反射光谱量测原理及试验

合集下载

实验1——地物光谱的测试

实验1——地物光谱的测试

实验1 可见光与近红外波谱测试1.1实习概述按照国家光谱数据库数据测试参考标准选择典型进行地物反射、发射光谱测试。

根据所测的光谱曲线特征选择最佳遥感波段和最佳遥感时间。

1.2实习目的①掌握地物反射、发射光谱特性的基本概念,特点;②掌握典型地物光谱的测试方法和实验数据分析处理的基本流程和方法;③分析影响地物波谱特性测定的因素;了解地物表面不同几何状况、含水状况、风化状况、粗糙程度对反射、发射光谱的影响;了解多种地物光谱随时间变化的特征与规律;了解入射和观测角度变化对地物光谱的影响。

④培养学生理论联系实际及知识的综合运用能力,为后续专业课程学习创造条件。

1.3实习任务测量试验区的植被、水、土壤、道路的光谱特性。

要求测定不同植被、水、土壤、道路的波谱特性曲线,即每类地物至少选择5个小类(或样本)。

①清水、营养化水、污染水反射光谱、发射光谱测试与特征分析;②不同覆盖度、不同长势植被覆盖反射光谱、发射光谱测试与特征分析;③城乡非自然目标反射光谱、发射光谱测试与特征分析;④土壤反射光谱、发射光谱测试与特征分析;⑤岩石反射光谱、发射光谱测试与特征分析。

要求:上述5个实验根据具体情况必作2个,选作1个。

1.4设备(软件)及资料准备1.4.1 实习设备及软件测定地物反射光谱特性的仪器是可见光、近红外光谱仪。

仪器由收集器、分光器、探测器和显示或记录器组成。

测定地物发射光谱特性的仪器是热红外波谱仪、热红外辐射计。

1.4.2 实习前准备工作1.4.2.1 光谱测试仪器的标定测量仪器在采集数据前必须通过指定的定标实验室的定标检测,检验仪器的工作性能。

仪器的定标在室定标和实验场地现场定标,并在提交数据时附上相应测量仪器的定标报告。

若对同一种典型地物(农作物、岩矿、水体等)的相同观测项目采用不同型号的测量仪器,则必须在观测实验前到指定的实验室或实验场进行统一校准和比对:即在相同的条件下,同时测量同一目标,进行归一化处理,分析各仪器的误差,以精度高的仪器为准,进行误差订正,并在提交数据时应附上相应测量仪器的比对报告。

敦煌戈壁地表反射率光谱的旋翼无人机测量及定标评估

敦煌戈壁地表反射率光谱的旋翼无人机测量及定标评估

敦煌戈壁地表反射率光谱的旋翼无人机测量及定标评估张勇;徐寒列;张立军;李元;孙凌;覃丹宇;戎志国;胡秀清;陆其峰;卢乃锰【期刊名称】《光谱学与光谱分析》【年(卷),期】2024(44)5【摘要】利用敦煌中国遥感卫星辐射校正场的星地同步观测试验,实现对我国在轨气象、海洋、陆地资源、环境减灾、测绘地震、高分、军事等系列卫星光学成像载荷太阳反射波段的绝对辐射定标,是目前的重要手段之一。

然而,中国遥感卫星辐射校正场传统的地表反射率光谱星地同步测量方法是基于汽车跑场观测,不仅耗费较大的人力物力、容易造成场地破坏,而且获取的测量数据缺乏区域代表性。

鉴于此,自2016年起,在敦煌星地同步观测试验中以旋翼无人机低空同步测量为主,跑场测量为辅,完成从航线设计、航高选择、仪器参数配置、采样策略、航空数据处理的全链路摸底测试。

多次飞行试验表明,采用多旋翼无人机低空飞行来代替汽车跑场同步测量,不仅提高了地表反射特性测量的空间一致性和代表性,还提高了地表反射率光谱的测量效率,也对宝贵的中国遥感卫星辐射校正场敦煌戈壁场区地表进行了有效保护,极大的节约了人力物力成本。

