射频微电子

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射频微电子第二版教学设计

射频微电子第二版教学设计

射频微电子第二版教学设计1. 简介本教学设计针对射频微电子领域,旨在培养学生的射频电路设计能力、射频器件制造和射频无线系统应用。

2. 教学目标本次教学设计的教学目标是:1.让学生了解射频微电子的基本原理和技术;2.培养学生的射频电路设计能力;3.培养学生的射频器件制造和射频无线系统应用能力;4.提高学生的实践操作能力;5.提高学生的综合素质。

3. 教学内容3.1 射频微电子基本原理和技术(1)射频微电子的概述本课程将介绍射频微电子的概述,包括射频微电子的基本原理、结构、射频器件、射频系统和应用等。

(2)共面波导和微带线本课程将深入讲解共面波导和微带线的原理和应用,并比较两种传输线的优缺点。

(3)射频微电子器件本课程将介绍射频微电子器件,包括放大器、滤波器、混频器、功率放大器等。

(4)射频无线系统应用本课程将介绍射频无线系统的应用,包括调制解调、频率合成、射频电路检测、射频电路测试等。

3.2 射频电路设计能力培养(1)射频电路设计基础本课程将介绍射频电路设计的基础知识,包括基本理论、网络理论、卡西米尔方程等。

(2)射频系统设计本课程将介绍射频系统设计的基本原理和方法,包括系统设计流程、系统设计步骤、系统设计原则等。

(3)射频电路仿真本课程将介绍射频电路仿真的基本原理和方法,包括仿真器件、仿真软件等。

3.3 射频器件制造和射频无线系统应用能力培养(1)射频器件制造基础本课程将介绍射频器件制造的基本原理和方法,包括制造流程、制造技术、制造工艺等。

(2)射频无线系统应用本课程将介绍射频无线系统的应用,包括无线通信系统、无线电视系统、无线定位系统等。

3.4 实践操作能力提高本课程将通过实验室实验等方式,提高学生的实践操作能力,让学生亲手制作和调试射频电路、设备和系统。

4. 课程评估(1)成绩评定本课程采用考试和实验室实验的方式进行评估。

考试占50分,实验室实验占30分,课堂表现和课堂作业占20分。

(2)成绩标准课程总成绩为100分。

射频封装与微电子封装技术

射频封装与微电子封装技术

射频封装与微电子封装技术随着科技的不断进步和电子产品的不断更新换代,射频(Radio Frequency,简称RF)封装和微电子封装技术成为电子与电气工程领域中备受关注的研究方向。

