星载计算机抗辐射加固技术
轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术

1. 轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术是指在宇航领域中,针对芯片在高辐射环境下容易受损的问题,通过加固和封装技术来提高芯片的稳定性和可靠性。
2. 高质量宇航芯片是宇航工程中的重要组成部分,它承担着控制、通信、数据处理等关键任务。
然而,宇宙中的高辐射环境对芯片的稳定性提出了极大挑战,因此需要采用抗辐照加固及封装技术来保证其正常运行。
3. 宇航芯片抗辐照加固及封装技术是一项非常复杂的工程,需要在材料选择、封装工艺、测试验证等方面进行全面考量,确保芯片在特殊环境下依然能够稳定可靠地工作。
这也是本文将要重点探讨的内容。
4. 在选择材料方面,轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术需要采用具有优异抗辐射性能的材料,如氧化铌、碳化硅等,以保证芯片在高辐射环境下不受损。
5. 在封装工艺方面,采用高精度的封装工艺和密封结构,使芯片能够在特殊环境下稳定运行,对于提高宇航器的可靠性至关重要。
6. 在测试验证方面,需要进行严格的辐照实验和可靠性验证,以确保芯片在实际应用中能够达到预期的抗辐射效果。
7. 轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术是宇航工程中不可或缺的一环,它的研究和应用将成为宇航器性能提升的重要手段。
8. 个人观点:在未来的宇航探索中,面对特殊环境的挑战将会更加常见,因此轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术的研究和应用将是一个具有重要意义的课题,我对其前景充满信心。
(文章内容未满3000字,请您详细阐述轻质高效宇航芯片抗辐射加固及封装技术,以及您个人的理解及观点)轻质高效宇航芯片抗辐射加固及封装技术是指为了应对宇宙中的高辐射环境对芯片的稳定性提出的技术解决方案。
在航天探索中,宇航芯片承担着诸如控制、通信、数据处理等关键任务,其可靠性和稳定性至关重要。
然而,高辐射环境会引发芯片受损的风险,因此需要采用抗辐射加固及封装技术来保证它们在特殊环境下的正常运行。
对于轻质高效宇航芯片抗辐射加固及封装技术而言,材料选择是至关重要的一环。
卫星抗辐射加固技术.

文章编号 :1006-1630(2001 02-0056-05卫星抗辐射加固技术宋明龙 , 朱海元 , 章生平(上海航天技术研究院 509所 , 上海 200240摘要 :分析了 F Y 21C 卫星运行轨道空间辐射环境 , 介绍了整星、单机、器件抗辐射要求。
卫星研制过程中 , 对各单机和系统在技术设计、元器件选择、软件编制等的抗辐射加固设计要求。
特别对有 CPU 和存储器的单粒子翻转效应 (SEU 和闩锁效应 (SEL 试验。
仪器和系统的软件均用故障注入的方法完成了抗 SEU 的仿真试验。
关键词 :太阳同步卫星 ; 空间辐射 ; 抗辐射加固 ; 仿真试验中图分类号 :V520.6文献标识码 :AR adiation 2R esistance and R of S SON G Ming 2 2, G Sheng 2pingShanghai 200240, Chinathe needs of radiation 2resistance and reinforce of the whole F Y 21C satellite , stand 2alones analyzing space radiation environment of the satellite. In the design and manufacture , we raise clearly the requirements of radiation 2resistance and reinforce