通过传统跑场测量和航飞测量的地表反射率光谱数据对比分析,发现多次测量数据的均值一致性较好,并且航飞测量的数据标准差更小。

利用TERRA MODIS的同步观测来对无人机测量数据开展辐射定标评估,结果表明航飞数据的相对偏差均在5%以内,可以代替跑场数据完成定标,精度满足要求。

随着无人机性能的进一步优化和提高,在不久的将来必将得到更加广泛和深入的应用,在外场定标试验领域也将发挥更大更重要的作用。

【总页数】10页(P1439-1448)【作者】张勇;徐寒列;张立军;李元;孙凌;覃丹宇;戎志国;胡秀清;陆其峰;卢乃锰【作者单位】中国气象局中国遥感卫星辐射测量和定标重点开放实验室/国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心);许健民气象卫星创新中心;中国气象局气象卫星工程管理办公室;中国气象局地球系统数值预报中心【正文语种】中文【中图分类】TP701【相关文献】1.基于敦煌戈壁站观测对几套再分析产品夏季地表感热通量的评估2.基于多旋翼无人机的热红外地表温度场反演系统设计3.利用无人机搭载的多光谱相机直接测定地表反射率的新方法4.工程测量中多旋翼无人机倾斜摄影测量技术运用分析5.崎岖地表上的旋翼无人机自主安全降落系统因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