射频封装技术主要应用于无线通信领域,而微电子封装技术则广泛应用于集成电路、传感器和微电子器件等领域。

本文将从射频封装和微电子封装两个方面来探讨相关技术的发展和应用。

一、射频封装技术射频封装技术是指将射频电路组件封装在特定的封装材料中,以实现对射频信号的传输和处理。

射频电路通常工作在高频段,对于封装材料的电磁性能和封装结构的电学特性有着较高的要求。

传统的射频封装技术主要包括无源封装和有源封装两种。

无源封装是指在射频电路中不包含主动器件(如晶体管、集成电路等),主要采用微带线、波导等结构进行传输和耦合。

无源封装技术具有尺寸小、重量轻、频率范围广等优点,广泛应用于微波通信、雷达、卫星通信等领域。

有源封装是指在射频电路中包含主动器件,通过封装和射频电路的结合实现信号放大、调制解调、频率变换等功能。

有源封装技术的发展主要集中在射频集成电路(RFIC)和射频微系统(RF-MEMS)方面。

射频集成电路通过将射频电路和数字电路、模拟电路等集成在一起,实现了射频信号的处理和控制。

射频微系统则是将微机电系统(MEMS)技术与射频电路相结合,实现了射频信号的传感和控制。

二、微电子封装技术微电子封装技术是指将微电子器件封装在特定的封装材料中,以实现对器件的保护和连接。

微电子器件通常具有微小尺寸、高集成度和高可靠性的特点,封装技术对于器件性能和可靠性的影响至关重要。

常见的微电子封装技术包括芯片封装、球栅阵列封装(BGA)、无引线封装(CSP)等。

芯片封装是指将芯片封装在封装基板上,并通过焊接、导线等方式与外部电路连接。

BGA封装则是将芯片封装在球栅阵列上,通过焊球与封装基板连接。

CSP封装是一种无引线封装技术,将芯片封装在特殊的封装材料中,通过金线、导电胶等方式与外部电路连接。

射频MEMS器件的研究与应用

射频MEMS器件的研究与应用

射频MEMS器件的研究与应用射频MEMS(Micro-electro-mechanical-systems)器件是一种与射频信号处理有关的微小机电系统,它是由微纳加工技术制造而成的微小器件,目前已广泛应用于无线通信、卫星导航、雷达、太赫兹波等领域。

本文将从射频MEMS器件的制造工艺、结构设计与应用展开探讨。

一、射频MEMS器件的制造工艺射频MEMS器件是通过微电子加工技术制造而成的微小结构,其制造工艺和普通半导体芯片非常类似,主要包括以下几个步骤:1. 射频MEMS器件的设计:根据所需功能,设计器件的结构、形状和尺寸等参数。

2. 芯片的制备:选用高质量的硅衬底进行光刻、蒸镀、刻蚀等工艺加工,制备出射频MEMS器件的芯片。

3. 票面的制造:将芯片通过特殊的切割、翻转、引线等工艺,制备成具有功能的射频MEMS器件。

4. 成品检测与测试:使用专业的测试仪器对射频MEMS器件进行测试,测试其参数是否符合设计要求。

二、射频MEMS器件的结构设计射频MEMS器件的结构设计非常关键,它的结构不仅影响了其性能,还影响着其制造工艺和可靠性。

射频MEMS器件的结构设计需要考虑以下几个方面的因素:1. 结构的材料选择:对于射频MEMS器件来说,需要选择具有良好的射频性能、热稳定性和机械稳定性等特性的材料。