about the stand 2alones and system ’ s technology design , unit selection and software programming. Especially SEU and SEL tests are done for the stand 2alones with CPU or memory SEU 2resisting simulation test is also done for the software of the instruments and s ystem by failure 2injecting method.K eyw ords :Sunsynchronous satellite ; S pace radiation ; Radiation 2resistance and reinforce ; Simulation test收稿日期 :2000-09-29; 修回日期 :2001-01-05作者简介 :宋明龙 (1940- , 男 , 研究员 , 上海市宇航学会会员 , 研究领域 :卫星总体。
卫星抗辐射加固技术概论

卫星抗辐射加固技术概论1. 引言卫星是人类在太空中进行科学研究、通信和导航等活动的重要工具。
然而,太空环境中存在着高能粒子辐射的威胁,这对卫星的正常运行和寿命造成了严重影响。
为了提高卫星的抗辐射能力,科学家们开展了大量的研究,并提出了各种抗辐射加固技术。
本文将介绍卫星抗辐射加固技术的概况,包括材料选择、结构设计和电子器件保护等方面。
通过了解这些技术,我们可以更好地理解卫星抗辐射加固的原理和方法。
2. 材料选择在设计和制造卫星时,材料的选择是非常重要的一步。
因为不同材料对辐射的响应程度不同,有些材料具有良好的抗辐射性能,能够有效地减少或阻止高能粒子对电子器件产生损害。
常见的用于卫星抗辐射加固的材料包括:•碳纤维复合材料:具有高强度、低密度和良好的抗辐射性能,广泛用于卫星结构的制造。
•铝合金:具有良好的导热性和强度,可以作为卫星外壳的材料,起到一定的屏蔽作用。
•硅胶:具有较高的辐射吸收能力,可以用于电子器件的包装和保护。
•铅:是一种常见的辐射屏蔽材料,可以用于卫星关键部位的保护。
在选择材料时,需要考虑到其物理、化学和机械性质,以及成本和加工工艺等因素。
综合考虑这些因素,可以选择最适合的材料来提高卫星的抗辐射能力。
3. 结构设计卫星结构设计是卫星抗辐射加固中非常重要的一环。
通过合理设计卫星结构,可以降低高能粒子对电子器件造成的损害。
在结构设计中需要考虑以下几个方面:3.1. 碎片防护太空中存在着大量碎片,这些碎片可能对卫星造成严重破坏。
为了保护卫星免受碎片的撞击,可以在卫星外壳上增加碎片防护层或装置,以吸收或反射来自外部的碎片。
3.2. 结构强度卫星在发射和运行过程中会受到各种力的作用,包括振动、冲击和重力等。
为了保证卫星在极端环境下的正常运行,结构设计需要具有足够的强度和刚度。
3.3. 辐射屏蔽辐射屏蔽是指通过合理设计卫星结构来减少高能粒子对电子器件的损害。
可以采用多层结构、空气隔离和特殊材料等方式来实现辐射屏蔽效果。
轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术

轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术引言在航天领域中,宇航芯片的稳定性和可靠性对任务的成功至关重要。
由于航天环境的极端条件,如宇宙射线和高能粒子的辐射,传统芯片在航天应用中往往难以满足要求。
研发轻质高效宇航芯片抗辐照加固及封装技术变得尤为重要。
本文将从简单介绍宇航芯片的抗辐照加固和封装技术开始,逐步深入讨论该领域的最新进展,同时分享个人观点和理解。
一、宇航芯片的抗辐照加固技术1. 防护层:在宇航芯片表面添加特殊材料层,如硅酸盐和二氧化硅膜等。
这些材料具有较高的辐射损伤阈值,能够有效吸收高能射线,减少对芯片的辐射损伤。
