2007年上海交通大学材料科学基础考研真题
(完整word版)上海交通大学材料科学基础试题真题
2005年上海交通大学材料科学基础考博试卷[回忆版]材料科学基础：8选5。
每题两问，每问10分，我当10个题说吧，好多我也记不清是那个题下的小问了。
1。
填空。
你同学应该买那本材料科学基础习题了吧，看好那本此题就没多大问题，因为重复性很强。
2。
论述刃位错和螺位错的异同点3。
画晶面和晶向，立方密排六方一定要会，不仅是低指数；三种晶型的一些参数象原子数配位数之类的4。
计算螺位错的应力。
那本习题也有类似的，本题连续考了两年，让你同学注意下此题5。
置换固熔体、间隙固熔体的概念，并说明间隙固熔体、间隙相、间隙化合物的区别。
那本习题上有答案、6。
扩散系数定义，及对他的影响因素7。
伪共晶定义，还有个相关的什么共晶吧，区分下。
根据这概念好像有个类似计算的题，这我没做，不太记得了，总之就是共晶后面有点内容看下8。
关于固熔的题，好像是不同晶型影响固熔程度的题，我就记得当时我画了个铁碳相图举例说明了下还有两个关于高分子的题，我没做也没看是啥题总之，我觉得复习材科把握课本及习题，习题很重要，有原题，而且我发现交大考试重基础，基本概念要搞清楚，就没问题。
上海交通大学2012年材料科学基础考博试卷[回忆版]5 个大题，每个大题20分。
下面列出的是材料科学基础的前五个大题，其中第一大题有几个想不起来了，暂列9个。
其实后边还有三道大题，一道是关于高分子的，一道是关于配位多面体的，还有最后一个是作为一个材料工作者结合经验谈谈对材料科学特别是对材料强韧化的看法和建议，我都没敢选。
一填空（20分，每空1分）1 密排六方晶体有（）个八面体间隙，（）个四面体间隙2 晶体可能存在的空间群有（230）种，可能存在的点群有（32）种。
3 离子晶体中，正负离子间的平衡距离取决于（），而正离子的配位数则取决于（）。
（鲍林第一规则）4 共价晶体的配位数服从（）法则。
5 固溶体按溶解度分为有限固溶体和无限固溶体，那么（）固溶体永远属于有限固溶体。
6 空位浓度的计算公式：（）。
上海交通大学硕士材料科学基础真题2005年_真题-无答案
上海交通大学硕士材料科学基础真题2005年(总分150,考试时间90分钟)一、单选题1. 化学键中既无方向性又无饱和性的为______。
A. 共价键B. 金属键C. 离子键2. 立方结构的(112)与(113)晶面同属于______晶带轴。
3. 晶体的对称轴中不存在______。
A. 3次对称轴B. 4次对称轴C. 5次对称轴4. 半结晶期是指______。
A. 结晶时间进行到一半时对应的时间B. 固相量为一半时对应的时间C. 上述(A)和5. fcc晶体若以100面为外表面，则表面上每个原子的最邻近原子数为______个。
A. 12B. 6C. 86. 最难以形成非晶态结构的是______。
A. 陶瓷B. 金属C. 聚合物7. 下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中，错误的为______。
A. Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子B. Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大C. 同温度下，通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷8. 下列Burgers矢量可能表示了简单立方晶体中的全位错：A. [100]B. 1/2[110]C. 1/3[111]9. 下面关于位错应力场的表述中，正确的是______。
A. 螺型位错的应力场中正应力分量全为零B. 刃型位错的应力场中正应力分量全为零C. 刃型位错的应力场中切应力分量全为零10. 能进行滑移的位错为______。
A. 肖克利不全位错B. 弗兰克不全位错C. 面角位错11. 铁素体(bcc，点阵常数ab=0.287nm)与奥氏体(fcc，点阵常数af=0.365nm)间可形成K-S 关系([111]b∥[110]f，，则在半共格界面上沿[111]b方向上的位错间距为______。
12. 共晶层片(α+β)共在特定过冷度下生长时，扩散所消耗的驱动力约为______。