目前常用的材料有硅、氮化硅和铝等。

2. 结构的设计参数:射频MEMS器件的各项设计参数都直接影响了其性能,如膜的厚度、支撑梁的长度、宽度等等。

这些参数需要根据器件的功能和要求来进行优化设计。

3. 结构的可靠性设计:射频MEMS器件在使用过程中需要承受一定的力学和热力学应力,因此需要进行结构的可靠性设计。

例如:可以引入防抖动、降低振动等工艺处理。

三、射频MEMS器件的应用射频MEMS器件的应用范围非常广泛,既可以用于通讯行业,也可以用于雷达、太赫兹波等领域。

射频MEMS器件具有以下几个突出的应用优势:1. 小型化:射频MEMS器件的体积非常小,可以轻松实现芯片级集成,因此非常适合需求小型化的应用场景。

微电子技术微型电子器件与电路的研究与应用

微电子技术微型电子器件与电路的研究与应用

微电子技术微型电子器件与电路的研究与应用微电子技术是近年来快速发展的一门前沿技术,它涉及微型电子器件和电路的设计、制造、测试和应用等多个领域。

本文将介绍微电子技术在微型电子器件与电路研究和应用方面的一些重要进展和应用案例。

一、微电子器件的研究与应用1. MOSFETMOSFET是微电子器件中的一种关键器件,它是现代集成电路的基础。

通过研究不同工艺参数对MOSFET性能的影响,可以实现器件的优化设计。

同时,MOSFET在数字电路、模拟电路和功率电子等领域都有广泛应用。

2. MEMSMEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是一种将微机械系统与微电子技术相结合的新颖技术。

通过微纳加工工艺,制造出微小的机械结构,并借助电子技术对其进行控制和感知。

MEMS在加速度计、陀螺仪、微型传感器等领域有广泛应用。

3. NEMSNEMS(Nano-Electro-Mechanical Systems)是MEMS技术的延伸,主要研究纳米尺度的微型机械系统。

NEMS的特点是尺寸更小、力学性能更好,具有更高的灵敏度和更低的功耗。

NEMS在生物传感、纳米机器人等领域有重要应用前景。

二、微型电子电路的研究与应用1. 集成电路集成电路是将数百万甚至上亿个微型电子器件集成在一个芯片上的产物。

通过研究不同的集成电路设计与制造工艺,可以实现电路的小型化、高速化和低功耗化。

集成电路在计算机、通信、消费电子等领域的应用十分广泛。

2. 射频电路射频电路是指在无线通信系统中起中频、射频信号放大与处理的电路。

通过研究射频电路的设计和优化,可以实现无线通信设备的高性能和高可靠性。

射频电路在无线电通信、雷达、卫星通信等领域发挥重要作用。

3. 数模混合电路数模混合电路是指将数字电路和模拟电路相结合的电路。

它能够在数字信号处理的同时实现高精度的模拟信号处理,具有广泛的应用前景。

数模混合电路在音频处理、图像处理、模拟信号采集等领域有重要作用。

射频集成电路设计

射频集成电路设计

射频集成电路设计1. 引言射频集成电路(RFIC)是一种专门用于射频信号处理的集成电路。

射频信号在无线通信、雷达和无线电频段的应用中至关重要。

射频集成电路设计是关于将射频电子设备集成到单个芯片上的过程。

它要求设计师具备深入的电子工程知识和专业技能。

本文将重点介绍射频集成电路设计的基本概念、设计流程和常用技术。

通过对每个主题的详细讲解,读者将能够全面地了解射频集成电路设计领域的最新动态和发展趋势。

2. 射频集成电路设计基础2.1 射频电路概述射频电路是指工作频率在几百千赫兹(kHz)到几千兆赫兹(GHz)范围内的电路。

射频电路通常用于无线通信系统、雷达系统和广播系统等领域。

与低频电路相比,射频电路的设计更加复杂,需要考虑很多特殊因素,如频率选择、阻抗匹配和信号传输等。

2.2 射频集成电路分类根据功能和工作频率的不同,射频集成电路可以分为不同的分类。

常见的射频集成电路包括功率放大器、混频器、振荡器和滤波器等。

每个分类都有各自的特点和用途。

2.3 射频集成电路设计流程射频集成电路设计流程是指从需求分析到最终产品实现的一系列环节。

它包括系统规划、电路设计、性能仿真和验证测试等步骤。

设计流程的每个环节都需要设计师仔细分析和设计,以确保最终产品能够满足设计要求和性能指标。

3. 射频集成电路设计常用技术3.1 频谱分析频谱分析是一种用于分析射频信号频率成分和幅度的技术。

通过频谱分析,设计师可以了解信号的频率分布情况,并基于此进行设计优化。

3.2 阻抗匹配技术阻抗匹配是指在输入输出端口之间实现匹配的技术。

阻抗匹配可以提高信号传输效率,减少信号反射和损耗,从而提高系统的性能。

3.3 射频集成电路建模和仿真射频集成电路建模和仿真是用计算机模拟射频电路的工作过程。

通过建模和仿真,设计师可以评估不同的设计方案,并优化设计参数,以满足特定的性能要求。

3.4 射频功率放大器设计射频功率放大器是射频集成电路中最常用的组件之一。

单片射频微波集成电路技术与设计

单片射频微波集成电路技术与设计

单片射频微波集成电路技术与设计单片射频微波集成电路(Monolithic RF Microwave Integrated Circuit,简称MMIC)是一种在单个芯片上集成了射频(RF)和微波电路的技术。

它在通信、雷达、卫星通信等领域有着广泛的应用。

本文将介绍单片射频微波集成电路的技术原理和设计方法。

单片射频微波集成电路的核心是集成电路芯片,该芯片上集成了射频和微波电路所需的各种功能模块,如放大器、混频器、滤波器、功率放大器等。

相比传统的离散组件,单片射频微波集成电路具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等优点,能够满足复杂电路的集成需求,提高系统性能。

单片射频微波集成电路的设计过程包括射频电路设计、微波电路设计、封装和测试等环节。

首先,需要根据系统需求和设计规范确定电路的工作频带、增益、带宽等参数。

然后,通过射频和微波电路的基本理论知识,选择合适的电路拓扑结构和器件参数。

在设计过程中,需要考虑电路的稳定性、噪声、线性度等指标,并进行相应的优化和调整。

在单片射频微波集成电路的设计中,还需要充分考虑电路的布局和封装技术。

合理的布局和封装可以降低电路的串扰和杂散,提高电路的性能。

同时,封装技术也需要考虑电路的散热和可靠性等因素。

现代封装技术如BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip Scale Package)等,可以满足单片射频微波集成电路的高集成度和小尺寸的要求。