紫外漫反射光谱来计算带隙值

紫外漫反射光谱来计算带隙值

紫外漫反射光谱来计算带隙值
紫外漫反射光谱是一种常用的材料表征技术,可用于计算半导体材料
的带隙值。

在紫外漫反射光谱试验中,将样品照射一定波长的光线,
记录光线的反射和吸收情况。

其中,吸收率与光子能量成反比例关系。

因此,若在波长范围内出现吸收率的变化,即可推导该材料的带隙值。

这种方法具有可靠性高、简单易用等优点,因此广泛应用于材料学、
能源领域等相关领域。

下面,将详细介绍基于紫外漫反射光谱计算带
隙值的方法。

1.准备材料样品以及仪器设备
首先,需要准备好所需的半导体材料样品以及紫外漫反射光谱测试仪器。

样品的表面应平整、无氧化物等污染物。

紫外漫反射光谱测试仪
器应调整好测试参数,比如波长范围和步长等,确保测试结果可靠准确。

2.进行样品测试
将准备好的材料样品放置到紫外漫反射光谱测试仪器中,按照测试步
骤开始测试过程。

在测试过程中,需要同时记录下光线的反射率和吸
收率等数据信息。

3.数据分析
通过测试得到的数据信息,可以绘制出材料样品的反射率和吸收率的光谱曲线。

根据所需计算的带隙范围,即可确定相应的吸收率谷值位置,进而计算出对应波长下的光子能量。

4.计算带隙值
根据所测得的光子能量数据,可以通过经验公式计算出材料样品的带隙值。

不同的半导体材料有不同的计算公式,需要结合实际情况进行选择。

总之,基于紫外漫反射光谱计算带隙值的方法是一种简单而有效的实验技术。

通过该方法可以快速获取半导体材料的带隙信息,有助于提高材料的设计和相关应用效果。

光谱测量原理

光谱测量原理

光谱测量原理光谱测量是一种非常重要的分析方法,它可以通过测量物质对不同波长光的吸收、发射或散射来获取物质的信息。

光谱测量广泛应用于化学、物理、生物等领域,为科学研究和工程应用提供了重要的数据支持。

光谱测量的原理主要基于物质对光的相互作用。

当物质受到激发时,会发生吸收、发射或散射光的现象,这些现象都可以通过光谱仪器进行测量和分析。

光谱仪器通常包括光源、样品室、光栅或棱镜、检测器等部件,通过这些部件的协同作用,可以实现对光谱的测量和记录。

在光谱测量中,最常见的是吸收光谱和发射光谱。

吸收光谱是指物质吸收光能的过程,通过测量物质对不同波长光的吸收强度,可以获取物质的吸收光谱图像,从而分析物质的成分和结构。

发射光谱是指物质受激后发射光的过程,通过测量物质发射的光谱,可以获取物质的能级结构和发射特性,为物质的研究提供重要信息。

光谱测量的原理基于物质对光的相互作用,因此在进行光谱测量时,需要注意样品的制备和操作过程。

样品的制备应该尽量避免杂质和表面污染,以保证测量结果的准确性和可靠性。

操作过程中,需要控制光源的稳定性、样品的位置和环境条件等因素,以确保测量的精度和重复性。

除了吸收光谱和发射光谱,光谱测量还包括拉曼光谱、荧光光谱、原子吸收光谱等多种技术和方法。

这些方法在不同领域和应用中发挥着重要作用,为科学研究和工程技术提供了丰富的光谱信息。

总的来说,光谱测量是一种重要的分析方法,它基于物质对光的相互作用,通过测量物质对不同波长光的吸收、发射或散射来获取物质的信息。

光谱测量的原理和方法多种多样,可以满足不同领域和应用的需求,为科学研究和工程技术提供了重要的数据支持。

在进行光谱测量时,需要注意样品的制备和操作过程,以确保测量结果的准确性和可靠性。

光谱测量的发展将进一步推动科学研究和工程应用的发展,为人类社会的进步做出贡献。

半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法-最新国标

半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法-最新国标

半导体晶片表面金属沾污的测定全反射X射线荧光光谱法1范围本文件描述了半导体抛光晶片表面深度约为5nm以内金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。

本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片表面金属沾污的测定。

尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定。

本文件可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于钾、钙、钛、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌等金属元素,且面密度在109atoms/cm2~1015atoms/cm2范围内元素的定量测试。

注:测试范围在一定条件下可以扩展到原子序数11(Na)~92(U)的元素,取决于测试设备提供的X射线源。

2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T8979纯氮、高纯氮和超纯氮GB/T14264半导体材料术语GB/T25915.1-2021洁净室及相关受控环境第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1全反射total reflection光从光密介质射向光疏介质时,当入射角超过某一角度C(临界角)时,折射光完全消失,只剩下反射光线的现象叫做全反射。

注:对于X射线,一般固体与空气相比都是光疏介质。

3.2临界角critical angle能产生全反射的入射角度。

当掠射角低于这一角度时,被测表面发生对入射X射线的全反射。

注:如果入射角足够小,x射线根本不穿过样品,而是被反射,则折射角和反射角交界处的入射角称为临界角。

3.3掠射角glancing angle样品表面平面与包含入射到样品表面的X射线的虚拟平面之间的夹角。

注:本方法以小的掠射角入射到晶片表面时,X射线会在晶片表面发生全反射,此时反射的角度等于掠射角3.4角扫描angle scan作为掠射角函数,对发射的荧光信号的测试。