A. 固相与液相自由能差的全部B. 固相与液相自由能差的1/2C. 上述(A)和13. 由纯A和A_B固溶体形成的互扩散偶(柯肯达尔效应)，以下表述正确的是______。
上海交通大学硕士材料科学基础真题2001年
上海交通大学硕士材料科学基础真题2001年(总分：100.00，做题时间：90分钟)一、选择题(总题数：20，分数：60.00)1.氯化铯(CsCl)为有序体心立方结构，它属于______。
(A) 体心立方点阵 (B) 面心立方点阵 (C) 简单立方点阵（分数：3.00）A.B.C. √解析：2.六方晶系中晶面间距(A) 小于 (B) 等于 (C) 大于（分数：3.00）A. √B.C.解析：3.立方晶体中的[001]方向是______。
(A) 二次对称轴 (B) 四次对称轴 (C) 六次对称轴（分数：3.00）A.B. √C.解析：4.理想密排六方结构金属的c/a为______。
（分数：3.00）A.B. √C.解析：5.任一合金的有序结构形成温度______无序结构形成温度。
(A) 低于 (B) 高于 (C) 可能低于或高于（分数：3.00）A. √B.C.解析：6.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为______。
(A) 肖特基缺陷 (B) 弗仑克尔缺陷 (C) 线缺陷（分数：3.00）A.B. √C.解析：7.在体心立方结构中，伯氏矢量为a[00]的位错______(A) 不能 (B) 能 (C) 可能（分数：3.00）A. √B.C.解析：8.面心立方晶体的孪晶面是______。
(A) 112 (B) 110 (C) 111（分数：3.00）A.B.C. √解析：9.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随______变化。
(A) 距离 (B) 时间 (C) 温度（分数：3.00）A.B. √C.解析：10.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为______。
(A) 原子互换机制 (B) 间隙机制 (C) 空位机制（分数：3.00）A.B.C. √解析：11.原子扩散的驱动力是______。
(A) 组元的浓度梯度 (B) 组元的化学势梯度 (C) 温度梯度（分数：3.00）A.B. √C.解析：12.在柯肯达尔效应中，标记漂移主要原因是扩散偶中______。
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四、名词解释题
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1．柯肯达尔效应 [湖南大学 2007 研] 答：在置换式固溶体中，由于两种原子以不同的速度相对扩散而造成标记面漂移的现象 被称为柯肯达尔效应。
2．扩散激活能 [天津大学 2008、2009 研] 答：必须要由额外的能量来克服能垒才能实现原子从一个平衡位置到另一个平衡位置 的基本跃迁，这部分能量称为扩散激活能。
Grn RT
C．
D
2a02
exp
Grn RT
【答案】A
3．下列有关固体中扩散的说法中，正确的是（ ）。[东南大学 2006 研] A．原子扩散的驱动力是存在着浓度梯度 B．空位扩散是指间隙固溶体中的溶质原子从一个间隙跳到另一个间隙 C．晶界上点阵畸变较大，因而原子迁移阻力较大，所以比晶内的扩散系数要小 D．成分均匀的材料中也存在着扩散 【答案】D
5．比重偏析 [合肥工业大学 2005 研] 答：由于合金中组元比重的不同所引起的偏析，例如合金中的两组元在液态下互不相溶 时，比重大的组元沉在下面，比重小的组元浮在上面或者液态合金在搅拌不均的情况下，由 于选择凝固所生成的晶体，其比重与母液不同，或上浮或下沉，形成比重偏析。
6．上坡扩散与反应扩散 [江苏大学 2006 研] 答：上坡扩散是指溶质原子朝浓度下降的方向扩散，D＞0，d ＜0 ；反应扩散是指在扩
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点：二元系中扩散区域不存在双相区，只能形成不同的单相区。