2. 抗辐射设计:通过改变晶体管的结构和材料,减少对电子的散射影响。
采用深亚微米技术和硅-铍杂化结构,可以有效减少辐射诱导的电荷积累现象,提高芯片的抗辐射能力。
3. 辐射硅质膜层:在芯片表面涂覆硅质薄膜,能够降低辐射诱导的硅-氧化物界面损伤,提高芯片的抗辐射性能。
硅质膜层还能够提高芯片的导热性能,减少发热和能耗。
二、宇航芯片的封装技术1. 基于多层封装技术:采用多层封装结构能够有效保护芯片的关键部件。
该技术将芯片分为多个层次,每个层次之间通过金属互连线连接,形成完整的封装结构。
多层封装不仅能够有效提高芯片的密度和性能,还能够增强芯片的抗辐射能力。
2. 金属封装技术:采用金属封装可以提供更好的辐射屏蔽效果。
金属封装能够降低芯片对外界辐射的敏感程度,保护芯片内部的电路和元件。
金属封装还具有优异的散热性能,有助于芯片的稳定工作。
3. 无机封装技术:传统的有机封装材料在航天环境中往往难以满足要求。
无机封装技术采用高温耐受、高密度和高强度的无机材料,能够提供更好的防护和隔离效果。
无机封装还能够提供更好的电隔离性能,减少信号干扰和电路间的相互影响。
三、前沿研究进展1. 自修复技术:近年来,自修复技术在宇航芯片抗辐照加固和封装领域取得了显著进展。
该技术利用微纳米材料的特殊性能,在芯片受到辐射损伤后自动修复受损部分,恢复芯片的正常工作。
航天电子元器件抗辐照加固工艺

太阳辐 射是 空间辐射 环境 中最 活跃和 最主 要的
因素 ,太 阳活 动分 为缓变型 太阳活 动和爆 发型太 阳 活 动 ,它们 的辐射影 响不 同 。前者 主要 成分 为电子
和质子 ,发射粒子流的速度 为3 0 0 k r n / s ~9 0 0 k m/ s , 后
D o c u m e n t C o d e : A A r t i c l e I D : 1 O 0 1 . 3 4 7 4 I 2 0 1 3 ) 0 1 . 0 0 4 4 — 0 3
由于 我 们 的 卫 星 及 有 效 载 荷 在 轨 运行 阶 段 脱 离 了大气 层的保 护 ,直接暴 露在空 间环境 下 ,电子 设备 会受 到辐射 和重粒 子的 冲击而 发生 各种辐 射效 应 ,造成 其工 作的异 常或故 障 ,从 国 内外对航 天事 故 的统计数据可 以发现 ,4 0 %的故 障源于空间辐射 。
摘
要 :介绍了空 间辐射环境及 电子元器件抗辐照处理的必要性 ;阐述 了影 响抗辐照加 固性能的主要 因素。
结合实际工程应用 ,对于抗辐照加 固工艺过程进行 了着重说明 ,列举了抗辐照加 固环节所应注意 的一些要点。
关键词 :空间辐射 ;抗辐照加 固;电子元器 件 中国分类号 :T N 6 0 5 文献 标识码 : A 文章编号 :1 0 0 1 — 3 4 7 4( 2 0 1 3 ) 0 1 - 0 0 4 4 — 0 3
A b s t r a c t : l n t r o d u c e s p a c e r a d i a t i o n e n v i r o n me n t a n d t h e n e c e s s i t y o f e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s r e s i s t a n c e t o i r r a d i a t i o n .
抗辐照刷新电路在星载电子系统中的应用

72电子技术Electronic Technology电子技术与软件工程Electronic Technology & Software Engineering1 引言基于CMOS 工艺的SRAM 型FPGA 以其功能密度高、体积小、功耗低、半定制可灵活配置、速度快、可重复编程和容量大等优点,被大量应用于卫星电子产品中[1]。
但是受地球辐射带和宇宙射线等恶劣空间环境的影响,卫星系统中的电子元器件受单粒子事件和总剂量等空间辐射影响,会出现工作异常,甚至会导致整个系统的崩溃。
