由源极、漏极、栅极和碳纳米管通道组成。
通过调节栅极电压,可以实现对CNT-FET的电流开关控制。
此外,研究人员还通过引入高介电常数的栅介质材料,如氧化铝或高介电常数聚合物,来增强CNT-FET的电流开关比。
这种结构优化的方法可以显著提高CNT-FET的性能。
此外,碳纳米管场效应晶体管的制备工艺也对其性能进行了优化。
目前,研究人员已经发展出了多种制备CNT-FET的方法,如化学气相沉积、电化学沉积和机械剥离等。
这些制备方法可以实现对CNT-FET的尺寸和结构的控制,从而优化其性能。
同时,研究人员还通过控制碳纳米管的生长温度和气氛等参数,来实现对CNT-FET电学性能的调节。
这些制备工艺的优化将为CNT-FET的应用提供更多可能性。
最后,碳纳米管场效应晶体管的应用也是其研究与优化的重要方向之一。
CNT-FET在高频电子器件、柔性电子器件和生物传感器等领域具有广泛的应用前景。
例如,CNT-FET可以用于制备高性能的射频放大器和振荡器,以满足日益增长的无线通信需求。
此外,CNT-FET还可以用于制备柔性电子器件,如可弯曲的显示屏和可穿戴设备。
氮掺杂单壁碳纳米管结构的第一原理计算

Ab t c :C l u ain a e b e d o h o f u a in f s g ewal d c r o a ou e o t ii g s r t ac lt s h v e n ma e f r t e c n g r t s o i l— l a b n n n t b s c n an n a o i o n e
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第4 5卷
第 6期
吉 林 大 学 学 报 (理 学 版 ) J U N LO II N V R IY ( CE C DTO O R A FJLN U I E ST S I N EE II N)
V 1 4 No 6 o. 5 .
稳 定性 , 对碳 氮原 子 间的键 合情 况进行 讨论 . 并 1 计算 方法 本文采 用 构建基 函数 与 密度 泛 函理 论程 序包 D I o, MO3 中的每个 电子波 函数 均在 以一个 MO3D] D I
Ke r s:c r n n n t b ;nt g n;d p n y wo d ab a ou e i e o o r o ig
由于碳 纳米 管 …具 有 独特 的力学 、电学性 质及 结构 特 点 ,因此 已成 为 建造 分 子 尺度 机 器和 纳 米 电
子器 件 的理 想选 择 J .
Y h nse g WE igb , H N i a U S a — n , N Q n —o Z E G We t h —o
( oeeo t isSi c n n ie i , inU i rt, h ncu 3 0 2 C i ) Clg l fMae a c ne dE gne n J i nv sy C a gh n10 1 , hn rl e a rg l ei a
碳纳米管

(B)热解法:这种方法也很简单,将一块基板放 进加热炉里加热至600℃,然后慢慢充入甲烷 一类的含碳气体。气体分解时产生自由的碳原 子,碳原子重新结合可能形成碳纳米管。
优点:最容易实现产业化,也可能制备很长的 碳纳米管。
缺点:制得的碳纳米管是多壁的,常常有许多 缺陷。与电弧放点法制备的碳纳米管相比,这 种碳纳米管抗张强度只有前者的十分之一。
初步估算,碳纳米管的强度大概是钢的100倍。 Lieber运用STM技术测试了碳纳米管的弯曲强度, 证明碳纳米管具有理想的弹性和很高的硬度。因此 用碳纳米管作为金属表面上的复合镀层,可以获得 超强的耐磨性和自润滑性,其耐磨性要比轴承钢高 100倍,摩擦系数为0.06~0.1,且还发现该复合镀层 还具有高的热稳定性和耐腐蚀性等性能。
(C)浓硝酸氧化法
将碳纳米管加入到浓硝酸中搅拌,超声波分散 后加热回流处理。自然冷却后用蒸馏水稀释、 洗涤至中性,经真空干燥、研磨后既得到纯化 处理的碳纳米管[14]。
优点:经过适当浓度硝酸氧化处理一定时间的 CNTs,其基本结构未发生本质变化,而表面 活性基团显著增加,在乙醇中分散浓度、均匀 性、稳定性得到提高,在复合材料中的分散均 匀性及与树脂的结合性能也得到相应提高。硝 酸氧化处理是CNTs表面活化的有效方法。