五、解答题 1．已知碳在γ-Fe 中的扩散常数 Dα＝2.0×10-5m2/s，扩散激活能 Q＝140×103J/mol， 要想得到与在 927℃时渗碳 l0h 的相同厚度，在 870℃渗碳需要多长时间？（忽略不同温度 下碳在γ-Fe 中溶解度的不同）[北京工业大学 2008 研] 答：碳在 中扩散的误差函数解表示为
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4.作为塑料使用的高分子，在室温使用应处在（ A．高弹态 B．玻璃态 C．黏流态
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）。[上海交通大学 2007 研]
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【答案】B
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5．聚乙烯高分子材料中 C-H 化学键属于（ A．氢键 B．离子键 C．共价健 【答案】C
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）。[华中科技大学 2007 研]
6．最难以形成非晶态结构的是（ ）。[上海交通大学 2005 研] A．陶瓷 B．金属 C．聚合物 【答案】B
7．高分子材料是否具有柔顺性主要决定于（ 研]
A．主链链节 B．侧基 C．侧基内的官能团或原子 【答案】A
）的运动能力。[华中科技大学 2007
8．高分子材料存在丌同构象的主要原因是主链上的碳原子可以（ 学 2005 研]
三、名词解释 热塑性和热固性高分子材料 [吉林大学 2010 研] 答：高分子材料是由相对分子质量较高的化合物构成的材料，包括橡胶、塑料、纤维、 涂料、胶黏剂和高分子基复合材料等。高分子材料按其性能可分为热塑性和热固性高分子材 料，其中，热塑性高分子材料可溶、可熔；热固性高分子材料丌溶、丌熔。利用加热和溶解 的方法可将热固性和热塑性材料分辨出来，常用的识别高分子材料的简便方法有经验法、燃 烧法、溶解法、仪器分析法等。
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第 3 章 高分子材料的结构
பைடு நூலகம்
一、选择题
1．高分子的主链结构对单键内旋转有重要影响。下列最易单键内旋转的主链结构是 （ ）。[上海交通大学 2006 研]
A．Si-O 键 B．C-C 键 C．C-O 键 【答案】A
2．高分子非晶态的无规线团模型中，分子链总和在溶液中一样，呈无规线团状，线团 之间是无规则缠结，在分子链间存在额外空隙，即所谓的自由体积。高分子非晶态中（ ）。 [浙江大学 2006 研]
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4．形变织构的性质与变形金属的原始条件、_______、_______有关。[江苏大学 2005 研]
【答案】形变方式；形变程度
5．细化晶粒不但可以提高材料的________，同时还可以改善材料的________和 ________。[沈阳大学 2009 研]
【答案】强度；塑性；韧性
4．真实应力[重庆大学 2010 研] 答：真实应力是指拉伸（或压缩）试验时，变形力与当时实际截面积（而不是初始截 面积）之比。其数值是随变形量、温度与应变速率而变化的。
5．超塑性[燕山大学 2005 研] 答：超塑性是指材料在一定的内部条件和外部条件下，呈现出异常低的流变抗力、异 常高的流变性能的现象。超塑性的特点有大延伸率，无缩颈，小应力，易成形。超塑性变 形时，应变速率敏感性指数 m 很大，m≈0.5，而一般金属材料仅为 0.01～0.04。
三、判断题
1．在室温下对金属进行塑性变形为冷加工。加热到室温以上对金属进行塑性变形为 热加工。（ ）[华中科技大学 2005 研]
【答案】× 【解析】将再结晶温度以上的加工为“热加工”，再结晶温度以下而又不加热的加工称 为冷加工。
2．金属铸件可以通过再结晶退火来达到细化晶粒的目的。（ 2007 研]
阻力。因此，在位错移动时，需要一个力克服晶格阻力，越过势垒，此力称为派纳力
3．动态再结晶[北京工业大学 2009 研] 答：动态再结晶是指金属在热变形过程中发生的再结晶现象。与热变形各道次之间以 及变形完毕后加热和冷却时所发生的静态再结晶相比，动态再结晶的特点是：动态再结晶 要达到临界变形量和在较高的变形温度下才能发生；与静态再结晶相似，动态再结晶易在 晶界及亚晶界形核；动态再结晶转变为静态再结晶时无需孕育期；动态再结晶所需的时间 随温度升高而缩短。