当单片射频微波集成电路设计完成后,还需要进行测试和验证。

测试过程中需要使用专业的测试设备和仪器,对电路的性能进行准确的测量和评估。

通过测试结果,可以了解到电路的工作状态和性能指标是否符合设计要求,并进行必要的调整和优化。

随着射频和微波技术的不断发展,单片射频微波集成电路在无线通信、雷达、卫星通信等领域的应用越来越广泛。

它能够实现高度集成化、低功耗、小尺寸的设计要求,为现代通信系统的发展提供了强大的支持。

未来,随着射频和微波集成电路技术的进一步突破,单片射频微波集成电路将会在更多的领域发挥重要作用。

第1章无线通信中射频收发机结构及应用1

第1章无线通信中射频收发机结构及应用1
1.5.2 应用于无线局域网的收发机
无线局域网(WLAN)是利用全球通用且无须申请许可的ISM频段 (2.4GHz频段、5.0GHz频段),在无线的环境中实现便携式移动通 信。
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1.5 典型应用的集成收发信机
1.5.2 应用于无线局域网的收发机
无线局域网(WLAN)是利用全球通用且无须申请许可的ISM频段 (2.4GHz频段、5.0GHz频段),在无线的环境中实现便携式移动通 信。
2020/5/12
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1.3 射频电路与微波电路和低频电路的关系
IEEE和工业用微波波段的定义
频带名称 L带 C带 Ku带
Ka带(毫米波) U带(毫米波) E带(毫米波) F带(毫米波)
频率范围(GHz) 1.0~2.0 4.0~8.0
12.0~18.0 26.5~40.0 40.0~60.0 60.0~90.0 90.0~140.0
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1.1 无线收发信机射频前端功能和特性
对于发送系统硬件电路系统而言,最困难的部分就在于中放变
频和功放。中放变频的难点主要在于变频系统方案的设计,好
的系统方案设计可能产生的相关干扰较少,甚至还可能降低对
参与变频的本地振荡信号的要求。
基带信号 解调
中频变 频
低噪声放 大器
接收天线
图1-2接收机结构图
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2.高射频和微波电路
对于高射频和微波电路,其中可以有一个或几个集总元件,但至 少要有一个分布式元件。
对于分布电路,具有下述三个特点:
1.必须采用麦克斯韦方程提出的波传播概念;
2.电路要有大的电长度,物理长度与电路中信号传播的波长可比拟;