光谱反射率 漫反射率

光谱反射率 漫反射率

光谱反射率漫反射率
光谱反射率与漫反射率是光学领域中的两个重要概念,它们在
物体表面反射光线时起着关键作用。

光谱反射率是指物体在不同波
长光线照射下的反射率,而漫反射率则是指物体表面对入射光线的
均匀反射能力。

光谱反射率是描述物体表面对不同波长光线的反射能力的参数。

不同波长的光线在物体表面的反射率不同,这导致了我们能够观察
到物体的颜色。

例如,红色的物体对红光有较高的反射率,而对其
他颜色的光线反射率较低,因此我们看到它是红色的。

光谱反射率
的研究对于颜色测量、光谱分析等方面具有重要意义,广泛应用于
纺织、印刷、油漆等行业。

而漫反射率则是描述物体表面对入射光线的均匀反射能力。


光线照射到物体表面时,一部分光线会被表面反射,而另一部分则
会被吸收或穿透。

漫反射率高的物体表面能够均匀地反射光线,使
得物体看起来柔和、不闪耀。

这在摄影、照明等领域中具有重要应用,例如在拍摄人像时,使用漫反射率高的背景可以使画面更加柔
和自然。

光谱反射率和漫反射率的研究不仅有助于我们更好地理解光的行为,还在工程技术和科学研究中有着广泛的应用。

通过对物体表面反射光线的特性进行研究,我们可以更好地设计材料、开发新的光学器件,并且在颜色测量、环境遥感等领域中发挥重要作用。

因此,对光谱反射率和漫反射率的深入研究将为我们带来更多的科学发现和技术创新。

反射式太赫兹光谱范围测试

反射式太赫兹光谱范围测试

反射式太赫兹光谱范围测试
反射式太赫兹光谱范围测试是一种新型的非损伤性测试技术,能够检测材料在太赫兹波段的电磁辐射吸收和反射率。

太赫兹光谱测试系统通常包括发射器、接收器和信号处理器等组成部分,可以应用于无损检测、材料分析、生物医学等多个领域。

在无损检测方面,反射式太赫兹光谱范围测试可以用于检测建筑、食品、药品、化妆品等的质量和安全性。

通过测量材料对太赫兹波的吸收和反射率,可以获取材料的结构和成分信息,进而评估其质量和安全性。

例如,可以检测食品中的添加剂、农药残留等有害物质,以及建筑材料的缺陷和损伤等。

在材料分析方面,反射式太赫兹光谱范围测试可以用于研究材料的物理和化学性质。

由于太赫兹波具有较高的频率和较短的波长,因此可以探测到材料中较小的细节和结构。

通过分析材料的吸收和反射光谱,可以了解材料的分子结构和化学键等信息,进而研究其物理和化学性质。

此外,反射式太赫兹光谱范围测试在生物医学领域也有广泛的应用。

例如,可以用于检测生物组织的结构和成分,进而诊断疾病或研究药物的作用机制。

同时,太赫兹波还可以用于成像和光谱分析等方面,为生物医学研究提供更多的工具和方法。

总之,反射式太赫兹光谱范围测试是一种非常有前途的非损伤性测试技术,具有广泛的应用前景。

通过不断的研究和技术改进,相信未来太赫兹技术会在更多领域发挥重要的作用。

光谱的实验原理

光谱的实验原理

光谱的实验原理
光谱实验是通过分析物质在不同波长的电磁波中吸收、发射或散射的特性,来研究物质的成分和性质的一种方法。

其原理基于以下几个基本概念:
1. 原子吸收光谱:当物质受到外部能量的激发后,处于激发态的原子会吸收特定波长的光,产生吸收线。

每种化学元素都有其特定的吸收光谱,可以用来确定物质中的元素种类和浓度。

实验时会通过将样品置于光源前方,测量透射光的强度,然后将透射光通过光栅或光纤进行衍射或耦合,最后用光谱仪或光电二极管测量各个波长的光强,得到吸收光谱。

2. 原子发射光谱:当物质中的原子受到能量激发后,会从激发态跃迁到基态,同时释放出特定波长的光,形成发射光谱。

每种元素都有其特定的发射光谱,可以用来鉴别物质中的元素种类。

实验中,物质样品会通过加热、电激发或光激发等方式激发原子,然后用光谱仪或光电二极管测量发射出的光的波长和强度,得到发射光谱。

3. 分子吸收光谱:与原子吸收光谱类似,分子吸收光谱是指分析物质所吸收特定波长的光,用来研究分子结构和浓度。

分子比原子复杂得多,因此吸收光谱的波长范围更广,可以提供更多的信息。

实验中会利用特定波长的光照射样品,然后测量透射光的强度变化,得到吸收光谱。

4. 散射光谱:当光束与物质中的微粒或分子相互作用时,会发生散射现象,部分光会沿不同方向散射出去。

散射光谱可以提
供物质的粒子大小和形状等信息。

实验中,会利用散射光谱仪或光电二极管测量样品散射出的光的强度和角度,得到散射光谱。

总之,光谱实验的原理在于分析物质对不同波长的光的相互作用,通过测量光的强度和波长的变化,从而获得相关物质的信息。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