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第4章固体中原子及分子的运动一、选择题1．由纯A 和A-B 固溶体形成的互扩散偶（柯肯达尔效应），以下表述正确的是（）。
[上海交通大学2005研]A．俣野面两侧的扩散原子其化学势相等：A A A A B μμ-=，B B A A B μμ-=B．该扩散为上坡扩散C．空位迁移方向与标记面漂移方向一致【答案】C2．有一级稀的fcc 结构的间隙固溶体，设a 0为晶格常数，ν为间隙原子延扩散方向的振动频率，rn G ∆为从平衡位置到势垒顶点的自由能改变量，则扩散系数可与表示为（）。
[浙江大学2007研]A．2rn 0exp G D a RT ν∆⎛⎫=- ⎪⎝⎭B．2rn 01exp 6G D a RT ν∆⎛⎫=- ⎪⎝⎭C．2rn 02exp G D a RT ν∆⎛⎫=- ⎪⎝⎭【答案】A3．下列有关固体中扩散的说法中，正确的是（）。
[东南大学2006研]A．原子扩散的驱动力是存在着浓度梯度B．空位扩散是指间隙固溶体中的溶质原子从一个间隙跳到另一个间隙C．晶界上点阵畸变较大，因而原子迁移阻力较大，所以比晶内的扩散系数要小D．成分均匀的材料中也存在着扩散【答案】D4．912℃下Fe α-的晶胞体积为0.02464nm，而转变为Fe γ-晶胞晶体为0.0486nm，在该温度单位质量Fe γ-转变为Fe α-时，其体积（）。
[哈尔滨工业大学2007研]A．膨胀B．收缩C．不变D．不能确定【答案】A二、填空题1．扩散系数与温度的关系式是_________。
在高温阶段和低温阶段，扩散系数较大的是_________。
[天津大学2010研]【答案】0exp(/)D D Q RT =-；低温阶段2．线性高分子可反复使用，称为________塑料；交联高分子不能反复使用，称为________塑料。
[北京工业大学2009研]【答案】热塑性；热固性3．从F -R 源模型考虑，金属沉淀强化后的屈服强度s σ与沉淀相粒子平均间距L 的关系为_______。
石德珂《材料科学基础》(第2版)配套题库【名校考研真题】第4章~第6章【圣才出品】
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②柯垂尔提出了溶质原子与位错之间的交互作用，在间隙固溶体中，由于间隙原子的半 径比晶体间隙的半径大，与位错进行弹性交互作用，结果间隙原子将在位错附近聚集，形成 小原子集团，称为柯垂尔气团。柯垂尔气团的存在，使位错运动困难，这是因为位错只有从 气团中挣脱或者抱着气团一起前进才能继续运动，这需要外力作更多的功，这就是固溶强化 效应；
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第 4 章 晶体缺陷
一、选择题
1应力分量全为零 B．刃型位错的应力场中正应力分量全为零 C．刃型位错的应力场中切应力分量全为零 【答案】A
）。[上海交通大学 2005 研]
4．简述位错、位错线和柏氏矢量（ b ）的概念，并论述柏氏矢量和位错线的相对关系。 [吉林大学 2009 研] 答：（1）位错是晶体材料的一种内部微观缺陷，指原子的局部不规则排列（晶体学缺 陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界 线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。 位错线是指晶体或晶格内滑移面上已滑动区的边界线称。位错线的形成和发展可用 Frank Read 源的原理解释：当应力超过临界剪应力时，位错线扩张，形成内外两部分，外 部位错逐渐扩大，内部位错线恢复原状，在外力作用下，不断产生新位错环，因而得到很大 的滑移量。 柏氏矢量是描述位错实质的重要物理量，反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的 总积累。通常将柏氏矢量称为位错强度，位错的许多性质如位错的能量、所受的力、应力场、 位错反应等均与其有关。它也表示出晶体滑移时原子移动的大小和方向。 （2）柏氏矢量和位错线的相对关系： ①一条位错线具有唯一的柏氏矢量。它与柏氏回路的大小和回路在位错线上的位置无 关，位错在晶体中运动或改变方向时，其柏氏矢量不变； ②根据柏氏矢量与位错线的关系可以确定位错的类型。当柏氏矢量垂直于位错线时是刃 位错；当柏氏矢量平行于位错线时是螺位错；当柏氏矢量与位错线成任意角度时是混合位错。