中美科学家在研究中对合成碳纳米管常用的化 学气相淀积方法进行了改进。改进结果显示,在化 学气相淀积过程中加入氢和另外一种含硫化合物后, 不仅能制造出更长的碳纳米管束,而且这些碳纳米 管束可由单层碳纳米管通过自我组装而有规律地排 列组成。
研究人员认为,他们的新方法作为一种更为简便 的替代工艺,也许还可以用来生产高纯度的单层碳 纳米管材料。
掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

( 安 电 子 科 技大 学 微 电 子 所 宽 禁 带半 导体 材 料 与 器 件 教育 部 重 点 试 验 室 , 西安 70 7 ) 西 10 1
摘 要 :基 于 密度 泛 函理 论 ( T 框 架 下 的第 一 性 原 理 平 面 波 超 软 赝 势 方 法 , 用 C T P软 件 包 , 分 析 掺 氮 碳 DF ) 采 AS E 在 纳 米 管 最 可 能存 在 方 式 并 进行 结 构 优 化 的基 础 上 , 不 同 掺 氮 浓 度 的单 壁 碳 纳 米 管 的 电子 结 构 进 行 了计 算 , 析 对 分 了掺 杂 碳纳 米管 的能 带结 构 和态 密 度 , 果 表 明随 着 掺 杂 浓 度 的增 加 能带 间 隙呈 现 减 小 的 趋 势 . 结
2 0 .4 0 0 70 —4收 到 , 0 70 .6定 稿 2 0 .5 1 ⑥2 0 0 7中 国 电子 学 会
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第1 0期
宋 久 旭 等 : 掺 氮 锯齿 型单 壁 碳 纳米 管 的 电子 结 构
1 8 55
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矗
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图 3 ( ,) 8 0 碳纳 米 管 的 能 带 结 构
图 1 ( , ) 纳 米 管超 晶格 80碳
Fi 1 Su r elo ( O) c r on n ot e g, pe c l f 8, a b an ub
*国家 部 委 预研 基 金 资 助项 目 ( 准 号 :10 0 0 0 ) 批 4 3 8 6 1 5 f通 信 作 者 . malsn @malxda .d .n E i: x o i.iin e u c
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第 2 8卷
第 1 O期
碳纳米管在电子器件中的应用研究

碳纳米管在电子器件中的应用研究在当今科技飞速发展的时代,电子器件的性能和功能不断提升,而材料的创新是推动这一进程的关键因素之一。
碳纳米管作为一种具有独特结构和优异性能的纳米材料,在电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。
碳纳米管是由碳原子组成的管状结构,其直径通常在几纳米到几十纳米之间,长度可以达到微米甚至毫米级别。
由于其特殊的结构,碳纳米管具有出色的电学、力学和热学性能。
从电学性能方面来看,碳纳米管具有极高的载流子迁移率。
这意味着电子在碳纳米管中能够更加快速地移动,从而大大提高了电子器件的工作速度。
相比传统的半导体材料,如硅,碳纳米管的载流子迁移率可以高出几个数量级。
这使得基于碳纳米管的电子器件在高频应用中具有显著的优势,例如在通信领域中的射频器件。
在力学性能方面,碳纳米管具有极高的强度和韧性。
它们能够承受巨大的拉伸应力,同时还具有良好的柔韧性。
这种优异的力学性能使得碳纳米管可以用于制造高强度、高柔韧性的电子器件,如可穿戴设备和柔性显示屏。
热学性能也是碳纳米管的一大亮点。
它们具有出色的热导率,能够有效地将热量从电子器件中散发出去,从而提高器件的稳定性和可靠性。
这对于高功率电子器件来说尤为重要,能够避免因过热而导致的性能下降甚至损坏。
基于以上这些出色的性能,碳纳米管在众多电子器件中都有着广泛的应用。
在集成电路领域,碳纳米管有望取代硅成为下一代半导体材料。
由于其高载流子迁移率,基于碳纳米管的晶体管能够实现更小的尺寸和更快的开关速度,从而大幅提高集成电路的性能。