固態光學實習二、反射光譜量測原理及實驗1. 原理1-1.反射率與固態物理光學特性之關係光學常數是用來表徵固態宏觀光學性質物理量,折射率n 和散射係數ĸ是兩個基本的光學常數,二者分別構成複數折射率n 的實部與虛部。

另外,複介電係數ε(εr ,εi )和複光電導率σ(σr ,σi )也叫做光學常數,它們都與(n ,ĸ)有關。

實際上光學常數並非真正意義上的常數,而是人射光頻率的函數,光學常數的這種頻率依賴性叫做色散關係。

這些色散關係可以以簡單的物理模型出發推導出來。

光強(反射、透射、散射、輻射等)的射散就是所謂的光譜。

勞倫茲(Lorentz )射散觀念是基於阻尼諧振子近似,適用於絕緣體和半導體。

為簡單起見,設所觀測的對象為均勻、各向同性的固體,在一階近似下,光與物質的相互作用,也就是固體對光的響應可以看成阻尼諧振子系統在入射光作用下的受激振蕩。

諧振子之間相互作用,用阻尼系數γ來表徵,並且假設固體中只有一種共振振蕩頻率為ω0質量為m 的諧振子,因此只需要考慮以座標X 表示的諧振子在光波作用下的運動。

系統受到的作用力有:與位移成正比的彈性恢復力-mw 02x ,與速度成正比的阻尼力'x m γ-,以及電磁場驅動力).exp(0*t i E e ω-,其中是*e 諧振子的有效電荷,在這些作用力之下,一個諧振子的運動方程式可以表示為).exp(0*20'''t i E e x m x m x m ωωγ-=++ (1)可以得到諧振子在光波作用下的位移)(ωx).exp(/)(0220*t i E i m e x ωγωωωω---= (2) 由電極化強度P 的定義知道 E x Ne p χε0*==,可以得到2222202202)()()(1)(ωγωωωωωωχωε+--=+=p r r (3) 2222202)()()(ωγωωγωωωχωε+-==p i i (4)22222032*0)()/()()(ωγωωγωωωεεωσ+-==m Ne i r (5) )()()(22ωεωκωr n =- (6) )()()(2ωεωκωr n = (7)其中02*2/εωm Ne p ≡,為電漿頻率。

光學常數隨頻率變化曲線叫做色散曲線。

吸收有關的量,)(ωεi ,)(ωσr ,以及)(ωA ,在0ωω=處出現極大,離開0ω遞減,在高頻和低頻下,都趨近於0。

入射光頻率與系統的共振頻率相等時,光與系統的能量交換作用最大,系統對光的吸收最強,這叫做共振吸收。

對於只有一種固有頻率的諧振子,吸收峰只有一個,但實際上可能有不同頻率振蕩的諧振子,因此吸收峰可能有多個。

由微分KK 關係知道,)(ωεr 可以處)(ωεi 的微分並在一個相當寬的頻率區間內積分得到。

圖一:光學常數)(ωκ、)(ωσr 、)(ωεi 、)(ωεr 以及反射率射散關係是意圖。

計算時對設h λ=1eV ,ħω0=4eVI 、ω « ω0 低頻透明區(T )在這一區域內。

代表吸收的光學量)(ωκ、)(ωσr 、)(ωεi 都隨頻率減小而趨近於0,折射率為靜態的)0(n 隨頻率的增加而增大,呈正常色散,固體是透明的。

II 、ω ≈ ω0 共振吸收區(A )在這一頻域內,代表吸收的光學量 )(ωσr 、)(ωεi 達到極大值。

在該區內,折射率由正常射散轉變為反常射散,即頻率的增加而增少。

III 、ω0 < ω < ωp 金屬反射區(R )在這一頻域內,0)(<ωεr 。

以波方程式不難看出,對於實的ω,0)(<ωεr 意味著波方程式k 為虛數,有就是說,此頻域內光不能在固體中傳播;由式(3)看出,在這一頻域內)()(ωωκn >>,實際上n 趨近於0。