随着电子系统复杂度越来越高,对FPGA 等超大规模集成电路的依赖性越来越强,电路容量增大,工作电压的降低使得在空间辐射环境下的可靠性大幅降低。
因此对FPGA 进行抗单粒子容错设计是各国航天界的研究重点和热点。
针对SRAM 型FPGA ,在实际空间应用中实施并能显著提高FPGA 可靠性的技术可分为设计缓解技术和重配置技术。
设计缓解技术是指利用冗余(硬件冗余、信息冗余)技术对设计进行故障屏蔽,比如硬件主备份、三模冗余(TMR)或者检错纠错码(DEAC)等技术,但是冗余设计势必需要增加额外资源,因此会带来系统的性能、大小、重量、功能和可靠性的影响。
除此以外,对SRAM 型FPGA 的配置存储器进行自动刷新、回读和重配置是一种有效的抗SEU 的方法[2]。
自动刷新能够周期性地消除SEU 对FPGA 配置位带来的影响。
回读和重配置则是在FPGA 运行过程中通过回读检验配置数据的正确性,仅在发现错误时进行重新配置,因此能够减少配置次数,更加高效地对故障进行恢复。
传统的针对国内星载应用较多的SRAM 型FPGA ,特别是Xilinx Virtex4或者Virtex5实现的回读刷新纠错技术、重构技术等,主要在FPGA 配置接口添加外围电路,包括使用反熔丝FPGA 作为控制芯片、抗辐照PROM 作为码流存储芯片,例如使用A54SX32A 芯片实现的对SRAM 型FPGA 配置数据进行ms 级的周期刷新[3]。
星载电子设备抗辐照分析及元器件选用

星载电子设备抗辐照分析及元器件选用自1971年至1986年期间,国外发射的39颗同步卫星因各种原因造成的故障共计1589次,其中与空间辐射有关的故障有1129次,占故障总数的71%,由此可见卫星和航天器的故障主要来源于空间辐射。
1、抗辐照分析空间辐照环境中的带电粒子会导致星载电子设备工作异常和器件的失效,严重影响航天器的可靠性和寿命。
星载电子设备在工作期间所遇到的辐照问题主要是受到空间高能粒子(重离子和质子)的影响。
1.1 总剂量效应总剂量效应指在电子器件的特性(电流、电压门限值、转换时间)发生重大变化前,器件所能承受的总吸收能量级,超过这个能量级后器件就不能正常工作(出现永久故障)。
该剂量用Rad(Si)即存积在1gSi中的能量来度量。
典型轨道预计辐射量见表1。
总剂量效应会引起星上电子器件的物理效应和电器效应如产生电子空穴对、影响载流子的流动、对双极型器件会降低其增益,对CMOS器件会使其阈值电压漂移、降低转换速率等。
另外在对某星载雷达所用CMOS器件进行总剂量实验时发现,总剂量效应在器件断电后会有一定的退火现象,但如果再加大辐射剂量,退火后的器件很快就不能工作。
所以对长寿命、高可靠的星载电子设备,必须考虑元器件的在轨期间的总剂量问题。
对于总剂量效应的防护可采用如下2种方法。
(1)选择半导体工艺:选择对宇宙射线不敏感的材料,CMOS蓝宝石硅片(SOS)工艺是目前最合适的工艺,但其成本高于其工艺。
(2)辐射屏蔽:卫星的结构框架以及电子设备的外壳的屏蔽作用可减轻辐射的影响,一般可减少2krad~3krad。
因为屏蔽材料本身有2次辐射,所以它并不能有效地防护高能粒子(宇宙射线)产生的影响。
2、单粒子效应空间辐照环境使星载电子器件产生单粒子现象(SEP)。
随着电子器件集成度不断提高,器件尺寸不断减小,星载电子设备也变得更加复杂,电子系统更易受到瞬态干扰,因此在星载电子系统的设计过程中不仅要考虑辐射总剂量的影响同时也要研究高能粒子引起的单粒子现象。
集成电路抗辐射加固技术

集成电路抗辐射加固技术集成电路抗辐射加固技术是指通过一系列的措施和方法,提高集成电路对辐射环境的抵抗能力,从而确保电路的可靠性和稳定性。
在现代社会中,辐射环境无处不在,包括太空、高海拔地区、核电站、医疗设备等,辐射对集成电路的影响不可忽视。
因此,开展集成电路抗辐射加固技术的研究和应用具有重要意义。
辐射对集成电路的影响主要表现在两个方面:辐射效应和辐射损伤。
辐射效应是指在辐射环境下,电磁辐射或粒子辐射引起的电压、电流、功耗等参数的变化。