射频集成电路的发展与展望

射频集成电路的发展与展望

射频集成电路的发展与展望射频集成电路(RFIC)是一种用于无线通信系统的关键技术,主要用于处理、调制和解调射频信号。

随着无线通信技术的发展,RFIC也在不断进步和演化,以满足更高性能、更小体积和更低功耗的需求。

下面将从发展历程和展望两个方面来详细介绍。

一、射频集成电路的发展历程射频集成电路的发展可以追溯到20世纪60年代,当时射频电路还主要采用离散元件进行实现。

1965年,M. M. Horenstein发表了关于射频集成电路的第一篇论文,标志着射频集成电路的起源。

70年代末80年代初,随着微电子工艺的发展和集成电路技术的进步,射频电路开始逐渐实现集成化。

1982年,射频带宽、功率插图宽度和性能的提高推动了第一代射频集成电路(RFIC-1)的研发和商业应用,主要应用于无线电通信领域。

90年代,随着射频集成电路技术的不断发展,出现了第二代射频集成电路(RFIC-2),其主要特点是小型化、低功耗和低噪声特性。

2000年以后,第三代射频集成电路(RFIC-3)应运而生,该技术主要针对多频段、宽带化和高性能要求。

至今,射频集成电路已经成为无线通信系统的核心部件,并在移动通信、卫星通信、雷达和无线电广播等领域得到广泛应用。

二、射频集成电路的发展展望1.高频率和大带宽:未来射频集成电路将面临更高频率和更大带宽的需求。

随着5G通信技术的发展,超高频、毫米波和太赫兹射频集成电路将成为研究热点。

同时,射频集成电路需要支持更宽的带宽,以满足高速数据传输和多用户连接的要求。

2.小型化和低功耗:随着无线设备的小型化和便携性要求的增强,射频集成电路也需要更小体积和更低功耗。

未来的射频集成电路将需要采用新材料和新工艺,以减小电路的尺寸和功耗。

3.高性能和可靠性:射频集成电路需要更高的性能和可靠性,以应对复杂的通信环境和多种无线通信标准。

因此,新的射频集成电路需要支持更高的动态范围、更低的噪声系数和更高的工作温度范围。

4.集成度和功能多样性:未来射频集成电路将更加强调集成度和功能多样性。

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下变频混频器 混频器通过两个信号相乘进 行频率变换。在接收路径上 的下变频器有两个区分得很 清楚的输入端口,称为RF 端 口和LO 端口。RF 端口接收 将要进行变频的信号,LO 端 口接收由本地振荡器产生的 周期性波形 无源混频器它不提供任何增 益, 有源混频器一般能提供增益 如果混频器提供差分 LO 信 号和单端RF 信号,则该混频 器称为“单均衡”, 如果混频器的LO 和RF 输入 都是差分方式,则称为“双 均衡”,
零差接收器:把射频频谱在第一下变频时就直接变换到基带。这类接收器 被称为“零差”。 它的本振频率等于输入的载波频率。注意到信道的选择只需要一个截止特 性较好的低通滤波器。对于频率调制和相位调制信号,下变频必须提供正 交输出以避免信息的损失。这是因为FM 或者QPSK 频谱的两个边带带有 不同的信息,所以在变换为零频率的时候必须被分离为两个正交相位
如果一个锁相环的输入信号存在一个固定的过量相位,也就是说输入信号是一个 严格的周期函数,但输入输出相位误差Δφ 随着时间变化,这种情况,我们称环路 为“未锁定”
相位/频率鉴别器一个能够同时确定相位和频率差的电路是非常有用的,因为 它可以极大地提高锁相环的捕获范围和锁定速度。 顺序相位/频率鉴别器(PFDs)产生的两个输出信号,它们并不是互补的。
发送器结构
直接变换发送器:被发送的载波的频率与本地振荡器频率相等,调制和上变换 在同一个电路中完成,调制器后面是一个功率放大器和匹配网络,匹配网络的 作用就是给天线传送最大的功率并把由放大器的非线性产生的带外分量过滤掉。
两步发送器,用两步(或多步)来上变换基带信号以使PA 的输 出频谱远离VCO 的频率。第一个 BPF抑制了 IF信号的谐波,而 第二个则滤掉了中心频率在 ω1 −ω2 处的无用边带。 两步上变换与直接变换相比,优点在于由于正交调制是在较 低的频率完成的,I 和Q 的匹配很好,从而使两个比特流之间的 串扰很少。
低噪声放大器与混频器
双极型LNA:Q2 和I1决定了Q1的偏置电流,R1 将信号路径从Q2的噪声隔离开来, R2维持与由于Q1的不可忽略的基极电流在R1上产生的电压降的同样压降。 噪声因子=
CMOS LNA: MOSFET 只有一个主要 的噪声源,该噪声是由沟 道产生的。因此,在亚微 米技术中,合理的器件和 偏置电流的组合将会提供 令人满意的低噪声。