IV 、ω » ω0 高頻透明區(T )在這一頻域內,代表固體吸收的量都趨近於0,折射率隨頻率的變化為正常色散固體再次轉變為透明的。

單晶體的)(ωn ,)(ωκ實驗射散曲線如下圖圖二:單晶體的)(ωn ,)(ωκ的射散曲線1-2. kramers-kronig relation 的推導任何複變函數α(w ),只要滿足三個要求,就會滿足K-K Relation (w 是實數): (a )α(w )的極點都要在實軸下方。

(b )在複w-平面之上半部沿著一無限大半圓形對α(w )/w 積分時為零。

在∣w ∣→∞時,α(w )均勻的→0。

(c )對α(w )=α,(w )+i α,,(w )而言,α,(w )為偶函數,α,,(w )為奇函數。

若對一個滿足上述3條件的複變函數α(z )(z 是複變數)再複平面上取一個迴路積分()Zd ⎰w-z z α=()ds⎰w-s s 1α+()Zd ⎰w-z z 2α+()ds⎰w-s s 3α+()Zd ⎰w-z z 4α=0(因為沒有包到極點,故整個積分為0)由(b )知()Zd ⎰w -z z 4α=0而再看()Zd ⎰w-z z 2α而z =w +ue i θ,dz =iue i θ d θ代入故()Zd ⎰w-z z 2α=θαπθθθd ueiue ue w i i i ⎰+0)(=θαπθid ue w i ⎰+0)(在u →0下,α(w +ue i θ)→α(w ) independent of θ故上式積分=α(w )i (-π) 故()ds⎰w-s s 1α+()ds ⎰w-s s 3α=pds w s s ⎰∞-)(α=πi α(w )表示積分避開奇異點(主值積分)而α(w )=α,(w )+i α,,(w )代入左式 α(s )=α,(s )+i α,,(s ) 代入右式α,(w )+i α,,(w )=ds w s p i s ⎰∞∞--)(,1απ+ds ws p i i s ⎰∞∞--)(,,απ=ds ws p i s ⎰∞∞--)(,1απ+ds w s p s ⎰∞∞--)(,,1απ比較實部→α,(w )=ds w s p s ⎰∞∞--)(,,1απ,而α,,(s )是奇函數比較虛部→α,,(w )=ds w s p s ⎰∞∞---)(,1απ,而α,(s )是偶函數由→α,(w )=ds ws p s ⎰∞-0)(,,1απ+ds w s p s ⎰∞--0)(,,1απ=ds ws p s ⎰∞-0)(,,1απ+ds w s p s ⎰∞---0)(,,1απ,又α,,(-s )=-α,,(s )=ds ws p s ⎰∞-0)(,,1απ+ds ws p s ⎰∞+0)(,,1απ=ds w s w s p s )(,,0)11(1απ⎰∞++-=ds w s s p s ⎰∞-022)(,,2απ#由→α,,(w )=ds w s p s ⎰∞∞---)(,1απ=ds w s p s ⎰∞--0)(,1απ-ds w s p s ⎰∞--0)(,1απ =ds ws p s ⎰∞--0)(,1απ-ds w s p s ⎰∞---0)(,1απ,又α,(-s )=α,(s )=ds w s p s ⎰∞--0)(,1απ+ds w s p s ⎰∞+0)(,1απ=ds w s w s p s )(,0)11(1απ⎰∞+---=ds w s p ws ⎰∞--22)(,2απ#故至此導出了K-K Relationw 是實數1-3 折射率之實部虛部n(w) ,k(w)之獲得)(w r =i r i w ir r e R +=θ)(乃是一個複變函數,雖滿足K-K Relation 的3個要求,但因為反射係數本身不好測量,故)(w r 的實部和虛部關係對實驗上沒實際用途,能直接測到的是反射率R (w) ,故我們只要找出R (w)和θ(w)的關係,再由)(w r =θi w e R )(就可以得出反射係數)(w r ,進而知道n 、k 等光學係數。