目前,研究人员已经成功地制造出了基于碳纳米管的晶体管,并且在性能方面取得了显著的突破。
在显示屏方面,碳纳米管可以用作场发射阴极材料。
传统的阴极射线管显示屏体积较大且能耗较高,而基于碳纳米管的场发射显示屏具有薄型化、低能耗和高亮度等优点。
此外,碳纳米管还可以用于制造柔性显示屏,为未来的显示技术带来了更多的可能性。
在传感器领域,碳纳米管也有着出色的表现。
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∫
dE( fl - fr ) T( E) ,
式中积分上下限 μ min = min ( μ l + eV b , μ r ) 和 μ max = max ( μ l + eV b , μ r ) 为外加偏压 V b 下左电极化学势 μ l + eV b 和右电极化学势 μ r 之 间 的 最 小 值 ( 最 大 值 ) , 其中 e 是 电 子 电 荷; f l ( f r ) 是 左 ( 右 ) 电 极 的 分 布 函数 . ( 1 ) 式中透射系数 T ( E ) 是电子能量 E 的函数 T ( E ) = 4Tr[ lm ( Σ G Σ G ) ] ,
[ 2]
研究引入杂质原子对手性碳
3) 手性碳纳 纳米管电子 输 运 性 质 的 影 响 . 以 纯 ( 6 , 取所示结构( 见图 1) 为一个超原 米管为研究对象, 胞( 共 84 个原子) . 经过 结 构 优 化 后, 分别对其进行 不同构形的取代掺 杂 并 予 以 结 构 优 化 . 图 1 中 给 出 了 7 种不同的掺杂构形中氮原子的位置 . 1 ) 在 O 格 记 为 O 型 掺 杂; 2 ) 同 点用氮原子取 代 一 个 碳 原 子, 记为 AB 型掺杂;3 ) 时取代 A 和 B 格点上的碳原子, 同时在 B 和 C 格点进行取代掺杂, 记为 BC 型掺杂; 4 ) 同时在 O 和 B 格点 进 行 取 代 掺 杂, 记 为 OB 型 掺 杂;5 ) 同 时 在 O 和 C 格 点 进 行 取 代 掺 杂, 记 为 OC 型掺杂;6 ) 同 时 在 O 和 D 格 点 进 行 取 代 掺 杂, 记为 OD 型掺杂;7 ) 同时在 O 和 E 格点进行取代掺杂, 记 为 OE 型 掺 杂 . 每 个 掺 杂 构 形 分 别 构 建 成 一 个 双 探 针体系
μ max μ min
图3
BC 型氮掺杂管弛豫后的结构
碳管几何结构 的 变 化, 必定对其电子结构产生 (1) 3) 和 7 种掺杂构形的能带 影响 . 图 4 为 纯 碳 管 ( 6 , 3) 结构( K 空间均取从 Г 点 到 Χ 方 向 ) . 对 于 纯 ( 6 , 碳管, 其 最 低 导 带 和 最 高 价 带 间 有 约 0. 04 eV 的 能 隙, 表现为 类 金 属 特 征 . 氮 原 子 的 掺 杂 产 生 了 新 的 AB , OB , 杂质 子 能 带, 能 带 的 简 并 度 降 低 . 对 于 O, OC , OD , OE 构 形, 其 Fermi 能 级 升 高, 而 BC 型 的 Fermi 能级 却 没 有 发 生 改 变 . 在 OB , OC , OD , OE 型 掺杂的能带结构中, 靠近价带的一条掺杂子能带变 化趋势相似, 电子迁移率均为正值, 其中 OE 型 的 带 非定域性最强 . 在 O 型 结 构 中, 生成了一条 宽最大, 掺杂子能带, 该子能带与 Fermi 能级相交, 而在两个 OD , OE 型 中 均 形 成 了 两 条 氮原子取代掺杂 的 OB , 与 Fermi 能 级 相 交 的 掺 杂 子 能 带 . 值 得 注 意 的 是, AB , OC 型只有靠近导带的 一 条 掺 杂 子 能 带 与 Fermi BC 型 掺 杂 子 能 带 与 Fermi 能 级 无 交 点 . 能级相交, BC 型, Fermi 能 级 对于在相邻位置 取 代 掺 杂 的 AB , 其掺杂 附近的子能带带宽 明 显 大 于 其 他 掺 杂 构 形, 对 于 AB 型, 靠 子能带形状也与其他掺 杂 构 形 不 同, 近导 带 的 一 条 掺 杂 子 能 带 向 π 带 弯 折, 但并没有 和 π 带 相 交, 位于价带的一条掺杂子能带中能量
2 -1
(4) .