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第10章材料概论一、选择题在金属、陶瓷和高分子中最易结晶的是（）。
[上海交通大学2007研]A．高分子B．陶瓷C．金属【答案】C二、填空题1．按照材料的化学组成，可以将材料分为______，______，______和______四大类。
[华中科技大学2007研]【答案】金属材料；无机非金属材料；高分子材料；复合材料2．细化晶粒不但可以提高材料的______，同时还可以改善材料的______和______。
[沈阳大学2009研]【答案】强度；塑性；韧性三、简答题1．试从结合键的角度，分析工程材料的分类及其特点。
[西北大学2006研]答：金属材料：主要以金属键为主，大多数金属强度和硬度较高，塑性较好。
陶瓷材料：以共价键和离子键为主，硬、脆，不易变形，熔点高。
高分子材料：分子内部以共价键为主，分子间为分子键和氢键为主。
复合材料：是以上三中基本材料的人工复合物，结合键种类繁多，性能差异很大。
2．何谓塑料？何谓橡胶？两者在室温时的力学性能有何显著差别？[西安交通大学2008研]答：塑料是室温下处于玻璃态的高分子材料，橡胶是室温下处于高弹态的高分子材料。
室温下，塑料的硬度较高，脆性较大，弹性较低；而橡胶的硬度较低，脆性较小，弹性较高。
3．何谓陶瓷？从组织结构的角度解释其主要性能特点。
[西安交通大学2008研]答：陶瓷是指以共价键或离子键为主，以具有高硬度高脆性的特殊氧化物、碳化物、氮化物等化合物为主要组成相的一类材料。
由于这些化合物中的结合键以共价键或离子键为主，键合力很强，故陶瓷材料的熔点高，硬度高，抗氧化、耐腐蚀，高温强度高；但由于烧结后陶瓷材料中存在气孔或微裂纹，故陶瓷材料的脆性大，强度低。
4．谈谈你对高强度材料的理解。
[中南大学2007研]答：对于结构材料，最重要的性能指标之一是强度。
强度是指材料抵抗变形和断裂的能力，提高材料的强度可以节约材料，降低成本。
人们在利用材料的力学性能时，总是希望所使用的材料具有足够的强度，人们希望合理运用和发展材料强化方法，从而挖掘材料性能潜力的基础。
上海交通大学2007年部分专业基础课参考书目
《流体力学》茅春浦上海交大出版社《工程流体力学》孔珑编水利电力出版社
458飞行力学
《高等飞行力学》（宋笔锋，高正红）西北工业大学出版社
461传感器与检测技术
《传感器》强锡富主编机械工业出版社
462细胞生物学（医学）
《医学细胞生物学》（第三版）宋今丹主编人民卫生出版社2004
463写作（含评论）
428电磁学和量子力学
《电磁学》赵凯华等高等教育出版社，占60%；《量子力学导论》曾谨言高等教育出版社，占40%
429兽医微生物学
《兽医微生物学》（第三版）陆承平主编中国农业出版社2001；《兽医免疫学》杜念兴主编中国农业出版社1997
430结构力学
《结构力学》龙驭球编高教出版社
431高分子化学与高分子物理
447空气动力学
《气体动力学基础》（潘锦珊）国防工业出版社，《空气动力学》（上、下册），（徐华舫，北京航空航天大学出版社）
448诉讼法学
（含刑事诉讼法学、民事诉讼法学）《刑事诉讼法》樊崇义主编法律出版社2004，《民事诉讼法》（面向二十一世纪课程教材）江伟主编高等教育出版社2004年第2版
449基础微生物学
《国际贸易》陈同仇薛荣久主编对外经济贸易大学出版社1997；《国际贸易理论、政策与实务》冯宗宪等主编西安交通大学出版社2004；《国际金融》陈雨露主编中国人民大学出版社2000
456马克思主义哲学原著
《关于费尔巴哈的提纲》、《费尔巴哈与德国古典哲学终结》、《反杜林论》哲学编，《唯物主义与经验批判主义》前三章，《矛盾论》，《实践论》
440信息系统分析与设计
《系统分析与设计方法》（System Analysis and Design Methods）第五版影印版（英文）Jeffrey L.whitten高等教育出版社2001