射频微电子---拉扎维
和其他类型的模拟混合信号电路不同,RF系统要求了解许多与集成电 路并不相关的领域。
在这种电路设计中必须折衷考 虑“射频设计六边形”
RF设计中的基本概念
线性系统:一个系统的输出可以表示成每个输入分别对应的输出的线性叠加,任何 不满足这一条件的系统都是非线性的。 时不变系统:一个系统的输入的时间平移将导致输出有相同的时间平移,如果一个 系统不满足这个条件,就叫做时变系统。 非线性的影响:谐波、增益压缩、减敏和阻塞、互调、交调。 三阶交调点IP3:在对数坐标中时,IM 项的幅度将以三倍于基波 幅度增长的速度增长。而三阶交调点就定义为这两条线的交点。 符号间干扰ISI:一序列通过一低通滤波器,输出可由每个输入位 的响应叠加而成,每个位的电平都被它之前位产生的衰减带尾破 坏了。这一现象叫做“符号间干扰”。(解决办法:脉冲整形) 概率密度函数PDF:随机信号的幅度出现在一定界限内的概率 功率谱密度PSD:一个随机信号x(t)的谱密度 Sx(f)表示在频率f 周 围单位带宽范围内信号的功率。 噪声:笼统地定义为任何与有用信号无关的随机干扰 信噪比(SNR):定义为信号功率与总的噪声功率之比 噪声系数:是信号通过一个系统后SNR 变差了多少的度量。 灵敏度(Sensitivity) :RF 接收器的灵敏度定义为在可接受的信噪比要求下系 统可检测到的最小信号电平 动态范围(DR):一般定义为电路可接受的最大输入电平与电路可提供合理信号质 量时最小输入电平的比值
相位是频率对时间的一个积分,正弦VCO 的输出可以表示为:
VCO 实际上是一个调制器对于正弦调制
表明VCO 有抑制控制输入端出现的高频成分的倾向
LC 振荡器的有限的调谐范围既是一个优点又是一个障碍!一方面,由于 VCO K 相对较小,频率对控制路径的噪声不敏感。另一方面,为了保证在 工艺偏差的情况下频率仍然能在要求的频带内,需要其它的调节频率的方 法 无谐振器的压控振荡器(VCO)不需要电路中的谐振器如果开环电路在零 相位频率下具有足够高的增益,振荡就会发生。同时,如果开环输入/输出 特性具备磁滞效应,则即使小信号相移不足,电路也也可以发生振荡 正交信号产生: 1.利用 RC-CR 网络使信号分别移相±45°,Vout1 与V out2 之间的相位 差对所有的频率都是90°。 2.,Havens 方法首先将信号分离90° 左右,得到V1和V 2。接着对这两路 信号进行相加和相减,得到Vout1和Vout2 。 3.采用一个主-从触发器对一个频率为2ω1 的信号进行二分频,如果 Vin 占空比为50%,则Vout1与Vout2的相差为90°
频率综合器
锁相环:是一个反馈系统,它工作在通常是周期信号的过量相位。由一个鉴相器, 一个低通滤波器(LPF)和一个压控振荡器构成。 鉴相器:在反馈回路中起到一个“误差放大器”的作用,以此来最小化x (t )和 y (t )之间的相位差Δφ 。如果Δφ不随时间变化,则回路就被认为“锁定”了,其结 果是输入信号与输出信号的频率是相等的。
镜像抑制接收器:镜像抑制结构的想法就是对信号及其镜像进行不同的处理, 以使镜像为它的负的副本相抵消。可以对信号和镜像进行区分是因为它们分别 在LO 频率的两边。 数字中频接收器:第一IF 信号是数字化的,并与数字化的两正交相正弦信号混 频,然后经过低通滤波得到正交的基带信号。这种方法常称为“数字IF结构” 亚采样接收器:如果一个带宽为Δf 的带通信号以等于或者大于2Δf 的速率被采 样,那么它就可以被变换到一个低频带。
振荡器
振荡器产生周期性的信号。因此,它的电路必须有一个“自我维持”的机制,使得 它自身的噪声可以增大,并且最终成为一个周期信号。大多数的 RF 振荡器可以看 作是一个反馈电路。 作为一个稳定的振荡,在ω0时必须同时满足两个条件:(1) 环路增益H( jω0) 必须 为 1;(2) 环路总的相移∠H( jω0)必须等于 0(如果直流反馈为负,则应为 180° )。 电压控制(压控)振荡器::振荡器的输出频率可以由电压控制 VCO 定义为一个可以产生周期输出信号的电路,其频率是控制电压的线性函数
检波器中的相关信号为: 当没有噪声时,积分器在t = Tb 时的输出等于:
BFSK(二进制频移键控) 在二进制频移键控中,二进制基带数据从两个 具有相同幅度的载波频率中选出一个频率 被调制信号可以表示为
其中[a1,a2 ] =[0,Ac]或者[Ac,0 ] A。当两个基函数在一个比特周期内正 交时,必有:
调制与解调