3. 计算结果及讨论
氮原子引入碳 纳 米 管 后, 对碳纳米管的几何结 OB , OC , OD , OE 五 种 构 形 构会产生较大的影响 . O ,
K ≥ 0. 06133 最低的 一 个 折 点 位 于 K = 0. 06133 处, 时电子迁移 率 为 正 值 . 有 趣 的 是 BC 构 形 中 两 条 掺
3) 碳 纳 米 管 的 电 运用第一性原理的密度泛函理论, 结合非平衡格林函数, 研究了氮原子取代掺杂手性单壁( 6 , 子结构和输运特性 . 计算结果表明:不同构形和不同数目 的 氮 原 子 取 代 掺 杂 对 手 性 碳 管 的 输 运 性 质 有 很 复 杂 的 影 响 . 研究发现, 氮原子掺杂明显改变了碳管的电子结构, 使金属 型 手 性 碳 管 的 输 运 性 能 降 低 , 电 流 -电 压 曲 线 呈 非 线 性变化, 而且输运性能随着杂质原子间间距的变化而发生显著改变 . 在一定条件下, 金属型碳管向半导体型转变 .
, 如图 2 所示 . Ⅰ 区表示电极的缓冲区域,
L( R ) , Ⅱ 区分别表示 左 ( 右 ) 电 极 区 和 中 心 散 射 区 . 黑色箭头是指输运 方 向 . 其 中 中 心 散 射 区 包 括 1 个 超原胞, 而左( 右) 电极则 利 用 周 期 性 边 界 条 件 将 一 个超原胞向左( 右) 无限 延 伸 . 在 计 算 中 使 用 标 准 的
图1 (6, 3 ) 碳纳米管超原胞和氮原子掺杂位置示意图
了一个类似由空位缺陷产生的结构( 如图 3 所示) .
图2
双探针模型示意图
模方守 恒 赝 势 ( NCPP ) 和 局 域 密 度 近 似 的 PerdewZunger 交换关联泛函, 选取截断能为 100 Ry ( 1 Ry = 13. 606 eV ) . 双探针模型中电流 -电压的关系为 I = 2e h
* 国家重点基础研究发展计划( 批准号:2011 CB932700 ) 、 10974050 ) 和 湖 南 省 自 然 科 学 基 金 ( 批 准 国家自然科学基金( 批准号: 90923014 , 号: 09 JJ3101 ) 资助的课题 . 通讯联系人 . E-mail : guf66958 @ hnu. cn
[ 7 — 10 ]
[ 4 —7 ]
. 因此, 在碳纳 米 管 中 掺 杂 非 碳 元 素 ( 如 硼 和 . 氮原子是
氮) 的研究 已 引 起 人 们 的 广 泛 关 注 法
[ 11 ]
通过电弧蒸发法及电磁管溅射 理想的 掺 杂 原 子, 等方法, 已 合 成 氮 原 子 掺 杂 的 碳 纳 米 管, 但有 关氮原子 掺 杂 对 手 性 碳 纳 米 管 在 非 平 衡 条 件 下 的 输运性质及电子结 构 的 影 响 报 道 较 少 . 本 文 利 用 第 研究氮原子掺杂手性碳 一性原理的密度泛 函 理 论, 纳米管的电子结构 和 输 运 性 质, 分析在相同掺杂浓 度下, 不同的掺杂构 形 对 碳 管 电 子 结 构 和 输 运 性 质 在此基础上分析了掺杂浓度的影响 . 的影响,
027307-2
物 理 学 报
Acta Phys. Sin.