辐射损伤则是指辐射引起的材料损伤,包括晶格缺陷、电离效应、能带结构改变等。
这些辐射效应和辐射损伤会导致集成电路的性能下降甚至失效,严重影响电路的可靠性和稳定性。
为了提高集成电路的抗辐射能力,需要采取一系列的技术措施。
首先,可以通过优化工艺设计来提高集成电路的抗辐射能力。
例如,采用硅材料代替其他材料作为衬底,因为硅材料具有较好的抗辐射性能。
此外,还可以采用特殊的工艺步骤,如离子注入、退火等,来改善晶体管的辐射抗性。
可以通过优化电路结构和布局来提高集成电路的抗辐射能力。
例如,可以采用冗余设计,增加电路的冗余度,从而提高电路的容错能力。
此外,还可以通过合理的布局方式,减少电路中的敏感部分,减小辐射对电路的影响。
还可以采用抗辐射材料来加固集成电路。
抗辐射材料是指具有较好的防护能力,可以减少辐射对电路的影响的材料。
例如,可以在集成电路的封装层中加入抗辐射材料,形成防护层,减少辐射的穿透。
同时,还可以在电路板的材料选择上考虑抗辐射性能,选择具有较好抗辐射能力的材料。
集成电路抗辐射加固技术还需要进行可靠性测试和验证。
通过对加固后的集成电路进行辐射实验和性能测试,可以评估其抗辐射能力是否达到设计要求。
同时,在实际应用中,还需要对集成电路进行长期的辐射环境监测和评估,及时发现和解决潜在的问题。
集成电路抗辐射加固技术是确保集成电路在辐射环境下可靠运行的重要手段。
通过优化工艺设计、优化电路结构和布局、采用抗辐射材料等措施,可以提高集成电路的抗辐射能力。
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2栅年第l期航天控制星载计算机抗辐射加固技术华更新王国良郭树玲北京控制工程研究所,北京100080、j氐b摘要为掌握星载计算机系统级抗辐射加固技术,针对星栽计算机的抗辐射薄弱环节.研究抗辐射加固措施,完成了386日三机变结构原理样机。
重点研究了抗单粒子效应多机客错技术和存储器校验技术,抗总剂量效应屏蔽材料和屏蔽工艺。
最后研究了实时多任务操作系统及其抗辐射问题。
主题词星载计算机辐射加固单粒子效应总荆量效应您ldia廿∞H盯denil培艮}chIIiqIl瞪foron-b0龇曰C伽叩哪te璐HuaG朋鲥nw锄gGuoli粕gGuos}ndingBe玎峨h蛄眦eofcon廿dEIlgineedllg,Be玎峨1删Ah嘲zkf7b括蠡似m耐越幻,砌蹴r旃e可咖m如耐md珏iDn^cB砘面19蛔知矗砷螂一0Bc.F0r妇1t砌抽e站o,加兀.础|fon^d,_如n打w0Bc,伽k糖删mP丘skd‘k386麟pm∞印删如廊km础加砌俐“叮㈣№.耽血㈣毗眦溉∞删d—moch‘f凹陀出m如7呵口,“e珊r出。
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,耐蛇胁憎RH据商7“g钾Ⅱ胛sf陇2涮.Su蚰ectter璐On-胁坷㈣掣妇r(0Bc)删沁ion妇坷Br嘶(RH)&,北眦眦畔£(SEU)%d;M掘ng如∞1引言星载计算机是卫星上的核心部件.主要用于卫星控制、星务管理、敏感器数据预处理等。
星载计算机有两种技术实现途径:一是采用高等级的抗辐射芯片来制造星载计算机,这种途径的优点是不用担心辐射问题,且不用采取冗余抗辐射措施;面临的问题是抗辐射芯片价格昂贵,批量小,制造周期长,采购困难,可选择的面也很窄。
二是选用合适的非加固器件来制造星载计算机,这种途径的优点是价格便宜,芯片采购容易,来源广泛;面{I缶的问题是必须采取各种抗辐射措施来克服非加固器件抗辐射能力弱的缺点。
收稿日期2002年lO月15日一10一狮年第l期航天控制针对我国国情,本文以计算机主体综合均衡加固技术为主线,以非加固芯片计算机为模型,进行硬/软件全面加固技术的综合研究,掌握星载计算机系统级抗辐射加固技术,探讨采用非抗辐射加固芯片构成抗辐射加固星载计算机的技术途径,发展新一代高速、高精度、大容量、高可靠星载计算机,为延长卫星在轨飞行寿命、降低卫星研制成本、加快研制周期、提高性能指标奠定技术基础。