故考慮一複變函數)(21)()(ln ln w w w i R r θ+=代入K-K Relation比照α(w )=α,(w )+i α,,(w ),故知α,(w )=)(ln 21w R ,α,,(w )=θ(w)代入K-K Relation故α,,(w )=ds w s p ws ⎰∞--022)(,2απs s d w s Rp w⎰∞--022)(ln 212π=故得出了θ(w)和R (w)的關係式#考慮真空中一電磁波射向介電函數ε,磁導常數μ=1的介質,其反射係數)(w r =11++-+ik n ik n而反射率R (w) =*rr =2222)1()1(k n k n +++- ------------(a) 故)(w r =11++-+ik n ik n =θi w e R )(=)sin (cos )(θθi R w + ------------(b)利用(a) (b)聯立,經過一些代數運算導出故由θ(w) ,R (w)代入上兩式即得n (w) ,k (w) #1-4 介電函數之實部虛部ε1,ε2之獲得由晶體的複數折射率N (w)=ik n +=ε兩邊平方ε21222εεi ink k n +=+-=,比較實部需部得由n (w) ,k (w)代入,故可得)(2)(1,w w εε故由一開始的R (w) ,我們成功的得到n (w) ,k (w) ,)(1w ε,)(2w ε至此分析完成#1-5 加入微擾項形式之K-K relation 推導在我們後來的實驗中,因為在用程式模擬)(w θ=s s d w s R p w⎰∞--22)(ln π的過程中,碰到奇點常會使)(w θ發散(無窮大值)。

因此我們發展了一套微擾項形式的K-K relatinon ,使此改良過的K-K relatinon 在用程式模擬時不至於發散。

我們由3-1的pds w s s ⎰∞∞--)(α=πi α(w )出發,α(s )仍是一個複變函數,我們在分母加一個複數微擾項i Γ,來避免分母為零(故我們可以積過奇點所以把p 拿掉),但又因為加的是複數故不會影響實部積分的值,所以pds w s s ⎰∞∞--)(α=ds i w s s ⎰∞∞-Γ+-)(α=ds w s i w s s ⎰∞∞-Γ+-Γ+-22)()()(α=ds w s w s s ⎰∞∞-Γ+--22)()()(α+ds w s i ⎰∞∞-Γ+-Γ22)( 故α(w )=ds w s w s i s ⎰∞∞-Γ+--22)()()(1απ+ds w s ⎰∞∞-Γ+-Γ22)(1π, α(w )=α,(w )+i α,,(w )代入左式,α(s )=α,(s )+i α,,(s ) 代入右式α(w )=α,(w )+i α,,(w )=ds w s w s i s ⎰∞∞-Γ+--22)(,)()(1απ+ds w s w s i i s ⎰∞∞-Γ+--22)(,,)()(απ+ds w s ⎰∞∞-Γ+-Γ22)(1π=ds w s w s i s ⎰∞∞-Γ+--22)(,)()(1απ+ds w s w s s ⎰∞∞-Γ+-Γ+-22)(,,)()(1απ在此我們只要比較虛部即可(因為知道到時候的虛部就是我們要的θ(w))ds w s w s s ⎰∞Γ+---22)(,)()(1απds w s w s s ⎰∞-Γ+---22)(,)()(1απ=ds w s w s s ⎰∞Γ+---022)(,)()(1απds w s w s s ⎰∞-Γ+-----022)(,)()(1απ,又α,(-s )=α,(s ) =ds w s w s s ⎰∞Γ+---22)(,)()(1απ+ds w s w s s ⎰∞Γ+++022)(,)()(1απ=s s d w s w s w s w s )(,02222])()([1απ⎰∞Γ+++-Γ+--- =s s d ws w s w w ws ws )(,022*******])2()(2224[1απ⎰∞-Γ++Γ----此為加了複數微擾項後的K-K relatinon故)(21)()(ln ln w w w i R r θ+=帶入上式不會有θ(w)發散的情形,只要適當的選取Γ值(事實上Γ的大小與θ(w)的半高寬有關)。

相关文档
最新文档