Vol. 60 ,No. 2 ( 2011 )
027307
图4
纯碳管和掺杂管的能带结构
Fermi 能 E F = 0 eV ( 如虚线所示) . ( a ) , ( b) , ( c) , ( d) , ( e) , ( f) , ( g) ,
关键词 : 手性单壁碳纳米管,氮掺杂,电子结构,输运性能
PACS : 73. 63. - b
1. 引
言
2. 理论模型和计算方法
本文采用密度泛函理论( DFT ) 结合实空间非平 衡格林函数( NEGF )
[ 12 ]
[ 1] 碳纳米 管 自 1991 年 被 Iijima 发 现 以 来, 对于
碳纳米管 电 子 输 运 性 质 的 研 究 一 直 是 热 点 问 题 之 一 . 目前, 人们对于碳纳米管电子结构和输运性质 大多 局 限 于 非 手 性 碳 纳 米 管 的 情 况. 事 实 的研究, 上, 纳米管 的 生 长 更 倾 向 于 手 性 结 构
图5
纯碳管和掺杂管的态密度图
( a) , ( b) , ( c) , ( d ) 分别代表纯( 6 , 3 ) 碳管和 O , OC , AB 型
027307-3
物 理 学 报
Acta Phys. Sin.
Vol. 60 ,No. 2 ( 2011 )
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3 ) 碳 管 和 O, AB , OC 构 形 的 图 5 给出 了 纯 ( 6 , 其态密 电子态密度曲线 . 对 于 纯 碳 管 ( 见 图 5 ( a ) ) , 度( DOS ) 图 中 出 现 了 显 著 的 范 -霍 夫 ( Van-Hove ) 特 征峰, 在 Fermi 能级和 E = 0. 24 eV 处 出 现 了 两 个 态 掺杂结构的态密度发生了 密度谷 . 相 对 于 纯 碳 管, 显著的变 化 . 对 于 掺 杂 构 形 O 和 OC , 均 在 Fermi 能 级下方 - 0. 4 eV ≤ E ≤ - 0. 28 eV 区域出现了一个明 显的态密度隙 . OC 和 AB 型 在 Fermi 能 级 附 近 E = - 0. 04 eV 处均存在一 个 态 密 度 谷 . 更 为 重 要 的 是, 这三种掺杂构形 的 DOS 曲 线 中, 在 Fermi 能 级 附 近 并且 均出现了一个态密度峰( 如 图 5 中 箭 头 所 示 ) , 峰值的大小随着氮 原 子 浓 度 的 增 加 而 增 大 . 本 文 分 以 上 三 个 掺 杂 模 型 在 Fermi 能 级 附 近 形 成 析认为, 了较强的定 域 态, 这 将 严 重 影 响 电 子 的 跃 迁, 因此 影响电子的输运性能 . 电子结 构 的 变 化 必 然 导 致 体 系 输 运 特 性 的 改 变 . 图 6 给出了纯碳 管 和 掺 杂 碳 管 在 零 偏 压 下 的 透 射系数曲线, 其中 Fermi 能级为电子能量零 点 . 在 没 3 ) 碳 管 有 约 0. 04 eV 的 透 射 有偏压作用 时, 纯 ( 6, 隙, 与其能带结构中的能隙相对应, 并且在 E = 0. 24 eV 处有一个透射谷 . 除此之外在 Fermi 能级附近透 射系数为 2 , 说明 Fermi 能级附近电子输运为两个量 子通道 的 弹 道 输 运 . 此 后 随 着 电 子 能 量 绝 对 值 增 透射系 数 呈 整 数 倍 增 大, 说明能量达到一定数 大, 值后, 电子通 道 数 目 增 多 . 在 Fermi 能 级 以 下, 曲线 表现为步长为 2 的阶梯状变化 . 在 Fermi 能 级 以 上, 透射系数以步长不 等 的 阶 梯 状 递 增, 这是纯碳管的 能级简并所致 .