2国内外开展同类研究的情况我所首次提出把非抗辐射加固的386口芯片用于小卫星,并于1999年在“实践五号”卫星上飞行试验成功。
2002年使用386ex芯片的“海洋一号”卫星飞行试验再次获得成功。
其实,国外很早就在探讨用普通工业级芯片代替抗辐射加固芯片的方案。
前NAsA局长就提出过“快、好、省”的设计方案,下面是我们调查到的一些情况。
[1]根据英国surrey公司发射的5颗小卫星u0SAT一1一uosAT一5的观测结果,以及对运行在低地球轨道、近极地轨道、太阳同步轨道的小航天器上所用的非加固型16kB.256kB,1MBsRAM和DIuM芯片所观测的sEu结果,分析了这些设备的单粒子位翻转(sEu)问题及通过编码设计防单粒子翻转的策略。
这些观测结果为星载计算机研制中采用计算机技术的先进成果奠定了技术基础。
[2]1992年8月约翰·霍普金斯大学应用物理实验室(APL)为用中国长征火箭发射的名叫F嘲B的瑞典星开发了一个磁强计。
磁强计控制器采用的是APL设计的商用处理器。
该处理器由较早的位片设计和两种单片机的设计经验演化而成。
这种处理器的结构经过优化,依托目标硬件可提供一个扩展的交互式编程环境,极大地降低了软件开发费用。
处理器的抗辐射性能也经过测试,适用于F卅a任务(估计任务期辐射累计总剂量加knId(si))。
根据该试验提出了单粒子锁定和单粒子翻转事件非常少的观点。
此观点为同类轨道卫星的抗辐射加固设计提供了具有参考价值的依据。
[3]从1991年以来,更换磁心后的航天飞机通用计算机(GPc)存储器提供了大量辐射效应飞行数据。
容错的GPc每隔几秒检测、纠正其存储器数据,并将数据传给地面,获得1400次翻转数据。
这些数据同当时的航天飞机高度、地理纬度和太阳事件联系起来,得到一个理论模型,用于预测sEu翻转率。
据报道,美空军1994年发射了一颗APE)(卫星,进行sEu试验和空间辐射环境测量,测定非加固器件的在轨飞行性能。
根据HARRIs公司的资料,可获得器件直接暴露在宇宙空间中与加上不同厚度屏蔽或卫星蒙皮后所受到辐射总剂量的对比数据,这些资料表明,加上适当的屏蔽,能够大大降低辐射总剂量。
要把商用cPu或其它器件应用在航天领域,抗辐射加固技术是决定其能否用于工程实践的关键技术之一。
需要采用综合的软硬件加固措施,才能使商用芯片应用在星载计算机上。
实践也证明,有的器件适合航天应用,而有的就不适合。
第l期航天控制2瞄年3386ex三机变结构抗辐射加固原理样机386“抗辐射加固原理样机研究分为两个部分:*分别完成386ex抗单粒子效应和总剂量辐射试验样机,其中单粒子效应试验样机采用的是军品器件,总剂量辐射试验样机采用的是商用器件。
*完成386ex三机变结构原理样机。
本文重点介绍386a三机变结构原理样机的容错设计。
3.1三机变结构容错系统为保证卫星长寿命运行,三机系统没有单纯地采用三重模块冗余(11ⅥR)结构。
而是变通为三机变结构容错系统,在长期工作时采用双机热备份、单机冷备份冗余模式或单机热备份、双机冷备份冗余模式,而把三机热备份模式作为故障处理和状态转换时采用,大大提高了系统可靠性。
这样系统在高可靠的场合相当于一个。
仆IR系统,能够检查错误,并诊断错误所在;双机运行时能够检查出错误;单机运行时又相当于三个单模系统。
现假设单机可靠性凡为0‘82(运行5年后),其可靠性计算如下:由R0=O.82可得出x=4530×10“/h:*三机TMR方案:R=3碥一碲=o.914464*一热两冷方案:R=Rn(1+n+(n)2/2)=o.998876*两热一冷方案:R=b/(k—x1)e—ht+h/(h一沁)e—kt=O.9839999按照三种方案工作时间的长短乘不同系数就可得到整机可靠性,考虑到系统长时间工作在一热两冷或两热一冷模式,可靠性比单纯的TMR系统或单模系统要高得多。