调制就是根据基带信号来改变载波信号的某些参数,解调的目的是 以最小的噪声、失真和ISI 等把原始信号提取出来。
模拟调制 幅度调制: 相位调制: 频率调制:
数字调制:幅移键控(ASK),相移键控(PSK) 和频移键控(FSK)
BPSK(二进制相移键控) 在二进制相移键控中,二进制基带数据从载 波的两个相反相位中选出一个相位.被调制信号可以表示为:
功率放大器
效率为
A类放大器:导通角最大,效率最低,但失真最小。理论效率低于50%,实际一般 小于30%。 B类放大器:导通角是半周期,效率比A高,但低于C C类放大器:导通角小于半周期 E 类放大器是非线性放大器,当传输全功率时效率可以达到接近100%, 这是它相对于C 类放大器的一个显著优点。 负载网络在二次或者三次谐波时有很高的阻值,那么开关上的电压波形的边缘会 比正弦波陡峭,因此就降低了晶体管的功率损耗。这样的电路称为F 类放大器
电荷泵锁相环(CPPLLs)用PFD(或者鉴相器)与电荷泵组合在一起来代 替鉴相器与低通滤波器的组合一般结构 两个重要的优点:(1) 捕获范围仅仅由压控振荡器的输出频率范围所决定; (2) 如果忽略了失配与偏差静态的相位误差为零。 锁相环的闭环传输函数为:
射频频率综合器结构
整数N 结构:输入的参考 频率必须等于信道宽度, 输出频率只能改变f REF 的整数倍 三个观察: (1) 预分频器根据模数控 制线的逻辑状态来将输入 信号进行N +1或者N 分频。 (2) 程序计数器总是将预 分频器的输出信号进行 P 倍分频。 (3) 而脉冲吞咽分频器将 预分频器的输出信号进行 S 倍分频,这里S 是由数 字输入控制,可以从1到 最大信道数变化的整数。 这个计数器还有一个重置 输入。
接收发送器结构
外差接收器:在外差结构中,信号频带被变换到低得多的频率,从而降低了对信道 选择滤波器的要求,信号首先和余弦信号混频,其中ω0=ω1-ω2 ,由此产生了两个 频带一个在 ω2 附近另一个在2ω1 −ω 2附近。然后用一个低通滤波器滤去后者。这 一操作被称为“下变频混频”或者简称为“下变频”。由于下变频混频器一般都有 高噪声,所以在它的前面要有一个低噪声放大器降低噪声系数。
因此输出信号经过输入信号的 (N +1) S + (P − S ) N = PN + S 个周期完成了 一个周期。当脉冲吞咽计数器重置之后,系统 重复整个操作过程。
分数-N 结构:输出信号的频率可以为输入信号频率的分数倍,使得后者 可以远远高于信道宽度 预变频器将A 个输出脉冲(来自于压控振荡器) 进行N分频,B个脉冲进行N+1分频,那么等效的分频比率为 ( A+ B) /[A /N + B /(N +1)]。
多址访问技术和无线通信标准
在一个拥有极大数量收发器的网络中,就需要额外的方法来确保多个用户之间 的正确通信,这种方法叫做“多址访问技术”。 “时分复用”(TDD)发送(Tx)和接收(Rx)通道使用同样的频带范围,但 系统只能用一半时间来发送,而用另一半时间来接收 “频分复用”(FDD)发送通道和接收通道采用两种不同的频带范围 频分多址(FDMA)为了允许多个收发器相互之间能同时通信,可用的频带范围被 划分成多个信道,每一个信道都被指派给一个用户。 时分多址(TDMA)每一个用户都使用同样的带宽,但是是在不同的时间使用 直接序列 CDMA 在“码分多址”技术中,不同的语言是通过正交数字编码方式 来产生。在通信开始时,对每一对发送/接收器分配某一代码;并且基带数据 的每一比特在调制前都被“翻译”成那种代码在接收器中,解调的信号是通过 乘以同样的代码符来解码的 跳频CDMA看作是具有信道伪随机分配特性的FDMA在每个发送器中的载波频率会 根据某个选定的代码进行“跳跃”。尽管,一个发送器在短时间内其频谱可能 会和其它发送器的重叠,但是,总的频谱的轨迹,即PN 码,却可以把每个发 送器与其他发送器区分开来
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