图1所示为三机变结构状态转换图,可以划分出8种实际工作模式:(o)初始状态;(1)三机热备份工作状态;(2)A、B两机热备份工作,c单机冷备份冗余;(3)A、c两机热备份工作,B单机冷备份冗余;(4)B、c两机热备份工作,A单机冷备份冗余;(5)A单机热备份工作.B、c双机冷备份冗余;(6)B单机热备份工作,A、c双机冷备份冗余;(7)c单机热备份工作,A、B双机冷备份冗余。
其中,状态。
为初始状态,在卫星寿命期内,星载计算机不能停止工作,因此加电后不能回复到原状态。
状态1主要用于故障诊断和容错处理。
状态2、3、4能够实时发现故障,但不能定位故障。
状态5、6、7为单机热备份工作,双机冷备份冗余模式,采用该种工作模式,单机自身比对工作。
在连续三次发生自测试不正确或单机两次计算比对不一致的情况下自动转入状态l模式。
该模式为长期工作模式。
3.2提高三机容错系统抗单粒子效应能力由于三个机器同时被单粒子效应影响的概率很小,因此,假定同一时刻只能有一台机器故障。
由于三机变结构系统容错结构比较灵活,对单粒子效应的屏蔽效果比较好。
三机热备份工作模式的实时性最好,能够实时发现错误,并把定位错误。
如果其中一个机器的计算结果有误,因为另外两机的计算结果还是正确的,能够比对成功。
这样输出的是正确的计算结果,不会影响系统实时工作。
如果某一单机发生锁定故障,则容错板会给它自动断电,锁定机休息一段时间后,应该能够恢复正常,也不至于影响系统工作。
一12—第l期航天控制2003年B图l三机变结构状态转换图两热一冷工作模式的实时性次之,能够实时发现错误,但不能定位错误。
如果其中一个机器的计算结果有误,则在某控制周期内双机数据不能够比对成功。
假定故障为瞬时故障,这样在下一个计算周期内不应该再发生故障,双机数据能够比对成功,下一次计算机输出的是正确的计算结果。
这样会影响系统一个控制周期的工作。
如果某一单机发生锁定故障,则容错板会给它自动断电,并给冷备份机器加电,两个好机器比对后正常工作;锁定机断电休息一段时间后,能够恢复正常。
一热两冷工作模式的实时性最差,不能够实时发现错误。
一般做法是连续计算两个控制周期,如果数据不能够比对成功,则假定发生一次瞬时故障。
如果下一次计算比对正确,则继续计算;如下一次计算依然不能得到正确比对结果,则认为发生了永久故障。
容错板自动给冷备份机器加电,系统重组后应该能够正常工作。
这样会影响系统三个控制周期的工作。
如果某工作单机发生锁定故障,则容错板会给它自动断电,并给冷备份机器加电,两个好机器比对后正常工作;这样系统就工作在两热一冷状态,可以切换到一热两冷工作模式。
锁定机断电休息一段时间后,能够恢复正常。
3.3三机容错系统提高系统抗总荆量退化效应能力三机变结构容错设计的核心是系统中既有热备份,又有冷备份。
热备份主要提高系统的实时可靠性,能够随时发现故障;冷备份主要提供系统轮流工作,各单机可实现退火效应,从而提高整机的抗辐射总剂量能力。
引起MoS器件退化的最重要机制是二氧化硅内的电离(产生电子一空穴对)和源一漏结之间产生光电流。
cM0s器件主要有以下退化效应:·噪声抑制能力略有下降,开关速度略有下降,器件性能超差;·静态电流剧烈增加;·开关速度减小;·逻辑失效。
我们在进行总剂量辐照试验时,一般需要给被测器件加上偏置电压。
有一种说法是芯片或整个子系统“休眠”的备份将大大延长所有空间使用的元器件的寿命。
另一种说法认为在零偏置辐照时,仍然会继续建立界面态,使用“休眠”应谨慎。
在实际的总剂量辐照试验过程中,发生故障的机器在停止辐射后,能够恢复正常工一13—砌年第l期航天控制作。
但再加辐射后,很快会失效。
由于当时的认识问题,我们没有试验“休眠”后的机器能否正常工作,此问题尚待解决。
3.4386n三机变结构抗辐射加固原理样机386ex三机变结构抗辐射加固原理样机如图2所示。
为适应小卫星要求,以军用386由【芯片为cPu的三块单板分别构成三个单机,每个单机带有自己的接口,能够独立完成任务。
三个单机间通过串行接口交换数据。
图2386一三机变结构抗辐射加固原理样机容错板承担整机管理任务:决定当班机,并能够自动检测发生锁定的单机,使该单机断电。